Ярим ўтказгичли рақамли интеграл микросхемалар схемотехникаси - Fizika - Referatlar

Ярим ўтказгичли рақамли интеграл микросхемалар схемотехникаси

Yuklangan vaqt:

20.09.2019

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

216.5 KB

Ko'chirib olish

Ярим ўтказгичли рақамли интеграл микросхемалар схемотехникаси ════════════════════════════════════════════ Режа : 1. Рақамли техника асослари 2. Мантиқий ИМС параметрлари 3. Биполяр транзисторларда ясалган калит схемалар 4. Майдоний транзисторларда бажарилган калит схемалар 5. Мантиқий интеграл схемалар негиз элементлари

9.1. Рақамли техника асослари Замонавий ҳисоблаш техникасида ахборотни рақамли қайта ишлаш усули муҳим роль ўйнайди. Рақамли ярим ўтказгичли ИМСлар ҳисоблаш техникаси қурилмалари ва тизимининг негиз элементи ҳисобланади. Ҳисоблаш машиналари томонидай қайта ишланаётган берилганлар, натижа ва бошқа ахборотлар фақат икки қиймат оладиган (иккилик саноқ тизими) электр сигналлари кўринишида ифодаланади. Аналог ахборотни рақамли кўринишга айлантириш учун уни квантлайдилар , яъни вақт бўйича узлуксиз сигнал унинг маълум нуқталардаги дискрет қийматлари билан алмаштирилади. Сўнгра берилган сигнал охирги дискрет қийматига мос равишда рақам берилади. Сигнал дискрет даражаларини рақамлар кетма – кетлиги билан алмаштириш жараёни кодлаш деб аталади. Олинган рақамлар кетма – кетлиги сигнал коди деб аталади. Иккилик саноқ тизимида бирор сон икки рақам: 0 ва 1 орқали ифодаланади. Рақамларни ифодалаш учун рақамли тизимларда ток ёки кучланиш каби электр катталикни икки ҳолатдаги сигналини қабул қилишга мослашган электрон схема бўлиши талаб қилинади. Катталикнинг бири – 0 га, иккинчиси – 1 га мос келиши керак. Икки электр ҳолатга эга бўлган электр схемаларни яратишнинг нисбатан соддалиги шунга олиб келдики, ҳозирги замонавий рақамли техника мана шу иккилик ифодаланиш тизимга асосланган. Рақамли қурилмалар ишлаш алгоритмини ифодалаш учун буль алгебраси ёки мантиқ алгебраси қўлланилади. Мантиқ алгебраси доирасида рақамли схема кириш, чиқиш ва ички қисмларига мос равишда буль ўзгарувчилари ўрнатилади ва улар фақат икки қиймат қабул қилиши мумкин: Х =0 агар Х  1; Х =1 агар Х  0.

Буль алгебраси асосий амаллари бўлиб мантиқий қўшув, кўпайтирув ва инкор амаллари ҳисобланади. Мантиқий қўшув. Бу амал ЁКИ амали ёки дизъюнкция деб аталади. Икки ўзгарувчини мантиқий қўшиш постулатлари 9.1 – жадвалда келтирилган. Бундай жадваллар ҳақиқийлик жадваллари деб аталади. Шуни таъкидлаш керакки, бу амал ихтиёрий ўзгарувчилар сонига мўлжалланган. Амал бажарилаётган ўзгарувчилар сони, унинг белгисидан олдин турган рақам билан кўрсатилади. Демак, 9.1 – жадвалда 2ЁКИ амали бажарилган. Мантиқий қўшув ЁКИ амалини бажарувчи элемент (электрон схема) шартли белгиси 9.1 а – расмда келтирилган. 9.1 - жадвал Х1 Х2 Y= Х1+Х2 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 Мантиқий қўпайтирув. Бу амал ҲАМ амали ёки конъюнкция деб аталади. Мантиқий кўпайтирув постулатлари 9.2 – жадвалда келтирилган. Мантиқий ҲАМ амалини бажарувчи элемент шартли белгиси 9.1 б – расмда ифодаланган. 9.2 - жадвал Х1 Х2 Y= Х1  Х2 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 Мантиқий инкор. Инкор амали инверсия ёки тўлдириш деб аталади. Инкор постулатлари 9.3 – жадвалда келтирилган. Инверсия амалини бажарувчи мантиқий элемент шартли белгиси 9.1 в – расмда келтирлган.

1.3 – жадвал Х Y 0 1 1 0 а) б) в) 9.1 – расм. Элементар мантиқий ҲАМ, ЁКИ, ЭМАС амалларини бажарадиган мантиқий элементлардан фойдаланиб анча мураккаб амалларни бажарадиган элементлар ва уларга мос келувчи электрон схемалар яратиш мумкин. Турли амалларни бажарадиган элементтлар ИМСлар кўринишида кўплаб ишлаб чиқарилади. Мантиқий ИМСлар серияларга бирлашадилар. Ҳар бир серия асосида маълум бир мантиқий амални бажарувчи электр схемадан ташкил топган негиз элемент ётади, масалан ҲАМ-ЭМАС мантиқий амали (Шеффер элементи) ёки ЁКИ-ЭМАС мантиқий амали (Пирс элементи). Рақамли интеграл микросхемалар яратишда турли мураккаб мантиқий амалларни бажарадиган схемаларни ясашда фақат битта ҲАМ- ЭМАС, ёки ЁКИ-ЭМАС мантиқий элементидан фойдаланиш талаб қилиниши билан ҳам ажралиб туради. 9.2. Мантиқий ИМС параметрлари Ахборотни кодлаш усулига кўра мантиқий элементлар потенциал ва импульс усулларига бўлинадилар.

Мантиқий элементларнинг кўпчилиги потенциал ҳисобланади, яъни уларда иккилик ахборот иккита электр потенциал даража кўринишида ифодаланади: мантиқий 0 – паст потенциал U 0 , мантиқий 1 – юқори потенциал U 1 . Импульс мантиқий элементларда мантиқий бирга - импульснинг мавжудлиги, мантиқий нольга – унинг мавжуд эмаслиги мос келади. ИМС потенциал мантиқий элементлари қуйидаги параметрлар билан характерланади: - мантиқий «0» ва «1» кучланишлари - U 0 ва U 1 ; - микросхема ҳолати тескари ҳолатга ўзгарадиган киришдаги маълум кучланиш – бўсағавий кучланиш U БЎС ; - кириш бўйича бирлашиш коэффициенти m (киришлар сони); - чиқиш бўйича тармоқланиш коэффициенти n (юклама қобилияти ёки мазкур ИМС чиқишига улаш мумкин бўлган худди шундай миросхемалар сони); - U КИР = U 0 ва U КИР = U 1 ларга мос келувчи кириш токлари I 0 КИР ва I 1 КИР ; - халақитларга бардошлиги – юқори U 1 ХАЛ ва паст U 0 ХАЛ кириш кучланиш даражаси бўйича мумкин бўлган максимал халақит кучланиш қиймати; - манбадан истеъмол қилинаётган қувват Р ; - Е М кучланиш ва I М ток манбалари; - «0» ҳолатдан «1» ҳолатга, ёки аксинча ўтишдаги қайта уланиш кечикиш вақти; - қайта уланишларнинг (тезкорлик) ўртача кечикиш вақти - 0,5 (t 0 К + t 1 К ) . Замонавий статик тизимларнинг асосий негиз элементи бўлиб Шоттки диодлари қўлланилган ТТМ, И 2 М, ЭБМ, МДЯ – транзисторларда (ёки р –

каналли МДЯ, ёки n – каналли МДЯ) ясалган мантиқ, комплементар МДЯ – транзисторларда (КМДЯ) ясалган мантиқ элементлари ҳисобланади. Рақамли интеграл микросхема негиз элементларига қўйиладиган асосий талаб – уларниннг тезкорлиги, кичик сочилиш қуввати, катта жойлаштириш зичлиги (ягона кристалл сиртида жойлашган элементлар сони) ва тайёрланишни технологиклиги ҳисобланади. Юқорида санаб ўтилган негиз элементлар, у ёки бу, ёки бир неча параметрларига кўра бир – биридан устун турса, бошқа параметрларига кўра ёмонроқ ҳисобланади. ИМС негиз мантиқий элементи асоси бўлиб, қайта улагичлар сифатида қўлланиладиган бирор электрон калит ҳизмат қилиши мумкин. Қайта улагичлар сифатида қўлланиладиган ярим ўтказгичли асбобларга қуйидаги умумий талаблар қўйилади: бирдан катта бўлган кучайтириш коэффициенти; ахборот узатиш тизимининг бир томонламалиги; кириш ва чиқиш бўйича катта тармоқланиш коэффициентлари; қайта уланишларнинг катта тезлиги; кичик истеъмол қуввати. Электрон калитлар сифатида кремнийли биполяр ва майдоний транзисторлар қўлланилади. Майдоний транзисторларда бажарилган калитлар кичик сочилиш қувватига эга бўлсалар, бир вақтнинг ўзида биполяр транзисторларда бажарилган электрон калитларнинг қўлланилиши уларнинг тезкорлигини оширишга имкон яратади. 9.3. Биполяр транзисторларда ясалган калит схемалар БТ да ясалган содда калит схемаси 9.2 – расмда келтирилган. Юклама қаршилиги R К эмиттери умумий шинага уланган транзисторнинг коллектор занжирига уланган. Калит иккита турғун ҳолатга эга бўлиши керак: очиқ ва берк. Очиқ калит ҳолатига транзисторнинг тўйиниш ёки актив иш режими, берк ҳолатга эса - беркилиш режими мос келади.

Агар транзистор базасига манфий кучланиш берилса ( U КИР  0В), у ҳолда эмиттер ва коллектор ўтишлар тескари йўналишда уланган бўлади, яъни берк ҳолатда бўлади. Бу вақтда транзистор коллектор токининг беркилиш режимида ишлайди ва калит узилган ҳолатда бўлади. Беркилиш режимида транзистор токлари мос равишда 0ЭI , 0К К I I  , 0К Б I I   (9.1) . Натижада транзистор коллекторидаги кучланиш М K К М ЧИК К E R I Е U U      0 , (мантиқий бир U 1 ) (9.2), бўлиб, юкламанинг манбадан узилган ҳолатига мос келади (калит узилган). База занжирида R Б резистор мавжуд бўлганда транзистор база кучланиши Б К КИР БЭ Б R I U U U     0 (9.3) 9.2 – расм.

Юқори температураларда калит I К0 қиймати кескин ортади ва натижада эмиттер ўтишдаги кучланиш ҳам ортади. Шу сабабли беркилиш режимида транзистор нормал ишлаши учун қуйидаги шарт бажарилиши керакБЎС Б К КИР U R I U     0 (9.4) , бу ерда U БЎС – эмиттер ўтишдаги мусбат кучланиш U БЭ бўлиб, ушбу қиймат ортса транзистор берк режимдан актив режимга ўтади, яъни очилади. Интеграл технологияда бажарилган кремнийли транзисторлар учун U БЎС =0,5  0,6 В. Агар U КИР =0, у ҳолда (9.4) шарт қуйидагича қайта ёзилади. БЎС Б К U R I  0 (9.5) . U БЎС =0,6 В ва I К0 =1мкА деб фараз қилсак, у ҳолда R Б.max =0,6 МОм га тенг бўлади. Киришга U КИР  0,7 В (мантиқий бир U 1 ) кучланиш берилса транзистор актив ёки тўйиниш режимида ишлайди (калит уланган). Калит режимда транзисторнинг актив иш режими маъқулланмайди, чунки юкламадаги ток фақат юклама R К ва манба кучланиши Е М катталиги билан эмас, балки транзистордаги кучланиш пасайиши U КЭ билан ҳам аниқланади, K КЭ М K Ю R U E I I    (9.6) , яъни транзистор хоссаларига (параметрларнинг ўзгариши ва уларнинг температурага боғлиқлиги) ҳам боғлиқ бўлади. Бундан ташқари, актив режимда транзисторда қўшимча қувват КЭ K K U I P   сочилади, схеманинг ФИК камаяди.

Интеграл технологияда бажарилган кремнийли транзисторлар учун тўйиниш режимида U ЧИҚ =U КЭ  0,25 В (мантиқий ноль U 0 ). Аналог схемаларда алоҳида калитлар қўлланилади. Рақамли схемаларда эса калитли занжирлар қўлланилади. Бундай занжирларда ҳар бир калитни ўзидан олдинги калит бошқаради ва ўз навбатида бу калитнинг ўзи кейинги калит учун бошқарувчи ҳисобланади. Демак, агар олдинги калитда транзистор тўйиниш режими бўлса, у ҳолда бу калит кейинги калитни қайта улаши мумкин эмас. Шундай қилиб, агар калит киришига мантиқий ноль потенциали берилса, у ҳолда унинг чиқишида мантиқий бирга мос потенциал ҳосил бўлади ва аксинча, яъни бундай калит инверс схема ҳисобланади ва инвертор деб аталади. Асосий динамик параметрларидан бири бўлиб, схеманинг уланиш ва узилиш вақтидаги қайта уланиш жараёнлари билан аниқланадиган тезкорлиги ҳисобланади. Схема чиқишидаги кучланишнинг бўсағавий қиймати, кириш сигналини U 0 дан U 1 га ўзгартирганда маълум t 1 К вақтига, U 1 дан U 0 га ўзагтирганда t 0 К вақтига кечикади. Кечикишларга транзисторлар қайта зарядланиш сиғими ва юклама сабаб бўлади. Схема тезкорлиги ўртача кечикиш вақти билан аниқланади) ( 5,0 0 1 К К К t t t    . Схема истеъмол қилаёнган ток ортса, сиғимларнинг катта қайта зарядланиш тезлиги ҳисобига қайта уланиш вақти ортади. Лекин бу вақтда схеманинг истеъмол қуввати ортади. Шу сабабли ўртача кечикиш вақти қайта уланиш иши A Қ =Рt К деб аталувчи катталик билан аниқланади. Замонавий ИМСлар учун Ақ =10 -12 -10 -14 Дж.

9.4. Майдоний транзисторларда бажарилган калит схемалар Калит элементи сифатида одатда канали индукцияланувчи МДЯ – транзисторлар қўлланилади, чунки уларда U ЗИ нольга тенг бўлганда узилган калит ҳолати таъминланади (транзистор берк). Майдоний транзисторлар асосида ясалган мантиқий элементлар негизида актив элемент ва юклама МДЯ – транзисторда бажарилган калит схема ётади. Актив ва юкламадаги транзисторлар бир хил ёки ҳар хил ўтказувчанлик турига эга бўлган каналдан ташкил топган бўлиши мумкин. Актив транзистор затворига юқори потенциалга (мантиқий бир даражаси) берилса унинг стокидаги қолдиқ кучланиш 50-100 мВ ни (мантиқий ноль даражаси) ни ташкил этади. Бу билан инверсия амалга оширилади. Бир турдаги МДЯ – транзисторларда бажарилган калит схемалар. 9.3 – расмда n – канали индукцияланувчи МДЯ – транзисторларда бажарилган калит схемаси келтирилган. 9.3 – расм. VT 0 транзистор ночизи қ ли юклама вазифасини бажаради. Кетма – кет уланган транзисторлар асоси қобиқда қисқа туташув бажарилади, затвор ва юкламадаги транзистор стоки манба билан туташтирилган. Е М = 3U БЎС

танланади, бу ерда U БЎС – транзистор очиладиган кучланиш. Демак, юқоридаги транзистор доим очиқ ҳолатда бўлиб тўйиниш режимида бўлади ва инвертор токини чеклаш учун хизмат қилади (динамик юклама). VT0 сток токи катталиги қуйидаги формула билан аниқланади 2 0 0 0 0 ) ( 2 1 БЎС СИ C U U B I   (9.7) . Агар калит кириши Х га U 0 КИР  U БЎС кучланиш берилса (мантиқий ноль), VT1 транзистор берк бўлади, калит орқали 10 -9 -10 -10 А ток оқиб ўтади, чиқишдаги кучланиш эса x y бўлиб кучланиш манбаи қийматига яқин бўлади: U ЧИҚ  Е М (мантиқий бир). Агар калит кириши Х га U 0 КИР  U БЎС кучланиш берилса, у ҳолда VT1 транзистор очилади ва тўйиниш режимига ўтади, бу вақтда сток токи I С1 (9.7) ифода орқали аниқланади, фақат U СИ0 =Е М деб олинади. 2 1 1 1 ) ( 2 1 БЎС М C U Е B I   (9.8) . VT 1 транзисторнинг тўйиниш режимидаги канал қаршилиги ) ( 1 ) ( 1 1 1 1 1 1 БЎС КИР БЎС ЗИ U U B U U B R     . I С1 токни канал қаршилиги R га кўпайтириб, чиқиш кучланишини оламиз 1 2 0 1 0 1 1 2 0 1 0 ) ( 2 ) ( 2 БЎС М БЎС М БЎС КИР БЎС М ЧИК U Е U Е В В U U U Е В В U       (9.9) . Амалиётда U 1 КИР  Е М (9.9) дан кўриниб турибдики, кичик чиқиш кучланиши қийматини U ЧИҚ таъминлаш учун В 0  В 1 нисбат бажарилиши

керак. В катталиги канал кенглигини унинг узунлигига нисбати билан аниқланади ( Z / L ). Бу калит кичик тезкорликка эга, чунки чиқиш импульсининг фронти транзистор параметрлари билан эмас, балки чиқиш сиғими зарядини ночизиқли юклама транзисторидан чиқиши билан аниқланади, бу қаршилик қиймати эса юзлаб кОмларга етади. МДЯ – транзисторларда бажарилган калит схемалар. Бир турдаги МДЯ – транзисторларда бажарилган калит схемаларнинг камчилиги бўлиб шу ҳисобланадики, бошқарувчи транзисторнинг уланган ҳолатида калит орқали ток оқиб ўтади. Бу ток жуда зарур ҳисобланмайди, чунки майдоний транзисторнинг ўрнатилган токи амалда нольга тенг бўлади. Комплементар МДЯ (канал ўтказувчанлиги қарама – қарши бўлган транзисторларда) бажарилган калит схемалар бу камчиликлардан ҳоли (9.4-расм). Бу калитда иккала транзистор затворлари ўзаро боғланиб ягона кириш ҳосил қиладилар. Стоклар бирлашиб ягона чиқиш ҳосил қиладилар, истоклар эса асос билан биргаликда мос равишда кучланиш манбаи ва умумий шинага уланадилар. Иккала транзистор ягона кириш сигнали билан бошқарилади. Лекин, бу транзисторларнинг бўсағавий кучланиш U БЎС қийматлари бир – бирига тескари ишорага эга бўлганлиги сабабли, кириш даражаларининг ихтиёрий қийматида бу транзисторлар турли ҳолатда бўладилар. Бир транзистор очиқ бўлганда, иккинчиси берк бўлади. Ҳақиқатдан ҳам, агар киришга Х= U 0 КИР сигнал берилса, VT0 затвори асосга нисбатан манфий потенциалга эга бўлади U 0 КИР -Е М =-Е М .

1.4 – расм. Демак, VT0 очиқ ҳолатда бўлади. Бу вақтнинг ўзида VT1 транзистор затворидаги потенциал асосга нисбатан бўсағавий кучланишдан кичик қийматга эга бўлади ва бу транзистор беркилади. Агар киришга х= U 1 КИР сигнал берилса, VT1 очилади, VT0 транзистор эса беркилади, чунки энди унинг затворидаги кучланиш асосга нисбатан қуйидагига тенг бўлади 0 1 0      М КИР А З А Е U U U U . Шундай қилиб, ихтиёрий стационар ҳолатда схема транзисторларидан бири берк ҳолатда бўлади, шу сабабли схема манбадан деярли қувват истеъмол қилмайди. Аммо схема қайта уланиш жараёнида, бирор жуда кичик вақт мобайнида иккала транзистор очиқ ҳолатда бўлади, чунки иккинчиси беркилиб улгурмаган бўлади. Комплементар МДЯ – транзисторларда ясалган калит схемалар бир турдаги МДЯ – транзисторларда ясалган калит схемаларга нисбатан ўн марта кам қувват истеъмол қилади. Лекин, схемаларнинг тезкорлиги бир хил бўлиб калит чиқиш сиғимининг қайта зарядланиш вақти билан белгиланади. 9.5. Мантиқий интеграл схемалар негиз элементлари

Мантиқий ИМС негиз элементлари тузилишига кўра қуйидаги гуруҳларга бўлинади: диодли – транзисторли мантиқий элементлар (ДТМ); транзистор – транзисторли мантиқ элементлари (ТТМ); ток қайта улагичлари асосидаги эмиттерлари боғланган мантиқ элементлари (ЭБМ); МДЯ – транзисторларда ясалган элементлар; инжекцион манбали элементлар (И 2 М). Электрон калит тури мантиқ тури билан аниқланади. Агар калит схемаси таркибида транзистордан ташқари бошқа электр радиоэлементлар (резистор, диод) мавжуд бўлса, бу ҳолат интеграция даражасини пасайтиради ва шу сабабли бу мантиқ тури ўрта ва катта интеграцияли рақамли интеграл микросхемалар негиз элементлари сифатида қўлланилмайди. Қуйида замонавий рақамли интеграл қурилмаларда қўлланиладиган негиз элементлар кўриб чиқилади. Транзистор – транзисторли мантиқ элементлари (ТТМ). Бу мантиқ турида электрон калитлар билан бошқариладиган кўп эмиттерли транзистор (КЭТ)да бажарилган инвертор қўлланилади. Чиқишида оддий инвертор бўлган ТТМ схемаси 9.5 а – расмда келтирилган. Х1 ва Х2 киришлар мантиқий бир потеннциалига эга (2,4 В) деб фараз қилайлик. Бунда КЭТ эмиттер ўтишлари берк бўлади ва ток қуйидаги занжир орқали оқиб ўтади: кучланиш манбаи Е М – резистор R1 – КЭТнинг очиқ бўлган коллектор ўтиши VT1 транзистор базасига йўналган бўлади, шу сабабли VT1 тўйиниш режимига ўтади ва унинг коллекторида мантиқий ноль паст потенциали ўрнатилади (0,4 В).

а) б) 9.5 – расм. Энди эса, иккала киришга кичик кучланиш потенциали (мантиқий ноль потенциали) берилган деб фараз қилайлик. Бу ҳолатда КЭТ эмиттер ўтишлари коллектор ўтиш каби тўғри йўналишда силжиган бўлади. КЭТ база токи ортади, шу транзистор коллектор токи, демак, VT 1 база токи эса сезиларли камаяди. КЭТ ток асосан қуйидаги йўналишда оқиб ўтади: кучланиш манбаи Е М – резистор R1 – КЭТ база – эмиттери – киришдаги сигнал манбаи – умумий шина. VT1 транзистор база токи деярли нольга тенг бўлганлиги сабабли, бу транзистор беркилади ва схеманинг чиқишида юқори кучланиш даражаси (2,4 В – мантиқий бир) юзага келади. Кўриниб турибдики, фақат битта киришга мантиқий 0 берилса ҳолат ўзгармайди. Демак, бирор киришда мантиқий 0 мавжуд бўлса чиқишда мантиқий 1 ҳосил бўлади. Қачонки барча киришларга мантиқий 1 берилсагина чиқишда мантиқий 0 ҳосил бўлади. Ҳақиқийлик жадвалини тузиб бу элемент 2ҲАМ-ЭМАС амалини бажаришини кўрамиз. Кўриб ўтилган бу элемент кичик халақитларга бардошлиги, кичик юклама қобилияти ва юклама сиғими С Ю (катта R2 қаршилик орқали)га ишлаганда, кичик тезкорликка эга эканлиги сабабли кенг кўламда қўлланилмайди.

Мураккаб инверторли ТТМ схемаси кўриб ўтилган схемага нисбатан яхшиланган параметрларга эга (9.5 б -расм). Бу элемент уч босқичдан ташкил топган: - киришда R0 резисторли кўп эмиттерли транзистор (ҲАМ мантиқий амалини бажаради); - R1 ва R2 резисторли VT1 транзисторда бажарилган фаза кенгайтиргич; - VT2 ва VT3 транзисторлар, R3 резистор ва VD диодда бажарилган икки тактли чиқиш кучайтиргичи. Бу схема нисбатан кичик чиқиш қаршиликка эга бўлиб, юклама сиғимидаги қайта зарядланишни тезлаштиради. Содда схемадаги каби, бу схемада ҳам чиқишда U 1 даража олиш учун, КЭТ бирор киришига мантиқий ноль даража берилиши керак. Бу вақтда VT1 ва VT3 транзисторлар беркилади, VT1 коллекторидаги кучланиш катта бўлганлиги сабабли VT2 очилади. С Ю юклама сиғими VT2 ва диод VD орқали зарядланади. R3 резистор катта юкланишдан сақлаган ҳолда VT2 транзистор орқали токни чеклайди КЭТ барча эмиттерларига U 1 даража берилса VT1 ва VT3 транзисторлар тўйинади, VT2 транзистор эса деярли беркилади. С Ю юклама сиғими тўйинган VT3 транзистор орқали тез зарядсизланади. ТТМ схемаларни тезкорлигини янада ошириш мақсадида уларда диод ва Шоттки транзисторлари қўлланилади. Бу модификация ТТМШ деб белгиланади. Эмиттерлари боғланган мантиқ элементи (ЭБМ). ЭБМ элементи (9.6 - расм) ДК каби ток қайта улагичи асосида бажарилади. Икки мантиқий киришга эга бўлган бир елка икки транзистордан иборат бўлади (VT1 ва VT2), кейинги елка эса - VT3 дан ташкил топади. Юклама қобилиятини ошириш ва сигнал тарқалиши кечикишини камайтириш мақсадида қайта улагич VT4 транзисторда бажарилган эмиттер қайтаргич билан тўлдирилган. VT3 базасига Е 0 – таянч кучланиши берилади ва бу билан унинг очиқ ҳолати таъминланади. Ихтиёрий бирор киришга (ёки

иккала киришга) мантиқий бирга мос келувчи сигнал берилса унга мос келувчи транзистор очилади, натижада I 0 ток схеманинг ўнг елкасидан чап елкасига ўтади. VT 4 транзистор база токи камаяди ва у беркилади ва чиқишда мантиқий нольга мос потенциал ўрнатилади. Агар иккала киришга мантиқий нольга мос сигнал берилса, у ҳолда VT1 ва VT2 транзисторлар беркилади, VT3 эса очилади. R1 орқали оқиб ўтаётган ток VT4 транзисторни очади ва схеманинг чиқишида мантиқий бирга мос кучланиш ҳосил бўлади. Бу схема 2ЁКИ-ЭМАС амалини бажаради. Истеъмол қуввати 20  50 мВт , тезкорлиги эса 0,7  3 нс ни ташкил этади. 9.6 – расм. Бир турдаги МДЯ – транзисторларда ясалган элементлар (n – МДЯ) . 9.7 – расмда n – канали индукцияланувчи МДЯ – транзисторларда бажарилган схема келтирилган.

9.7 – расм. Юклама транзистори VT 0 доим очиқ. Чиқишда жуда кичик кучланиш даражаси U 0 ЧИҚ ни таъминлаш мақсадида очиқ VT1 ва VT2 транзисторларнинг канал қаршиликлари VT0 транзистор канал қаршилигидан кичик бўлиши керак. Шу сабабли VT1 ва VT2 транзисторлар канали қисқа ва кенг қилиб, юкламадаги транзистор канали эса - узун ва тор қилиб ясалади. Бирор киришга ёки иккала киришга мантиқий бир даражасига мос келувчи мусбат потенциал берилса, ( U 1 КИР U БЎС ), бир ёки иккала транзистор очилади ва чиқишда мантиқий ноль ўрнатилади ( U 0 ЧИҚ  U БЎС ). Агар иккала киришга ҳам мантиқий ноль берилса, у ҳолда VT1 ва VT2 транзисторлар беркилади. Чиқишдаги потенциал мантиқий бирга мос келади. Элемент 2ЁКИ –ЭМАС амалини бажаради. Истеъмол қуввати 0,1  1,5 мВт, тезкорлиги эса - 10  100 нс ни ташкил этади. ЎКИС ва КИСларда КМДЯ ва И 2 М мантиқий элементлари қўлланилади. Улар таркибида резисторлар бўлмайди ва микротоклар режимида ишлайдилар. Шу сабабли кристаллда кичик юзани эгаллайдилар ва кам қувват истеъмол қиладилар. КИСларда элементлар сони 10 5 та бўлганда бир элемент истеъмол қилаётган қувват 0,025 мВТ дан ошмаслиги керак.

Комплементар МДЯ – транзисторларда ясалган мантиқий элементлар (КМДЯМ). Икки киришли элемент схемаси 9.8 – расмда келтирилган. Иккаола киришга мантиқий нольга мос сигнал берилса n – каналли VT1 ва VT2 транзисторлар беркилади, р – каналли VT3 ва VT4 транзисторлар очилади. Берк транзисторларнинг каналидаги ток жуда кичик (  10 -10 А). Демак, манбадан ток деярли истеъмол қилинмайди ва схеманинг чиқишида Ем га яқин потенциал ўрнатилади (мантиқий бир даражаси). Агар бирор кириш ёки иккала киришга мантиқий бир даражаси берилса, VT1 ва VT2 транзисторлар очилади ва элемент чиқишида потенциал нольга яқин бўлади. Элемент 2ЁКИ-ЭМАС амалини бажаради. Истеъмол қуввати 0,01  0,05 мВт ни, тезкорлиги эса 10  20 нс ни ташкил этади. 9.8 – расм. Интеграл – инжекцион мантиқ элементи (И 2 М). Калит комплементар биполяр транзисторлар жуфтлигидан ташкил топган бўлиб, n-p-n турли VT1 транзистор кўпколлекторли бўлиб, унинг база занжирига p-n-p турли VT2 кўпколлекторли транзистор уланган. Бу транзистор

инжектор номини олган бўлиб, барқарор ток генератори вазифасини бажаради (9.10 а – расм.) а) б) 9.10 – расм. VT 1 транзистор эмиттер – коллектор оралиғи калит вазифасини бажаради. Сигнал манбаи ва юклама сифатида худди шундай схемалар ишлатилади. Агар киришга мантиқий бирга мос келувчи юқори потенциал берилса, VT1 транзистор очилади ва тўйиниш режимида бўлади. Унинг чиқишидаги потенциал ноль потенциалига мос келади. Киришга мантиқий нольга мос келувчи потенциал берилса, VT 1 транзисторнинг эмиттер ўтиши беркилади. Коваклар токи I Қ (қайта уланиш токи) VT1 транзисторнинг коллектор ўтишини тескари йўналишда улайди. Бунинг натижасида VT1 чиқиш қаршилиги кескин ортади ва унинг чиқишида мантиқий бир потенциали ҳосил бўлади. Яъни мазкур схема юқорида кўрилган схемалар каби инвертор вазифасини бажаради. Мантиқий амалларни бажариш инвертор чиқишларини металл симлар билан бирлаштириш натижасида амалга оширилади. 9.10 б – расмда ҲАМ амалини бажариш усули кўрсатилган. Ҳақиқатдан ҳам, агар Х1 ёки Х2 киришлардан бирига юқори потенциал берилса U 1 КИР , натижада бирлашган чиқишларда (А нуқта) паст потенциал ҳосил бўлади U 0 . Натижада 1x ва 2x инверс ўзгарувчиларнинг

конъюкцияси бажарилади. Улар VT1 ва VT3 инвертор чиқишларида ҳосил бўлади: 2 1 x x y   . И 2 М элементининг тезкорлиги 10  100 нс ва истеъмол қуввати 0,01  0,1 мВт. Кристаллда битта И 2 М элементи КМДЯ –элментга нисбатан 3  4 марта кичик, ТТМ – элементига нисбатан эса 5  10 марта кичик юзани эгаллайди. Кўриб ўтилган мантиқий ИМС негиз элементларининг асосий параметрлари жадвали Параметр Негиз элемент тури ТТ М ТТМШ n - МД Я Кучланиш манбаи, В 5 5 5 Сигнал мантиқий ўтиши ( U 1 ЧИҚ - U 0 ЧИҚ ), В 4,5-0,4 4,5-0,4 ТТМ билан мос келади Рухсат этилган шовқинлар даражаси, В 0,8 0,5 0,5 Тезкорлиги , t К. ЎРТ , нс 5-20 2-10 10-100 Истеъмол қуввати , мВт 2,5-3,5 2,5-3,5 0,1-1,5 Юклама қобилияти 10 10 20

Параметр Негиз элемент тури КМД Я Э БМ И 2 М Кучланиш манбаи, В 3-15 -5,2 1 Сигнал мантиқий ўтиши ( U 1 ЧИҚ - U 0 ЧИҚ ), В Еп-0 (-1,6)-(-0,7) 0,5 Рухсат этилган шовқинлар даражаси, В 0,4Еп 0,15 0,1 Тезкорлиги , t К. ЎРТ , нс 1-100 0,7-3 10-20 Истеъмол қуввати , мВт 0,01-0,1 20-50 0,05 Юклама қобилияти 50 20 5-10 Асосий рақамли ИМС серияларининг мантиқ турлари Мантиқ тури Рақамли ИМС серия рақами ТТ М 155, 133, 134, 158 ТТ М Ш 130, 131, 389, 599, 533, 555, 734, К530, 531, 1531, 1533, КР1802, КР1804 ЭБМ 100, К500, 700, 1500, К1800, К1520 И 2 М КР582, 583, 584 р - МД Я Т М К536, К1814 n - МД Я Т М К580, 581, 586, 1801, 587, 588, 1820, 1813 КМ Я Т М 164, 764, 564, 765, 176, 561

O'xshashlar

Интеграл микросхемалар

Интеграл микросхемалар

Ярим ўтказгичли диодлар

Ярим ўтказгичли асбоблар

Ярим ўтказгичли асбоблар