Ярим ўтказгичли диодлар - Fizika - Referatlar

Ярим ўтказгичли диодлар

Yuklangan vaqt:

20.09.2019

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

74.5 KB

Ko'chirib olish

Ярим ўтказгичли диодлар ════════════════════════════════════════════ Режа: 1. Тўғриловчи диодлар 2. Стабилитронлар Варикаплар 4. Туннель диодлари 5. Генератор диод лар 6. О птоэлектроник а диодлари 7. Оптронлар

Диод деб одатда бир ёки бир неча электр ўтишлар ва ташқи занжирга уланиш учун иккита чиқишга эга бўлган электр ўзгартиргич асбобга айтилади. Ярим ўтказгичли диодлар маълумотномаларда радиоэлектрон аппаратураларда қўлланилиш соҳалари ёки вазифасига кўра синфланадилар. 1. Тўғриловчи диодлар Тўғриловчи диодлар кучланиш манбаи ўзгарувчан кучланишини ўзгармасга ўгиришда қўлланилади. Тўғриловчи диодларнинг асосий хоссаси– бир томонлама ўтказувчанлик бўлиб, унинг мавжудлиги тўғрилаш эффекти билан аниқланади. Тўғриловчи диодларнинг ишлатилиш частота диапазони жуда кенг. Шу сабабли улар ишчи частота диапазони бўйича синфланадилар. Паст частотали тўғриловчи диодлар (ПЧ диодлар) саноат частотасидаги (50 Гц) ўзгарувчан токни ўзгармасга ўгиришда қўлланилади. ПЧ диодларига қўйиладиган асосий талаб – бу катта қийматга эга бўлган тўғриланган токлар олиш. Тўғриловчи диодлар одатда 0,3 А гача, 0,3 А дан 10 А гача ва 10 А дан юқори бўлган тўғриланган токларга мўлжалланган кичик, ўрта ва катта қувватли диодларга бўлинади. ПЧ диодлари катта р-n ўтиш билан характерланадилар. Юқори частотали тўғриловчи диодлар (ЮЧ диодлар) ўн ва юз мегагерц частотагача бўлган сигналларни ночизиқли электр ўзгартиришга мўлжалланган. ЮЧ диодлари юқори частота сигналлари детекторлари, аралаштиргичлар, частота ўзгартиргич схемалар ва бошқаларда қўлланилади. Юқори частота диодлари кичик инерцияга эга, чунки кичик юзага эга бўлган нуқтавий р-n ўтишга эга ва шу сабабли уларнинг тўсиқ сиғими пикофараднинг бир қисмини ташкил этади. Шоттки тўсиғили диодлар кучланиш манбаи қайта улагичларида кенг тарқалган, чунки улар қайта уланиш ишчи частотасини 100 кГц ва ундан юқорига орттиришга, радиоэлектрон аппаратура оғирлиги,

ўлчамларини кичрайтиришга ва кучланиш манбаи ФИК оширишга имкон яратадилар. Шоттки тўсиғи металлни ярим ўтказгич билан контакти натижасида ҳосил қилинади. Ярим ўтказгич материал сифатида кўп ҳолларда n –турдаги кремний, металл сифатида эса Al, Au, Mo ва бошқалар қўлланилади. Бу вақтда металл чиқиш иши кремний чиқиш ишидан катта бўлиши талаб қилинади. Бундай диодларда диффузия сиғими нольга тенг, тўсиқ сиғими эса 1 пФ дан ошмайди. 2. Стабилитронлар Стабилитрон - ярим ўтказгичли диод бўлиб, унинг ишлаш принципи р-n ўтишга тескари кучланиш берилганда электр тешилиш соҳасида токнинг кескин ортиши кучланишнинг унча катта бўлмаган ўзгаришига олиб келишига асосланган. Стабилитроннинг шартли белгиси 1. б –расмда келтирилган. Стабилитрон схемаларда кучланишни барқарорлаш учун ишлатилади. Стабилитроннинг асосий параметри бўлиб, токнинг I СТ.min дан I СТ.max гача кенг ўзгариш оралиғида барқарорлаш кучланиши U СТ ҳисобланади (1 а - расм). Стабилитрон ВАХ сидаги ишчи соҳа электр тешилиш соҳасида жойлашади. Барқарорлаш кучланиши диод базасидаги киритма концентрацияси билан аниқланадиган р-n ўтишга боғлиқ. Агар юқори концентрацияга эга бўлган ярим ўтказгич қўлланилса, у ҳолда р-n ўтиш тор бўлади ва туннель тешилиш кузатилади. U СТ ишчи кучланиши 3-4 В дан ошмайди. Юқори вольтли стабилитронлар кенг р-n ўтишга эга бўлиши керак, шунинг учун улар кучсиз легирланган кремний асосида ясаладилар. Уларда кўчкисимон тешилиш содир бўлади, барқарорлаш кучланиши эса 7 В дан ортмайди. U СТ 3 дан 7 В гача бўлган оралиқда тешилишнинг иккала

механизми ишлайди. Саноатда барқарорлаш кучланиши 3 дан 400 В гача бўлган стабилитронлар ишлаб чиқарилади. 1 - расм Стабилитроннинг электр тешилиш соҳасидаги дифференциал қаршилиги r Д барқарорлаш даражасини характерлайди. Бу қаршилик қиймати диоддаги кичик кучланиш ўзгариши қийматининг диод токи ўзгаришига нисбати билан аниқланади (1 а - расм). r Д қиймати қанча кичик бўлса, барқарорлаш шунча яхши бўлади.СТ СТ Д I U r    Стабилитроннинг асосий параметри бўлиб барқарорлаш кучланишининг температура коэффициенти (КТК) ҳисобланади. КТК – бу температура бир градусга ўзгарганда барқарорлаш кучланишининг нисбий ўзгариши. Кўчкисимон тешилиш кузатиладиган кичик вольтли стабилитронлар одатда мусбат КТКга эга. КТК қиймати одатда 0,2 -0,4 % /град дан ошмайди.

Варикаплар Варикап электр ёрдамида бошқариладиган сиғим сифатида қўлланишга мўлжалланган. Варикапнинг ишлаш принципи электр ўтиш тўсиқ сиғимининг тескари кучланишга боғлиқлигига асосланган. Варикаплар асосан тебранма контурларни частотасини электрон қайта созлашда қўлланилади. Варикапларнинг бир неча тури мавжуд. Масалан, параметрик диодлар ўта юқори частота сигналларини кучайтириш ва генерациялашда, кўпайтирувчи диодлар эса кенг частота диапазонига эга бўлган кўпайтиргичларда қўлланилади. 4. Туннель диодлари Туннель диоди деб қўзғотилган ярим ўтказгич асосида лойиҳаланган ярим ўтказгичли асбобга айтилади. Унда тескари ва унча катта бўлмаган тўғри кучланишда туннель эффекти юзага келади ва вольт–ампер характеристикада манфий дифференциал қаршиликка эга бўлган соҳа мавжуд бўлади. Туннель диодлар бошқа турдаги диодлардан сезиларли фарқ қилмайди, лекин уларни ясаш учун 10 20 см -3 киритмага эга бўлган ярим ўтказгичли материаллар қўлланилади. ВАХ ночизиқли бўлса, унинг ҳар бир кичик соҳаси тўғри чизиқ деб қаралади ва характеристиканинг бу нуқтасида dI dU Ri дифференциал қаршилик киритилади. Агар характеристика камаювчи бўлса, бу соҳада қаршилик R i манфий қийматга эга бўлади. Туннель диод и ВАХ 2 – расмда келтирилган. АВ соҳа манфий дифференциал қаршилик билан характерланади. Агар туннель диоди тебранма контур электр занжирига уланса, у ҳолда контур ва шу занжирдаги манфий қаршилик катталиги ўртасидаги маълум нисбатларда тебранишлар

кучайиши ёки генерацияланиши мумкин. Туннель диодлари асосан 3-30 ГГц диапазонда ЎЮЧ генераторлар қуришда, ҳамда махсус ҳисоб қурилмалари ва мантиқий юта юқори тезликда ишлайдиган схемаларда қўлланилади. 2 - расм 5. Генератор диод лар Генератор диодларидан бири бўлиб кўчкили–учма диодлар (КУД) ҳисобланади. Унинг ВАХсида р-n ўтишдаги кўчкисимон тешилишда юқори частоталарда манфий қаршиликка эга бўлган соҳа юзага келади. Агар КУД резонаторга жойлаштирилса, унда частотаси 100 ГГцгача бўлган сўнмайдиган тебранишлар юзага келади. Тебранишларнинг чиқиш қуввати ( f =1 ГГц бўлганда) 10 Втгача етиши мумкин. КУДнинг ФИК 30-50 %га етади. Генератор диодининг яна бир тури бўлиб Ганн диоди ҳисобланади, у узунлиги 10 -2 -10 -3 смдан иборат ( р-n ўтишсиз) бўлган бир жинсли ярим ўтказгич пластинка кўринишида бўлади. П ластинканинг ён қисмларига катод ва анод деб аталувчи металл контактлар суртилади. Ганн диодларини ясаш учун n -турдаги ўтказувчанликка эга бўлган интерметалл бирлашмалар - GaAs, InSb, InAs ва InPлар қўлланилади. Диод тебранма контурга жойлаштирилади. Контактларга ўзгармас кучланиш берилганда Ганн диодида кучланганлиги 3∙10 3 В/см бўлган электр майдон ҳосил қиладиган

частотаси 60 ГГц бўлган электр тебранишлар юзага келади. Тебранишлар қуввати 10 – 15 Втгача етиши мумкин, ФИК эса 10-12 % га етади. 6. О птоэлектроник а диодлари Оптоэлектроника – электрониканинг бир бўлими бўлиб, ахборотни қабул қилиш, узатиш ва қайт а ишлаш жараёнлари ёруғлик сигналларини электр сигналларга айлантириш ва аксинчага асосланган қурилмларни назарияси ва амалиётини ўрганади. Оптоэлектроника элементлари бўлиб фотодиод ва ёруғлик диоди ҳисобланадилар. Фотодиод деб битта р-n ўтишга эга бўлган фото-электр асбобга айтилади. Фотодиод ташқи кучланиш манбаили (фотодиодли режим), ҳамда ташқи кучланиш манбаисиз схемаларга уланиши мумкин. Ташқи кучланиш манбаи шундай уланадики, р-n ўтиш тескари силжиган бўлсин. Ёруғлик тушурилмаганда диод орқали жуда кичик “қоронғулик” экстракция токи I 0 оқиб ўтади ва у берилаётган кучланишга боғлиқ бўлмайди. n -база соҳасига таъқиқланган зона кенглигидан анча катта бўлган h энергияли фотонлардан ташкил топган ёруғлик тушурилганда, электрон–ковак жуфтликлар генерацияланади. Агар жуфтликлар ўтишдан диффузия узунлигидан ошмайдиган оралиқда ҳосил бўлсалар, ёруғлик таъсирида генерацияланган коваклар ўтишнинг электр майдони таъсирида экстракцияланадилар ва тескари ток унинг “қоронғулик” қийматига нисбатан ортади. Ёруғлик оқими Ф қанча интенсив бўлса, диод тескари токи I Ф қиймати шунча катта бўлади. 3 – расмда турли ёруғлик оқими қийматларидаги фотодиод ВАХси келтирилган. Ёруғликнинг кенг нурланиш чегараларида фототок ёруғлик оқимига деярли чизиқли боғлиқ бўлади.

3 – расм. Пропорционаллик коэффициенти dФ dI Ф КФ  бир неча мА/мм ни ташкил этади ва фотодиод сезгирлиги деб аталади. Фотодиод турли ўлчаш қурилмаларида ёруғлик оқимини қабул қилгич, ҳамда оптик – толали алоқа линияларида қўлланилади. Фотодиод режимидан ташқари фотодиоднинг вентиль (фотовольтаик) режими кенг қўлланилади. Бу режимда фотодиод ташқи кучланиш манбаига уланмасдан ишлайди ва қуёш энергиясини бевосита электр сигналга айлантиришга хизмат қилади. Диод вентиль режимида нурлатилганда унинг чиқишларида вентиль кучланиш юзага келади. Фотодиод бу ҳолатда қуёшли айлантиргич деб аталади. Бир бири билан электр жиҳатдан боғланган айлантиргич ва батареялар космик аппаратлар ва ер усти қурилмаларидаги РЭАларни таъминлаш учун электр энергия манбаи сифатида қўлланилиши мумкин. Ёруғлик диоди – бу электр энергиясини нокогерент ёруғлик нурига айлантирадиган, битта р-n ўтишга эга бўлган ярим ўтказгичли асбоб. Ёруғлик нури электрон – ковак жуфтларининг рекомбинацияси натижасида юзага келади. Рекомбинация, р-n ўтиш тўғри уланганда кузатилади. Рекомбинация доим ҳам нурлатувчи бўлавермайди ва тўғри зонали ярим ўтказгичларда, жумладан галлий арсенидида содир бўлади. Бундай ярим ўтказгичлар специфик хона диаграммасига эга бўладилар.

Нурланаётган ёруғлик тўлқин узунлиги  квант энергияси билан аниқланади. У эса нурланувчи рекомбинацияда ярим ўтказгичнинг таъқиқланган зона кенглигига деярли тенг бўлади. Галлий арсенидидан тайёрланган ёруғлик диодлари учун  = 0,9-1,4 мкм. Қизил, сариқ ва яшил ранг нурлатувчи диодлар галлий фосфати, сиёхранг нурлатувчи диодлар эса– кремний карбиди асосида ясаладилар ва х.з. Ёруғлик диодининг энергетик характеристикаси бўлиб квант чиқиши (эффективлиги) ҳисобланади. У занжир бўйлаб ўтаётган ҳар бир электронга ёруғлик диоди чиқишида қанча ёруғлик кванти мос келишини кўрсатади. Замонавий ёруғлик диодлари учун квант чиқиши 0,01-0,04 ни, икки ва уч ярим ўтказгичли бирикмалардан ясалган гетероўтишли ёруғлик диодларида эса анча катта (0,3 гача) бўлади. Лекин доим бирдан кичик бўлади. Вольт – ампер характеристикаси оддий диодники каби экспоненциал боғлиқлик билан ифодаланади. Ёруғлик диоди 10 -7 -10 -9 с да қайта уланади, яъни юқори тезликда ишловчи ёруғлик манбаи ҳисобланади. Ёруғлик диодлари оптик алоқа линиялари, индикатор қурилмалар, оптопаралар ва х.з.ларда қўлланилади. Оптоэлектрон жуфтлик, ёки оптопара, конструктив жиҳатдан оптик муҳитда боғланган ёруғлик нурлатувчи ва фото қабул қилгичдан ташкил топган. Ёруғлик нурлатувчи ва фото қабул қилгич орасидаги тўғри оптик алоқа барча турдаги электр алоқаларни бартараф этади. 7. Оптронлар Кириш электр сигнали таъсирида ёруғлик диоди ёруғлик нурлатади, фото қабул қилгич (фотодиод, фоторезистор ва х.з.) эса ёруғлик таъсирида ток генерациялайди.

а) б) в) г) 4 -расм. 4 -расмда ёруғлик диоди ва фотодио д ( а ), фототранзистор ( б ), фототиристор ( в ), фоторезистор ( г ) дан ташкил топган оптопаралар келтирилган. Оптопаралар рақамли ва импульс қурилмалар, аналог сигналларни узатиш қурилмалари, юқори вольтли манбаларни контактсиз бошқариш автоматик тизимлари ва бошқаларда ажратувчи элемент сифатида қўлланилади.

O'xshashlar

Ярим ўтказгичли диодлар

Ярим ўтказгичли асбоблар

Ярим ўтказгичли асбоблар

Ярим ўтказгичли асбоблар

Ярим ўтказгичли рақамли интеграл микросхемалар схемотехникаси