Интеграл микросхемалар - Fizika - Referatlar

Интеграл микросхемалар

Yuklangan vaqt:

20.09.2019

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

64 KB

Ko'chirib olish

Интегра л микросхем алар ════════════════════════════════════════════ Режа : 1. Умумий маълумотлар 2. Пардали ва гибрид микросхемалар 3. Ярим ўтазгичли ИМСлар

7.1. Умумий маълумотлар Интеграл микросхемалар электр асбобларнинг сифат даражасида ги янги тури бўлиб электрон қурилмаларнинг асосий негиз элементи ҳисобланадилар. Интеграл микросхема (ИМС) электр жиҳатдан ўзаро боғланган электр радиоматериаллар (транзисторлар, диодлар, резисторлар, конденсаторлар ва бошқалар) мажмуи бўлиб, ягона технологик циклда бажарилади, яъни бир ватқнинг ўзида ягона конструкция (асос)да маълум ахборотни қайта ишлаш функциясини бажаради. ИМСларнинг асосий хоссаси шундаки, у мураккаб функцияларни бажариш билан бирга кучайтиргич, триггер, ҳисоблагич, хотира қурилмаси ва бошқа функцияларни ҳам бажаради. Худди шу функцияларни бажариш учун дискрет элементларда мос келувчи схемани йиғиш талаб қилинарди. ИМСлар учун икки асосий белги мавжуд: конструктив ва технологик . Конструктив белгиси шундаки, ИМСнинг барча элементлари асосий асос ичида ёки сиртида жойлашади, электр жиҳатдан бирлаштирилган ва ягона қобиқга жойлаштирилган бўлиб, ягона ҳисобланади. ИМС элементларининг ҳаммаси ёки бир қисми ва элементлараро боғланишлар ягона технологик циклда бажарилади. Шу сабабли интеграл миросхемалар юқори ишончлиликка ва кичик таннархга эга. Ҳозирги кунда ясалиш тури ва ҳосил бўладиган тузилмага кўра ИМСларнинг учта принципиал тури мавжуд: ярим ўтказгичли, пардали ва гибрид . Ҳар бир ИМС тури конструкцияси, микросхема таркибига кирадиган элемент ва компонентлар сонини ифодаловчи интеграция даражаси билан характерланади. Элемент деб бирор электрорадиоэлемент (транзистор, диод, резистор, конденсатор ва бошқалар) функциясини амалга оширувчи ИМС қисмига айтилади ва у кристалл ёки асосдан ажралмаган конструкцияда ясалади.

ИМС компонентаси деб унинг дискрет элемент функциясини бажарадиган, лекин аввалига мустақил маҳсулот каби монтаж қилинадиган қисмига айтилади. Асосий ИМС конструктив белгиларидан бири бўлиб асос тури ҳисобланади. Бу белгига кўра ИМСлар икки турга бўлинади: ярим ўтказгичли ва диэлектрик . Асос сифатида ярим ўтказгичли материаллар орасида кремний ва галлий арсениди кенг қўлланилади. ИМСнинг барча элементлари ёки элементларнинг бир қисми ярим ўтказгичли монокристалл пластина кўринишида асос ичида жойлашади. Диэлектрик асосли ИМСларда элементлар унинг сиртида жойлашади. Ярим ўтказгич асосли микросхемаларнинг асосий афзаллиги – элментларнинг жуда катта интеграция даражаси ҳисобланади, лекин унинг номинал параметрлари диапазони жуда чекланган бўлиб улар бир - биридан изоляцияланишни талаб қилади. Диэлектрик асосли микросхемаларнинг афзаллиги – элементларнинг жуда яхши изоляцияси, уларнинг хоссаларининг барқарорлиги, ҳамда элементлар тури ва электр параметрлари танловининг кенглиги. 7.2. Пардали ва гибрид микросхемалар Пардали ИС – бу диэлектрик асос сиртига суртилган элементлари парда кўринишида бажарилган микросхема. Пардалар паст босимда турли материаллардан юпқа парадалар кўринишида чўкмалар ҳосил қилиш йўли билан олинади. Парда ҳосил қилиш усули ва унга боғлиқ бўлган қалинлигига кўра юпқа пардали ИС (парда қалинлиги 1 – 2 мкмгача) ва қалин пардали ИС (парда қалинлиги 10 – 20 мкм гача ва катта ) ларга бўлинади .

Ҳозирги кунда барқарор пардали диодлар ва транзисторлар мавжуд эмас, шу сабабли пардали ИСлар фақат пассив элементлар (резисторлар, конденсаторлар ва х.з.) дан ташкил топади. Гибрид ИС (ёки ГИС) – бу пардали пассив элементлар билан дискрет актив элементлар комбинациясидан ташкил топган, ягона диэлектрик асосда жойлашган микросхема. Дискрет компонентларни осма элементлар деб аташади. Қобиқсиз ёки микроминиатюр металл қобиқли микросхемалар гибрид ИМСлар учун актив элементлар бўлиб ҳисобланадилар. Гибрид интеграл микросхемаларнинг асосий афзаллиги: нисбатан қисқа ишлаб чиқиш вақтида аналог ва рақамли микросхемаларнинг кенг турларини яратиш имконияти; кенг номенткалутурага эга бўлган пассив элементлар ҳосил қилиш имконияти; МДЯ – асбоблар, диодли ва транзисторли матрицалар ва юқори яроқли микросхемалар чиқиши. 7.3. Ярим ўтазгичли ИМСлар Транзисторнинг ишлатилиш турига кўра ярим ўтказгичли ИМСларни биполяр ва МДЯ ИМС ларга ажратиш қабул қилинган. Бундан ташқари, охирги вақтларда бошқарилувчи ўтишли майдоний транзисторлар ясалган ИМСлардан фойдаланиш катта аҳамият касб этмоқда. Бу синфга галлий арсенидида ясалган ИМСлар, затвори Шоттки диоди кўринишида бажарилган майдоний транзисторлар киради. Ҳозирги кунда бир вақтнинг ўзида ҳам биполяр, ҳам майдоний транзисторлар қўлланилган ИМСлар яратиш тенденцияси белгиланмоқда. Иккала синфга мансуб ярим ўтказгичли ИСлар технологияси ярим ўтказгич кристаллини галма – гал донор ва акцептор киритмалар билан легирлаш (киритиш)га асосланган. Натижада сирт остида турли ўтказувчанликка эга бўлган юпқа қатламлар, яъни n–p–n ёки p–n–p тузилмали транзисторлар ҳосил бўлади. Бир транзисторнинг ўлчамлари эниги бир неча микрометрларни ташкил этади. Алоҳида элементларнинг

изоляцияси ёки р-n ўтиш ёрдамида, ёки диэлектрик парда ёрдамида амалга оширилиши мумкин. Транзисторли тузилма фақат транзисторларни эмас, балки бошқа элементлар (диодлар, резисторлар, конденсаторлар) ясашда ҳам қўлланилади. Микроэлектроникада биполяр транзисторлардан ташқари кўп эмиттерли ва кўп коллекторли транзисторлар ҳам қўлланилади. Кўп эмиттерли транзисторлар (КЭТ) умумий база қатлами билан бирлаштирилган бир коллектор ва бир неча (8-10 гача ва кўп) эмиттердан ташкил топган. Улар транзистор – транзисторли мантиқ (ТТМ) схемаларни яратишда қўлланилади. Кўп коллекторли транзистор тузилмаси ҳам, КЭТ тузилмасига ўхшаш бўлади, лекин интеграл – инжекцион мантиқ (И 2 М) деб аталувчи инжекцион манбали мантиқий схемалар ясашда қўлланилади. Диодлар. Диодлар бит т а р- n ўтишга эга. Лекин биполяр транзисторли ИМСларда асосий тузилма сифатида транзистор танланган, шунинг учун диодлар транзисторнинг диод уланиши ёрдамида ҳосил қилинади. Бундай уланишларнинг бешта варианти мавжуд. Агар диод ясаш учун эмиттер – база ўтишд а ги р- n ўтиш қўлланилса, у ҳолда коллектор – база ўтишдаги р- n ўтиш узиқ бўлиши керак. Резисторлар. Биполяр транзисторли ИМСларда резистор ҳосил қилиш учун биполяр транзистор тузилмасининг бирор соҳаси: эмиттер, коллектор ёки база қўлланилади. Эмиттер соҳалари асосида кичик қаршиликка эга бўлган резисторлар ҳосил қилинади. База қатлами асосида бажарилган резисторлар да анча катта қаршиликлар олинади. Конденсаторлар. Биполяр транзисторли ИМСларда тескари йўналишда силжиган р– n ўтишлар асосида ясалган конденсаторлар қўлланилади. Конденсаторларнинг шаклланиши ягона технологик циклда транзистор ва резисторлар тайёрлаш билан бир вақтнинг ўзида амалга оширилади. Демак уларни ясаш учун қўшимча технологик амаллар талаб қилинмайди.

МДЯ – транзисторлар. ИМСларда асосан затвори изоляцияланган ва канали индукцияланган МДЯ–транзи с торлар қўлланилади. Транзистор каналлари р- ва n – турли бўлиши мумкин. МДЯ–транзисторлар фақат транзисторлар сифатида эмас, балки конденсаторлар ва резисторлар сифатида ҳам қўлланилади, яъни барча схема функциялари биргина МДЯ – тузилмаларда амалга оширилади. Агар диэлектрик сифатида SiO 2 қўлланилса, у ҳолда бу транзисторлар МОЯ–транзисторлар деб аталади. МДЯ – тузилмаларни яратишда элементларни бир – биридан изоляция қилиш операцияси мавжуд эмас, чунки қўшни транзисторларнинг исток ва сток соҳалари бир–бирига йўналган томонда уланган р- n ўтишлар билан изоляцияланган. Шу сабабли МДЯ–транзсторлар бир–бирига жуда яқин жойлашиши мумкин, демак кат т а зичликни таъминлайди. Биполяр ва МДЯ ИМСлар планар ёки планар – эпитаксиал технологияда ясалади. Планар технологияда n -р– n транзистор тузилмасини ясашда р –турдаги ярим ўтказгичли пластинанинг алоҳида соҳаларига тешиклари мавжуд бўлган махсус маскалар орқали маҳаллий легирлаш амалга оширилади. Маска ролини пластина сиртини эгалловчи кремний икки оксиди SiO 2 ўйнайди. Бу пардада махсус усуллар (фотолитография) ёрдамида дарча деб аталувчи тешиклар шаклланади. Киритмалар ёки диффузия (юқори температурада уларнинг концентрация градиенти таъсирида киритма атомларини ярим ўтказгичли асосга киритиш), ёки ионли легирлаш ёрдамида амалга оширилади. Ионли легирлашда махсус манбалардан олинган киритма ионлари тезлашади ва электр майдонда фокусланадилар, асосга тушадилар ва ярим ў тказгичнинг сирт қатламига сингадилар. Планар технологияда ясалган ярим ўтказгичли биполяр тузилмали ИМС намунаси ва унинг эквивалент электр схемаси 7.1 а, б - расмда келтирилган. Диаметри 76 ммли ягона асосда бир варакайига усулда бир вақтнинг ўзида ҳар бири 10 тадан 2000 та элемент (транзисторлар, резисторлар,

конденсаторлар)дан ташкил топган 5000 микросхема яратиш мумкин. Диаметри 120 мм бўлган пластинада ўнлаб миллионтагача элемент жойлаштириш мумкин. Замонавий ИМСлар қ отишмали планар – эпитаксиал технологияда ясалади. Бу технология планар технологиядан шуниси билан фарқ қиладики, барча элементлар р –турдаги асосда ўстирилган n –турдаги кремний қатламида ҳосил қилинади. Эпитаксия деб кристалл тузилмаси асосникидан бўлган қатлам ўстиришга айтилади. а) б) 7.1 – расм. Планар – эпитаксиал технологияда ясалган транзисторлар анча тежамли, ҳамда планарлига нисбатан яхшиланган параметр ва харатеристикаларга эга. Бунинг учун асосга эпитаксиядан аввал n + - қатлам киритилади (7.2 - расм). Бу ҳолда транзистор орқали ток коллектордаги юқориомли резитордан эмас, балки кичикомли n + - қатлам орқали оқиб ўтади.

7.2 – расм. Микросхема турли элементларини электр жиҳатдан бирлаштириш учун метллизациялаш қўлланилади. Металлизациялаш жараёнида олтин, кумуш, хром ёки алюминийдан юпқа металл пардалар ҳосил қилинади. Кремнийли ИМСларда металлизациялаш учун алюминийдан кенг фойдаланилади. Схемотехник белгиларига кўра микросхемалар икки синфга бўлинади. ИМС бажараётган асосий вазифа – электр сигнали (ток ёки кучланиш) ни кўринишида берилаётган ахборотни қайта ишлаш ҳисобланади. Электр сигналлари узлуксиз (аналог) ёки дискрет (рақамли) шаклда ифодаланиши мумкин. Шу сабабли, аналог сигналларни қайта ишлайдиган микросхемалар – аналог интеграл микросхемалар (АИС), рақамли сигналларни қайта ишлайдиганлари эса – рақамли интеграл схемалар (РИС) деб аталади. Рақамли схемалар асосида содда транзисторли калит (вентиль) схемалар ётади. Калитлар иккита турғун ҳолатни эгаллаши мумкин: узилган ва уланган. Со дда калитлар асосида анча мураккаб схемалар ясалади: мантиқий, бибарқарор, триггерли (ишга тушурувчи), шифраторли, ко м пораторлар ва бошқа, асосан ҳисоблаш техникасида қўлланиладиган. Улар рақамли шаклда ифодаланган ахборотни қ абул қ илиш, сақлаш, қайта ишлаш ва узатиш фукциясини бажарадилар.

Интеграл микросхемаларнинг мураккаблик даражаси компонент интеграция даражаси катталиги била н ифодаланади. Бу катталик р ақамли ИМСлар учун кристаллда жойлашиши мумкин бўлган мантиқий вентиллар сони билан белгиланади. 100 та дан кам вентилга эга бўлган ИМСлар кичик интеграция даражасига эга бўлган ИМСларга киради. Ўрта даражали ИСлар 10 2 , катта ИСлар 10 2  10 5 , ўта катта ИСлар 10 5  10 7 ва ультра катта ИСлар10 7 даражадан ортиқ вентиллардан ташкил топади. Бундай синфланиш тизими аналог микросхемалар учун ҳам қабул қилинган.

O'xshashlar

Интеграл микросхемалар

Ярим ўтказгичли рақамли интеграл микросхемалар схемотехникаси

Интеграл оптронларни тадқиқ этиш

Транзистор – транзистор мантиқ интеграл схемасини тадқиқ этиш

Радиотехника предмети. Радиоалока линиясининг структура схемаси