МДЯ транзисторлар асосидаги ракамли ИМСларнинг негиз элементлари - Algebra - Referatlar

МДЯ транзисторлар асосидаги ракамли ИМСларнинг негиз элементлари

Yuklangan vaqt:

14.03.2020

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

96 KB

Ko'chirib olish

МДЯ транзисторлар асосидаги ракамли ИМСларнинг негиз элементлари Режа: 1. МДЯ – транзисторида ясалган инвертор схемаси 2. МДЯ – транзисторида ясалган мантиқий элементлар 3. Рақамли ИМС оиларнинг мувофиқлаштириш усуллари

МДЯ – транзисторида ясалган инвертор схемаси Ахборотни қайта ишлаш ва сақлаш вазифаларини бажарувчи замонавий микроэлектрон аппаратларда турли интеграция даражасига эга бўлган ИМСлар ишлатилади. Айниқса КИС ва ЎКИС интеграция даражасига эга бўлган ИМСлар кенг қўлланилмоқда. ТТМ ва ЭБМ элементлари юқори тезкорликни таъминлайдилар, аммо истеъмол қуввати ва ўлчамлари катта бўлганлиги сабабли, фақат кичик ва ўрта интеграция даражасига эга бўлган ИМСлар яратишдагина қўлланилади. 1962 йилда планар технологик жараён асосида кремний оксидили (SiO2) МДЯ – транзистор яратилди, кейинчалик эса унинг асосида гуруҳ усулида ишлаб чиқариш йўлга қўйилди. Интеграл БТлардан фарқли равишда бир турдаги МДЯ интеграл транзисторларда изоляцияловчи чўнтаклар ҳосил қилиш талаб этилмайди. Шунинг учун, бир хил мураккабликка эга бўлганда, МДЯ – транзисторли ИМСлар БТларга нисбатан кристалда кичик ўлчамларга эга ва ясалиш технологияси содда бўлади. Кремний оксидили МДЯ ИСларнинг асосий камчилиги –тезкорликнинг кичиклигидир. Яна бир камчилиги – катта истеъмол кучланиши бўлиб, у МДЯ ИСларни БТ ИСлар билан мувофиқлаштиришни мураккаблаштиради. МДЯ ИСлар асосан унча катта бўлмаган тезкорликка эга бўлган ва кичик ток истемол қиладиган мантиқий схемалар ва КИСлар яратишда қўлланилади. МДЯ ИСларда энг юқори нтеграция даражасига эришилган бўлиб, бир кристалда юз минглаб ва ундан кўп компонентлар жойлашиши мумкин. МДЯ – транзисторли мантиқ (МДЯТМ) асосида юкламаси МДЯ – транзисторлар асосида яратилган электрон калит - инверторлар ётади. Схемада пассив элементларнинг ишлатилмаслиги, ИМСлар тайёрлаш технологиясини соддалаштиради. Мантиқий ИМСлар тузишда n – ёки р – канали индукцияланган МДЯ – транзисторлардан фойдаланиш мумкин. Кўпроқ n – каналли транзисторлар қўлланилади, чунки электронларнинг ҳаракатчанлиги ковакларникига нисбатан юқори бўлганлиги сабабли мантиқий ИМСларнинг юқори тезкорлиги таъминланади.

Бундан ташқари, n – МДЯТМ схемалар кучланиш номинали ва мантиқий 0 ва 1 сатҳлари бўйича ТТМ схемалар билан тўлиқ мувофиқликка эга. Содда 2ҲАМ-ЭМАС ва 2ЁКИ-ЭМАС МЭ схемалари 13.1 – расмда келтирилган. Бу схемаларда юклама сифатида ишлатилаётган VT0 транзисторлар доим очиқ ҳолатда бўлади, чунки уларнинг затворлари кучланиш манбаининг мусбат қутбига туташган. Улар ток чеклагичлар (динамик қаршиликлар) вазифасини бажаради. 2ҲАМ-ЭМАС схемада (8.1, а – расм) пастки VT1 ва VT2 транзисторлар кетма – кет, 2ЁКИ-ЭМАС схемада эса (8.1, б – расм) – параллел уланади. 2ҲАМ-ЭМАС МЭ ишини кўриб чиқамиз. Агар қайта уланувчи транзисторлар бирининг киришидаги потенциал бўсағавий потенциал U0 дан кичик бўлса, яъни U КИР < U0 (мантиқий 0) бўлса, у ҳолда бу транзистор берк бўлади. Бу вақтда юкламадаги VT0 транзистор сток токи ҳам нолга тенг бўлади. Шу сабабли, схеманинг чиқишида манба кучланиши Е М қийматига яқин бўлган, яъни мантиқий бирга мос кучланиш ўрнатилади. Иккала киришга мантиқий 1 сатҳга мос ( U 1 КИР  U0 ) мусбат потенциал берилса, иккала транзистор очилади ва чиқишда мантиқий 0 ( U 0 ЧИҚ  U0 ) ўрнатилади. 2ЁКИ –ЭМАС элементда 8.1, б – расм) бирор киришга юқори сатҳ кучланиши ( U 1 КИР  U0 ) берилса, мос равишда VT1 ёки VT2 транзистор очилади ва чиқишда мантиқий 0 ( U 0 ЧИҚ  U0 ) ўрнатилади. Агар иккала киришга мантиқий 0 даражаси берилса, VT1 ва VT2 берк бўлади. Чиқишда эса юқори сатҳ кучланиши – мантиқий 1 ўрнатилади.

а) б) 8.1 – расм. n – МДЯ транзисторли мантиқ элементлар схемалари. U 0 ЧИҚ  U0 бўлиши учун, қайта уланувчи транзистор (ҚУТ) канали кенглиги юклама вазифасини бажарувчи транзистор (ЮТ) канали кенглигидан катта, ҚУТ канал узунлиги эса ЮТ никидан кичик бўлиши керак. Инвертор статик режими ва ўтиш жараёнлари таҳлил шуни кўрсатдики, тезкорлик ва истеъмол қуввати нуқтаи назаридан Е М = (2÷3) U0 кучланиш қиймати оптимал ҳисобланади. Демак, U0 = 1,5 ÷ 3 В бўлганда Е М = 4,5 ÷ 9 В бўлади. МДЯТМ элементларда реал U 0 ЧИҚ қиймати U 0 = U ҚОЛ ≈ 0,2 ÷ 0,3 В дан катта эмас, U1ЧИҚ қиймати эса U1ЧИҚ ≈ ЕМ . Мос равишда мантиқий ўтиш UМ  EМ  UКОЛ  ЕМ . МДЯТМ элементнинг яна бир афзаллиги – халақитбардошлиги юқорилигидадир. БТлардаги МЭларда мантиқий 0 нинг халақитбардошлиги (1÷2) U * , яъни 0,7÷1,4 В бўлганда, МДЯТМ да U 0 ХАЛ = U0 - U 0 ≈ 1,5 ÷ 3 В бўлади. ҲАМ-ЭМАС элементида киришлар сони ортган сари халақитбардошлик камаяди, чунки бир вақтда барча транзисторларнинг қолдиқ кучланишлари U ҚОЛ ортади. Шу сабабли ҲАМ-ЭМАС элементларда киришлар сони 4 тадан ортмайди, ЁКИ-ЭМАС элементларда эса 10-12 тагача етади.

МДЯ схемаларнинг юклама қобилияти катта, чунки кириш (затвор) занжири деярли ток истеъмол қилмайди. Демак, иш жараёнида занжирдаги барча МЭлар бир – бирига боғлиқ бўлмаган ҳолда ишлайдилар, U 0 ва U 1 сатҳи эса юкламага боғлиқ бўлмайди. МДЯ – тузилма элементлари тезкорлиги эса кириш ва чиқиш занжирларини шунтловчи сиғимларнинг қайта зарядланиш вақти билан аниқланади. Тезкорликни ошириш йўлидаги барча уринишлар бошқа камчиликларни юзага келтирди. Масалан, тезкорликни ортиши юкламадаги сиғимларни қайта зарядланиш токи қийматини ортишига олиб келади. Лекин, бу усул истеъмол қувватини ва чиқишдаги мантиқий сатҳлар нобарқарорлигини ортишига олиб келади. Кўрсатилган қарама – қаршиликлар турли ўтказувчанликка эга (комплементар) транзисторли калитлар ёрдамида, схемотехник усулда бартараф этилиши мумкин. Рақамли ИМС оиларнинг мувофиқлаштириш усуллари КМДЯ – мантиқ изоляцияланган затворли ва индуцирланган каналли комплементар майдоний транзисторларни қўллаш орқали бажарилади. Инкор (“ЙЎҚ” функцияси) операцияси бир-бирига юклама бўла оладиган иккита электрон калит ёрдамида амалга оширилади. Бу схема 5-расмда келтирилган. Схема тўғри ишлаши учун транзисторлар хар – хил типли ўтказиш каналига эга бўлиши керак. Агар манбанинг нисбат кучланиши расмда кўрсатилгандек уланса, V1 майдоний транзистор р – каналли, V2 майдоний транзистор n – каналли танланади. Тарназистор V1 затворга ноль кучланиш берилаганда очилади, чунки бу ҳолатда затворда истокка нисбатан манфий кучланиш пайдо бўлиб, n – подложкадан затвордаги сиртолди қатламига ўтказувчан канални ҳосил қилувчи коваклар йиғилади. Транзистор V2 затворга мусбат кучланиш берилганда очилади. Бу ҳолатда затвордаги сиртолди қатламга ўтказувчан канални ҳосил қилувчи электронлар йиғилади.

Схемани киришига мантиқий “1”, яъни Х нуқтага мусбат катта кучланиш берилса транзистор V1 беркилади, транзистор V2 эса очилади. Элементнинг Y чиқишида мантиқий “0” ҳосил бўлади. Агар схеманинг Х киришига мантиқий “0” берилса, транзистор V2 беркилади, транзистор V1 эса очилади. Элементнинг Y чиқишида мантиқий “1” ҳосил бўлади. Анча мураккаб мантиқий КМДЯ – элементлари одатда, юқорида кўрилган “ЙЎҚ” схемаси асосида тузилади. Қуйидаги 6-расмда “ВА-ЙЎҚ” элементининг электр схемаси келтирилган. Элементнинг ихтиёрий киришига ноль сигнал берилса, унинг чиқишида мантиқий “1” ҳосил бўлади. Чунки бу ҳолда V1 ёки V2 транзисторлардан биттаси очиқ бўлади. V3 ёки V4 транзисторлардан биттаси берк бўлади. Иккала Х1 ва Х2 киришга ҳам мантиқий “0” сигнал берсак, Y чиқишда худди шундай мантиқий “1” ҳосил қиламиз. Агар биз иккала Х1 ва Х2 киришга ҳам мантиқий “1” га мос юқори сатхли кучланиш берсак, Y чиқишда паст сатхли кучланиш, яъни мантиқий “0” ҳосил қиламиз. Бу ҳолда V1 ва V2 транзисторлар беркилади, V3 ва V4 транзисторлар эса очилади. Ушбу “ВА- ЙЎҚ” мантиқ элементининг ҳақиқийлик жадвали 4-расмдаги жадвалнинг айнан ўзидир, яъни ТТМ – мантиқ элементининг ҳақиқийлик жадвали билан айнан бир хилдир. КМДЯ - мантиқ элементининг асосий афзаллиги, унинг кам – кам энергия сарфланишидир. МДЯ – транзисторлар нольга яқин затвор токига эга, шунинг учун ҳам майдоний транзисторни бошқаришда кам қувват талаб этилади. Майдоний транзисторли тез ишловчи схемаларда қувватнинг асосий қисми майдоний транзистор киришидаги зарядлаш ва зарядсизлантиришга сарфланади холос. Шуни таъкидлаш жойизки, КМДЯ – элементли схемаларда энергия йўқотишга сабаб бўлувчи резисторлар бўлмайди. Майдоний транзисторларни тайёрлашда затвор ўлчамини кичрайтириб, затвор ва сток, затвор ва исток сиғимларини камайтириб, тез ишлайдиган КМДЯ – элементлар қуриш мумкин. Шунинг учун КМДЯ – мантиқ ҳозирги замонавий микропроцессорларни ва юқори даражада интеграллашган микросхемаларни қуришда кенг қўлланилмоқда.

Фойдаланилган адабиётлар: 1. Мейер М. Теория реляционных баз данных. – М.: Мир, 1987. – 608 с. 2. Абдуманонов А.А., Карабаев М.К., Хошимов В.Г.. Информационнокоммуникационная технология организации лечебно- диагностических процессов в стационарах экстренной медицины. Межд. ж. Информационные технологии моделирования и управления. 2012,- №5(77). –с. 378-385. 3. Карабаев М.К., Абдуманонов А.А. Алгоритмы и технологии обеспечения безопасности информации в медицинской информационной системе ExterNET. Программные продукты и системы, Научно-практич. издание № 1(101), 2013 г., С. 150-155. 4. Ю.А. Григорьев, В.Г. Матюхин. Оценка времени выполнения сложного sql- запроса в субд ms sql server. Организация баз данных 2004. №2 (8)- С.3-11.

O'xshashlar

Электрон калит схемалари

Интеграл микросхемалар

ИМСларни яратилиш тарихи

Мантиқий элементлар

Тадрижий кетма кет турдаги ракамли схемалари