Интеграл микросхемалар - Algebra - Referatlar

Интеграл микросхемалар

Yuklangan vaqt:

14.03.2020

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

227 KB

Ko'chirib olish

Интеграл микросхемалар Режа: 1.ИМСларни турлари ва элементлари 2.МДЯ-транзистори асосидаги ИМС

Тайёрлов операциялари. Яримўтказгич ИМСлар тайёрлаш учун асосий материал бўлган - кремний монокристал қуймалари олишдан бошланади. Монокристал қуймалар ҳосил қилишнинг бир қанча усуллари мавжуд. Чохральский усулида таркибига донор ёки акцептор киритмалар қўшилган ўта тоза кремний эритмаси юзига кремний монокристали туширилади. Эритма эритган монокристал ўз ўқи атрофида аста – секин айлантирилиб кўтарилади. Монокристал кўтарилиши билан эритма кристалланади ва кремний монокристали ҳосил бўлади. Ҳосил бўлган кремний қуймаси n – ёки р –турли электр ўтказувчанликка эга бўлади. Қуйма узунлиги 150 см, диаметри эса 150 мм ва ундан катта бўлиши мумкин. Зонали эритиш усулида монокристал ифлослантирувчи киритмалардан қўшимча тозаланади. Бунда кристаллнинг тор зонаси эритилиб, эритилган зона кристаллнинг бир учидан иккинчи учига аста силжитиб борилади. Киритмаларнинг эриган фазада эрувчанлиги қаттиқ ҳолатдаги эрувчанлигига қараганда катта бўлса, ўша киритмалар суюқ фазага ўтиб кристаллнинг иккинчи учига силжиб боради, ва ўша ерда тўпланади. Киритмалар тўпланган соҳа тозалаш жараёнлари тугагандан сўнг кесиб ташланади. Эпитаксия. Эпитаксия жараёни асос сиртида унинг кристалл тузилишини такрорловчи юпқа монокристал ишчи қатламлар ҳосил қилиш учун ишлатилади. Асос бунда мустаҳкамликни таъминлаш ва кристалланаётган қатлам такрорлаши зарур бўлган кристалл панжара сифатида хизмат қилади. Кейинги технологик жараёнларда эпитаксиал қатламда ИМСнинг актив ва пассив элементлари ҳосил қилинади. Газ фазали ва суюқ фазали эпитаксия усуллари кенг тарқалган бўлиб, улар монокристал асос сиртида n – ёки р –турли ўтказувчанликка эга бўлган эпитаксиал қатламлар ҳосил қилиш имконини беради. Термик оксидлаш. Термик оксидлаш – кремний сиртида оксид (SiO2) қатлам (парда) ҳосил қилиш мақсадида сунъий йўл билан оксидлашдан иборат жараён. У юқори (1000÷1200) 0 С температураларда кечади. ИМСлар тайёрлашда SiO2 қатлам бир неча муҳим функцияларни бажаради: сиртни ҳимояловчи қатлам; ниқоб вазифасини бажариб, ундаги

тирқишдан зарур киритмалар киритилади; МДЯ – транзисторларда затвор остидаги юпқа диэлектрик қатлам сифатида ишлайди. Легирлаш. Яримўтказгич ҳажмига киритмаларни киритиш жараёни легирлаш деб аталади. ИМСлар тайёрлашда легирлаш схеманинг актив ва пассив элементларини ҳосил қилиш учун, зарур ўтказувчанликни таъминлаш учун керак. Легирлашнинг асосий усуллари юқори темератураларда киритмалар атомларини диффузиялаш ва юқори энергияли ионлар билан бомбардимон қилиш (ионларни кристалл панжарага киритиш) дан иборат. Диффузия ёрдамида легирлаш бутун кристалл юзаси бўйлаб ёки ниқобдаги тирқишлар орқали маълум соҳаларда (локал) амалга оширилади. Ион легирлаш етарли энергиягача тезлатилган киритма ионларини ниқобдаги тирқишлар орқали кристалга киритиш билан амалга оширилади. Ион легирлаш универсаллиги ва осон амалга оширилиши билан характерланади. Ионлар токини ўзгартириб легирловчи киритмалар концентрациясини, энергиясини ўзгартириб эса – легирлаш чуқурлигини бошқариш мумкин. Емириш. Яримўтказгич, унинг сиртидаги оксидлар ва бошқа бирикмаларни кимёвий моддалар ҳамда уларнинг аралашмалари ёрдамида эритиб тозалаш жараёнига емириш дейилади. Емириш яримўтказгич сиртини тозалаш, оксид қатламда “дарча”лар очиш ва турли кўринишга эга бўлган “чуқурчалар” ҳосил қилиш учун қўлланилади. Яримўтказгич сиртини тозалаш ва “дарча”лар ҳосил қилиш учун изотроп емириш дан фойдаланилади, бунда яримўтказгич барча кристаллографик йўналишлар бўйлаб бир хил тезликда эритилади. Баъзан яримўтказгични турли кристаллографик йўналишлар бўйлаб турли тезликда эритиш ва натижада турли кўринишга эга бўлган “чуқурча”лар ҳосил қилиш зарур бўлади. Анизотроп емириш билан, масалан, микросхемалар тайёрлашда (элементларни бир – биридан диэлектрик билан изоляциялашда) диэлектрик қатлам ўстирилувчи “чуқурча”лар ҳосил қилинади. Фотолитография. Яримўтказгич пластинадаги металл ёки диэлектрик пардалар сиртида маълум шаклдаги локал соҳаларни ҳосил қилиш жараёни фотолитография деб аталади. Ушбу соҳалар кимёвий емиришдан ҳимояланган

бўлиши шарт. Фотолитография жараёнида ультрабинафша нур таъсирида ўз хусусиятларини ўзгартирувчи, фоторезист деб аталувчи, махсус моддалар ишлатилади. Фоторезист оксидланган кремний пластинаси сиртига суртилади ва кварц шиша ниқоб орқали ёритилади. Ниқоблар шаффоф ва шаффоф эмас соҳаларга эга бўлгани учун фоторезистнинг маълум соҳаларига ёруғлик (ультрабинафша нур) таъсир этиб, унинг хусусияти ўзгартирилади. Бундай ниқоблар фотошаблонлар деб аталади. Фоторезист турига боғлиқ ҳолда унинг эрувчанлиги ортиши (позитив фоторезист) ёки камайиши (негатив фоторезист) мумкин. Позитив фоторезист қатлам ёруғлик нури таъсирида нобарқарор ҳолатга ўтади ва эритувчи таъсирида эрийдиган, негатив фоторезист эса – аксинча, ёруғлик таъсирида эримайдиган бўлиб қолади, унинг ёруғлик таъсиридан ҳимояланган соҳалари эрийди. Шундай қилиб, фоторезист қатламдан фотошаблондаги шаклни такрорловчи ҳимояловчи ниқоб ҳосил қилинади. Фоторезист қатламда ҳосил қилинган “дарча”лар орқали оксидланган яримўтказгичнинг ҳимояланмаган соҳаларига кимёвий ишлов берилади (емирилади). ИМС тайёрлашда фотолитография жараёнидан бир неча марта (5÷7 марта) фойдаланилади (негиз қатламлар, эмиттерлар, омик контактлар ҳосил қилишда ва х.з.). Бунда ҳар гал ўзига хос “расм”ли фотошаблонлар ишлатилади. Олтита ЭРЭга эга ИМС ҳосил қилишда фотолитография жараёнининг кетма – кетлиги 2.1 – расмда кўрсатилган. Пардалар ҳосил қилиш. Пардалар ИС элементларини электр жиҳатдан улаш ҳамда резисторлар, конденсаторлар ва гибрид ИСларда элементлар орасидаги изоляцияни амалга ошириш учун қўлланилади. Пардалар вакуумда термик буғлатиш, материални ионлар билан бомбардимон қилиб учириш ёки газ фазадан, сувли эритмадан кимёвий ўтказиш усуллари билан ҳосил қилинади. Ҳар бир усулнинг афзаллиги ва камчилиги мавжуд.

Мисол тариқасида металлаш ни – кристалл ёки асос сиртида металл пардалар (схемада элементларнинг ўзаро уланиши, контакт юзачалар, пасив ва актив элементлар электродлари) ҳосил қилиш жараёнини кўриб чиқамиз. Металлаш учун олтин, никель, кумуш, алюминий ва Cr-Au, Ti-Au ва бошқалар ишлатилади. Кремний асосидаги ИМСларда металлашни амалга ошириш учун асосан алюминийдан фойдаланилади. Нарҳи қиммат бўлмаган ҳолда, кўрсатиб ўтилган металлар каби, у р – кремний билан омик (тўғриламайдиган) контакт ҳосил қилади, кичик солиштирма қаршиликка эга ва катта токка чидайди. Алюминий вакуумда термик буғлатиш усули билан сиртга ўтказилади. n –турли соҳа билан омик контакт ҳосил қилиш учун ундаги донорлар концентрацияси 10 20 см -3 атрофида бўлиши керак. Бундан юқори концентрацияга эга бўлган соҳа n + деб белгиланади. Металлаш жараёни яримўтказгич пластина ҳажмида схема элементлари ҳосил қилингандан сўнг амалга оширилади. Биринчи навбатда пластина сиртида SiО2 қатлам ҳосил қилинади. Шундан кейин кремний билан контактлар ҳосил қилиниши керак бўлган жойларда, фотолитография усули билан, SiО2 парда қатламида “дарча”лар очилади. Сўнг вакуумда термик буғлатиш усули билан пластина сиртида қалинлиги 1 мкм атрофида бўлган алюминий қатлам ҳосил қилинади. Контакт юзачалари ва электр жиҳатдан бирлаштирувчи ўтказгичларнинг зарурий шакли фотолитография усули билан ҳосил қилинади. Алюминий қатламининг ишлатилмайдиган соҳалари емириш усули билан олиб ташланади, сўнгра алюминий билан кремний орасида контакт ҳосил қилиш учун пластинага термик ишлов берилади. Ҳозирги вақтда металлашда электр ўтказувчанлиги алюминийга нисбатан катта бўлган мис ҳам қўлланилмоқда.

3.1 – расм. Фотолитография жараёнининг кетма -кетлиги.

Пластиналарни кристалларга ажратиш ва йиғиш операциялари. Барча асосий технологик операциялар бажариб бўлингандан сўнг, юзларча ва ундан кўп ИСларга эга пластина алоҳида кристалларга бўлинади. Пластиналар лазер скрайбер ёрдамида, яъни тайёрланган ИСлар орасидан лазер нурини юргизиб кристалларга ажратилади. Ишлатишга яроқли кристаллар қобиқларга ўрнатилади, бунда кристал аввал қобиққа елимланади ёки кавшарланади. Сўнг кристал сиртидаги контакт юзачалар қобиқ электродларига ингичка (ø 20÷30 мкм) симлар ёрдамида уланади. Симлар уланаётганда термокомпрессиядан фойдаланилади, яъни уланаётган сим билан контакт юзачаси ёки микросхема электроди 200÷300 0 С температурада ва юқори босимда бир – бирига босиб бириктирилади. Монтаж операциялари тугагандан сўнг кристалл юзаси атроф муҳит атмосфераси таъсиридан ҳимоялаш учун қобиқланади. Одиий интеграл схемаларда чиқиш электродлари сони 8-14 та, КИСларда эса 64 тагача ва ундан кўпроқ бўлиши мумкин. ИСлар қобиқлари металл ёки пластмассадан тайёрланади. ИСларнинг қобиқсиз турлари ҳам мавжуд. Интеграл микросхема ( ИМС ) кўп сонли транзистор, диод, конденсатор, резистор ва уларни бир – бирига уловчи ўтказгичларни ягона конструкцияга бирлаштиришни (конструктив интеграция); схемада мураккаб ахборот ўзгартиришлар бажарилишини (схемотехник интеграция); ягона технологик циклда, бир вақтнинг ўзида схеманинг электрорадио элементлари (ЭРЭ) ҳосил қилинишини, уланишлар амалга оширилишини ва бир вақтда гуруҳ усули билан кўп сонли бир хил интеграл микросхемалар ҳосил қилиш (технологик интеграция) ни акс эттиради. ИМС, ягона технологик циклда, ягона асосда тайёрланган ва ахборот ўзгартиришда маълум функцияни бажарувчи ўзаро электр жиҳатдан уланган ЭРЭлар мажмуасидир. ИМС электрон асбоблар қаторига киради. Унинг электрон асбоб сифатидаги асосий хусусияти шундаки, у мустақил равишда, масалан, ахборотни эслаб қолиши ёки сигнални кучайтириши мумкин. Дискрет элементлар асосида шу функцияларни бажариш учун транзисторлар, резисторлар ва бошқа элементлардан иборат схемани қўлда йиғиш зарур.

Электрон асбобнинг ускуна таркибида ишлаш ишончлилиги аввалам бор кавшарланган уланишлар сони билан аниқланади. ИМСларда элементлар бир – бири билан металлаш йўли билан уланади, яъни кавшарланмайди ҳам, пайванд ҳам қилинмайди. Бунинг натижасида йиғиш, монтаж қилиш ишларининг сифатини ошириш масаласи ечилди, катта миқдордаги ЭРЭларга эга радиоэлектрон қурилмалар ишлаб чиқаришда ишончлилик таъминланди. Ҳозирги кунларда тайёрлаш усули ва бунда ҳосил бўладиган тузилмасига кўра ИМСларни бир – биридан принципиал фарқланувчи уч турга ажратилади: яримўтказгич , пардали ва гибрид . ИМСларнинг ҳар тури, микросхема таркибига кирувчи элементлар ва компонентлар сонини ифодаловчи, интеграция даражаси ва конструкцияси билан фарқ қилади. Элемент деб, конструкцияси бўйича кристалл ёки асосдан ажралмайдиган, ЭРЭ функциясини бажарувчи ИМСнинг қисмига айтилади. ИМС компоненти деб, дискрет элемент функциясини бажарувчи, лекин монтаждан аввал мустақил маҳсулот бўлган ИМСнинг бўлагига айтилади. Йиғиш, монтаж қилиш операцияларини бажаришда компонентлар микросхема асосига ўрнатилади. Қобиқсиз диод ва транзисторлар, конденсаторларнинг махсус турлари, кичик ўлчамли индуктивлик ғалтаклари ва бошқалар содда компонентларга, мураккаб компонентларга эса – бир нечта элементдан ташкил топган, масалан, диод ёки транзисторлар йиғмалари киради. Элементлари яримўтказгич асоснинг сиртига яқин қатламда ҳосил қилинган микросхемалар яримўтказгич ИМС деб аталади. Элементлари диэлектрик асос сиртида парда кўринишида ҳосил қилинган микросхемалар пардали ИМС деб аталади. Пардалар турли материалларни паст босимда юпқа қатлам сифатида ўтказиш йўли билан ҳосил қилинади. Парда ҳосил қилиш усули ва у билан боғлиқ парда қалинлигига мувофиқ ИМСларни юпқа пардали (қалинлиги 1-2 мкм) ва қалин пардали (қалинлиги 10 мкмдан юқори) ларга ажратилади. Адабиётларда кўп ҳолларда ИМС ёзув ўрнига ИС деб ёзилади.

Ҳозирги кунда пардали диод ва транзисторларнинг параметрлари барқарор бўлмагани сабабли, пардали ИМСлар фақат пассив элементларга (резисторлар, конденсаторлар ва бошқалар) эга. Пардали технологияда элемент параметрларининг рухсат этилган тарқоқлиги 1÷2 % дан ошмайди. Пассив элементлар параметрлари ва уларнинг барқарорлиги ҳал қилувчи аҳамият касб этганда бу жуда муҳим бўлади. Шу сабабдан пардали ИСлар баъзи фильтрлар, фаза ўзгаришига сезгир ва танловчи схемалар, генераторлар ва бошқалар тайёрлашда ишлатилади. Гибрид ИМС (ёки ГИС) деб умумий диэлектрик асосда жойлашган пардали пассив ва дискрет актив элементлар комбинациясидан иборат микросхемага айтилади. Дискрет компонентлар осма дейилади. Гибрид ИМСлар учун актив элементлар қобиқсиз ёки жажжи металл қобиқларда тайёрланади. ГИСларнинг асосий афзалликлари: ишлаб чиқишнинг нисбатан кичик даврида аналог ва рақамли микросхемаларнинг кенг синфини яратиш имкониятидан, кенг номенклатурали пассив элементлар ҳосил қилиш имкониятидан (МДЯ – асбоблар, диодли ва транзисторли матрицалар) ва ишлаб чиқарилаётган микросхемаларда яроқлилар фоизининг кўплигидан иборат. ГИСлар алоқа аппаратларининг қабул қилиш – узатиш тизимларида, юқори частотали кучайтиргичларда, ЎЮЧ қурилмаларда ва бошқаларда қўлланилади. Ишлатилган транзистор турига мувофиқ яримўтказгич интеграл микросхемалар биполяр ва МДЯ ИМС ларга ажратилади. Ҳозирги кунда р – n ўтиш билан бошқариладиган МТлар асосида яратилган ИМСлар катта аҳамият касб этмоқда. Ушбу синфга арсенид галлий асосида, затвори Шоттки диоди кўринишида бўлган МТлар киради. Сўнгги пайтда таркибида ҳам биполяр, ҳам майдоний транзисторлар ишлатилган ИМСлар ҳам тайёрланмоқда. ИМСнинг функционал мураккаблиги унинг таркибидаги элемент ва компонентлар сонини кўрсатувчи интеграция даражаси билан ифодаланади. Интеграция коэффициенти сон жиҳатдан К=lgN тенглик билан аниқланади, бу ерда N – схема элементлари ва компоненталари сони (3.1 – жадвал).

3.1 – жадвал Интеграция коэффициенти К қиймати Элементлар сони ИМС номи 1 < 1 10 тагача оддий 2 1 < К ≤ 2 11÷100 ўртача (ЎИС) 3 2 < К ≤ 4 101÷10 000 катта (КИС) 4-5 ≥ 4 > 10 000 ўта катта (ЎКИС) Оддий ИМСларга мисол сифатида мантиқ элементларни кўрсатиш мумкин. ЎИСларга жамлаш қурилмаси, счетчиклар, оператив хотира қурилмалари (ОХҚ), сиғими 256-1024 бит бўлган доимий хотира қурилмалари (ДХҚ) мисол бўла олади. КИСларга мантиқий – арифметик ва бошқарувчи қурилмалар киради. ЎКИС ларга 1,9 миллиард МДЯ – транзисторлардан ташкил топган, сиғими 294 МБ бўлган хотира микросхемалари мисол бўла олади. Кристаллдаги элементлар жойлашувининг зичлиги – бирлик юзага тўғри келувчи элементлар сони ИС конструкцияси ва технологияси сифатининг муҳим кўрсаткичи ҳисобланади. Технология даражаси минимал технологик ўлчам, яъни эришиш мумкин бўлган энг кичик ўлчам билан ифодаланади, масалан, эмиттер кенглиги, ўтказгичлар кенглиги, улар орасидаги масофа билан характерланади. ИМСлар ишлаб чиқариш технологиясини мукаммаллаштириш жараёнида минимал технологик ўлчам Δ нинг йиллар бўйича ўзгариши 2.2 – жадвалда келтирилган. 3.2 – жадвал Йил 1999 2001 2003 2005 2007 2009 Δ, нм 180 130 90 65 45 32 Хотира қурилмаларида элементлар жойлашув зичлиги ҳар икки йилда икки марта ортиб бораётганини 1965 йилда Гордон Мур башорат қилган эди. 1.2 – жадвал ушбуни тасдиқлайди. Функционал вазифасига кўра ИСлар аналог ва рақамли ларга бўлинади. Аналог ИСларда сигнал узлуксиз функция сифатида ўзгаради. Энг кенг

тарқалган аналог ИС – операцион кучайтиргичдир. Рақамли ИСлар дискрет кўринишда берилган сигналларни ўзгартиришга ва қайта ишлашга хизмат қилади.

Фойдаланилган адабиётлар: 1. Мейер М. Теория реляционных баз данных. – М.: Мир, 1987. – 608 с. 2. Абдуманонов А.А., Карабаев М.К., Хошимов В.Г.. Информационнокоммуникационная технология организации лечебно- диагностических процессов в стационарах экстренной медицины. Межд. ж. Информационные технологии моделирования и управления. 2012,- №5(77). –с. 378-385. 3. Карабаев М.К., Абдуманонов А.А. Алгоритмы и технологии обеспечения безопасности информации в медицинской информационной системе ExterNET. Программные продукты и системы, Научно-практич. издание № 1(101), 2013 г., С. 150-155. 4. Ю.А. Григорьев, В.Г. Матюхин. Оценка времени выполнения сложного sql- запроса в субд ms sql server. Организация баз данных 2004. №2 (8)- С.3-11. 5. Гаврилова Т.А., Хорошевский В.Ф. Базы знаний интеллектуальных систем. Учебник. — СПб.: Питер, 2000.-384с. 6. Абдуманонов А.А., Карабаев М.К., Махмудов Н.И. Об интеллектуализации медицинских информационных систем // Научно-практический журнал «Современная наука: актуальные проблемы теории и практики» Серия «естественные и технические науки» № 9- 10, 2013 г. Воронеж,-с.60-64.

O'xshashlar

Аниқмас интеграл Аниқмас интеграл ва унинг хоссалари

Аниқмас интеграл Аниқмас интеграл ва унинг хоссалари

Эгри чизикли интеграл

Аниқ интеграл Аниқ интеграл ва унинг асосий хоссалари

Интеграл. Бошлангич функция. Аникмас интеграл ва унинг хоссаси