logo
  1. Bosh sahifa
  2. Referatlar
  3. Algebra
  4. Мантиқий элементлар

Мантиқий элементлар

Yuklangan vaqt:

14.03.2020

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

402.5 KB
Ko'chirib olish
Мантиқий элементлар Режа: 1.Манткий элементлар 2.Ракамли электрон курилмаларнинг фундаментал хоссалари. Мантиқий элементлар Микроэлектрон аппаратлар ривожи КИС ва ЎКИС ларни кенг қўллашга асосланган. Бу билан аппаратларнинг техник-иқтисодий кўрсаткичлари ортмоқда: ишончлилик, халақитбардошлик ортмоқда, массаси, ўлчамлари, нарҳи камаймоқда ва х.з. КИС МЭлари тезкорлигининг кичиклигига қарамасдан МДЯ – технологияда бажарилар эди. МЭ тезкорлигини ошириш муаммоси Philips ва IBM фирмалари томонидан БТ асосида интеграл –инжекцион мантиқ (И 2 М) негиз элементи яратилишига сабаб бўлди. И 2 М негиз элементи схемаси 10.1, а – расмда келтирилган. Элемент VT1 ( p1- n-p2 ) ва VT2 ( n-p2-n + ) комплементар БТлардан ташкил топган. VT1 транзистор, кириш сигналини инверсловчи VT2 транзистор учун база токи генератори (инжектори) вазифасини бажаради. VT2 транзистор одатда бир нечта коллекторга эга бўлиб, элемент мантиқий чиқишларини ташкил этади. И 2 М турдаги элементларда ҳосил қилинган мантиқий схемаларда, VT1 транзистор эмиттери ҳисобланган инжектор (И), кучланиш манбаи билан R резистор орқали уланади ва унинг қаршилиги талаб этилган токни таъминлайди. Бундай ток билан таъминловчи қурилма инжектор токи қийматини, кенг диапазонда ўзгартириб унинг тезкорлигини ўзгартиришга имкон беради. Амалда инжектор токи 1 нА ÷ 1 мАгача ўзариши мумкин, яъни VT1 транзистор ЭЎидаги кучланишни озгина орттириб (ҳар 60 мВда ток 10 марта ортади) ток қийматини 6 тартибга ўзгартириш мумкин. И 2 М ИС кремнийли n + - асосда тайёрланади (11.1, б – расм), у ўз навбатида барча инвертор эмиттерларини билаштирувчи умумий электрод ҳисобланади (расмда битта инвертор кўрсатилган). n-p-n турли транзистор базаси бир вақтнинг ўзида p-n-p турли транзисторни коллектори бўлиб ҳисобланади. Элементларнинг бундай тайёрланиши функционал интеграция дейилади. Бу вақтда турли элементларга тегишли соҳаларни изоляция қилишга (ТТМ ва ЭБМ элементларидаги каби) эҳтиёж қолмайди. И 2 М элементи резисторлардан ҳоли эканлигини инобатга олсак, яхлит элемент кристаллда ТТМдаги стандарт КЭТ эгаллаган ҳажмни эгаллайди. а) б) 5.1 – расм. И 2 М негиз элементнинг принципиал схемаси (а), топология қирқими (б) ва шартли белгиланиши (в). Элементнинг ишлаш принципи. Иккита кетма-кет уланган И 2 М элементлар занжири 5.1 – расмда тасвирланган. Агар схеманинг киришига берилган кучланиш U 0 КИР < U * бўлса, у ҳолда қайта уланувчи VT2 транзисторнинг иккала ўтиши берк бўлади. VT1 инжектордан берилаётган ток I М , қайта уланувчи транзистор базасидан кириш занжирига узатилади. Бу ҳолатда чиқиш кучланиши кейинги каскад қайта уланувчи VT2 / транзисторининг тўғри силжитилган p-n ўтиши кучланишига тенг бўлади, яъни U 1 ЧИҚ = U * ≈ 0,7 В. Агар схеманинг киришидаги кучланиш U 1 КИР > U * бўлса, у ҳолда қайта уланувчи VT2 транзистор очилади. p2 соҳага келиб тушаётган коваклар бу соҳани тез зарядлайди. VT1 инжектор тўйиниш режимига ўтади. p2 соҳа потенциали инжектор потенциалига деярли тенг бўлади. в) VT2 транзисторнинг эмиттер-база ўтиши тўғри йўналишда силжийди ва электронларнинг базага, кейин эса коллекторга инжекцияси бошланади. Коллекторга келаётган электронлар p2 соҳадан келган ковакларни нейтраллайди. Натижада коллектор потенциали пасаяди ва база потенциалидан кичик бўлиб қолади. VT2 транзистор тўйиниш режимига ўтади ва элемент чиқишида тўйинган транзистор кучланишига тенг бўлган кичик сатҳли кучланиш ўрнатилади. Реал шароитда у 0,1÷0,2 В га тенг. Шундай қилиб, И 2 М негиз МЭ учун қуйидаги муносабатлар ҳақиқийдир: U 0 = 0,1÷0,2 В; U 1 = 0,6÷0,7 В. Бундан И 2 М негиз МЭ учун мантиқий ўтиш U МЎ = 0,4÷0,6 В эканлиги келиб чиқади. 5.2 – расм. И 2 М МЭ занжири. 5.2 – расмдаги схемадан фойдаланиб 2ҲАМ-ЭМАС ва 2ЁКИ-ЭМАС мантиқий амалларини бажарувчи МЭларни тузиш мумкин. Масалан, 11.3 – расмда иккита инверторни металл ўтказгичлар билан туташтириш йўли билан 2ЁКИ-ЭМАС функциясини амалга ошириш мумкин. Бу вақтда иккала инвертор VT1 транзисторда осил қилинган ягона кўп коллекторли (икки коллекторли) инжектордан таъминланади. Келтирилган схемадан кўриниб турибдики, чиқишлар киришдаги ўзгарувчиларга нисбатан умумий нуқтага параллел уланса ЁКИ-ЭМАС мантиқий амал бажарилади. Чиқиш сигналларига нисбатан эса ҲАМ амали бажарилади. Шуни таъкидлаш керакки, инверторларнинг иккинчи коллекторлари ёрдамида қўшимча кириш сигналларини инкор ___ ____ этиш мантиқий амалини ( X 1, X 2) бажариш мумкин, бу эса ўз навбатида МЭ имкониятларини кенгайтиради. 5.3 – расм. ЁКИ-ЭМАС амалини И 2 М мантиқй элементлар асосида ташкил этиш схемаси. И 2 М схемалар тезкорлиги инжекция токи I И га кучли боғлиқ бўлиб, ток ортган сари ортади. Бу вақтда А ҚУ озгина ортади ва 4÷0,2 пДжни ташкил этади. Элемент қайта уланишининг ўртача кечикиш вақти 10÷100 нс, яъни ТТМ элементникига нисбатан бир неча марта катта. Аммо қувват истеъмоли 1-2 тартибга кичик бўлади. Мантиқий ўтиш кичиклиги туфайли И 2 М элементининг халақитбардошлиги ҳам кичик (20÷50 мВ) бўлади. Шунинг учун бу схемалар фақат КИС ва ЎКИСлар таркибида ва кичик интеграция даражасига эга мустақил ИСлар сифатида қўлланилади. И 2 М МЭнинг Х киришига статик режимда мантиқий 1га мос кучланиш берилганда манба Е М дан энергия истеъмол қилиши, унинг камчилиги ҳисобланади. Эмиттерлари боғланган мантиқ (ЭБМ) элементни яратилишига рақамли қурилмалар тезкорлигини ошириш муаммоси сабаб бўлган. ЭБМ элементда қайта уланувчи транзистор ёки берк, ёки очиқ бўлади ва базада қўшимча ноасосий заряд ташувчилар тўпланаётганда БТ тўйиниш режимида ишлайди. Транзисторни бир ҳолатдан иккинчисига ўтиши узоқ кечадиган жараён бўлганлиги сабабли, ТТМ элемент тезкорлиги чекланган. БТдаги калит инерциялилигини камайтириш мақсадида шундай схемалар яратиш керакки, унда қайта уланувчи транзистор очиқ ҳолатда актив режимда ишласин. ЭБМ шундай схематехник ечимлардан бири ҳисобланади. БТнинг тўйинмаган режими юклама ва паразит сиғимларни тез қайта зарядланиши учун талаб қилинадиган ишчи токларни ошириш имконини беради. Қайта уланувчи элемент уланиш вақти минимумга келади. Бу вақтда БТнинг беркилиш вақти ортмайди. Шу сабабли ЭБМ элементлар юқори тезкорликка эга. ЭБМ элемент асосини ток қайта улагичи ташкил этади (12.1 – расм). У ДК каби иккита симметрик елкадан ташкил топган бўлиб, уларнинг ҳар бири транзистор ва резистордан иборат. Умумий эмиттер занжирида БТГ I0 ишлайди. 5.4 – расм. Ток қайта улагичи. ДКдан фарқли равишда киришлардан бири (VT2) таянч деб аталувчи доимий кучланиш манбаи U0 га уланган. Ток I0 қиймати транзисторнинг актив иш режимига мос келади ва ЭБМ негиз элементларида I0 = 0,5÷2 мА. БТГ мавжудлиги туфайли база потенциалларининг ихтиёрий қийматларида эмиттер ўтишларда автоматик равишда I Э 1  I Э 2  I 0 (5.1) шарт ўрнатилади. Актив режимда эмиттер токининг база – эмиттер кучланишига боғлиқлиги киришдаги VT1 транзистор учун қуйидаги ифода билан аппроксимацияланади I Э 1  I Э 01 е ( UКИР  UЭ )/  T , (5.2) VT2 транзистор учун эса I Э 2  I Э 02 е ( U 0  UЭ )/  T . (5.3) Бу ифодаларда эмиттер токининг U ЭБ =0 ва U КБ ≠0 бўлгандаги қолдиқ қиймати I Э0 . Интеграл технологияда эгизаклик принципига мувофиқ I Э01 = I Э02 . Хона температурасида  T  kT / q  0,025 В. (12.1), (12.2) ва (12.3)лардан фойдаланиб, U 0 ( I 1  0 КИР )/  T IЭ 2  I 0 U КИР (5.4) IЭ 1  U ,  U 0(1  )/  T 1  eU 0 1  eU 0 га эга бўламиз. Схема симметрик, шунинг учун иккала БТ база потенциаллари тенг бўлганда ( U КИР = U0 ) ҳар бир елкадан оқиб ўтаётган ток I0 / 2 га тенг. Таянч кучланиш U0 = 1,2 В бўлсин. Агар U КИР қиймати Δ ≤ 0,1 В га камайса, у ҳолда (12.4) га мувофиқ , I Э1 ток I0 га нисбатан 1 % гача камаяди, I Э2 ток эса 99 % гача ортади. Демак, кириш сигнали U - КИР ≤ U0 – Δ (мантиқий 0) бўлганда VT1 транзистор берк бўлади, VT2 транзистордан эса тўлиқ I0 токи оқиб ўтади. Агар аксинча бўлса, яъни U КИР қиймати Δ ≥ 0,1 В га ортса, у ҳолда (12.4) га мувофиқ, I Э1 ток I0 га нисбатан 99 % гача ортади, I Э2 ток эса 1 % гача камаяди. Демак, кириш сигнали U + КИР ≥ U0 + Δ (мантиқий 1) бўлганда VT2 транзисторни берк деб ҳисоблаш мумкин, VT1 транзистордан эса тўлиқ I0 ток оқиб ўтади. Натижада идеал ток қайта улагичига эга бўлдик. Сатҳлар орасидаги фарқ - қайта уланиш кичиклиги унинг камчилиги ҳисобланади, чунки қайта уланиш соҳаси кириш сигналларини таянч кучланиш U0 дан U ҚУ = U + КИР –U - КИР =2Δ≈ 0,3 В қийматга ўзгариши билан аниқланади. Демак, халақитбардошлик ҳам кичик бўлади. Лекин мантиқий ўтиш вақтининг кичиклиги, ҳамда тўйиниш режимининг йўқлиги ҳисобига ток қайта улагичининг қайта уланиш вақти жуда кичик бўлиб, 3 нсдан ошмайди. Транзистор актив режимда қоладиган максимал U + КИР қийматини аниқлаймиз. Бунинг учун U КБ ≥0 ( U К ≥ U Б ) шарт бажарилиши керак. Транзисторнинг база потенциали кириш сигнали билан, коллектори потенциали эса U K  E M   I 0 R K (5.6) ифода ёрдамида аниқланади. У ҳолда транзистор актив режим чегарасида ( U К = U Б ) қоладиган U + КИР қиймати қуйидаги муносабат билан аниқланади U КИР   E М   I 0 R K  U 0   . (5.7) (12.6) шарт бажарилиши, берилган Е М , U0 ва U + КИР қийматларида транзисторнинг актив иш режими таъминланиши учун R К резисторлар қаршилиги кичик (200 Омгача) қилиб танланади. Алоҳида калитлар (қайта улагичлар) асосан аналог схемаларда қўлланилади. Мантиқий схемаларда ҳар бир қайта улагич чиқиши бир ёки бир неча бошқа қайта улагичлар киришига уланади. Қайта улагичлар кетма –кетлиги ишга лаёқатлигини таъминлаш мақсадида кириш ва чиқишлар бўйича мантиқий 0 ва мантиқий 1 сатҳлар мувофиқлаштирилган бўлиши керак. Афсуски, мазкур турдаги қайта улагичларда сатҳлар мослиги мавжуд эмас, чунки У1 ва У2 чиқишлардан олинаётган чиқиш кучланиши доим U0 дан катта бўлади. Шу сабабли бундай қайта улагичларни кетма – кет улаб бўлмайди. Бунинг учун махсус мувофиқлаштирувчи каскадлар қўлланилади. Улар кучланиш сатҳини силжитиш қурилмаси деб аталади. Эмиттер қайтаргичлар бундай қурилманинг содда схемаси бўлиб ҳисобланади. Қайтаргичда чиқиш (эмиттер) потенциалининг сатҳи таянч потенциал сатҳидан U * катталикка паст бўлади. Ток қайта улагичини ЭБМ элементга ўзгартириш учун унинг чап елкасини параллел уланган (киришлари бўйича) транзисторлар билан алмаштириш керак. Иккита киришли ЭБМ элемент схемаси 5.6 – расмда келтирилган. VT1 ва VT2 транзисторлардан ихтиёрий бирининг (ёки бароварига) беркиилиши I0 токни чап елкадан ўнг елкага ўтишига олиб келади. VT4 ва VT5 эмиттер қайтаргичлар колектор потенциаллари сатҳлари U * катталикка силжитилади, бу билан ЭБМ занжирнинг ишга лаёқатлиги таъминланади. 5.5– расм. Иккита киришли ЭБМ МЭ схемаси. Дейлик, иккала киришга мантиқий 0 потенциал берилган бўлсин. У ҳолда VT1 ва VT2 транзисторлар берк, VT3 транзистор очиқ бўлади. Демак, У1 чиқишда мантиқий 1 сатҳи ўрнатилади. VT1 ва VT2 транзисторлар берк бўлганлиги сабабли уларнинг коллектор потенциаллари U К1,2 = Е М . VT4 ЭЎидан U * кучланишни олиб ташласак, мантиқий 1 сатҳ U 1  E M  U * . (5.8) эканлиги келиб чиқади. VT3 транзистор билан VT5 қайтаргич ҳам мантиқий функция бажарадилар. Х1 = Х2 = U0 бўлганда VT3 транзистор очиқ, демак У2 чиқишда мантиқий 0 сатҳи ўрнатилади. VT3 транзистор тўйиниш чегарасида турибди деб фараз қилайлик, яъни U КБ3 = 0. У ҳолда транзистордаги қолдиқ кучланиш ЭЎдаги кучланишга тенг бўлади ( U ҚОЛ = U * ). U * кучланишни олиб ташласак ва (5.8) ифодага қўйсак, мантиқий 0 саҳига эга бўламиз U 0  E M  2 U * . (5.9) (5.8) ва (5.9) ифодалардан фойдаланиб, мантиқий ўтиш қийматини аниқлаймиз U МЎ  U 1  U 0  U *  0,7 В. Энди бирор киришга, масалан Х1 га мантиқий 1 потенциал берилган бўлсин. У ҳолда VT1 транзистор очилади, VT3 транзистор эса беркилади. Натижада У1 чиқишда мантиқий 0 кучланиши, У2 чиқишда эса мантиқий 1 кучланиши ўрнатилади. Иккала киришга мантиқий 1 берилганда ҳам вазият ўзгармайди. Ҳосил бўлган ҳақиқийлик ____________ жадвали 12.2 – жадвалда келтирилган. Жадвалдан, схема У1 чиқиш бўйича Y 1  X 1  X 2 мантиқий амалини, У2 чиқиш бўйича эса Y 1  X 1  X 2 мантиқий амалини бажариши маълум бўлиб турибди. Шуни таъкидлаш керак-ки, чиқишда эмиттер қайтаргичларнинг қўлланилиши мантиқий ўтишни 0,7В гача ва халақитларга бардошликни деярли 0,3В гача оширди. Бундан ташқари, эмиттер қайтаргичдаги кичик чиқиш қаршилиги туфайли схеманинг юклама қобилияти ортди ва юкламадаги сиғим қайта зарядланиши тезлашди. Манбанинг манфий қутби умумий деб олинган ЭБМ схеманинг камчилиги бўлиб чиқиш сигнали мантиқий сатҳларининг кучланиш манбаи қийматига боғлиқлиги ҳисобланади. Бу (5.8) ва (5.9) лардан келиб чиқади. Бундан ташқари, чиқиш умумий нуқта билан қисқа туташганда эмиттер қайтаргич транзистори ишдан чиқади. Кучланиш манбаи Е М нинг мусбат қутбини умумий нуқтага улаб айтиб ўтилган камчиликларни бартараф этиш мумкин. У ҳолда U 1  E M  U 1   U *  - 0,7 В; U 0   E M  U 0   2 U *  - 1,4 В. Бунда, схеманинг иш принципи, албатта ўзгаришсиз қолади. 500 серияга мансуб ЭБМ элементнинг принципиал электр схемаси 5.6 – расмда келтирилган. 5.6 – расм. 500 серияга мансуб иккита киришга эга ЭБМ элемент схемаси. Ўзгармас ток генератори (манбаи) I0 ни турли усуллар билан амалга ошириш мумкин. Мазкур схемада ток манбаи сифатида токни барқарорлаштирувчи резистор R3 қўлланган. Унинг қаршилиги R1 ( R2 ) резисторларнинг максимал қийматларидан анча катта бўлиши керак. Бундай манбада I0 қиймати қайта уланиш вақтида ўзгаради, лекин U 0 ва U 1 қийматларига таъсир кўрсатмайди. Таянч кучланиш U0 қиймати, ҳамда U 0 ва U 1 қийматлари температура ва бошқа омиллар таъсирида ўзгаради. ЭБМ схемаларда халақитларга бардошлик юқори бўлмагани сабабли, схемаларни ишга лаёқатлигини сақлаб қолиш мақсадида кенг ишчи шароитлар диапазонида температурага барқарор таянч кучланиш манбаи қўлланилади. У R5 , VD1, VD2, R4 лардан иборат бўлган кучланиш бўлгичи ва VT5, R 0 дан тузилган эмиттер қайтаргичдан ташкил топган. VD1 ва VD2 диодлар транзисторнинг U БЭ кучланиши ўзгарганда I0 токи ўзгариши ҳисобига температура ўзгаришини компенсациялайдилар. R 0 резистор VT5 транзистор эмиттер токи қийматини ошириш учун хизмат қилади ва натижада, унинг ток бўйича кучайтириш коэффициенти ортиб, частота параметрлари яхшиланади. Одатда битта U0 манба ягона кристаллда жойлашган бир неча (5-10 тагача) ЭБМ элементларни таянч кучланиш билан таъминлайди. ЭБМ элементлар ўта юқори тезликда ишловчи тизимлар учун негиз ҳисобланади. Элементларни монтаж усулда бирлаштириш йўли билан турли функцияларни амалга ошириш имконияти туғилади. Юқоридагилардан келиб чиқадики, ЭБМ схемотехникаси ТТМга нисбатан функционал жиҳатдан мосланувчан ва турли мураккабликдаги мантиқ алгебрасини яратиш имконини беради. Бу хосса матрицали кристаллар асосида буюртмага асосан КИСлар яратишда кенг қўлланилади. Бундан ташқари, кўпгина махсус мақсадлар учун ишлаб чиқилган ЭБМ схемалари мавжуд (иккилик ахборотни индикация қилиш учун, маълум шаклдаги сигналларни шакллантириш учун ва бошқалар). ЭБМ элементлари бир неча серия (К137, К187, К229, 100, К500, 500 ва бошқалар) кўринишида ишлаб чиқарилади. Бу сериялар функционал ва техник тўлиқликка эга, яъни ихтиёрий арифметик ва мантиқий амалларни, ҳамда сақлаш, ёрдамчи ва махсус функцияларни бажарлиишини таъминлайди. ЭБМ элементлар параметрлари 5.1 – жадвалда келтирилган. 5.1 – жадвал ЭБМ серия элементлари турлари ЭБМ РИС параметрлари серия К137 100, К500, 700 1500 I0КИР , мкА 0,5 0,5 0,5 I1КИР , мкА 200 265 200 U0ЧИҚ , В - 1,6 - 1,6 - 1,65 U1ЧИҚ , В - 0,8 - 0,9 - 0,96 КТАРМ 15 15 15 КБИРЛ 9 9 9 t ўрт.кеч , нс 6 2,9 0,7 РИСТР , мВт 70 35 50 I М , мА 15 26 - Е М , В - 5,2 - 5,2 - 4,5 ЭБМ негиз элементининг шартли гарфик белгилиниши 5.6 – расмда кўрсатилган бўлиб, у ерда Х1 , Х2 - киришлар, У1 – инверс чиқиш; У2 –тўғри чиқиш. Элемент мусбат мантиқ учун бир вақтнинг ўзида иккита функцияни амалга оширади: У1 чиқиш бўйича 2ЁКИ-ЭМАС (Пирс элементи) ва У2 чиқиш бўйича 2ЁКИ (дизъюнкция). Икки киришли МЭнинг ҳақиқийлик жадвали 12.2 – жадвалда келтирилган. х1 х2 у1 у2 0 0 1 0 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 Икки киришли ЭБМ элементнинг ҳақиқийлик жадвали 5.7 – расм. Икки киришли ЭБМ элементнинг шартли гарфик белгиланиши Фойдаланилган адабиётлар: 1. Мейер М. Теория реляционных баз данных. – М.: Мир, 1987. – 608 с. 2. Абдуманонов А.А., Карабаев М.К., Хошимов В.Г.. Информационнокоммуникационная технология организации лечебно- диагностических процессов в стационарах экстренной медицины. Межд. ж. Информационные технологии моделирования и управления. 2012,- №5(77). –с. 378-385. 3. Карабаев М.К., Абдуманонов А.А. Алгоритмы и технологии обеспечения безопасности информации в медицинской информационной системе ExterNET. Программные продукты и системы, Научно-практич. издание № 1(101), 2013 г., С. 150-155. 4. Ю.А. Григорьев, В.Г. Матюхин. Оценка времени выполнения сложного sql- запроса в субд ms sql server. Организация баз данных 2004. №2 (8)- С.3-11. 5. Гаврилова Т.А., Хорошевский В.Ф. Базы знаний интеллектуальных систем. Учебник. — СПб.: Питер, 2000.-384с. 6. Абдуманонов А.А., Карабаев М.К., Махмудов Н.И. Об интеллектуализации медицинских информационных систем // Научно-практический журнал «Современная наука: актуальные проблемы теории и практики» Серия «естественные и технические науки» № 9- 10, 2013 г. Воронеж,-с.60-64.

O'xshashlar

Каноник элементлар. Йўл бўйича давом эттириш
Четки элементлар усули асосида моделларни таҳлил қилиш
МДЯ транзисторлар асосидаги ракамли ИМСларнинг негиз элементлари
Электрон калит схемалари
Предикатлар. Кванторлар