ИМСларни яратилиш тарихи - Algebra - Referatlar

ИМСларни яратилиш тарихи

Yuklangan vaqt:

14.03.2020

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

1095 KB

Ko'chirib olish

ИМСларни яратилиш тарихи Режа: 1. ИМСларни яратилиш тарихи 2. Наноэлектроника ҳақида тушунча 3. Функционал электроника ҳақида тушунча 4. Рақамли схематехникага оид стандартлар

ИМСларни яратилиш тарихи Биринчи ИМСлар 1958 йилда яратилди. ИМСларнинг ҳажми иҳчам, оғирлиги кам, энергия сарфи кичик, ишончлилиги юқори бўлиб, ҳозирги кунда уч конструктив – технологик вариантларда яратилмоқда: қалин ва юпқа пардали, яримўтказгичли ва гибрид. 1965 йилдан буён микроэлектрониканинг ривожи Г. Мур қонунига мувофиқ бормоқда, яъни ҳар икки йилда замонавий ИМСлардаги элементлар сони икки марта ортмоқда. Ҳозирги кунда элементлар сони 10 6 ÷10 9 та бўлган ўта юқори (ЎЮИС) ва гига юқори (ГЮИС) ИМСлар ишлаб чиқарилмоқда. Микроэлектроника ўзининг ярим асрлик тарихи давомида ИМСлар элементлари ўлчамларини камайтириш йўлида ривожланмоқда. 1999 йилда микроэлектроника технологик ажратишнинг 100 нмли довонини енгиб наноэлектроникага айланди. Ҳозирги вақтда 45 нмли технологик жараён кенг тарқалган. Бу жараён оптик литографияга асосланишини айтиб ўтамиз. Микроэлектрон қурилмалар (ИМСлар) яратишнинг ананавий, планар жараён каби, усуллари яқин 10 йиллик ичида иқтисодий, технологик ва интеллектуал чегарага келиб қолиши мумкин, бунда қурилмалар ўлчамларини камайтириш ва уларни тузилиш мураккаблигининг ошиши билан ҳаражатларнинг экспоненциал ошиши кузатилади. Муаммони нанотехнологиялар усулларини қўллаган ҳолда янги сифат даражасида ечишга тўғри келади. МДЯ транзисторларда затворости диэлектриги ананавий равишда SiO2 ишлатилади, 45 нм ўлчамли технологияга ўтилганда диэлектрик қалинлиги 1 нмдан кичик бўлади. Бунда затвор ости орқали сизилиш токи ортади. Кристалнинг 1 см 2 юзасида энергия ажралиш 1 кВтга етади. Юпқа диэлектрик орқали ток оқиш муаммоси SiO2 ни диэлектрик сингдирувчанлик коэффициенти ε катта бошқа диэлектрикларга, масалан ε ~20÷25 бўлган гафний ёки цирконий оксидларига алмаштириш йўли билан хал этилади. Келгусида, транзистор канали узунлиги 5 нмгача камайтирилганда, транзистордаги квант ҳодисалар унинг характеристикаларига катта таъсир кўрсата бошлайди ва хусусан, сток – исток орасидаги туннеллашув токи 1 см 2 юзада ажраладиган энергияни 1 кВт га етказади.

Планар технологиянинг замонавий процессорлар, хотира қурилмалари ва бошқа рақамли ИМСлар ҳосил қилишдаги ютуқлари ўлчамлари 90 нм, 45 нм ва ҳатто 28 нмни ташкил этувчи ИМСлар ишчи элементларини ҳосил қилиш имконини яратганлиги бугунги кунда кўпчилик тадқиқотчилар томонидан нанотехнологияларнинг қўлланилиш натижасидек қаралмоқдалигини айтиб ўтамиз. Бу мавжуд ISO/ТК 229 нуқтаи – назаридан тўғри. Лекин, планар жараён биринчи ИМСлар пайдо бўлиши билан, ўтган асрнинг 60 – йилларида ҳеч қандай нанотехнологиялар мавжуд бўлмаган вақтда пайдо бўлди ва шундан бери принципиал ўзгаргани йўқ. Ҳозирги кунда телекоммуникация ва ахборотлаштириш тизимининг ривожланиш даражаси том маънода микроэлектроника ва наноэлектроника махсулотларининг уларда қўлланилиш даражасига боғлиқ. Интеграл микроэлектроника ривожининг физик чегаралари мавжудлиги сабабли, ҳозирги кунда анъанавий микроэлектроника билан бир қаторда электрониканинг янги йўналиши – наноэлектроника жадал ривожланмоқда. Наноэлектроника ўлчамлари 0,1 дан 100 нм гача бўлган яримўтказгич тузилмалар электроникаси бўлиб, микроэлектрониканинг микроминиатюрлаш йўлидаги мантиқий давоми ҳисобланади. У қаттиқ жисм физикаси, квант электроникаси, физикавий – кимё ва яримўтказгичлар электроникасининг сўнгги ютуқлари негизидаги қаттиқ жисмли технологиянинг бир қисмини ташкил этади. Сўнгги йилларда наноэлектроникада муҳим амалий натижаларга эришилди, яъни замонавий телекоммуникация ва ахборот тизимларнинг негиз элементларини ташкил этувчи: гетеротузилмалар асосида юқори самарадорликка эга лазерлар ва нурланувчи диодлар яратилди; фотоқабулқилгичлар, ўта юқори частотали транзисторлар, бир электронли транзисторлар, турли хил сенсорлар ҳамда бошқалар яратилди. Наноэлектрон ЎЮИС ва ГЮИС микропроцессорларни ишлаб чиқариш йўлга қўйилди. Швеция Қироллиги фанлар академияси илмий ишларида тезкор транзисторлар, лазерлар, интеграл микросхемалар (чиплар) ва бошқаларни ишлаб чиқиш билан замонавий ахборот коммуникация технологияларига асос солган

олимлар: Ж.И. Алферов, Г. Кремер, Дж.С. Килбини Нобель мукофоти билан тақдирлади. Интеграл микроэлектроника ва наноэлектроника билан бир вақтда функционал электроника ривожланмоқда. Электрониканинг бу йўналиши ананавий элементлар (транзисторлар, диодлар, резисторлар ва конденсаторлар)дан воз кечиш ва қаттиқ жисмдаги турли физик ҳодиса (оптик, магнит, акустик ва ҳ.к.)лардан фойдаланиш билан боғлиқ. Функицонал электроника асбобларига акустоэлектрон, магнитоэлектрон, криоген асбоблар ва бошқалар киради. Рақамли схематехникага оид стандартлар Кетма-кет рақамли қурилма киришига кодли сўз белгилари бир вақтда берилмайди. Мисол учун 1-расмдаги қурилмани келтириш мумкин: Параллел рақамли қурилма киришига киришига ҳар бир кириш белги бир вақтда берилади. 3- расмда бундай қурилмага мисол келтирилган:  Параллел рақамли қурилма киришига киришига ҳар бир кириш белги бир вақтда берилади . 3 - расмда бундай қурилмага мисол келтирилган : к 1 к 2 1 к 3Чиқ Чиқ 2 к 1 Чиқ 3 к 2 к 3 Расм 3  Бунда киришда 2 та ( I, II ) уч разрядли сигнал белгилари бир вақтда берилади ва чиқишда ҳам уч разрядли сигнал белгилари бир вақтда чиқади . Бунда киришда 2 та (I, II) уч разрядли сигнал белгилари бир вақтда берилади ва чиқишда ҳам уч разрядли сигнал белгилари бир вақтда чиқади. Мант иқий қури лма

Аралаш турли рақамли қурилмаларда кириш ва чиқиш кодли сўзлари ҳар хил турда берилади. Масалан, киришлар кетма- кет, чиқишлар параллел. Бундай қурилмалар кодли сўзларни бирформадан бошқа формага ўтказишда ишлатилиши мумкин (Масалан, кетма-кет формадан, параллел формага ва аксинча Автоматлашган тизимларда ахборот алмашиниши сигналлар ёрдамида амалга ошади. Сигнални ташувчилари сифатида физик катталиклар тушунилади, масалан, ток, кучланиш, магнит ҳолатлар ва ҳ.к. Физик катталиклар ўзининг вақт функцияси орқали ёки белгиланган фазовий тақсимланишида ифодаланади Частота, амплитуда, фаза, импульслар давомийлиги, кетма-кет импульслар серияларининг бир ёки бир нечта параллел линияларида тақсимланиши, тасвир нуқталарининг текислик ва х. к. ларда тақсимланиши каби узатувчи вақтли функцияларни аниқловчи параметрлар (улар орқали ахборот узатиш ҳолатида) ахборот параметрлари деб аталади. Агар физик катталик икки ёки ундан ортиқ ахборот параметрларнинг ташувчиси бўлса, у кўп ўлчовли сигнал ҳисобланади. Ахборот параметрлар бир қатор аниқ миқдорлар тўпламига эга. Аналог сигналлар (ахборот параметрлари берилган диапазон ичида ҳар қандай миқдорни қабул қилиши мумкин); Дискрет сигналлар (ахборот параметрлари фақатгина берилган аниқ дискрет миқдорларни қабул қилиши мумкин); Узлуксиз сигналлар (ахборот параметрлари ҳар вақтда ўзгариши мумкин); Узлукли сигналлар (ахборот параметрлари вақтнинг дискрет онларидагина бошқа миқдорни қабул қилиши мумкин); ЭҲМ ёрдамида автоматлаштириладиган тизимларда учрайдиган сигналларнинг типик формаларига бахзи мисоллар қуйида келтирилган:

 Аналог сигнал ( аналогли , узлуксиз , ахборот параметри : амплитуда ) I x t  Частота - аналогли сигнал ( аналогли , узлуксиз , ахборот параметри : частота ) x t I

 Импульсли сигна л ( аналогли , узлукли , ахборот параметри : тўртбурчакли импульс фазасининг ҳолати ) x t I I I Такт Такт Такт  Иккилик сигнал ( дискрет , узлукли , ахборот параметри : иккита белги 0 ва L ) x t I 0

турларига бўлинади.  Барча рақамли бўлмаган дискрет сигналлар кўп позицияли деб аталади.  Рақамли сигналлар асосан кетма-кет ёки параллел тарзда узатилади. Параллел сигналларда ахборот параметрларининг барча параметрлари турли n сигнал линиялари орқали узатилади. Сигналлар Дискрет сигналлар рақамли ва кўп позицияли сигнал  Иккили к с игна л ( дискре т , узлукл и , ахборо т параметр и : иккит а белг и 0 в а L ) x t I 0  Дискре т чақирилга н сигна л ( аналогл и , узлукл и , ахборо т параметр и : тўртбурчакл и импульсла р баландлиг и ( амплитуд а )) x t I

 Кетма-кет сигналларда ахборот параметрларнинг барча параметрлари аниқ вақт кетма-кетлигида умумий сигнал линиялари бўйича биринкетин амал қилади. Рақамли сигналлар Қуйидаги 2-расмда тўрт разрядли рақамли сигналнинг кўриниши тасвирланган. Ундаа – параллел сигнал; b – кетма-кет сигнал;  Импульс - ҳисобли сигнал ( дискрет , узлукли , ахборот параметри : такт чегараларидаги иккилик импульслар сони ) x t Такт Такт L L 0 L L L L T 0 t t t t t 0 L 0 L L L 0 0 0 I a b Параллелузатиш Кетма - кетузатиш Умум ий линия I 1 , I 2 , I 3 , I 4 учун Линия 1 Линия 2 Линия 3 Линия 4 I 4 I 3 I 2 I 1 L L L 0 L 0 t T T 1 T 2 T 3 T 4 t 0 Расм 2

Фойдаланилган адабиётлар: 1. Мейер М. Теория реляционных баз данных. – М.: Мир, 1987. – 608 с. 2. Абдуманонов А.А., Карабаев М.К., Хошимов В.Г.. Информационнокоммуникационная технология организации лечебно- диагностических процессов в стационарах экстренной медицины. Межд. ж. Информационные технологии моделирования и управления. 2012,- №5(77). –с. 378-385. 3. Карабаев М.К., Абдуманонов А.А. Алгоритмы и технологии обеспечения безопасности информации в медицинской информационной системе ExterNET. Программные продукты и системы, Научно-практич. издание № 1(101), 2013 г., С. 150-155. 4. Ю.А. Григорьев, В.Г. Матюхин. Оценка времени выполнения сложного sql- запроса в субд ms sql server. Организация баз данных 2004. №2 (8)- С.3-11. 5. Гаврилова Т.А., Хорошевский В.Ф. Базы знаний интеллектуальных систем. Учебник. — СПб.: Питер, 2000.-384с.

O'xshashlar

Математика тарихи. Математика фанининг аҳамияти

Интеграл микросхемалар

Телетрафика асослари ривожланишининг тарихи, математик моделлари ва асосий вазифалари

Компьютернинг программали таъминоти

Математика тарихини дастури ва услуби