Кристалланиш ва кристализаторлар - Медицина - Рефераты

Кристалланиш ва кристализаторлар

Загружено в:

20.09.2019

Скачано:

0

Размер:

85 KB

Кристалланиш ва кристализаторлар Режа 1. Кристалланиш. 2. Кристалланиш жараёнининг мувозанати ва тезлиги. 3. Кристалларни ҳосил қилиш усуллари ва унинг хоссаларига кристалланиш шароитининг таъсири. 4. Кристаллизаторни ҳисоблаш. а) Кристалланиш жараёнининг моддий баланси. б) Совитиш усули билан ишлайдиган кристаллизаторларни ҳисоблаш.

К ристалланиш. Эритмалардан эриган қаттиқ фазанинг кристалл ҳолида ажралиши кристалланиш дейилади. Кристаллар - қирралари ҳар хил геометрик шаклдаги бир жинсли қаттиқ моддалардир. Ҳар бир кимёвий бирикмадаги кристалл шакллари бир-биридан симметрия ўқларининг сони ва жойлашиши билан фарқланади. Бу бирикмалардаги бир неча кристалл шаклларининг ҳосил бўлиши полиморфизм дейилади. Кристалланиш жараёнининг шароитига қараб, бир модда таркибидаги хар хил миқдордаги сув молекулалари бўлган кристаллар ҳосил қилади. Бундай кристаллар кристалогидратлар дейилади. Кимёвий технология саноатида кристалланиш жараёни тоза моддалар олиш учун кенг қўлланилади. Озиқ - овқат саноатида кристалланиш жараёни қанд-шакар ишлаб чиқаришда, глюкоза олишда, кондитер саноатида ва бошқа сохаларда ишлатилади. Бир вақтнинг ўзида бир неча кристалларнинг ҳосил бўлиши умумий кристалланиш дейилади. Эритмаларда умумий кристалланиш жараёни, эритмалар температурасини ўзгартириш ва эритмадаги эритувчининг бир қисмини буғлатиш билан кристалланаётган модданинг эрувчанлигини камайтириш натижасида ҳосил бўлган буғларни совитиб ҳам олинади: Саноатда кристалланиш жараёни қуйидаги босқичларда боради: 1) кристалланиш; 2) осил бўлган кристалларни эритмалардан ажратиб олиш; 3) кристалларни ювиш ва қуритиш. К ристалланиш жараёнининг мувозанати ва тезлиги. Кристалланиш жараёни эритмадаги қаттиқ фаза эрувчанлигининг ўзгаришига асосланган. Температура ортиши билан моддалрнинг эрувчанлиги кўпайиб, улар яхши эрувчанлик хусусиятига эга бўлади.

Температура ортиши билан баъзи моддаларнинг эрувчанлиги камайиб кетади ва улар ёмон эрувчан моддалар ҳисобланади. ґта тўйинган эритма эса ўз таркибида эрувчанлик хусусиятига нисбатан ортиқча миқдорда эриган модда ушлайди. Шу сабабли ўта тўйинган эритмалар турғун бўлмайди. Бундай эритмалардан ортиқча эриган моддалар кристалл ҳолида ажралади, сўнгра эса эритма яна тўйинган ҳолатга ўтади. - расмда ҳар хил туз эритмаларининг температура таъсирида эрувчанлиги кўрсатилган. Температура ортиши билан калий нитрат тузининг эрувчанлиги бирдан кўпаяди (1-1 - чизиқ), калий тузининг эрувчанлиги эса ўзгаради (2-2 - чизиқ), натрий хлорид тузининг эрувчанлиги эса таркибидаги кристализацион сувга боғлиқ. Агар туз таркибида сув молекулалари бўлса, температура ортиши билан унинг эрувчанлиги ортади (4ф-4 - чизиқ), сувсиз натрий сульфат тузининг эрувчанлиги эса камаяди (4-4б - чизиқ).

Эритмаларнинг ҳолат диаграммасидан ( -расм) фойдаланиб кристалланиш жараёнининг энг қулай а эффектив усулини аниқлаш мумкин. - расмда уч бинар системадаги эритмаларнинг ҳолат диаграммаси кўрсатилган. Ҳар бир системада эрувчанлик эгри чизиқдан пастда (1-1 - чизиқ) тўйинмаган эритмалар (В соҳа) туради. Пунктир чизиқлар (2-2) тўйинган эритмалар соҳасини икки қисмга бўлади. Эрувчанлик чизиғи билан

ўта тўйинган эритмалар соҳасининг орасида эритмалар турғун бўлади (Б соҳа). ґта тўйинган эритмалар чизиғидан пастда эса эритма турғун бўлмайди. Нотурғун концентрацияли соҳага тўғри келган ўта тўйинган эритмалар бирдан кристалланади, турғун соҳада бу эритмаларнинг ҳолати ўзгармайди. Турғун соҳанинг чегаралари эритманинг температурасига, совитиш ва буғлатиш тезлигига, аралаштириш интенсивлигига боғлиқ. Температура таъсирида эрувчанлиги бирдан ўзгарадиган бирикмаларда тўйинган эритманинг температураси кам ( t 2 дан t 1 гача) ўзгарганда эритманинг ҳолати соҳага тўғри келади. Концентрация ўзгаргандан (С 0 дан С 1 гача)м сўнг ўша тўйинган эритмалар соҳасида эриган қаттиқ фаза ажралиб, кристаллар ҳосил бўлади. Бу вақтда эритма яна қайтадан тўйиниб, конентрацияси камаяди (С 0 ва C ’ х гача). Демак, бундай тўйинищ даражасига яқин бўлган эритмалар тезлик билан турғун соҳага ўтказилади ва совитиш натижасида кристалланади. Температура ортиши билан эрувчанлиги секин ошадиган бирикмалар температуранинг пасайиши натижасида ўта тўйиниш ҳолатига ўтади. Бунда эритмадан кам миқдорда қаттиқ фазалар ажралади, уларнинг миқдори эриган қаттиқ фазаларнинг миқдорига тўғри пропорционал бўлади. - расм, б дан кўриниб турибдики, ўзгармас температурада тезлик билан ўта тўйиниш соҳасига тўғри келадиган эритманинг ҳолатига эришиш

мумкин. Демак, эритма кристалланиши учун эритувчининг бир қисмини буғлатиб йўқотиш лозим. Температура катта интервалда ўзгарганда ҳам эруванлиги доимий бўлган эритмалар бўглатиб кристалланади. Кристалланиш тезлиги эритманинг тўйиниш даражасига, температурага, кристалларнинг ҳосил бўлишига, аралаштириш интенсивлигига ҳамда эритмадаги қўшимча аралашмаларнинг таркибига боғлиқ. Кристалларнинг ҳосил бўлиши ва унинг ўсишига таъсир қилувчи факторларни ўзгартириш билан керакли ўлчамдаги кристалл маҳсулотлар олиш мумкин. ґта тўйинган ва ўта совитилган эритмаларда ўз-ўзидан кристалланиш маркази ҳосил бўлади. Эритмада эриган модда айрим инларининг бир-бирига урилиб, заррачалар уюшмаси ҳосил бўлиши натижасида дастлабки кристаллар пайдо бўлади. Кристалланиш марказлари ҳаракатчан бўлгани учун эриган моддаларнинг кристалланиши кўринмайди. Бундай яширин кристалл ҳосил бўлишининг бошланҲич даври индукцияли кристалланиш дейилади. Индукцияли кристалланишнинг даври эриган модда ва эритувчининг табиатига, ўта тўйиниш даражасига ва эритманинг тозалигига нисбатан бир нча секунддан то ойларгача давом этиши мумкин. Бу жараённи тезлатиш учун ўта тўйинган эритмаларга эриган модданинг кристаллари қўшилади. Дастлабки кристалларни ҳосил бўлишини тезлатиш учун температурани ошириш, эритмаларни аралаштириш ва ташқи механик кучлар таъсир эттириш керак. Бунлан ташқари, дастлабки кристалларнинг ҳосил бўлишига кристаллизатор деворларининг Ҳабир-будурлиги, аралаштириш материали катта таъсир кўрсатади. Кристалланиш шароитига қараб жараённинг тезлиги вақт бўйича кенг интервалда ўзгаради. Индукцияли кристалланиш даврида тезлик нолга тенг бўлиб, сўнгра маълум вақт давомида максимум қийматга, кейин эса яна қайтадан нолга тенг бўлади ( -расм). ґта тўйиниш даражаси жуда юқори бўлган эритмаларда тезлик бирдан максимал қийматга эга бўлади. (1 эгри

чизиқ). ґта тўйиниш даражаси камроқ бўлган ёки кристалланиш жараёнига салбий таъсир қилувчи қўшимча аралашмали эритмаларда индукцияли кристалланиш жараёнида тезлик маълум вақтгача максимал қийматга эга бўлиб, шу соҳада у горизонтал чизиқ бўйича ўзгармас қийматга эга бўлади. Умуман олганда, температура крисларнинг ўсиш тезлигига ижобий таъсир қилади, чунки юқори температурада эритманинг қовушқоқлиги камайиб, диффузия жараёни яхши кетади. Аммо температура таъсирида кўп миқдорда майда кристаллар ҳосил бўлади. Бундан ташқари, температура ортиши билан эрувчанлик кўпайиб кетиб, эритманинг тўйиниш даражаси камаяди, натижада жараённинг ҳаракатлантирувчи кучи камаяди. К ристалларни ҳосил қилиш усуллари ва унинг хоссаларига кристалланиш шароитининг таъсири. Қаттиқ эриган моддаларни кристалл ҳолида ажратиб олиш учун эритмалар ўта тўйинган ҳолатга келтирилади. ґта тўйинган эритмалар қуйидаги усуллари билан олинади: 1) Эритмалардаги эритувчининг бир қисмини буғлатиш йўли билан уни қуйилтириш; 2) эритмаларни совитиш билан эрувчанликни камайтириш; 3) эритмаларга эритувчини ўзига бириктирувчи ёки эрувчанликни камайтирувчи моддаларни қўшиш; 4) умумлаштирилган усул. Буғлатиш йўли билан кристалланиш жараёнида эритувчи буғлатиш аппаратларида иситувчи труба деворлдари орқлаи иссиқлик воситасида буғлатилиб, шу аппаратнинг ўзида кристалланиш жараёни содир бўлади. Бу усул изотермик кристалланиш дейилади. Кристаллари эритмадан фильтрда ёки центрифугаларда ажратиб олиниб, кейин эса ювилади. Яхши эрувчанлик хусусиятига эга бўлган тузли эритмаларни совитиш натижасида ўта тўйинган эритмаларидан кристаллар ажралиб чиқади. Бу жараён бир ва кўп босқичли аппаратларда даврий ва узлуксиз равишда олиб борилади.

Тузли эритмаларнинг эрувчанлиги ёмон бўлса, кристалланиш жараёни эритмаларни иситиш йўли билан олиб борилади. Умумлаштирилган усулда кристалланиш жараёни вакуум остида, эритувчининг бир қисми иситувчи агент воситасида буғлатиб йўқотиш ҳамда майдалаш усули билан олиб борилади. Вакуум остида кристалланиш жараёни иссиқлик аппарат деворлари орқали берилиб, эритманинг бир қисмини буғлатиш учун сарфланади. Кристалланиш жараёни қараб кристалларнинг шакли, катталиги, гранулометрик таркиби, тозалиги ҳар хил бўлиши мумкин. Кристалланинг шакли кристалланаётган модданинг табиатига, эритма таркибидаги қўшимча аралашмалар миқдорига боғлиқ. ґта тўйиниш даражаси кам бўлган эритмалардан кристалларни секин ўстириб, катта ўлчамли кристаллар олинади. Кристалларнинг катталиги эритмаларни аралаштириш усули ва интенсивлигига боғлиқ. Аралаштириш кристалларнинг ҳосил бўлишига икки хил таъсир қилади, яъни биринчидан, эритмани интенсив аралаштириш натижасида диффузия орқали кристалл қирралари кўпроқ модда ўтиб у катталашади, иккинчидан, кўп майда кристаллар ҳосил бўлади. Тоза ҳолдаги моддалар энг эффектив ва кенг тарқалган ягона усул- кристалланиш орқали олинади. Моддаларнинг тозалик даражаси кристалланиш жараёнининг шароитга ҳамда ювиш ва фильтрлаш жараёнларига боғлиқ. Кристаллдаги қўшимча аралашмалар дастлабки эритма таркибидаги моддаларнинг кристалл қирраларидаги тешикларга кириб қолиши ва эритма юзасига ютилишидан ҳосил бўлади. К ристаллизаторни ҳисоблаш. К ристалланиш жараёнининг моддий баланси. Эритувчининг бир қисмини йўқотиш билан борадиган кристалланиш жараёнида модалар

миқдорларини аниқлаш учун уларнинг катталикларини қуйидагича белгилаймиз: G э , G êри , G к - дастлабки эритманинг, ажратилган кристалларнинг ҳамда кристаллардан ажралган, ўз таркибида эриган моддалар ушланган суюқлик қолдиҲининг миқдорлари; в б , в к - дастлабки эритма ва кристаллардан ажралган суюқлик қолдиҲи таркибидаги эриган модда концентрацияларининг улушлари; а=М/М кр - эриган абсалют қуруқ модда молекуляр массасига нисбати; W - йўқотилган эритувчининг миқдори. Бунда умумий баланс қуйидагича бўлади: Эриган абсалют қуруқ моддага нисбатан баланс қуйидагича ёзилади: ( ) ва ( ) тенгламаларни биргаликда ечиб, олинган кристалларнинг массаси аниқланади. Бу вақтда эритманинг миқдори ҳамда унда эриган модданинг концентрацияси ва суюқлик қолдиҲидаги эриган модданинг концентрациялари берилган бўлади. Ҳосил бўлган кристалларнинг массаси эса:

Совитиш усули билан ишлайдиган кристаллизаторларни ҳисоблаш. Бу кристаллизаторларда эритма буғлатилгани учун W =0 бўлади. Ҳосил бўлган кристалларнинг миқдори: Эритувчининг буғ ҳолида буғлатиш учун сарфланган газ миқдори қуйидагича аниқланади: бу ерда L -қуруқ газнинг сарфи, кг; х 1 ,х 2 - газнинг бошланҲич ва жараён охиридаги намлик ушлаш қобилияти. Қаттиқ кристалл ҳолидаги модданинг эриши натижасида кристалл тўсиқларни ажратиш учун иссиқлик ютилади. Қаттиқ модданинг эритувчи билан ўзаро кимёвий таъсирида иссиқлик ажралади. Ютилган ва ажралиб чиққан иссиқликларнинг миқдорларига нисбатан кристалланишнинг иссиқлик эффекти ижобий ёки салбий бўлиши мумкин. Кристаллизаторларнинг умумий совитиш ва иситиш юзалари умумий иссиқлик баланси тенгламасидан топилади, сўнгра бу қиймат асосида кристаллизаторнинг асосий ўлчамлари аниқланади.

Похожие

Суспензия ва аэрозолларни бўлиш

Бачадон бўйни анатомияси ва физиологияси

Модда ўтказиш жараёни

Буғлатиш. Бир аппаратли бўглатиш қурилмаси

Вулва ва қин анатомияси ва физиологияси