Кристалланиш - Геология - Рефераты

Кристалланиш

Загружено в:

20.09.2019

Скачано:

0

Размер:

946.5 KB

Кристалланиш Режа: 1. Умумий тушунчалар 2. Кристалланиш пайтидаги мувозанат 3. Кристалланиш жараёнининг тезлиги 4. Кристаллизаторларнинг тузилиши 5. Кристаллизаторларни ҳисоблаш

1. УМУМИЙ ТУШУНЧАЛАР Эритма, эриган қотишма ва газ фазаси таркибидан кристаллар ҳолатидаги қаттиқ фазани ҳосил қилиш жараёни кристалланиш деб аталади. Ушбу жараён саноатнинг нефть ва газни қайта ишлаш, кимё , металлургия, озиқ-овқат, дори-дармон ишлаб чиқариш каби тармоқларида ишлатилади. Кристалланиш жараёнлари ёрдамида қуйидаги вазифалар ҳал қилинади: - заррачаларнинг тўплами, гранула, тангача ва бошқа шаклдаги қаттиқ маҳсулотларни олиш; - турли аралашмаларни фракцияларга ажратиб, уларни бирорта компонент билан бойитиш; - техник ёки табиий эритмалардан турли моддаларни ажратиб олиш; - моддаларни аралашмалардан чуқур тозалаш; - суюлтирилган эритмаларни эритувчини музлатиш орқали қуйиқлаштириш; - маълум физик-механик хоссаларга эга бўлган моддаларни олиш; - қаттиқ жисмлар юза си га турли қопламаларни суртиш ва ҳоказо. Кристалланиш жараёнини амалга оширишда турли-туман услублардан фойдаланилади. Уларни асосан беш гуруҳга бўлиш мумкин: эриган қотишмалардан кристаллар ҳосил қилиш; эритмалардан кристаллар ҳосил қилиш; буғ ёки газ фазасидан кристаллар ҳосил қилиш; қаттиқ ҳолатдаги кристалланиш; моддаларнинг ўзаро кимёвий таъсири пайтида кристаллар ҳосил қилиш. Кристалланиш жараёнининг қонуниятлари бир қатор омилларга боғлиқ бўлади: аралашма ёки эритма таркибидаги дастлабки модданинг таркиби, унинг физик-кимёвий хоссалари, кўрилаётган система фазалари мувозанат диагрммасининг кўриниши, туйинган эритма ҳосил қилиш усули, иссиқлик бериш ва узатиш жадаллиги, аралаштириш тезлиги ва бошқалар.

Газ фазасидан кристалларни ҳосил қилиш десублимация ёки «қаттиқ фазали» конденса ция деб атала ди. Модданинг бевосита қаттиқ ҳолатдан газ ҳолатига ўтиши сублимация дейилади. Тескари жараён, яъни модданинг газ ҳолатидан қаттиқ ҳолатга ўтиши эса десублимация деб юритилади. Баъзи адабиётларда сублимацияни буғланиш ёки қаттиқ фазани ҳайдаш (қаттиқ фазани бевосита буғга айлантириш) дейилади, десублимацияни эса - қаттиқ фазали конденсация ёки буғ фазасидан кристалланиш деб аталади. Саноатда эритмалар таркибидан кристаллар ҳолатида қаттиқ фазани ҳосил қилиш ва уни ажратиб олиш жараёни кўпроқ ишлатилади. Бундай мақсадни амалга оширишда асосан икки хил услубдан фойдаланилади: 1) изотермик – бунда бир хил кон центрацияга эга бўлган (ҳарорат ўзгармас) эритмани туйинтириш учун эритувчининг бир қисми буғлатилади; 2) изогидрик – бунда эритувчининг массаси ўзгармаган ҳолатда эритмани тўйинтириш учун эритувчи совитилади. Кристалланиш жараёни эритишнинг тескариси ҳисобланади. Иккала жараён ҳам қаттиқ фаза-суюқлик системасида юз беради. Кристалланиш жараёни одатда сувли эритмадаги кристалланиши лозим бўлган модданинг эрувчанлигини камайтириш орқали, яъни унинг ҳароратини ўзгартириш ёки эритувчининг бир қисмини буғлатиш йўли билан амалга оширилади. Эриган қотишмалардан кристалларни ажратиб олиш учун эса улар совитилади. Кристалланиш жараёни эритмадаги қаттиқ фаза эрувчанлигининг ўзгаришига асосланган. Ҳароратнинг ортиши билан моддаларнинг эрувчанлиги кўпайиб, улар яхши эрувчанлик хусусиятига эга бўлади. Ҳароратнинг ортиши билан баъзи моддаларнинг эрувчанлиги камайиб кетади ва улар ёмон эрувчан моддалар ҳисобланади. Берилган ҳароратда эритманинг қаттиқ фаза билан мувозанат ҳолатида бўлиши тўйинган эритма дейилади. Тўйинган эритма таркибидаги эриган модданинг миқдори эрувчанлик даражасини белгилайди. Эрувчанлик эриган модданинг ва эритувчининг хоссаларига, ҳароратга ҳамда қўшимча

компонентларнинг борлигига боғлиқ. Тўйинган эритма ўз таркибида имкони борича кўп миқдорда эриган модда ушлайди. Бу ҳолатдаги эритма турғун бўлади. Ўта тўйинган эритма эса ўз таркибида эрувчанлик хусусиятига нисбатан ортиқча миқдорда эриган модда ушлайди. Шу сабабли ўта туйинган эритмалар турғун бўлмайди. Бунда эритмалардан ортиқча эриган моддалар кристалл ҳолида ажралади, сўнгра эса эритма яна тўйинган ҳолатга ўтади. Эритмаларнинг ўта тўйиниш ҳолатига қуйидаги усуллар билан эришиш мумкин: 1) очиқ идишда эр ит увчининг бир қисмини буғлатиш; 2) буғлатиш ускунасида қайнаётган эритмадаги эр ит увчининг бир қисмини буғлатиш; 3) эритмага сувни ўзига тортувчи моддаларни қўшиш; 4) тўйинган эритмани совитиш. Кристалланиш тезлиги бир неча омилларга боғлиқ бўлади: эритманинг ўта тўйиниши даражаси, аралаштириш тезлиги , эритма таркибида қўшимчаларнинг борлиги ва ҳоказо. Ушбу жараён одатда кристалланиш марказларининг пайдо бўлишидан бошланади, сўнгра бу марказлар атрофида кристалларнинг ўсиши юз беради. Кристалланиш марказларининг пайдо бўлиш тезлигига ҳарорат, механик кучлар (масалан, аралаштириш, силкитиш), ускуна юзасининг ғадир-будирлиги, аралаштиргичнинг тури, қўшимча моддаларнинг борлиги (масалан, сирт- фаол моддалар) ва бошқа шу каби омиллар таъсир қилади. Кристалланиш тезлиги доимий катталик эмас; бу қиймат дастлаб катталашиб боради, сўнгра камаяди. Ҳароратнинг кўтарилиши билан кристалларнинг ўсиши тезлашади, чунки бунда диффузия тезлашади ва эритмадаги янги-янги молекулаларнинг қаттиқ фаза томон силжиши осонлашади. Саноатда кристалланиш жараёни қуйидаги босқичларда боради: 1) кристалланиш; 2) ҳосил бўлган кристалларни эритмалардан ажратиб олиш; 3) кристалларни ювиш ва қуритиш.

Кристалланиш жараёнларидан нефть мойларини депарафинизация қилишда, олтингугурт, парафин ва церезинлар ишлаб чиқаришда ҳамда ксилолларни ажратишда фойдаланилади. Айрим ҳолатдарда кристалланиш жараёни кимёвий реакция ёрдамида амалга оширилади. Бундай жараён аддуктив кристалланиш деб юритилади. Бунинг учун эритмага шундай реагент қ ўш иладики, у ажралаётган модда билан комплекс бирикма – аддукт ҳосил қилади. Ҳосил бўлган кристаллсимон комплекс бирикма эритмадан ажралади (масалан, фильтрлаш йўли билан), сўнгра комплекс бирикма иссиқлик таъсирида парчалантирилади, оқибат натижада керакли маҳсулот комплекс ҳосил қилувчидан ажратиб олинади. Кристалланиш моддаларни ажратишнинг бошқа усулларига нисбатан бир қатор афзалликларга эга: 1) энергетик ҳаражатлари паст, чунки моддаларнинг солиштирма суюлиш иссиқлиги уларнинг буғланиш солиштирма иссиқлигига нисбатан 6-8 маротаба кам бўлади; 2) иш ҳароратлари паст; 3) яқин қайновчи компонентли ва азеотроп аралашмаларни ажратиш имконияти мавжуд; 4) эритувчиларни ишлатишга эҳтиёж йўқ; 5) модда суюлтирилган ҳолатдан кристалл ҳолатга ўтганида катта термодинамик ажратиш коэффициентига эга бўлганлиги сабабли кристалланиш юқори самарадорликка эга. 2. КРИСТАЛЛАНИШ ПАЙТИДАГИ МУВОЗАНАТ Моддаларнинг суюқ эритувчилардаги эрувчанлиги уларнинг кимёвий табиатига, эритувчининг хоссаларига, ҳарорат ва босимга боғлиқ бўлади. Саноатда эритувчилар сифатида кўпинча сув, органик бирикмалар – спиртлар, углеводородлар ва бошқалар ишлатилади. Одатда кўпчилик моддаларнинг эрувчанлиги ҳароратнинг ортиши билан кўпаяди. Ҳарорат пасайганда бундай эритмалар тўйиниб, нотурғун мувозанат ҳолатини эгаллайди. Бундай ҳолатнинг давомийлиги мувозанатдан қанчалик узоқлик даражаси, эриган модда ва эритувчининг хоссаларига боғлиқ бўлади.

Эритманинг номувозанат ҳолатдан мувозанат холатига ўтишида кристалларнинг ажралиши юз беради, яъни кристалланиш жараёни ҳосил бўлади. Эритмаларнинг максимал тўйиниш даражасига эриган модда ва эритувчининг хоссалари, эритма ҳарорати, совитиш тезлиги, қўшимчаларнинг борлиги, механик кучларнинг мавжудлиги ва бошқа омиллар таъсир қилади. Шу сабабдан эритмаларнинг максимал туйиниш қиймати тажриба йўли билан ёки тахминий эмпирик тенгламалар ёрдамида аниқланилади. Кристалланиш пайтидаги фазавий ўзгаришда босим билан ҳарорат оралиғидаги боғлиқлик Клапейрон-Клаузиус тенгламаси орқали ифода қилинади: ) ( 1 2 V V T q dT dP   , (17.1) бу ерда q – суюқ ёки газсимон ҳолатдан кристалланиш иссиқлиги; V 1 – суюқ ёки газсимон ҳолатдаги модданинг солиштирма ҳажми; V 2 – қаттиқ ҳолатдаги модданинг солиштирма ҳажми. Одатда V 1 > V 2 , чунки кўпчилик моддаларнинг зичлиги қаттиқ ҳолатга ўтиши пайтида ортади, оқибат натижада уларнинг солиштирма ҳажми камаяди. Демак, dP / dT >0, яъни фазавий ўзгаришда юз берадиган босим Р ҳароратнинг кўпайиши билан ортади. Бинар ва кўп компонентли системалардаги мувозанат шартларини концентрация – ҳарорат координаталарида тасвирланган фазавий диаграмма лар ёрдамида таҳлил қилиш жуда қулайдир. Тоза моддалар учун бундай боғлиқлар махсус адабиётларда келтирилган бўлади. 17.1-расмда берилган модданинг мувозанат ва тўйиниш концентрацияларининг ҳароратдан боғлиқлиги келтирилган. Ушбу расмда учта зонани ажратиш мумкин: I зона эритманинг тўйинишигача бўлган ҳолатини (тўйиниш чизиғи 1 дан пастда) ифода қилади, бу зонада кристалланиш юз бермайди. Пунктир чизиқ 2 тўйинган эритмалар зонасини икки қисмга ажратади – 1 ва 2 чизиқлар оралиғида жойлашган нисбатан

турғун зона (II) ва 2 чизиқнинг тепасида жойлашган нотурғун зона (III). III зонада кристалланиш юз беради. 17.1-расм. Мувозанат ва тўйиниш концентрацияларининг ҳароратдан боғлиқлиги: I-тўйинган эритма зонаси; II-нисбатан турғун зона; III-нотурғун зона. Учинчи зонадаги концентрацияларга мос келган тўйинган эритмаларда тезкорлик билан (яъни деярли бир зумда) кристалланиш юз беради. II зонадаги тўйинган эритмаларда маълум бир вақт ичида сезиларли даражада ўзгаришлар юз бермайди, фақат эритмада мавжуд бўлган кристаллар катталашади. II ва III зоналар оралиғидаги чегара шартли бўлиб, у юқорида айтиб ўтилган бир қатор омилларга боғлиқ бўлади. Агар тўйинган эритма ҳароратини бироз (t 1 дан t 2 гача) пасайтирилса, эритманинг ҳолати С 1 *С 2 1 чизиғи бўйича ўзгариб, концентрация С 2 1 га етгунга қадар кристалларнинг ажралиши юз беради. Оқибат натижада эритма концентрация С 2 1 С 2 * чизиғи бўйича пасаяди. Бундай эритмаларнинг кристалланишини совитиш орқали (яъни изогидрик усул билан) амалга ошириш мақсадга мувофиқ бўлади. Агар кристалланиши лозим бўлган модданинг эрувчанлигига ҳароратнинг таъсири жуда ҳам кам бўлса, бундай эритмадан кристалланиш жараёнини амалга оширишда изогидрик услубдан фойдаланиш номаъқул

ҳисобланади. Бундай шароитда эритувчининг бир қисмини ажратиб олиш (яъни буғлатиш йўли билан) орқали эритмадан кристалланишни юзага чиқариш (бошқача қилиб айтганда, изотермик услуб билан) мақсадга мувофиқ бўлади. Оралиқ ҳолатда яъни модданинг эрувчанлиги ҳароратнинг кўпайиши билан жуда секинлик билан ортса, изогидрик услубдан ҳам, изотермик услубдан ҳам ёки уларнинг комбинациясидан ҳам фойдаланиш мумкин. Кристалланишнинг энг мақбул услубини фақат тегишли техник-иқтисодий ҳисоблашлар орқалигина аниқлаш мумкин. 3. КРИСТАЛЛАНИШ ЖАРАЁНИНИНГ ТЕЗЛИГИ Кристалланиш тезлиги эритманинг ҳароратига, унинг ўта тўйиниш даражасига, кристалл марказларининг пайдо бўлиш тезлигига, аралаштириш даражасига ва бошқа омилларга боғлиқ бўлади. Кристалланиш марказлари ўта тўйинган ёки ўта совиган эритмаларда ўз-ўзидан ҳосил бўлади. Бундай марказларнинг ҳосил бўлиш тезлигини ошириш учун ҳароратни кўпайтириш, аралаштириш, силкитиш ёки сирт-фаол моддаларни қўшиш керак. Амалиётда кристалланиш марказларининг пайдо бўлишини осонлаштириш учун ускунага қўшимча кристаллсимон модданинг майда кукуни қўшилади. Кристалл куртакларининг яхши ўсиши учун улар маълум ўлчамга эга бўлиши керак. Ҳосил бўлаётган куртакнинг ўлчами анча кичик бўлса қайтадан молекулаларга парчаланиб кетади, агар ўлчами каттароқ бўлса куртак сақланиб қолади. Сақланиб қолиши мумкин бўлган кристалл куртакларининг ўлчами эритманинг тўйиниш даражасига, ҳароратга, ҳамда эриган модда ва эритувчининг хоссаларига боғлиқ бўлади. Ягона олинган кристалларнинг ҳосил бўлиши қуйидагича боради: 1) ўта тўйинган эритмада кристалланиш маркази (ёки куртаги)нинг пайдо бўлиши; 2) ушбу кристалланиш куртаги асосида кристаллнинг ўсиши. Кристалл тўғри панжара сифатидаги фазавий тузилишига эга бўлиб

панжаранинг тугунларида кристалларнинг таркибига кирган ионлар, атомлар ёки молекулалар жойлашган бўлади. Сувнинг молекуласи кўпинча қаттиқ кристаллнинг таркибига кирган бўлади, бундай кристалларни кристоллогидрат деб аталади. Кристалл панжаралари симметриясининг 32 та кўриниши мавжуд бўлиб, улар 7 гуруҳга бўлинади. Бу гуруҳлар бир ёки бир неча ўхшаш симметрия элементларидан иборат бўлади: 1) уч понали; 2) кўп понали; 3) ромбик; 4) тригонал; 5) тетрагонал; 6) гексагонал ва 7) кубик. 17.2-расмда кристалланиш тезлигининг вақтдан боғлиқлиги кўрсатилган. Графикдан кўриниб турибдики, ўта туйиниш даражаси катта бўлган пайтда кристалланиш тезлиги кескин ўзгаради. Эритмаларнинг туйиниш даражаси ортиши билан кристалларнинг ўсишига нисбатан, кристалланиш марказларининг пайдо бўлиши тезроқ боради. Оқибат натижада майда кристаллар ҳосил бўлади. Йирик кристалл и маҳсулот олиш учун эритмани тўйинтиришни секин-аста пасайтириш зарур. 17.2-расм. Кристалланиш тезлигининг вақтдан боғлиқлиги: 1-эритманинг тўйиниш даражаси нисбатан катта бўлганда; 2-ўта тўйиниш даражаси кичик бўлганда. Кристалланиш жараёнининг механизмини қуйидагича тушунтириш мумкин. Ўта туйинган эритмада энг аввало кристалланиш марказлари ҳосил

бўлади. Сўнгра кристалларнинг ўсиши юз беради. Кристалларнинг юзасида жуда кичик қалинликка эга бўлган чегара қатлам ҳосил бўлади. Кристалланиши лозим бўлган модда эритмадан чегара қатлам орқали кристалл куртагининг юзасига ва сўнгра унинг таркибига ўтади, натижада кристалл қирраларининг ўсиши юз беради. Бунда кристалл атрофидаги қатламда концентрациянинг камайиши юз беради, ўта тўйинган эритма тўйинган ҳолатга ўтади. Чегара қатлам жуда юпқа бўлиб, унда модда молекуляр диффузия орқали тарқалади, шу сабабдан бу қатлам кристалланаётган модданинг тўйинган эритмадан кристаллнинг юзасига ўтиш учун асосий қаршиликни кўрсатади. Умуман олганда, кристалланиш жараёни икки босқичдан иборат: 1) молекуляр босқич – кристалланиши лозим модданинг тўйинган эритмадан чегара қатлам орқали кристалларнинг юзасига ўтиши; 2) кинетик босқич – модда молекулаларининг кристалларнинг кристалл панжараси таркибига кириши. Биринчи диффузия босқичидаги модда алмашинишни қуйидаги тенглама орқали ифодалаш мумкин: ) ( 1C C r D M   , (17.2) бу ерда М – ўта тўйинган эритманинг асосий массасидан чегара қатлам орқали кристалларнинг 1 м 2 юзасига 1 с давомида ўтган модданинг миқдори, кг/м 2 ·с; D – диффузия коэффициенти, м 2 /с; r – ўсаётган кристалларни қоплаб турган диффузион чегара катламининг қалинлиги, м; (С – С 1 ) – концентрациялар айирмаси, кг/м 3 ; С – ўта тўйинган эритманинг концентрацияси, кг/м 3 ; С 1 – ўта тўйинган эритма ва чегара қатламдаги туйинган эритма концентрациялари (С ва С m ) ўртасидаги оралиқ концентрация, кг/м 3 . Иккинчи кинетик босқичдаги кристалларнинг кристалл панжараси таркибига кириб жойлашган модданинг миқдори қуйидаги тенглама билан аниқланиши мумкин: М = К (С 1 – С m ) 2 , (17.3)

бу ерда С m – чегара қатламидаги туйинган эритманинг концентрацияси, кг/ м 3 ; К – фазавий ўзгариш тезлигининг доимийлиги, м 4 /с·кг. Охирги икки та тенглама лар да М ва С 1 номаълум. Булардан С 1 ни қисқартиб, П.М. Силиннинг қуйидаги тенгламасига эришамиз:                  rK D C C rK D rK D C C r D V m m 4 ) ( 2 . (17.4) Диффузия коэффициентининг қиймати D абсолют ҳарорат Т ва муҳитнинг қовушоқлиги μ ларга боғлиқ бўлади. D нинг қиймати Эйнштейннинг тенгламасига асосан топилади:  KT D  . (17.5) Юқори қовушоқликка эга бўлган эритмаларнинг кристалланиши да D нинг қиймати жуда ҳам кичик бўлади. Бунда rK D нисбатининг қиймати нулга яқинлашади. Агар ушбу қийматни (17.4) тенгламага қўйилса, эритмадан чегара қатламга ўтган модданинг миқдорини аниқлайдиган тенгламага эришилади: ) ( mC C r D M   . (17.6) ( 17.6 ) тенгламадаги D нинг ўрнига унинг (17.5) тенгламадаги қиймати билан алмаштириб, қуйидаги тенгламани оламиз: ) ( mC C r KT M    . (17.7) Юқоридаги тенгламаларда М нинг ўлчов бирлиги кг/м 2 ·с. Умуман олганда, эритмадан чегара қатламга ўтган модданинг миқдори М ни (кг ҳисобида) қуйидаги тенглама орқали аниқлаш мумкин:   r F C C KT M m) (   . (17.8) бу ерда F – кристалларнинг юзаси, м 2 ; τ – жараённинг вақти, с; μ – муҳитнинг қовушоқлиги, Па·с; Т – эритманинг абсолют ҳарорати, К. (17.8) тенгамадан таҳлил қилиб, қуйидаги хулосаларга эришиш мумкин:

1. Кристалланиш юзаси қанча кўп бўлса, вақт бирлиги ичида эритмадан қаттиқ фазага шунча кўп модда ўтади. Кристаллар қанча кичик бўлса, уларнинг масса бирлигига тўғри келган юзаси шунча кўп бўлади. Шу сабабдан кристалларнинг ўлчами кичик бўлганда қаттиқ фазанинг массаси ортиб боради. 2. Кристалланишнинг тезлигига эритманинг ҳарорати катта таъсир кўрсатади. Ҳароратларнинг ортиши билан эритманинг қовушоқлиги ва диффузион чегара қатламнинг қалинлиги камаяди, оқибат натижада кристалланиш тезлиги ортади. 3. Жараённинг ҳаракатлантирувчи кучи (С - С m ) ҳам кристалланиш тезлигига анча таъсир кўрсатади. С ва С m концентрациялари ўртасидаги айирма қанча катта бўлса, кристалланиш жараёни шунча тез боради. Бироқ эритманинг ўта т ў йиниш коэффициенти анча катта бўлса, янги кристалланиш марказлари пайдо бўлади, бундай ҳолат мақсадга мувофиқ бўлмайди. 4. Агар кристалланиш аралаштириб турилса, жараённинг тезлиги ортади, чунки бундай шароитда диффузион чегара қатламнинг қалинлиги r камаяди. 4. КРИСТАЛЛИЗАТОРЛАРНИНГ ТУЗИЛИШИ Саноатда кристалланиш жараёнини амалга ошириш учун турли ускуналар ишлатилади. Бундай ускуналар даврий ёки узлуксиз ишлаши мумкин. Ишлаш принципига кўра кристаллизаторлар бир неча турга бўлинади: 1) эритувчининг бир қисмини буғлатиш йўли билан ишлайдиган кристаллизаторлар; 2) эритмани совитиш билан ишлайдиган кристаллиза- торлар; 3) совитувчи мосламаси бўлмаган вакуум-кристаллизаторлар; 4) мавҳум қайнаш қатламли кристаллизаторлар; 5) дискли кристаллизаторлар; 6) контактли кристаллизаторлар; 7) колоннали кристаллизаторлар; 8) кўп поғонали вакуум-кристаллизаторлар ва бошқалар.

Барабанли кристаллизатор. 17.3-расмда сув билан совитиладиган барабанли кристаллизаторнинг схемаси берилган. Бундай кристаллизатор саноатда энг кўп тарқалган бўлиб, ғилоф 4 билан таъминланган цилиндрсимон кобиқ 3 дан иборат. Барабан бандажлар 1, таянч ғилдиракчалари 5 ва тожли шестерня 2 ёрдамида айланма ҳаракатга келади. Ғилофга совитиш учун сув ёки ҳаво берилади. Эритма ва совитувчи сув қарама-қарши йўналиш бўйлаб ҳаракат қилишади. Барабанли кристаллизаторнинг диаметри 1,5 м ва узунлиги 15 м гача бўлганда унинг қиялиги 1:100 ёки 1:200, айланиш сони эса 10÷20 айл/мин бўлади. Бундай ускуна ёрдамида майда кристалл чўкма олиш мумкин. Камчилиги – барабаннинг ички юзасига кристаллар ёпишиб қолади. 17.3-расм. Барабанли кристализатор: 1-бандажлар; 2-тожли шестерня; 3-қобиқ; 4-ғилоф; 5-таянч ғилдиракчалари. Вакуум-кристализатор. Қисман буғлатиш учун эритма буғлатиш камерасига юборилади. Буғлатгичда вакуум-насос ва конденсатор ёрдамида вакуум (бўшлиқ) ҳосил қилинади (17.4-расм). Буғлатгичда эритма барометрик қувур орқали йиғгичга ўтади. Ҳосил бўлган сув буғлари вакуум- 1 2 3 4 А 1 5 А - А Сув СуспензияСувЭритма

насос орқали тортиб олинади. Чўкмага тушган кристаллар йиғгичнинг пастки қисмидан ташқарига чиқарилади. Кристаллардан ажралган эритма йиғгичнинг юқориги қисмидан узатилади. Вакуум-кристаллизаторларда майда ўлчамли кристаллар олинади. Бундай ускуналар узлуксиз равишда ишлайди. 17.4-расм. Вакуум-кристаллизатор: 1-буғлатгич; 2-барометрик қувур; 3-йиғгич; 4-насос; 5-эритма берувчи қувур; 6-циркуляция қувури; 7-кристаллардан ажралган эритма чиқадиган патрубка. Мавҳум қайнаш қатламли қристаллизатор. Бундай кристаллизаторлар катта ўлчамли ва бир хил шаклдаги кристаллар олиш учун ишлатилади. Мавҳум қайнаш қатламли кристаллизаторларда кристалланиш жараёни эритма бир қисмининг буғлатилиши ёки эритманинг 1 2 7 36 4 5Вакуум насосга Кристаллар

совитилиши билан олиб борилади. Мавҳум қайнаш қатламли буғлатувчи кристаллизаторнинг тузилиши 17.5-расмда кўрсатилган. Бу ускуна қобиқ қувурли совитгич ва циркуляция қилувчи насосдан иборат. Узлуксиз сўрилувчи қувур орқали берилаётган эритма қисман кристаллардан ажралган суюқлик оқими билан аралашади. Бу оқимнинг миқдори дастлабки берилаётган эритманинг миқдорига нисбатан бир неча марта кўп бўлганлиги учун аралашган эритманинг кон центрацияси ва ҳарорати кам ўзгаради. 17.5-расм. Мавҳум қайнаш қатламли кристаллизатор: 1-ускунанинг қобиғи; 2-циркуляцион насос; 3-узатувчи қувур; 4- эритма бериладиган патрубка; 5-кристалл маҳсулот чиқадиган патрубка; 6-буғлаткич; 7-иккиламчи буғлар чиқадиган патрубка; 8-иситувчи буғ патрубкаси; 9-конденсат чиқадиган патрубка. Шу сабабли циркуляцияли насос орқали аралашган эритмани совитгичга узатиб совитилганда, эритма камроқ тўйинади. Сўнгра эритма ускунанинг 6 9 5 17 8 3 2

пастки қисмига берилиб, келаётган иссиқлик оқими билан ускунадаги кристаллар қайнаб, тўйинган эритма ҳисобига кристаллар катталашади. Ўз таркибида жуда майда кристалларни ушлаган, қисман кристаллардан ажралган суюқлик қолдиғи узлуксиз сўрувчи қувурга тушиб, берилаётган эритма билан аралашиб яна насос орқали узатилади ва цикл қайтадан такрорланади. Ҳосил бўлган кристалл маҳсулотлари ускунанинг пастки қисмидан ажратиб олинади. Совитгичга кираётган ва чиқаётган суюқликнинг керакли ҳароратини ҳосил қилиш мақсадида қўшимча циркуляция контуридан фойдаланилади. Дискли кристаллизатор. Узлуксиз ишлайдиган кристаллизаторлар қаторига вертикал ва горизонтал дискли кристаллизаторни ҳам киритиш мумкин. 17.6-расмда вертикал дискли кристаллизаторнинг схемаси келтиритган . Ушбу кристаллизатор ичи бўш дисклар 3 дан иборат бўлиб, уларнинг халқасимон каналлари бўйлаб совитувчи агент ҳаракат қилади. Дисклар тортиб турувчи болтлар ёрдамида битта пакетга жамланган бўлиб, уларда кристалланаётган аралашманинг оқиб ўтиши учун тешиклар мавжуд.

17.6-расм. Дискли кристаллизатор схемаси: 1-вал; 2-куракча; 3-дисклар; I -дастлабки аралашма; II -суспензия; III - совитувчи агент. Ҳар бир дискда совитувчи агентнинг кириши ва чиқиши учун иккитадан штуцер бор. Дискларнинг марказий тешикларига вал 1 жойлаштирилган. Совитувчи юзаларни тозалаш ва кристаллизатни аралаштириш учун валга куракчалар 2 бириктирилган. Дастлабки эритма I юқоридаги таъминловчи штуцер орқали дисклар оралиғидаги бўшлиққа берилади, у барча дисклар оралиғидаги бўшлиқлар орқали ўтиб сўнгра суспензия II ҳолатида пастки штуцер орқали ускунадан ташқарига чиқазилади. Совитувчи агент III одатда ускунага совитилаётган аралашмага нисбатан қарама -қарши йўналишда юборилади. Контактли кристаллизатор. Эритманинг совитувчи агент билан ўзаро контактига асосланган кристалланиш жараёни бир қатор афзалликларга эга: фазалар орасидаги контакт юзанинг кўплиги ва уларнинг катта тезлик билан аралаштирилиши оқибатида иссиқлик ва модда алмашиниш жараёнлари юқори жадаллик билан амалга ошади; кристалланаётган эритма ва совитувчи агент ҳароратлари ўртасидаги фарқ кичик қийматга (0,5–2 0 С) эга бўлганда ҳам кристалланиш жараёни юз беради; кристаллизаторларда иссиқлик алмашиниш юзаларининг бўлмаслиги сабабли уларнинг тузилишлари жуда ихчам бўлади. Ушбу жараён камчиликлардан ҳам холи эмас: ажралаётган маҳсулотлар совитувчи агентнинг таъсирида ифлосланиши мумкин; ишлатилган совитувчи агентни тайёр маҳсулотлардан ажратиб олиш билан боғлиқ бўлган янги жараён пайдо бўлади. Контактли кристалланишни даврий ва узлуксиз равишда олиб бориш мумкин. 17.7- расмда суюқ совитувчи агентни ишлатишга мўлжалланган узлуксиз контактли кристалланиш қурилмасининг схемаси берилган. Бу ерда дастлабки аралашма I ва совитувчи агент VI узлуксиз равишда кристаллизатор 1 га берилади ва ҳосил бўлган суспензия ҳам узлуксиз

равишда ускунадан ташқарига чиқариб турилади. Суспензия фильтр 2 га юборилади, у ерда ажралган кристаллар ювилади ва йиғгич 3 га туширилади. Йиғгичда кристаллар суюлтирилади. Суюлган маҳсулотнинг бир қисми юқори ҳароратда эрийдиган тайёр маҳсулот сифатида ажратиб олинади, қолган қисми эса кристалларни ювиш учун ишлатилади. Ювинди суюқлик (фракция II ) нинг таркибида одатда маълум миқдорда юқори ҳароратда эрийдиган компонент бўлади, шу сабабдан уни дастлабки аралашмага қўшилади. Фильтрат тиндиргич 4 да икки қатламга ажралади, юқориги қатламдан она суюқлик паст ҳароратда эрийдиган маҳсулот сифатида ажратиб олинади, пастки қатламдан ажратиб олинган совитувчи агент иссиқлик алмашгич 5 да совит ил гандан сўнг кристаллизаторга юборилади. 17.7-расм. Суюқ совитувчи агентдан фойдаланиладиган узлуксиз контактли кристалланиш қурилмасининг схемаси: 1-кристаллизатор; 2-фильтр; 3-кристалл маҳсулот йиғгичи; 4- чўктиргич; 5-иссиқлик алмашгич; I-дастлабки суюлтирилган қотишма; II-ювитишдан кейинги фракция; III-ювитишга

юборилаётган суюлтирилган қотишма; IV-она суюқлик; V-совитувчи агент. Колоннали кристаллизаторлар. Узлуксиз контактли кристалланиш жараёнини амалга оширишда колонна русумидаги ускуналар ҳам кенг ишлатилади. Бундай ускуналарда кристалланаётган аралашма ва совитувчи агент қарама-қарши йўналишда ҳаракат қилишади. Бундай кристаллизаторлар суюқликларни экстракция қилишга мўлжалланган ускуналарга ўхшайди. 17.8 ва 17.9-расмларда роторли ва эритма сочиб бериладиган кристаллизаторларнинг схемалари келтирилган. Роторли - колоннали ускунада кристалланиш жараёни дисперс фазада амалга оширилади. Бунда кристалланишга учраётган аралашма совитувчи агентга нисбатан анча кичик зичликка эга. Ускунанинг вали 2 га парракли аралаштиргичлар бириктирилган. Фазаларнинг ўқ бўйлаб аралашишини камайтириш учун ускуна баландлиги бўйича ҳалқасимон тўсиқлар 4 ёрдамида бир неча секцияларга ажратилган. Кристаллизаторнинг пастки қисмида эмульгациялаш 8 ва тиндириш 9 секциялари мавжуд, ускунанинг юқориги қисмида эса кристалли суспензия учун йиғгич 6 жойлаштирилган.

17.8-расм. Роторли-колоннали кристаллизатор схемаси: 1-ускуна қобиғи; 2-вал; 3-аралаштиргич; 4-секция ҳосил қилувчи тўсиқлар; 5-куракчали аралаштиргич; 6-суспензия қабул қилгич; 7-элаксимон тўсиқ; 8-эмульгациялаш секцияси; 9- тиндириш секцияси: I-дастлабки аралашма; II- дастлабки совитувчи агент; III-кристалли суспензия; IV-ишлатилган совитувчи агент. Дастлабки аралашма I ускунанинг пастки қисмига берилади ва майда заррачаларга ажралган ҳолатда юқорига кўтарилади. Совитувчи агент II юқориги секцияларнинг бирига берилади ва кристалланаётган аралашмага нисбатан қарама-қарши йўналишда ҳаракат қилади. Аралаштиргичи бўлмаган энг юқори секцияда кристалли суспензия III совитувчи агентдан ажралиб йиғгич 6 га тушади, ундан сўнг фильтрлашга юборилади. 17.9-расмда кўрсатилган колоннали ускунада кристалланиш жараёни яхлит фазада юз беради. Дастлабки эритма I ускунага юқориги коллектор 4 орқали берилади, кристалли эритмага нисбатан анча енгил бўлган совитувчи агент II эса кристаллизаторга пастки коллектор 5 ёрдамида юборилади. Совитувчи агент қия найча (сопло) 6 орқали ўтиб, майда заррачаларга ажралади ва кристалланиш ҳолатида пастга тушаётган аралашмага нисбатан қарама- қарши ҳаракат қилади. Қуйилтириш секцияси 2 да она эритма тиндирилади. Қуйилтирилган суспензия III пульсация қиладиган клапан билан жиҳозланган пастки штуцер орқали ускунадан ташқарига чиқарилади, тиндирилган она эритма IV эса қуйилтириш секциясининг юқориги қисмидан ташқарига узатилади. Ишлатилган совитувчи агентнинг томчилари тиндириш секцияси 3 да йиғилади, у ерда томчилар бирлашиб яхлит оқим V ҳосил қилади ва ускунадан ташқарига чиқарилади.

17.9-расм. Аралашма сочиб берилувчи кристаллизатор схемаси: 1-қарама-қарши йўналишдаги контактли секция; 2-суспензияни қуйиқлаштирувчи секция; 3-совитувчи агентни тиндириш секцияси; 4-дастлабки аралашманинг кириши учун коллектор; 5-совитувчи агентнинг кириши учун коллектор; 6-қия найча; I-дастлабки аралашма; II- дастлабки совитувчи агент; III-қуйиқлашган суспензия; IV-тиндирилган она эритма; V-ишлатилган совитувчи агент. Кўп корпусли вакуум-кристаллизатор. Саноатда кўп миқдордаги кристалларни олиш учун кўп корпусли вакуум-кристалланиш қурилмалари кенг ишлатилади. Бунда бир неча ускуна кетма-кет уланиб, вакуумнинг миқдори ускунанинг сонига қараб аста-секин ошиб боради. Корпуслардаги босим эса биринчисидан охирига қараб ортиб боради (17.10-расм). Ҳар қайси ускуна учун иккиламчи буғларни конденсациялашга алоҳида юзали конденсаторлар ўрнатилади. Конденсаторлар совитувчи сувнинг оқим йўналишига қараб кетма-кет уланади. Дастлабки қиздирилган эритма I

биринчи корпусга берилади, у ерда эритма қайнайди ва ўз-ўзидан буғланиши натижасида ушбу корпусдаги қолдиқ босимга мос келган ҳароратгача совийди. Ҳосил бўлган суспензия корпуслардаги босимлар фарқи таъсирида иккинчи корпусга оқиб ўтади, у ерда яна қисман буғланади ва бошқа барча жараёнлар давом этади. Ҳосил бўлган кристал л изат охирги корпусдан барометрик қувур 2 ва гидравлик затвор 3 орқали ташқарига чиқарилади. Буғларни конденсациялаш совуқ сув III ёрдамида амалга оширилади. Совуқ сув кетма-кет барча конденсаторлар орқали ўтади. Айрим ҳолатларда ҳосил бўлган буғлар ёрдамида дастлаб ки эритма иситилади. Натижада кристалланиш жараёни учун сарфланаётган энергия ва совитувчи сувнинг сарфлари сезиларли даражада камаяди. 17.10-расм. Кўп корпусли вакуум-кристалланиш қурилмасининг схемаси: 1-кристаллизаторлар(корпуслар); 2-барометрик қувур; 3-гидравлик затвор; 4-кондесаторлар; I -дастлабки эритма; II -кристаллизат; III -совитувчи сув; IV -конденсат. Саноатда ишлатиладиган кўп корпусли вакуум-кристалланиш қурилмаларида корпусларнинг сони 3 тадан 24 гача, ҳар бир поғонадаги

ҳароратлар фарқи 4-5 0 С, кристалларнинг ўлчами эса 0,2-0,25 мм бўлиши мумкин. Умуман олганда, вакуум-кристаллизаторлар бир қатор афзалликларга эга: уларнинг иш унумдорлиги катта; ускунанинг барча иш ҳажмида эритманинг бир меъёрда тўйиниши юз беради; ускуна ички юзаларининг ифлосланиш эҳтимоли жуда кам; ускунани хоҳлаган конструкцион материалдан тайёрласа бўлади. 5. КРИСТАЛЛИЗАТОРЛАРНИ ҲИСОБЛАШ Кристаллизаторларнинг моддий баланси. Бунинг учун қуйидаги катталикларни қабул қиламиз: G б – дастлабки эритманинг миқдори, кг; G кр – кристалларнинг миқдори, кг; G қ – қолдиқ эритманинг миқдори, кг; W – буғланиш пайтидаги ажралган эритувчининг миқдори, кг. Даврий ишлайдиган кристаллизаторлар учун жараённинг охирида моддий баланс тенгламаси қуйидагича ёзилади: G б = G қ + G кр + W . (17.9) Кристалланаётган модданинг таркибини массавий улушларда қабул қиламиз: B б – дастлабки эритмада; В қ – қолдиқ эритмада; В кр – кристалларда. Агар модда сувсиз шаклда кристалланаётган бўлса, бунда В кр =1. Кристалланиш жараёнида кристаллогидрат ҳосил бўлса (яъни кристалларнинг таркибига эритувчининг молекулалари ҳам кириб жойлашса), у ҳолатда: В кр = кр M M , (17.10) бу ерда М – кристалланаётган модданинг молекуляр массаси; М кр – кристаллогидратнинг молекуляр массаси. Сувсиз кристалланаётган модда учун моддий баланс тенгламасини бошқа кўринишда ҳам ёзиш мумкин: G б В б = G қ В қ + G кр В кр . (17.11)

Эритувчининг бир қисми буғлатилмайдиган кристаллизаторлар учун моддий баланс тенгламаси тузилганда, (17.9) тенгламадаги W =0. Бундай шароитда, агар G б , В б , В қ ва В кр лар маълум бўлса, G қ ва G кр ларнинг қийматлари топилиши мумкин. Бунинг учун (17.9) ва (17.11) тенгламалар ечилиши зарур. Агар эритувчининг бир қисми ажратиб олиниши лозим бўлганда, аввало буғланиши керак бўлган эритувчининг миқдори W қабул қилинади. Эритувчининг бир қисми ажратилгандан сўнг эритмадаги кристалланаётган компонентнинг охирги концентрацияси В 0 маълум бўлганда, W нинг миқдорини қуйидаги тенглама орқали аниқланса бўлади:         кр б B B G W 0 1 . (17.12) Кристаллизатор лар нинг иссиқлик баланси. Эритма совитиладиган ва эрувчининг бир қисми буғланадиган кристалланиш жараёни учун иссиқлик балансини тузамиз. Иссиқликнинг кириши (Bm): дастлабки эритма билан G б C б t б , бу ерда С б – бошланғич эритманинг иссиқлик с иғими, Ж/кг·К, t б – унинг ҳарорати, 0 С; кристалланиш пайтида ажралади G кр q кр , бу ерда q кр – кристалланиш иссиқлиги, Ж/кг. Иссиқликнинг сарфи ( Bm ): қолдиқ эритма билан G қ C қ t қ , бу ерда С қ – қолдиқ эритманинг иссиқлик сиғими, Ж/кг·К, t қ – унинг ҳарорати, 0 С; кристалл модда билан G кр С кр t кр , бу ерда С кр – кристалларнинг иссиқлик сиғими, Ж/кг·К, t кр – кристалларнинг ҳарорати, у қолдиқ эритманинг ҳароратига тенг ( t кр = t қ ); буғланган эритма билан Wi , бу ерда i – эритувчи буғларнинг энтальпияси, Ж/кг; совитувчи агент билан G c C c ( t 0 – t б ), бу ерда G с – совитувчи агентнинг миқдори, кг/с, С с – совитувчи агентнинг иссиқлик сиғими, Ж/кг·К, t б ва t 0 – совитувчи агентнинг бошланғич ва охирги ҳароратлари, 0 С; атроф муҳитга йўқолиши Q й . Иссиқликнинг кириши ва унинг сарфини бир-бирига тенглаб, қуйидаги иссиқлик баланси тенгламасини ёзамиз:

G б C б t б + G кр q кр = G қ C қ t қ + G кр С кр t кр + Wi + G c C c ( t 0 – t б ) + Q й . (17.13) Ушбу тенглама ёрдамида буғланиш йўли билан ажратиб олинадиган эритувчининг миқдори W (кг/с) ёки эритманинг ҳароратини тегишли қийматгача совитиш учун зарур бўлган совитувчи агентнинг миқдори G c (кг/с) аниқланади. Кристаллизаторнинг иссиқлик алмашиниш юзалари 8-бобда келтирилган тенгламалар асосида топилади. Сўнгра кристаллизаторнинг асосий ўлчамлари (диаметри, баландлиги, ҳажми) аниқланади.

Адабиётлар рўйхати 1. Скобло А.И., Молоканов Ю.К., Владимиров А.И., Щелкунов В.А. Процессы и аппараты нефтегазопереработки и нефтехимии. – М.: Недра, 200 0 . – 677 с. 2. Молоканов Ю.К. Процессы и аппараты нефтега з опереработки. – М.: Химия, 1980. – 407с. 3. Владимиров А.И., Щелкунов В.А., Щелкунов В.А., Круглов С.А. Основные процессы и аппараты нефтегазопереработки (краткий справочник). – М.: Нефть и газ, 1996. – 155 с. 4. Фарамазов С.А. Оборудование нефтеперерабатывающих заводов и его эксплуатация. – М.: Химия, 1978. – 352 с. 5. Рябов В.Д. Химия нефти и газа. – М.: Техника, 2004. – 287 с. 6. Коннова Г.В. Оборудование транспорта и хранения нефти и газа. – Ростов-на-Дону: Феникс, 2006. – 126 с. 7. Грищенко А.И., Галанин И.А., Зиновьева Л.М. и др. Очистка газов от сернистых соединений при эксплуатации газовых месторождений. – М.: Недра, 1985. – 270 с. 8. Справочник нефтехимика. В двух томах. Том 1. Под редакцией Огородникова С.К. – Л.: Химия, 1978. – 496 с. 9. Справочник нефтехимика. В двух томах. Том 2. Под редакцией Огородникова С.К. – Л.: Химия, 1978. – 592 с. 10. Фукс И.Г., Холодов Б.П. Нефть, газ и продукты их переработки. – М.: Нефть и газ, 1994. – 163 с. 11. Расчеты основных процессов и аппаратов нефтепереработки. Справочник. Под редакцией Судакова Е.Н. – М. Химия, 1979. – 568 с. 12. Абросимов А.А. Э.К. Экологические аспекты производства и применения нефтепродуктов. – М.: Барс, 1999. – 732 с. 13. Бакиров Т.М. Перв и чная переработка природных газов. – М.: Химия, 1987. – 256 с.

Похожие

Магматик тоғ жинсларнинг структурали

Магматизм

Petrografiya (петрология) фанининг ривожланиш тарихи

Нефт маҳсулотларини депарафинлаш

Модда ўтказиш асослари