Материалларнинг таркиби ва тузилиши. - Энергетика - Рефераты

Материалларнинг таркиби ва тузилиши.

Загружено в:

20.09.2019

Скачано:

0

Размер:

97.5 KB

Материалларнинг таркиби ва тузилиши. Режа: 1. Металлар ҳақида умумий маълумот. 2. Металларни кристалл тузилиши ва унинг ҳоссалари . 3. Кристалл жисм атомлари диффузияси . 4. Кристалл панжарадаги нуқсонлар ва уларни бартараф этиш усуллари.

1. Металлар ҳақида умумий маълумот. Маълумки металлар қаттик ҳолатда кристалл тузилишга эга. Зарралар кристалларда муайян тартибда жойлашиб, фазовий панжара ҳосил қ илади. Кристаллнинг к ў риниши ва шакли кристалл панжарага бо ғ ли қ . Металлнинг кристалл панжараси тугунларида мусбат зарядли ионлар жойлашади , улар орасидаги фазода эса эркин , яъни ў з атомларининг ядролари билан боғланмаган электронлар ҳ аракатланади. Ҳ амма эркин электронларнинг манфий заряди абсолют қ иймати жиҳатидан панжаранинг ҳ амма ионлари мусбат заряди йигиндисига тенг. Шу сабабли одатдаги шароитда металл электр жиҳатдан нейтрал б ў лади. Унда эркин электронлар тартибсиз харакат қ илади. Аммо металлда электр майдон ҳосил қилинса, ҳ амма эркин электронлар электр кучларнинг таъсири й ў налишида ҳ аракат қ ила бошлайди, металлда электр токи вужудга келади. Бунда хам электронларнинг тартибсиз харакати, худди шамол бир томонга учириб кетаётган чивинлар галасидаги чивинларнинг тартибсиз харакати сингари албатта са қ ланади. Шундай қ илиб, металлардаги электр токи эркин электронларнинг тартибли ҳаракатидан иборатдир. Ў тказгичда электр майдон таъсири остидаги электронларнинг ҳ аракат тезлиги унча катта эмас – атиги секундига бир неча миллиметр, баъзан ундан хам кичик б ў лади. Аммо ў тказгичда электр майдон вужудга келиши билан бу майдон ёругликнинг вакуумдаги тезлиги (300000км/с) га якин жуда катта тезлик билан бутун ў тказгич б ў йлаб таркалади. Электр майдоннинг тарқалиши билан бир вақтда бутун ў тказгич б ў йлаб электронлар бир й ў налишда харакатга келади. Масалан: электр лампа занжири уланса, лампа спиралидаги электронлар хам тартибли харакатга келади.

Буни англашга электр токини сув қ увуридаги сув окими билан, электр майдоннинг таркалишини эса, сув босимининг таркалиши билан солиштириб ёрдам беради. Сув қувур минорасига кўтарилаётганда унинг босими бутун сув қувури бўйлаб жуда тез тарқалади. Сув қувури жумрагининг очганимизда сув босим остида бўлади ва дархол жумракдан окиб чиқа бошлайди. Жумракдан унга келиб турган сув чиқа бошлайди, аммо минорадаги сув жумракка анча кейин етиб келади, чунки сувнинг харакат тезлиги босимнинг таркалиш тезлигидан кичик. Ўтказгичда электр токининг таркалиш тезлиги тўғрисида сўз борганда шу ўтказгичда электр майдоннинг таркалиш тезлиги кузда тутилади. Масалан: Москвадан Владивостокка ( S =8000км) симлар оркали электр сигнали юборилса, у Владивостокка 0,03 с да етиб боради. 2. Металларни кристалл тузилиши ва унинг хоссалари. Металларнинг кристалл тузилиши ва унинг хоссалари. Металлнинг кристалл тузилишини оддий к ў з билан ани қ ласа б ў лади. Металлдан бирор намуна олиб, унинг юзасини яхшилаб жилвирласак, йирик доначаларни куришимиз мумкин. Бу доначалар ёруғлик нурини қайтариш хоссасига эга б ў лса, қ аттиқ жисм кристалл кристалл тузилишга эга экан деган хулосага келиш мумкин лекин хар қандай қаттик жисм кристалл жисм б ў лавермайди. Кристалл жисм деб заррачаларнинг жисмда фазовий жойлашишининг маълум бир геометрик тартибига айтилади. Одатда бундай жойлашиш ани қ симметрияга эга б ў лиш билан бир қаторда к ў п қиррали жисмни эслатади. Аслида ана шу қ иррали жисмни кесилган жойи (жисмнинг учи) атомларнинг жойлашиш урнини кўрсатади. Демак, кристаллар учта ў лчамда жойлашган атомлар тартиби б ў либ, мувозанат шароитда т ў ғри симметрияга эга б ў лган

к ў п киррали жисмдир. Кристалл жисмда заррачаларнинг (атом, ион ёки молекула) уч ў лчам б ў йича доимий такрорланиши (кайтарилиши) натижасида кристалл панжарада заррачаларнинг ўзаро тортишиш ва итарилиш мувозанатида сакланади, бунда ички потенциал энергия ана шу мувозанатни саклаш учун керак б ў лган энг кам кийматга эга б ў лади. Заррачаларнинг кристалл жисмдаги бундай жойлашиш тартиби юзлаб, минглаб кристалл панжара даври сифатида кайтарилиши мумкин. Кристалл жисмларда кристалл панжаранинг турлари атомларнинг ў заро жойлашишига караб ҳ ар ҳ ил б ў лади. Кристалл катакчанинг тури координацион сон тушунчаси билан ифодаланади. Кристалл панжарада энг я қ ин бир ҳил масофада турган атомлар сонига шу кристалл панжаранинг координацион сони деб аталади ва у ҳ арфлар билан белгиланади. Масалан: оддий куб катакнинг координацион сони 6 га тенг б ў либ К 6 , марказлашган куб катакчаники хисобланади. К 8 , ёқлари марказлашган куб катакники эса К 12 , атомлари зич жойлашган чексагонал катакники Г 12 ва шунингдек оддий тетрагонал катакники Т 6 деб белгиланади. Куб катакчанинг ў лчамлари қиймати атом ў лчамлари қиймати билан белгиланади, бундай улчов бирлиги нанометр (нм) деб аталади. 1 - жадвал Баъзи металларнинг элементлар катакча ў лчамлари. Атом катакчанинг тури металлар Элементар панжара кирралари улчами, нм (1 нм =10 -3 см ) К 6 Fe а=б=с; а=0,28606 К 8 Cr а=б=с; а=0,28788 К 12 Ni а=б=с; а=0,35165 Г 12 Ti α а=б=0,2951; с=0,4679 с/а=1,5873 Биргина кимёвий элементнинг шароитга қараб бир неча элементар кристалл панжара турларига эга бўлиши металлардаги полиморфизм ёки аллотропик шакл ўзгариши деб аталади.

Металлардаги полиморф ўзгариш изотермик (харорат ўзгармасдан содир бўладиган) жараён бўлиб, у иссиклик чиқариш ёки ютиш хусусиятига эга. Бошкача қилиб айтганда полиморф ўзгаришда қайта кристалланиш содир бўлади. Биргина элементнинг бир неча турдаги кристалл панжара кўринишлари полиморф қаторни ташкил қилади. Элементларнинг ҳар ҳил полиморф шакллари мисол тарикасида 3.2-жадвалда келтирилган. 2-жадвал Баъзи металларнинг полиморф ўзгаришлари. Элемент Элементнинг полиморф кўриниши Мувозанат холатининг ҳарорат оралиғи Кристалл т узилиши Fe α β 0-911ва 1392-1539 911-1392 К 8 К 12 Co α β 0-450 450-1480 Г 12 К 12 Si α β 0-18 18-232 К 6 Т 8 Ti 0-882 882-1660 Г 12 К 8 Mn α β   0-700 700-1079 1079-1143 1143-1244 К 6 К 6 Т 12 К 8

3. Кристалл жисм атомлари диффузияси. 4. Кристалл жисм атомлари диффузияси. Юқорида кристалл жисмнинг тузилишида вакансия, дислокацион атомлар ҳ ароратнинг к ў тарилиши билан ў з ў ринларини алмаштиришларини к ў рсатиб ў тган эдик. Кристалл жисмдаги бу харакат диффузиянинг асосини ташкил қ илади. Техникада қў лланилаётган мухим жараёнлар, к ў пгина табиий, сунъий кимёвий реакцияларнинг асосини диффузия ташкил қилади. Жисмнинг газ, суюк ҳамда қ аттик ҳолларида қ ў лланиладиган диффузия қонунлари Фик қонунлари деб аталади. Биринчи қонун газлардаги заррачаларнинг тартибсиз ҳ аракатига асосланади, яъни бу қ онун асосида диффузия й ў налишини аниқлаш қ ийин. Агар аралашманинг маълум бир й ў налишга таркиби, яъни концентрацияси бир ҳил б ў лмаса диффузия эга б ў лади. Масалан: заррачалар катта концентрацияли аралашмадан кичик концентрацияли массага диффузияланади. Фикнинг биринчи қ онунига асосан бундай о қ им қў йидагича ифодаланади. DM= - D·dt·dS·dφ/dx (1) Агар масса бир компонентли бўлиб, икки қисмдан иборат бўлса, биринчи қисмнинг зичлиги иккинчи қисмга қараганда каттарок деб қараш керак. Бу холда модда зичлик катта қисмдан зичлик кичик кисмга диффузияланади. Агар шартли равишда жисмни икки компонентли система деб қаралса, минус ишора dt вақт давомида dS фазовий юзадан dx йўналишга перпендикуляр бўлган йўналишда биринчи компонентнинг юқори концентрацияли қисмдан кичик концентрацияли қисмга диффузияланишини ифодалайди. Бу тенгламада dφ / dx зичлик градиенти: D -диффузия коэффиценти. Куб катакчали поликристалларда диффузия коэффиценти диффузия й ў налишига боғлик эмас, яъни у изоотропик ҳоссага эга. Бош қ а холларда диффузия коэффиценти тажриба ў тказиш усули билан аниқланади.

Кристалл жисмдаги диффузия жараёни механизми ҳар ҳил б ў лиши мумкин. Ў з-ўзидан диффузияланишда ҳ ам, к ў шимча заррачалар диффузиясида ҳ ам вакансия механизми му ҳ имдир. Бу холда диффузиянинг энг оддий к ў риниши атомнинг қў шни вакансияга кучишиди р , натижада янги вакансия ҳ осил б ў лади. Диффузион алмашиш механизми кристалл қатакча ёқлари, ўртасида кичик ў лчамли атомлар жойлашган холларда р ў й беради. Масалан: кристалл панжарасида углерод, азот, бор атомлари жойлашган темирда диффузиянинг шу механизми кўзатилади. Маълумки, диффузия тезлиги кристалл панжарадаги вакансия ёки дислакацион атомларнинг зичлигига боғлик. Хароратнинг ошиши билан бу нуқсонларнинг зичлиги ҳам ортиб боради. Шунинг учун ҳам диффузия тезлиги хароратга боғликдир. Реал кристалл жисмлар нуқсонларнинг нотекис жойлашиши билан характерланади. Реал кристалларнинг тузилиши диффузия механизмига катта таъсир қилади. Энг мухими диффузион жараёнлар кристалл жисмларда р ў й берадиган фаза ў згаришининг сабабчиларидир. 4. Кристалл панжарадаги нуқсонлар ва уларни бартараф этиш усуллари. Кристалл панжарадаги нуқсонлар ва уларни бартараф этиш усуллари. Идеал ҳамда реал жисмлар деган тушунчалар мавжуддир. Биз шу пайтгача кристаллардаги атомларнинг аниқ ва юқори тартибда жойлашишини кўриб ў тдик, яъни идеал кристалл панжара хақида фикр юритдик. Вакансия т ў планган жойдаги нормал й ў налиш б ў йича силжиш натижасида ҳ осил б ў лган дислокация винтсимон дислокация деб аталади. Бу тушунчани Дания олими Бюргерс киритган. Агар винтсимон дислокация кристаллнинг юзасига чикса, зинапоя хосил б ў лади. Кристаллар кристалланиш жараёнида шу зинапоя шаклида ў сади. Дислокациянинг вужудга келишидаги силжиш вектори Бюргерс вектори деб аталади, у

дислокация кийматини белгилайди. Бу вектор модулининг энг кичик қиймати кристалл панжара атомлари орасидаги масофага тенг. Умуман олганда, дислокация фазовий чизиқ б ў лиши ҳам мумкин лекин бунда модуль қиймати ў згармаса ҳ ам, дислокация й ў налиши ў згариши мумкин. Дислокациянинг яна бир му ҳ им ҳусусиятларидан бири унинг зичлигидир. Кристаллнинг 1 см 2 юзасини кесиб ў тган дислокация сонига дислокация зичлиги дейилади. Жуда сёкин кристалланаётган жисмларнинг дислокация зичлиги 10 2 -10 -4 см -2 га тенг. Мувозанатдаги поликристалларнинг дислокация зичлиги 10 6 -10 7 см -2 га етади. Жуда катта пластик деформация натижасида дислокация зичлиги 10 8 -10 12 см -2 га етиши мумкин. Сиртки нуксонларга дислокациянинг ейилиб, т ў планиб қолган жойи (дислокация даври) хам киради. Электрон микроскоп ёрдамида ана шундай деворлар яққол к ў ринади. Сирт қ и ва тёкисликдаги нуқсонлар умуман олганда, блоклар, деворчалар чегараларини ҳосил қилади. Ҳ акикий поликристаллар жуда к ў п доначалар (кристаллейлардан) иборат. Бу доначаларни ў лчами юздан бир миллиметргача б ў лиши мумкин. Хар бир донача (кристаллей) яхлит бир кристалл эмас, балки у ҳам ў з навбатида парчалардан ёки булакчалардан иборат б ў либ, уларнинг ў лчамлари доначанинг ў лчамидан 100, хатто 1000 марта кичикдир. 1 -расм . Кристалларнинг ички т у зилиши (чизмаси).

Агар синиш юзаси гадир-будир бўлса, материалдан тайёрланган буюм деформацияга учрамайди, яъни металл мурт бўлиб, ташқи куч таъсирида синади. Агар кристалл жисмдаги доначалар деформацияланмаса, яъни донача чегаралари етарли даражада нуқсонларга эга бўлса, кристалл ана шу донача чегаралари бўйлаб емирилади. Синиш юзаси ойна каби ялтироқ бўлса, юзасида синиш маркази бўлади, ана шу марказдан синиш толаларининг йўналиши кўриниб туради, бундай синиш жуда катта деформация натижасида вужудга келади. Чарчаш натижасида синиш ҳам худди шундай содир бўлади. Синиш юзасининг бир парча жойи буртиб чиқиб, қолган жойлари текис, толасимон, ялтироқ бўлса, аралаш синиш деб аталади. (10- расм) 2 -расм. Чарчаш натижасида емирилиш диаграммаси (σ) ва унга мос келадиган емирилиш тури.

Фойдаланилган адабиётлар : 1. И.Носиров «Материалшунослик» Тошкент Ў китувчи 1994 й. 2.М.Т.Нормуродов, Б.Е.Умирзоков, И.П. Пармонкулов «Электротехника материаллари ва қ урилмалари технологияси». Тошкент. Мехнат. 2004 й. 3. В.А.Мирбобоев «Конструкцион материаллар технологияси». 4. Ш.М. Камолов, А.Ш. Ахмедов “Электротехника материаллари” Т.1994 й. 5. Ш.М. Камолов, А. Ш. Ахмедов “Диэлектриклар” Ўқ ит. Тошкент 1990 й. 6. Тареев Б. М. “Физика диэлектрических материалов” М. Энергия 1982 й. 7. В. Е. Китаев “Электротехника ва электроника асослари” Т.1984 йил.

Похожие

Материалларнинг хоссалари.

Электротехник материалларнинг асосий характеристикалари

Моддаларнинг тузилиши

Атом-кристаллик тузилиши

Материалшунослик асослари.