Yarimo’tkazgichli metal chegarasida kontakt hodisalar

Yuklangan vaqt:

31.08.2023

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

267.0087890625 KB

Ko'chirib olish

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI OLIY VA O’RTA MAXSUS TA’LIM VAZIRLIGI TOSHKENT DAVLAT TEXNIKA UNIVERSITETI Lazer texnologiyalari va optoelektronika kafedrasi Yarim o’tkazgichli optoelektron qurilmalar fanidan Mavzu: Yarimo’tkazgichli metal chegarasida kontakt hodisalar. mavzusida kurs ishi hisob-tushuntirish yozuvi Bajardi: Tekshirdi _____________________________________ ___________ Toshkent-2022

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI OLIY VA O’RTA MAXSUS TA’LIM VAZIRLIGI TOSHKENT DAVLAT TEXNIKA UNIVERSITETI Tasdiqlayman “Lazer texnologiyalari va optoelektronika’’ kafedrasi mudiri B.Abdurahmonov 2022 yil «___»__________ Kurs loyihasi “Lazer texnikasi” fani Guruh: 148-19 LTO Talaba:Xidirova Setora Rahbar: Kamilov Sherzod TOPSHIRIQ 1.Loyiha mavzusi: Yarimo’tkazgichli metall chegarasida kontakt hodisalar. 2.Dastlabki ma’lumotlar: Yorug’lik diodi, uning tuzilishi va ishlash prinsiplari 3.Kirish 4.Nazariy qism 5.Hisoblash tushuntirish yozuvi 1. Grafik qismning tarkibi 2. Qo’shimcha ma’lumotlar va ko’rsatmalar 3. Kurs ishini topshirish muddati Talaba:Xidirova Setora Rahbar: Kamilov Sh 21 2 3 4 Ximoya

Mundarija Kirish……………………………….…………………………………….…….4 Asosiy qism……………………………………………………………….……5 1. Metall - yarim o’tkazgich kontakti ………………………………..…….6 2. Yarim o’tkazgich - yarim o’tkazgich kontakti ……………………….…8 3. Metall - metall kontakti. …………………… ……………………... …… 10 Xulosa……………………………………………………….…………………11 Foydalanilgan adabiyotlar……………………………………………………..12 3

$Kirish Qattiq jism o'tkazuvchanlik turi bilan farqlanuvchi yoki o’tkazuvchanlik turi bil xil bo’lib, solishtirma qarshiligi bilan farqlanuvchi sohalari orasidagi kontakt natijasida hosil bo’ladigan o’tkinchi qatlam elektr o’tish deb ataladi. Yarimo'tkazgich asboblarda elektron - kovak o’tish yoki p - n o’tish deb ataluvchi elektr o’tishdan keng foydalaniladi. Taqiqlangan zonalari kengligi teng, ya’ni kimyoviy jihatdan bir xil yarimo’tkazgich materiallar (masalan, Si yoki GaAs) asosidagi elektr o’tishlar gomo o’tish , taqiqlangan zonalari qiymati bir-biridan farqlanuvchi yarimo’tkazgichlar asosidagi o’tishlar esa getero o’tish deb ataladi. Metallarda taqiqlangan zona bo’lmagani sababli geteroo’tishlaming xususiy holiga mos , metall — yarimo’tkazgich deb ataluvchi elektr о ‘tishlar ham elektronikada keng qo’lIaniladi. Ko’p yarimo’tkazgich asboblar va integral mikrosxemalaming ishlash prinsipi elektr o’tishlaming xususiyatlariga asoslanadi. Muvozanat holatda p-n o’tish Yarimo’tkazgich asboblarning aksariyati bir jinsli bo'lmagan yarimo’tkazgichlar asosida yaratiladi. Xususiy holda, bir jinsli bo’lmagan yarimo’tkazgich monokristallning ma’lum sohasi p - turli , boshqa sohasi n - turli o'tkazuvchanlikni namoyon etadi. Yarimo’tkazgichning p -va n — sohalari chegarasidan ikki tomonda hajmiy zaryad sohasida elektron — kovak o’tish yoki p-n o’tish hosil bo’ladi. Uning ishlash mexanizmini oydinlashtirish uchun n - sohadagi elektronlar va p -sohadagi kovaklar soni bir-biriga teng va har bir sohada oz miqdorda noasosiy zaryad tashuvchilar mavjud deb hisoblaymiz. Xona temperaturasida p — turli yarimo’tkazgichda akseptor kirishmalar manfiy ionlari konsentratsiyasi Na\ kovaklar konsentratsiyasi pp ga, n - turli yarimo’tkazgichda esa donor kiritmalar musbat ionlari konsentratsiyasi N /, elektronlar konsentratsiyasi n„ ga teng. p - va n - sohalar chegarasida kovaklar va elektronlar 4$

konsentratsiyasi gradienti mavjud bo’lganligi sababli elektronlaming p - sohaga , kovaklaming n – sohaga diffuziyasi boshlanadi. Diffuziya natijasida chegara yaqinidagi n - sohada elektronlar konsentratsiyasi qo’zg’almas musbat donor ionlari konsentratsiyasidan kamayadi va bu qatlam musbat zaryadlana boshlaydi. Bir vaqtning o’zida chegaradosh p - sohada kovaklar konsentratsiyasi ham qo’zg’ almas manfiy akseptor ionlari konsentratsiyasidan kamayadi va bu qatlam musbat zaryadlana boshlaydi. Bir vaqtning o’zida chegaradosh p - sohada kovaklar konsentratsiyasi ham qo’zg’almas manfiy akseptor ionlari konsentratsiyasidan kamayadi va bu qatlam manfiy zaryad ola boshlaydi (2.1a-rasm). Natijada, chegaradan ikki tomonda qo’sh elektr qatlam hosil boiadi. Rasmda musbat va manfiy ishoralar bilan belgilangan doirachalar mos ravishda donor va akseptor kiritmalar ionlarini tasvirlaydi. Hosil bo’lgan qo’sh elektr qatlami p-n o'tish deb ataladi. Ushbu qatlamda harakatchan zaryad tashuvchilar bo’lmaydi. Shuning uchun uning solishtirma qarshiligi p - va n - sohalamikiga nisbatan juda yuqori bo’ladi. Adabiyotlarda bu qatlam kambag’allashgan yoki i-soha deb ataladi. p - va n - sohalar chegarasidan ikki tomonda joylashgan hajmiy zaryad musbat va manfiy ishoraga ega bo’Igani sababli p-n o’tish sohasida kuchlanganligi Ё bo’lgan ichki elektr maydon hosil qiladi. Ushbu maydon qo’sh elektr zaryad sohasiga kirgan asosiy zaiyad tashuvchilar uchun tormozlovchi ta’sir qilib, ulaming p-n o’tish orqali qo’shni sohaga o’tishiga qarshilik ko'rsatadi. Potensialning p-n o’tish yuzasiga perpendikular bo’lgan X yo’nalishda o'zgarishi 2.1b-rasmda ko’rsatilgan. Bu yerda p - va n - sohalar chegarasidagi potensial nol potensialga teng deb qabul qilingan. funksiyasi hamda zaryad tashuvchilaming zonalar bo’yicha taqsimlanishi bilan birgalikda 2.1 d-rasmda ko'rsatilgan. p-n o’tishda voltlarda ifodalangan kontakt potensiallar farqi ga teng bo’lgan potensial to’siq yoki kontakt potensiallar farqi hosil bo’lishi 2.1b-rasmdan ko’rinib turibdi. U k qiymati yarimo’tkazgich taqiqlangan zona kengligi va kiritmalar 5

konsentratsiyasiga bog’liq bo’lib, quyidagi ifoda bilan hisoblanadi. . Odatda germaniyli p-n o’tishlar uchun kontakt potensiallar farqi V ni , kremniylilar uchun esa - 0,7V ni tashkil etadi. p-n o’tishni hosil qiluvchi Nd va Na kiritmalar konsentratsiyasi texnoiogik chegarada zinasimon o’zgarsa keskin p-n o'tish yuzaga keladi. Uning kengligi l 0 nafaqat kiritmalar konsentratsiyasiga , balki o’tishdagi konsentratsiyaning o’zgarish qonuniyatiga bog’liq bo’lib, quyidagi ifoda bo’yicha topiladi. va mikrometming o’nlarcha ulushidan bir necha mikrometrgacha bo’lgan qiymatlarni tashkil etadi. Demak, tor p-n o’tish hosil qilish uchun yarimo’tkazgichga yuqori konsentratsiyali kiritmalar kiritish, keng p-n o’tish hosil qilish uchun esa kiritmalar konsentratsiyasi kichik bo’lishi kerak. Bu yerda , q - elektron zaryadi, - elektr doimiysi , - yarimo’tkazgichning nisbiy elektr doimiysi. Qattiq jism o'tkazuvchanlik turi bilan farqlanuvchi yoki o’tkazuvchanlik turi bil xil boiib, solishtirma qarshiligi bilan farqlanuvchi sohalari orasidagi kontakt natijasida hosil bo’ladigan o’tkinchi qatlam elektr o’tish deb ataladi. Yarimo'tkazgich asboblarda elektron - kovak o ‘tish yokip - n o’tish debataluvchi elektr o’tishdan keng foydalaniladi. Taqiqlangan zonalari kengligi teng, ya’ni kimyoviy jihatdan birxil yarimo’tkazgich materiallar (masalan, Si yoki GaAs) asosidagielektr o’tishlar gomoo’tish, taqiqlangan zonalari qiymati bir-biridanfarqlanuvchi yarimo’tkazgichlar asosidagi o’tishlar esa getero o’tish debataladi. Metallarda taqiqlangan zona bo’lmagani sababli geteroo’tishlaming xususiy holiga mos, metall — yarimo’tkazgich deb ataluvchi elektr о’tishlar ham elektronikada keng qo’lIaniladi. Ko’p yarimo’tkazgich asboblar va integral mikrosxemalaming ishlash prinsipi elektr o’tishlaming xususiyatlariga asoslanadi. Muvozanat holatda p-n o’tish Yarimo’tkazgich asboblarning aksariyati bir jinsli bo'lmagan yarim o’tkazgichlar asosida yaratiladi. Xususiy holda, bir jinsli bo’lmagan yarimo’tkazgich monokristallning ma’lum sohasi p -turli,boshqasohasi n - turli o'tkazuvchanlikni namoyon etadi. Yarimo’tkazgichning p - va n — sohalari chegarasidan ikki tomonda hajmiy zaryad sohasida elektron — kovak 6

$o’tish yoki p-n o’tish hosil bo’ladi. Uning ishlash mexanizmini oydinlashtirish uchun n - sohadagi elektronlar va p -sohadagi kovaklar soni bir-biriga teng va har bir sohada oz miqdorda noasosiy zaryad tashuvchilar mavjud deb hisoblaymiz. Xona temperaturasida p — turli yarimo’tkazgichda akseptor kirishmalar manfiy ionlari konsentratsiyasi Na\ kovaklar konsentratsiyasi pp ga, n – turli yarimo’tkazgichda esa donor kiritmalar musbat ionlari konsentratsiyasi N /, elektronlar konsentratsiyasi n„ ga teng. p - v& n - sohalar chegarasida kovaklar va elektronlar konsentratsiyasi gradienti mavjud bo’lganligi sababli elektronlaming p - sohaga, kovaklaming n – sohaga diffuziyasi boshlanadi. 7$

Termodinamik muvozanat holatidagi p-n o’tish.Diffuziya natijasida chegara yaqinidagi n - sohada elektronlarkonsentratsiyasi qo’zg’almas musbat donor ionlari konsentratsiyasidankamayadi va bu qatlam musbat zaryadlana boshlaydi. Bir vaqtningo’zida chegaradosh p - sohada kovaklar konsentratsiyasi ham qo’zg’almas manfiy akseptor ionlari konsentratsiyasidan kamayadi va buqatlam manfiy zaryad ola boshlaydi (2.1a-rasm). Natijada, chegaradanikki tomonda qo’sh elektr qatlam hosil boiadi. Rasmda musbat vamanfiy ishoralar bilan belgilangan 8

doirachalar mos ravishda donor vaakseptor kiritmalar ionlarini tasvirlaydi. Hosil bo’lgan qo’sh elektr qatlami p-n o'tish deb ataladi. Ushbu qatlamda harakatchan zaryad tashuvchilar bo’lmaydi. Shuning uchun uning solishtirma qarshiligi p - va n - sohalamikiga nisbatan juda yuqori bo’ladi. Adabiyotlarda buqatlam kambag’allashgan yoki i- soha deb ataladi. p - va n - sohalar chegarasidan ikki tomonda joylashgan hajmiyzaryad musbat va manfiy ishoraga ega bo’Igani sababli p-n o’tishsohasida kuchlanganligi Ё bo’lgan ichki elektr maydon hosil qiladi.Ushbu maydon qo’sh elektr zaryad sohasiga kirgan asosiy zaiyadtashuvchilar uchun tormozlovchi ta’sir qilib, ulaming p- n o’tish orqali qo’shni sohaga o’tishiga qarshilik ko'rsatadi. Potensialning p-n o’tishyuzasiga perpendikular bo’lgan X yo’nalishda o'zgarishi 2.1b-rasmdako’rsatilgan. Bu yerda p - va n - sohalar chegarasidagi potensial nol potensialga teng deb qabul qilingan.Funksiyasi hamda zaryad tashuvchilaming zonalar bo’yicha taqsimlanishi bilan birgalikda 2.1 d-rasmda ko'rsatilgan. p-n o’tishda voltlarda ifodalangan kontakt potensiallar farqi ga teng bo’lgan potensial to’siq yoki kontakt potensiallar farqi hosil bo’lishi 2.1b-rasmdan ko’rinib turibdi. Uk qiymati yarimo’tkazgichtaqiqlangan zona kengligi va kiritmalar konsentratsiyasiga bog’liqbo’lib, quyidagi ifoda bilan hisoblanadi Odatda germaniyli p-n o’tishlar uchun kontakt potensiallar farqi V ni, kremniylilar uchun esa - 0,7V ni tashkil etadi. p-n o’tishni hosil qiluvchi N d va N a kiritmalar konsentratsiyasi texnoiogik chegarada zinasimon o’zgarsa keskin p-n o'tish yuzaga keladi. Uning 9

kengligi l0 nafaqat kiritmalar konsentratsiyasiga, balki o’tishdagi konsentratsiyaning o’zgarish qonuniyatiga bog’liq bo’lib, quyidagi ifoda bo’yicha topiladi. va mikrometming o’nlarcha ulushidan bir necha mikrometrgachabo’lgan qiymatlarni tashkil etadi. Demak, tor p-n o’tish hosil qilishuchun yarimo’tkazgichga yuqori konsentratsiyali kiritmalar kiritish,keng p-n o’tish hosil qilish uchun esa kiritmalar konsentratsiyasi kichikbo’lishi kerak. Bu yerda, q - elektron zaryadi, - elektr doimiysi, - yarimo’tkazgichning nisbiy lektr doimiysi.2. Nomuvozanat holatda p-n o’tish p-n o’tish toklari . Elektron va kovakning o’rtacha issiqlikenergiyasi yarimo’tkazgich temperaturasi bilan belgilanadi va kT gateng, k — Bolsman doimiysi, T - absolut temperatura. Yarimo’tkazgichdagi har bir zarra energiyasi o’rtacha energiyadan farq qiladi.Aynimagan n -yarimo’tkazgichda energiyasi W t dan kichik boimagan elektronlar konsentratsiyasi Bolsman taqsimotiga binoan quyidagiifoda bilan aniqlanadi: Undan yuqori energiyali zarrachalar soni eksponensial ravishda keskinkamayishi ko’rinib turibdi. Bu yerda n n — asosiy zaryad tashuvchilamingkonsentratsiyasi. Shunga o’xshash ifoda kovaklarni energiyalar bo'yichataqsimlanishinibelgilaydi. p – va n - yarimo’tkazgichlar kontaktga keltirilganda energiyasiyuqori bo'lgan zaryad tashuvchilar p-n o’tish orqali qo’shnisohalarga diffuziyalanish hisobiga p-n o’tishning elektr maydonigateskari yo’nalishda 10

siljiydilar. Natijada diffuziya toki I DIF hosil bo’ladi.Asosiy zaryad tashuchilaming p-n o’tish orqali diffuziyalanishi bilan birvaqtda noasosiy zaryad tashuvchilaming p-n o’tish maydoni yo’nalishidasiljishi boshlanadi. Bu maydon noasosiy zaryad tashuvchilargatezlatuvchi ta’sir ko’rsatib, dreyf tokini hosil qiladi. p-n o’tishga elektrkuchlanish berilmaganda termodinamik muvozanat yuzaga keladi, ya’nidiffuziya va dreyf toklari absolut qiymatlari teng bo’ladi. Diffuziya vadreyf toklari qarama-qarshi tomonlarga yo’nalgan boigani sababli p-n o’tish orqali tok oqmaydi, ya’ni makroskopik zaryad tashish amalgaoshmaydi (1d- rasm). p-n о ’tishning to’g ‘ri ulanishi. Agar p-n o’tishga tashqi kuchlanish U 0 berilsa, muvozanat buziladi va undan tok oqib o’ta boshlaydi.Kuchlanish manbaining musbat qutbi p - sohaga, manfiy qutbi esa n- sohaga ulansa, p- n o’tish to’g ‘ri ulangan yoki to’g ‘ri siljitilgan deb ataladi. 11

Xulosa Yarim o’tkazgichli optoelektron qurulmalar qiziqishning paydo bo’lishi sirtda yuz beradigan hodisalarning yarimo’tkazgich hajmidagi jarayonlarga, shuningdek, ko’pchilik yarimo’tkazgichli asboblar ishiga ta’siri aniqlanganligi bo’ldi. Hozirda yarimo’tkazgichlar elektronikasida kichik hiijnili tranzistor, sig'im, induktivlik va boshqa elementlarni ko’p miqdorda o’z ichiga olgan integral mikrosxemalardan iborat bo’lgan luzilmalar keng miqyosda ishlab chiqarilishi, ularning turli sohalarga (kompyuterlar, televizorlar, aloqa va energetik qurilmalar) joriy qilinislii yarimo’tkazgichlar sirti fizikasini astoydil o’rganish masalasini dolzarb qilib qo’ymoqda, chunki qo’llaniladigan yarimo’tkazgich clcmentlaf hajmining tobora kichrayib borishi ular sirtining ahamiyatiiii kundan kunga oshirmoqda Yarimo’tkazgich kristalining sirtida uzuq (diskret) va uzluksiz ruvishda taqsimlangan energetik sathlar tizimi mavjud. Ularning kelib chiqish sabablari turlicha. Biz quyida ularni ayrim-ayrim ko’rib chiqamiz. Sirtdagi mahalhy energetic athlar va ulardagi sirtdagi zaryadi sirt yuqinida energiya sohalarini egadi. Bu esa kristallar elektr o’tkazuvchanligini, chiqish ishini, fotoelektrik xossalarini o’zgartirib yuboradi. Yarimo’tkazgichlar sirti ta’sirini o’rganish ko’pgina hodisalami aniqInshga yordam beradi. Sirtning holati kristall hajmida sodir bo’ladigan jarayonlar qanday bo’lishini ko’rsatadi. 12

Adabiyotlar: 1. Ф.Ф.Волькенштейн. Ф и зи ко-хи м и я поверхности п олупроводников. М., «Наука», 1973. 2. В.Н.Овсюк. Поверхностные состояние в полупроводники. Новосибирск, из-во Новосибирского ГУ, 1980. 3. Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. И., «Наука», 1987. 4. ХДункен, В.Лыгин. Квантовая химия адсорбции на поверхности твердых тел. И., «Мир», 1980. 5. Б.И.Болтакс. Д иффузия в полупроводниках. М., из-во «Физматгиз», 1961. 9. A . Teshaboyev , S . Zaynobiddinov , E . A . Musayev . Yarimo ’ tkazgichli asboblar texnologiyasi . Т., «Talqin», 2006. 6. А.Боонстра. Поверхностные свойства германия и кремния. М., «Мир», 1970 Л.В.Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М., «Наука», 1971. 13

O'xshashlar

Ehtimollar nazariyasidan elementlar ma’lumotlar. Tasodifiy voqealar va hodisalar

Metallarning klassik nazariyasi. Vakuumda elektr toki. Termoelektrik hodisalar

p-n o’tish xususiyatlari

Yarim o’tkazgichli asboblar

Qarshilik termometrlari. Logometrlar