Yarim o’tkazgichli asboblar - Fizika - Referatlar

Yarim o’tkazgichli asboblar

Yuklangan vaqt:

20.09.2019

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

508 KB

Ko'chirib olish

Yarim o’tkazgichli asboblar Reja: a) Qattiq jismlarni elektr o’tkazuvchanligi b) p-n o’tish hodisasi v) Potentsial to’siq g) Yarim o’tkazgichli diod va bosh…. d) Yarim o’tkazgichli tranzistorlar Xulosa

Qattiq jismlar o’zlarining elektr o’tkazuvchanlik xususiyatlariga ko’ra o’tkazgichlar, dielektriklar va yarim o’tkazgichlarga ajratiladi. -O’tkazgichlar guruhiga metallar va elektr o’tkazuvchanligi 10 5 -10 6 Om - 1  sm -1 bo’lgan materiallar kiradi. -Elektr o’tkazuvchanligi 10 -10 -10 -15 Om -1  sm -1 tartibda bo’lgan jismlar dielektriklar yoki izolyatorlar guruhini tashkil etadi. -Yarim o’tkazgichlar guruhiga esa elektr o’tkazuvchanligi 10 5 -10 -10 Om - 1  sm -1 tartibda bo’lgan barcha materiallar kiradi. Yarim o’tkazgichlarning elektr o’tkazuvchanlik xususiyati metallarnikidan sifat jihatdan farq qiladi. Ular quydagilar. а) Oz miqdordagi aralashmaning o’tkazuvchanlikka kuchli ta‘sir etishi; b) o’tkazuvchanlik harakteri va darajasining temperaturaga bog’liqligi; v) o’tkazuvchanlikning tashqi kuchlanishga kuchli bog’liqligi. Yarim o’tkazgich materiallariga kimyoviy elementlar - germaniy va kremniy, kimyoviy birikmalar, metall oksidlari (oksidlar), oltingugurt birikmalari (sulfidlar), selen birikmalari (selenoidlar) kiradi. Kimyoviy sof yarim o’tkazgich kristalida elektron kovak juftining hosil bo’lishi asosida ikki xil o’tkazuvchanlik - elektron va kovak o’tkazuvchanligi mavjud bo’lib, ularning miqdori bir-biriga tengdir. Yarim o’tkazgichning elektron o’tkazuvchanligi n- tur o’tkazuvchanlik ( negative - manfiy so’zidan olingan) kovak o’tkazuvchanligi esa, p- tur o’tkazuvchanlik ( positive - musbat so’zidan olingan) deb ataladi.Ular birgalikda yarim o’tkazgichning xususiy o’tkazuvchanligi deyiladi. Asosiy o’tkazuvchanligi elektron o’tkazuvchanlikdan iborat bo’lgan kristal n- tur kristall yoki yarim o’tkazgich deyiladi. Margumushga o’xshash o’z valent elektronlarini bog’lanishga beruvchi begona element donor modda yoki oddiy donor deb ataladi.

Asosiy o’tkazuvchanligi kovak o’tkazuvchanlik bo’lgan yarim o’tkazgich p- tur yarim o’tkazgich deb ataladi. Uni hosil qiluvchi begona modda aktseptor deyiladi. p-n o’tish hodisasi Yarim o’tkazgichli asboblarning ishlash printsipi р-n o’tish degan hodisaga asoslangandir. U o’tkazuvchanliklari turlicha bo’lgan yarim o’tkazgichni kontaktga keltirish natijasida hosil bo’ladi. Lekin bunda yarim o’tkazgichlarning mexanik kontakti р-n o’tishni hosil qilmaydi, chunki ular orasida ideal kontakt hosil qilish mumkin emas. Shuning uchun yagona yarim o’tkazgich kristali olinib shartli ikki bo’lak deb qaraladi va ularda turli ishorali o’tkazuvchanlik hosil qilinadi. Shartli bo’laklar orasidagi yupqa qatlam kontakt sohasi deb qaraladi. p-n o’tish hodisasini sifat jihatdan ko’rib chiqaylik. Faraz qilaylik, germaniy (yoki kremniy) monokristalida turli ishorali o’tkazuvchanlik hosil qilingan bo’lsin. Oson bo’lishi uchun donor va aktseptor moddalarning miqdorini bir xil deb hisoblaymiz. Unda turli ishorali tok tashuvchilarning miqdori ham teng bo’ladi (1a-rasm).

1-rasm. p-n o’tishning hosil bo’lishi. p-n o’tishning hosil bo’lishining: a- turli o’tkazuvchanlikli yarim o’tkazgichlar kontakti, b- tok tashuvchilar taqsimoti ( N р , N e - asosiy va n р , n e - asosiy emas); v- kontakt potentsiallar farqi; g- elektr maydon kuchlanganligining taqsimoti. Kontaktga keltirishning boshlangich vaqtida p- sohadagidan, n- sohadagi elektronlar miqdori p- sohadagidan katta bo’ladi (1b-rasm). Shuning uchun kontakt sohasida tok tashuvchilar diffuziyasi vujudga keladi. Bunda n- sohadagi elektronlar p- soha tomon, p- sohadagi kovaklar esa n- soha tomon ko’chadiki unga bir xil ishorali zaryadlarning o’zaro itarilishi yoki turli ishorali zaryadlarning o’zaro tortishishi sabab bo’lmaydi. Diffuziya hosil bo’lishining asosiy sababi kontakt sohasidagi tok tashuvchilar kontsentratsiyasining turlicha bo’lishidir.

n- sohadan p- sohaga elektronlarning siljishi natijasida kontakt chegarasida musbat zaryadli atomlar-ionlar qoladi. Ular musbat qo’zg’almas zaryadlarining kontsentratsiyasi ortiqcha bo’lishiga olib keladi. Natijada bu soha elektronlarga kambag’al bo’lib qoladi. Xuddi shunday jarayon natijasida p- sohada ( - ) zaryadlar kontsentratsiyasi ortib, soha kovaklarga kambag’al bo’ladi. Kontakt sohasida bunday kambag’allashgan sohaning vujudga kelishi kondensator qoplamalariga o’xshash turlicha zaryadga ega bo’lgan ikki qatlamni hosil qiladi. Natijada u potentsiallar ayirmasi φ к va maydon kuchlanganligi kE bo o’lgan elektr maydonini hosil qiladi (1v-1g-rasm). Zaryadlarning kuchishi elektr maydon kuch chiziqlari bo’yicha bo’lgani uchun unga dreyf toki deyiladi. Diffuziya toki bilan dreyf toki tenglashganda muvozanat hosil bo’ladi. U dinamik muvozanat deyiladi (tok tashuvchilarning soni o’zaro teng bo’ladi). Kontakt sohasidagi zaryadlarga kambag’al bo’lgan soha yarim o’tkazgichning kovak va elektron o’tkazuvchanlikka ega qatlamlarini bir-biridan ajratib turadi. Bu qatlam to’siq qatlam deb, hosil bo’lgan potentsiallar ayirmasi esa potentsial to’siq deb ataladi. Ko’rib o’tilgan jarayonda р-n o’tish hodisasi yuzaki tushuntirildi. Lekin uni zonalar nazariyasi asosida aniq bajarish mumkin. Potentsial to’siqning tashqi manba ta’sirida o’zgarishini, ya’ni p-n o’tishning volt-amper xarakteristikasini aniqlaymiz. p-n o’tishga tashqi manba ulansa, potentsial to’siqning balandligi o’zgaradi va tok tashuvchilarning dinamik muvozanati buziladi. Natijada diffuziya va dreyf toklarining muvozanati ham buzilib natijaviy tokning kattaligi tashqi manbaning kuchlanishiga bog‘liq bo’lib qoladi. Bu bog‘lanishning analitik hisoblab, grafikda tasvirlash mumkin. Uni p-n o’tishning volt-amper xarakteristikasi deb ataladi. Volt-amper xarakteristikasini aniqlashda oson bo’lishi uchun tashqi manbaning kuchlanishi faqat kontakt sohasiga qo’yilgan deb qaraladi, ya’ni yarim o’tkazgich hajmdagi potentsial tushuvchi hisobga olinmaydi. Birinchi holda tashqi manbani shunday ulaylikki uning hosil qilgan maydon kuchlanganlik vektori p-n o’tishning xususiy maydon kuchlanganligi vektori bilan mos tushsin. Buning uchun manbaning musbat qutbi n -soha kontaktiga, manfiy

qutbi esa p -soha kontaktiga ulanishi kerak. Bunda natijaviy maydon kuchlanganligi ortadi, ya’ni potentsial to’siq kattalashib, asosiy tok tashuvchilarning harakati yanada qiyinlashadi. Shuning uchun manba kuchlanishi ortishi bilan asosiy tashuvchilarning potentsial to’siqni yengib o’tish ehtimolligi kamayadi va diffuzion tok nolga kamayadi. Lekin asosiy bo’lmagan tok tashuvchilar uchun maydonning tezlantiruvchi ta’siri ortadi va ular kontakt sohasini kesib o’tishda davom etadi. Hosil bo’ladigan dreyf tokining kattaligiga bog‘liq bo’lmay asosiy tok tashuvchilarning miqdori bilan belgilanadi. Vaqt birligi ichida hajmda hosil bo’ladigan asosiy bo’lmagan tok tashuvchilar soni o’zgarmas bo’lgani uchun potentsial to’siqning ortishi faqat ularning tezligini oshirib, sonini o’zgartira olmaydi. Shunga ko’ra dreyf tokining ortishi uchun biror sababga ko’ra yangi asosiy bo’lmagan tok tashuvchilar hosil bo’lishi kerak. Aks holda u to’yingan bo’ladi. Bunda hosil bo’ladigan tok teskari tok qo’yilgan kuchlanishni esa teskari kuchlanish deb ataladi. Demak teskari ulanishda p-n o’tishning qarshiligi yetarlicha katta bo’ladi. Uni teskari o’tish qarshiligi deb ataladi. Manbaning qutblarini almashtiraylik, ya’ni p -sohaga musbat, n -sohaga manfiy qutb ulansin. Bunda kontakt sohasida tashqi manba hosil qilgan maydon kuchlanganligi vektori p-n o’tishning xususiy maydon kuchlanganligi vektoriga qarama-qarshi yo’nalgan bo’ladi va natijaviy maydon kuchlanganligi kichrayadi. Bu potentsial to’siqning kichrayishiga olib keladi va diffuziya toki ortadi. Bunday ulanish to’g‘ri ulanish deb ataladi. Hosil bo’ladigan tok to’g‘ri tok p-n o’tish qarshiligi esa, to’g‘ri ulanish qarshiligi deyiladi. p-n o’tishda hosil bo’ladigan natijaviy tok qo’yidagicha ifodalanadi. )1 (0   kt eu e I I I 0 -teskari tokning to’yinish qiymati, U -tashqi manba kuchlanishi, e -elektron zaryadi.

2-rasmda tashqi manba kuchlanishiga qarab diffuziya tokining o’zgarish grafigi tasvirlangan. Uni p-n o’tishning volt-amper xarakteristikasi deb ataladi (unda tok o’qining darajala nishi bir xil emas. Teskari tok o’qining darajalanish qiymati bir necha marta kattalashtirilgan. Chunki to’g‘ri tok mA da, teskari tok esa  kA da o’lchanadi). Demak, p-n o’tish tokni bir tomonga afzal o’tkazish– ventil xususiyatiga ega.

Savollar : 1. Qattiq jismlar qanday xususiyatlarga ega? 2. Yarim o’tkazgichli materiallarga qanday kimyoviy elementlar kiradi? 3. n- turli yarim o’tkazgichni tushuntiring? 4. р- turli yarim o’tkazgichni tushuntiring? 5. р-n o’tish hodisasini tushuntiring ? 6. р-n o’tish volt-amper xarakteristikasini tushuntiring?

Adabiyotlar: 1. Ma’ruzalar matni. 2. Nigmatov K. Radioelektronika asoslari. T., 1994. 3. Qo‘yliyev B.T. Tabiatning fizik xossalari bitmas-tuganmasdir. Qarshi, 2005. 4. Гершунский Б.С. Основи электроники и микроэлектроники. М., 1990. 5. Манаев Э.И. Основи радиоэлектроники. М., 1989. 6. Молчанов А.П., Занадворов П.Н. Курс электроники и радиотехники. М., Наука, 1976 . 7. Степаненко И.П. Основи теории транзисторов и транзисторних схем. М., Энергия, 1977 . Qо‘shimcha adabiyotlar : 1. Жеребсов И.П. Основи электроники. М. Энергоатомиздат 1989 г. 2. Гусев В.Г., Гусев Ю .М Электроника. М.1991 г.

O'xshashlar

Yarim o‘tkazgichli asboblar

Yarim o’tkazgichli diodlar va triodlar

Oddiy yarim o‘tkazgichli elementlar. Yarim o‘tkazgichli diodlar

Teleskopga o’rnatilgan qo’shimcha asboblar

O‘tkazgichlar, dielektriklar va yarim o‘tkazgichlar