Ярим ўтказгич материаллар - Energetika - Referatlar

Ярим ўтказгич материаллар

Yuklangan vaqt:

22.11.2022

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

430.0966796875 KB

Ko'chirib olish

Ярим ўтказгич материаллар Режа: 1. Асосий хоссалари 2. Ярим ўтказгич материаллар

3. Асосий хоссалари Электр ўтказувчанлиги жиҳатидан ярим ўтказгичлар металл ўтказгичлар билан диэлектриклар ўртасидаги оралиқ ўринни эгаллайди. Масалан, ўтказгичларнинг солиштирма электр қаршилиги 10 -6 —10 -4 Ом·см, ярим ўтказгичларники 10 -4 —10 -9 Ом·см, диэлектрикларники эса 10 -10 —10 -20 Ом·см га тенг. Барча металл ўтказгичларда температура кўтарилиши билан электр қаршилик ортади, ярим ўтказгичлар ва диэлектрикларда эса камаяди. Ўтказгичларда жуда кўп миқдорда эркин электронлар бўлиб, уларнинг бир томонга йўналган ҳаракати ўтказувчанлик токини ташкил этади, ярим ўтказгичларни фақат Кюри нуқтасига* қадар сақлаб туради. Таркиби жиҳатдан турлича бўлган ферритларда Кюри температураси кенг чегарада: 45 дан 950°С гача ўзгаради. Доимий магнитлар тайёрлаш учун магнит қаттиқ ферритлардан фойдаланилади, улардан энг кўп ишлатиладигани барий ферритларидир ВаО·6Ғе 2 О 3 . Магнит юмшоқ ферритлардан фарқ қилиб, барий ферритлар кубсимон эмас, балки гексагонал кристалл структурали бўлади. Гексагонал кристалл структурада коэрцитив куч катталиги сабабли барий ферритлар магнит қаттиқ бўлади. Барий ферриглар структураси жиҳатидан полли кристалл материаллар бўлиб, жуда кўп кристалл заррачалардан таркиб топган. Бунда кристалл заррачалар ихтиёрий ориентацияланган бўлади, бу эса ферритнинг хоссалари барча йўналишларда бир хил бўлишига олиб келади. Бундай ферритлар изотроп (БИ маркали) бўлади. Агар магнитларнн преслаш жараёнида кукунсимон массага кучланганлиги катта (Н≈800 А/м) бўлган ташқи магнитавий майдон таъсир эттирилса, кристалл заррачалар бир йўналишда ориентацияланади. Бундай тайёрланган барийли магнитлар анизотроп (БА маркали) бўлади. Печларда пиширилган ва магнитланган тайёр ҳолдаги бу магнитлар магнитавий характеристикаларининг даражаси анча юқори бўлади (16-жадвал). Жадвалдан кўриниб турибдики, барийли, ферритлардан тайёрланган магнитларн инг солиштирма қаршилиги катта бўлади, бу эса уларни юқори частоталар соҳасида ишлатишга имкон беради. Яхшироқ фойдаланиш учун барийли магнитлар узунлиги кесимидан кичик бўладиган шаклда тайёрланади. 14- жадвал Барийли ферритларнинг асосий характеристикалари** Ферритнинг белгиси Зичлиги, г/см 2 Коэрцитив куч, А/м Қолдиқ индук- ция, Т Солиштирма электр қарши-лиги, ом.м Кюри температураси ºС 1БИ1 4,5 (128- 144)·10 3 0,2-0,22 10 3 450 2БА1 5,0 (185- 232)·10 3 0,3-0,35 10 3 450 *Магнит материаллар ўзининг магнитавий хоссаларини сақлаб қоладиган чегаравий температура. Барийли ферритлар характеристикаларининг барқарорлиги билан ажралиб туради, лекин температуранинг кескин ўзгаришларига сезгир бўлади. Улар осон топиладиган кукунсимон материаллардан (темир Ш)-оксид Ғе 2 О 3 ва барий карбонат ВаСО з дан) керамика технологияси методлари билан тайёрланади. Барийли ферритлардан ясалган магнитлар темир-никель алюминий қотишмаларидан ва бошқа металл материаллардан ясалгап магнитларга қараганда анча арзон бўлади.

Мўртлиги ва уларга фақат шлифовка йўли билангина ишлов бериш мумкинлиги барча ферритларнинг камчилигидир. Ферритлар магнитли ярим ўтказгичлар ҳисобланади, бинобарин, температура кўтарилиши билан уларнинг солиштирма қаршили ги камаяди, бу эса уюрма токларга бўлган исрофларни оширади. Ярим ўтказгичлар электр ўтказувчанлиги жиҳатидан металл ўтказгичлар билан диэлектриклар орасидаги оралиқ ўринда туради. Масалан, металл ўтказгичларнинг солиштирма ўтказувчанлиги 10 6 -10 8 см/м бўлса, ярим ўтказгичларники 10 -8 – 10 6 См/м, дтэлектрикники эса 10 -18 – 10 -8 См/м ни ташкил этади. Бундан ташқари, ҳамма металл ўтказгичлар температура ортиши билан ўзининг ўтказувчанлигини камайтиради, диэлектриклар эса орттиради. Ўтказгичлар таркиби жуда кўп миқдорда эркин электронлар мавжуд, соф ярим ўтказгичларда эса бундай электронлар кўп эмас. Бунга сабаб шуки, ярим ўтказгичлардаги валент электронлар ўз атомлари билан боғланган, яъни эркин эмас. Ярим ўтказгичларнинг яна бир хусусияти – улардан ўтувчи ток миқдори ташқи таъсирлар: қизиш, нурланиш ва аралашмалар кўшилиши таъсирида катта оралиқда ўзгариши ва ҳосил бўлиши мумкин. Бу ярим ўтказгичдаги валент электронлар энергиясини кўпайтиради, электронларни уз атомларида ажралишларига имкон беради ва қўйилган ташқи кучланиш таъсирида йўналишли кўчишга олиб келади, яъни улар ток ташувчи бўлиб қолиши мумкин. Ярим ўтказгич температураси қанча юқори ёки унга тушаётган нурланиш қанча кучли бўлса, унда эркин электронлар шунча кўп, демак, ундан ўтувчи ток шунча кўп бўлади. Натижада ярим ўтказгичда электрон ўтказувчанлик ёки n тип электр ўтказувчанлик пайдо бўлади. Бунда озод бўлган электронлар ярим ўтказгичнинг уз атомларига тегишли, шу сабабдан бундай электр ўтказувчанлик хусусий ўтказувчанлик деб аталади. Электронини йўқотган ярим ўтказгич атомлари мусбат зарядланган ионларга айланади, улар ўз уринларида маҳкам тураверади ва кўча олмайди. Атомнинг электрон ташлаб кетган ташқи орбитасидаги жой тешик деб аталади, унга қўшни атомдан ажралиб чиққан бошқа электрон келиб ўтириши мумкин. Электроннинг бундай сакраб юриши натижасида қўшни атомда ҳам шундай тешик ҳосил бўлади, яъни у атом мусбат зарядланган ионга айланиб колади. Агар ярим ўтказгичга электр кучланиши қўйилса, электронлар бир йўналишда бир атомдан бошқа атомга кўча бошлайди, тешиклар эса унга қарама-қарши йўналишда пайдо бўла бошлайди. Тешикларни электронга тенг миқдорда мусбат зарядланган заррача деб атом қабул қилинган. Тешикларнинг электронлар кўчишига қарама-қарши йўналишда туйилма кўчиши тёкиш токи деб аталади. Ярим ўтказгичнинг тешик токи билан боғлик бўлган электр ўтказувчанлиги тешикли ўтказувчанлик ёки Р тип ўтказувчанлик деб аталади. Шундай қилиб, электронларнинг бир томонга, тешикларнинг қарама-қарши томонга кўчиши ярим ўтказгичнинг хусусий электр ўтказувчанлиги белгилайди, чунки ток ташувчилар (электронлар ва тешиклар) ярим ўтказгичнинг ўз атомларига тегишлидир. Бу ҳолда умумий ток I э ва тешик ток I т лар йиғиндисидан ташкил топади, яъни I = I э + I т

Ярим ўтказгич хусусий электр ўтказувчанликка эга бўлса, электронлар сони N э ва тешиклар сони N т тенг бўлади. Бироқ I э > I т чунки электронларнинг ҳаракатчанлиги тешикларникидан юқори. Ток ташувчининг ҳаракатчанлиги электроннинг кўчиш тезлиги υ э ёки тешикнинг кўчиш тезлиги υ т нинг ярим ўтказгичдаги электр майдон кучланганлиги Е га нисбатидан иборат. У ҳолда электроннинг ҳаракатчанлиги μ э = υ э /Е; тешикнинг ҳаракатчанлиги μ т = υ т /Е. Шундай қилиб, ҳаракатчанлик электрон ёки тешик Е = 1 В/см да 1 с вақт ичида қанча йўл ўтишини кўрсатади. Баён қилинганларни назарда тутиб электрон ва тешик токлари учун ушбу ифодаларни ёзиш мумкин: I э = N э еυ э = N э еμ э Е; I т = N т еυ r = N т еυ т Е; бу ерда е – электрон ёки тешикнинг заряди; Е – электр майдон кучланганлиги. Ярим ўтказгичдан ўтадиган умумий ток: I = I э + I т ёки I = N э еυ э + N т еυ т = N э еμ э Е + N т еμ т Е. Ярим ўтказгич хусусий электр ўтказувчанликка эга бўлганда электронлар сони тешиклар сонига тенг бўлади, яъни N э = N т = N у ҳолда (8) ифодани ёзиш мумкин: I = Ne (μ э + μ т ) Е Ярим ўтказгичли тўғрилагичлар яратиш учун n тип ёки р тип электр ўтказувчанликли ярим ўтказгич материаллар талаб қилинади. Шу сабабли таркибида 10 -9 – 10 -11 (массаси бўйича % ҳисобида) аралашма бўлган ярим ўтказгич яхшилаб тозаланади, унга тегишли легирловчи аралашма киритилади. Ярим ўтказгични электрон билан таъминлайдиган легирловчи аралашмалар донор аралашмалар ёки қисқача донорлар деб аталади. Ярим ўтказгич атомларига нисбатан кичик валентли аралашма атомлари ўзига электронларни қўшиб олиш кобилиятига эга; бундай аралашмалар акцептор аралашмалар ёки қисқача акцепторлар деб аталади. Электрон электр ўтказувчанликка эга бўлган ярим ўтказгич олиш учун унинг таркибига валентлиги бу асосий элемент атомлари валентлигидан битта кўп бўлган модда атомлари киритилади. Масалан, тўрт валентли атомлардан ташкил топган германий Ge элементига беш валентли донор аралашма – сурьма Sb ёки фосфор Р киритилади. Киритилган аралашманинг атомларидаги тўртта электрон асосий ярим ўтказгич атомларидаги тўртта электрон билан тўртта ковалент жуфт боғланишни юзага келтиради, бешинчи электрон эса бундай боғланишсиз колади. Демак, бу электронни қўйилган кучланиш таъсирида эркин электронга айлантириш осон, у ярим ўтказгичда электрон токини ҳосил қилишда иштирок этади. Расмдан кўриниб турибдики, асосий ток ташувчилар n тип электр ўтказувчанликка сабаб бўлувчи электронлардир. Уч электрон ва унга мос тешик германий атомини ионлаштириш натижасида ҳосил бўлган. Бу ток ташувчилар ярим ўтказгичнинг хусусий ўтказувчанлигига сабаб бўлади. Ярим ўтказгичдаги умумий ток электрон ва тешик токларнинг йиғиндисига тенг, бироқ электрон токи тешик токидан бир неча карра кўпдир. Агар германий таркибига бирор акцептор аралашма, масалан, бор В элементи атомлари киритилса, аралашманинг ҳар бир атоми германийнинг мос атомлари билан учта ковалент боғланиш ҳосил қилади. Бироқ борнинг ҳаммаси бўлиб учта валент электрони мавжуд бўлгани сабабли германийнинг фақат учта қўшни атоми билан шундай боғланиш ўрнатиш мумкин. Германийнинг тўртинчи атоми билан боғланиш ўрнатиш учун борнинг бошқа электрони йўқ. Шундай қилиб бир нечта германий атомида биттадан электрон ковалент боғланишсиз қолади. Энди бу электронлар ўз ўрнини ташлаб кетиши учун ва германий атомида тешиклар ҳосил қилиши учун унча катта бўлмаган ташқи энергетик таъсир кифоя. Бор атомлари қамраб олган 2,

4 ва 6 буш электронлар ярим ўтказгичда электр токини юзага келтирмайди. Германий атомларида ҳосил бўлган 1 ,3 ва 5 тешиклар эса қўшни атомлардан электронлар келиб ўтиришига имкон беради, у ерда ўз навбатида янги тешиклар ҳосил бўлади. Шундан қилиб, ҳосил бўлган мусбат зарядланган тешик германийнинг бир атомидан иккинчисига, ундан эса бошқасига ўтиб юради. Қўйилган ташқи кучланиш бу ҳаракатни тартибга солиб туради, яъни ярим ўтказгичда аралашмада тешик токи пайдо бўлади, натижада электр ўтказувчанлик юзага келади. Р тип ярим ўтказгичда германий атомларидан унча кўп бўлмаган миқдорда эркин электронлар ва тешиклар жуфти қолган бўлади. Демак, хусусий электр ўтказувчанлик ҳам мавжуд. Ярим ўтказгичдаги умумий ток аввалгидек электрон ва тешик токларнинг йиғиндисига тенг, бунда тешик токи электрон токидан анча катта бўлади. Расмда акцептор аралашмали ярим ўтказгичда тешиклар ва электронлар схемаси тасвирланган. Бу схемадан мусбат зарядли зарралар (тешиклар) электронларга нисбатан анча кўп экани кўриниб турибди. Қараб чиқилган мисоллар шуни кўрсатадики, аралашмалар ярим ўтказгичларнинг электр ўтказувчанлигини оширар экан. Ярим ўтказгичлардаги электронлар ва тешиклар қўйилган кучланиш таъсирида кўчаётиб турли тўсиқларга дуч келади. Бунда улар ўзларининг бир қисм энергияисни йўқотади ва ўз йўналишидан оғади, яъни ток ташувчилар сочилади. Бунга асосий сабаб аралашмада турли бегона кўшилма – киришмаларнинг мавжудлигидир. Ярим ўтказгич қанча яхши тозаланган бўлса, ток ташувчилар шунча кам сочилади ва электронлар ҳамда тешикларнинг ҳаракатчанлиги шунча юқори бўлади. Температура ортган сари барча ярим ўтказгичларнинг ток ўтказувчанлиги, ярим ўтказгичга қанча кўп донор ёки акцептор аралашма киритилган бўлса, шунча тез ўсади. Ярим ўтказгичда Т 1 температурагача аралашма электр ўтказувчанлик кузатилади. Т 1 – Т 2 температуралар оралиғида ярим ўтказгичнинг ўтказувчанлиги бирмунча камаяди. Бунга сабаб эркин электронлар ва тешикларнинг кўчишига ҳалақит берувчи атомларнинг жадал иссиқлик тебранишларидир. Температура бундан (Т 2 дан) ортганда ярим ўтказгичда хусусий электр ўтказувчанлик ортиб боради ва янги электронлар ва тешиклар пайдо бўлиб, уларнинг йўналишли кучини ярим ўтказгич токини ортишини юзага келтиради. Шу муносабат билан ярим ўтказгичнинг солиштирма ўтказувчанлиги кескин ортиб кетади.Iд Iэ + I T2 T1 1/T 2 1

Расмдаги эгри чизиқ 2 Т1 – Т2 температуралар оралигида юқори даражада легирланган ярим ўтказгич ўтказгичининг камайишини кўрсатмайди. Бунга сабаб аралашма электронлар ва тешиклар жуда кўп миқдорда ярим ўтказгичга кириб келади. Бу аралашма ток ташувчиларнинг иштироки ярим ўтказгич ўтказувчанлигининг бу температуралар орали ғида барқарор бўлишини таъминлайди. Абсолют ноль (-273°С) температурада электронлар кўчмайди, шунинг учун ярим ўтказгич диэлектрик бўлиб қолади. Ток кучининг қўйилган кучланишга ночизиқли боғланиши; ярим ўтказгичларнинг ўзига хос хусусияти ҳисобланади, яъни ток I кучланиш U га нисбатан жуда тез ортади. I ток ортиши билан ярим ўтказгичнинг R электр қаршилиги кескин камаяди. Кучланиш +U дан –U га ўзгарганида ярим ўтказгичдаги ток тескари йўналишда ўтади ва шундай қонун бўйича ўзгариб боради. Демак, ярим ўтказгич симметрик вольт-ампер характеристикасига эга. Агар ярим ўтказгич ҳажмининг бир қисми электронли электр ўтказувчанликка, ҳажмининг иккинчи қисми эса тешикли электр ўтказувчандикка эга бўлса, у ҳолда ярим ўтказгич шу бўлакларнинг чегараси электрон тешикли ўтиш ( p-n ўтиш) дан иборат бўлиб у носимметрик вольт-ампер характеристикасига эга. Бу холат ток бир йўналишда ўтганда p – n ўтишнинг электр қаршилиги жуда кичик бўлиб, ток тескари йўналишда ўтганда жуда катта бўлади. Ҳар хил турдаги электр ўтказувчанли ярим ўтказгич системасида турли йўналишда ўтаётган ток турлича бўлади. Бунда I туг тўғри ток қўйилган кучланиш ортиши билан жуда тез ортади. Бу системага U кучланиш берилганда, дастлаб шу система орқали I тес тескари йўналишдаги ток амалга ўтмайди. Тескари кучланиш оширилиши билан оз миқдорда тескари ток пайдо бўлади. Шундай қилиб, электр ўтказувчанлиги ҳар хил бўлган ярим ўтказгичнинг икки соҳадан иборат системаси тескари йўналишдаги токни ўтказмайди. Ярим ўтказгичларнинг бу хоссасидан ярим ўтказгичли тўғрилагичларда кенг фойдаланилади. Шундай системага жуда катта тескари кучланиш қўйилганда, p – n ўтиш соҳасида электр тешилиш ( пробой) юз бериши мумкин. Шу системага ўзгарувчан кучланишли иккита ярим ўтказгич уланганда, p – n ўтиш унга ўзгарувчан кучланишнинг битта ярим тўлқини қўйилгандагина ток ўтказади. Ярим ўтказгичларнинг p – n ўтиш ўтиш ҳосил қилиш ҳусусиятини батафсилроқ кўриб чиқайлик. Иккита ярим ўтказгичдан иборат системага ташқи кучланиш қўйилмаганда n турдаги ярим ўтказгичда электронларнинг катта концентрацияси, р турдаги ярим ўтказгичларда эса, тешикларнинг катта концентрацияси мавжуд бўлади. Ундан ташқари иккала ярим ўтказгичда оз миқдорда асосий бўлмаган ток ташувчилар бўлади: n – турдаги ярим ўтказгичда оз миқдорда тешиклар, р – турдаги ярим ўтказгичда эса, электронлар бўлади. Иккита ярим ўтказгични, масалан, бирини иккинчисига суюқлантириб киритиб ўзаро зич бириктирилса, n турдаги ярим ўтказгичдаги электронлар концентрациялари жуда кам бўлган р турдаги ярим ўтказгичда диффузияланади. Айни вақтда р ярим ўтказгичдаги тешиклар концентрациялари жуда оз бўлган n ярим ўтказгичга ўта бошлайди (диффузияланади). Тешиклар ва электронларнинг бу ўзаро диффузияси натижасида n ярим ўтказгичнинг чегаравий

қатламидаги электронлар концентрацияси камаяди ва у ерда тешиклар пайдо бўлади. Бунда р ярим ўтказгичнинг чегаравий қатламида тешиклар концентрацияси камаяди; бу қатлам электронлар билан тўлади. Шундай қилиб 1 ва 2 электродларга ташқи кучланиш берилгунга қадар икки ярим ўтказгич чегарасида қўш электр қатлами ҳосил бўлади. Натижада бу ерда қўш электр қатламидаги манфий зарядлар томонига йўналган Е 0 кучланганликни махаллий (контакт) электр майдони ҳосил бўлади. Иккита ярим ўтказгичдан иборат системага расмда кўрсатилгандек ташқи кучланиш қўйилганда, ташқи манбанинг Е т кучланганлиги мавжуд контакт майдоннинг Е 0 кучланганлигига тенг бўлса, n ярим ўтказгичдаги электронлар ва р ярим ўтказгичдаги тешиклар 1 ва 2 электронлар томон силжийди. Натижада p – n ўтишдаги р ярим ўтказгичнинг электронлар соҳаси ва n ярим ўтказгичнинг тешиклар соҳаси кенгаяди. Оқибатда p – n ўтишнинг электр қаршилиги жуда ортиб кетади ва ток ўтмай колади. Амалда эса, тасодифий ток ташувчиларнинг силжиши юзага келтирган кичик ток ўтади. У тескари ток (I тес ) деб аталади. Е т кучланганлик Е 0 га қарши йўналганда контакт майдон сезиларли даражада сусаяди, n – ярим ўтказгичдаги электронлар ва р-ярим ўтказгичдаги тешиклар p – n ўтиш соҳасига силжий бошлайди. Натижада беркитувчи қатлам тораяди, унинг электр қаршилиги эса, кескин камаяди. Бу ҳолда p – n ўтиш ток ўтказади. Бу ток I туг тўғри ток дейилади, унинг тўғрилагичдаги йўналишини эса тўғри ёки ўтказиш йўналиши дейилади. Тўғри ток тескари токдан кўп марта каттадир. Юқорида айтилганидек, ярим ўтказгичли вольт- ампер характеристикаси орқали баҳоланади. Унинг кўрсатишича, кичик кучланишда (2 В гача) тўғрилагич ўтказадиган тўғри ток нисбатан катта қийматларга (4 мА дан юқори) етади. Тўғрилагичга батареянинг мусбатини n – ярим ўтказгичга, манфийсини эса p – ярим ўтказгичга қилиб тескари кучланиш қўйилганда, тўғрилагич амалда ток ўтказмайди. Тескари кучланиш 200 В дан ортиши билан p – n ўтиш кичик тескари ток (микроамперлар) ўтказа бошлайди. Агар тескари кучланишни орттира бошласак, бир оз вақтдан сўнг тескари ток жуда ҳам ошиб кетади ва p – n ўтишда тешилиш бўладиган қийматга эришиши мумкин. Ярим ўтказгичли тўғрилагичларда p – n ўтиш турли электр ўтказувчанликни иккита ярим ўтказгич орасидаги қотишма контакт кўринишида ёки ярим ўтказгич пластинкаси ва ўтказгич орасидаги контакт кўринишида бажарилади. Биринчи ҳолда иккита ярим ўтказгичга қандайдир тегиш (контакт) юзаси вужудга келади (бундай тўғрилагичлар текисликсимон ярим ўтказгичлар дейилади). Иккинчи ҳолда ўлчами 2Х2 мм бўлган ярим ўтказгич (германий ёки кремний) пластинкаси ингичка металл симнинг учига туташади (бундай тўғрилагичлар

нуқтавий тўғрилагичлар дейилади). Нуқтавий тўғрилагичларда p – n ўтиш кичик сиғимга эга бўлади ва юқори частоталарда қўлланилади. Биз ярим ўтказгичларнинг асосий хоссаларини кўриб чикдик. Энди уларнинг баъзи бир ўзига хос хусусиятлари билан танишамиз. Ёруғлик таъсирида баъзи бир ярим ўтказгичлар (масалан, селен) нинг ўтказувчанлиги кескин ўзгариши мумкин. Бунга сабаб шуки, маълум тўлқин узунлигидаги ёруғлик нурланиши ярим ўтказгич электронларига, улар эркин бўлиб қолишларига етарли миқдорда энергия беради. Натижада ярим ўтказгичнинг қаршилиги кескин камаяди. Ярим ўтказгичларнинг бу хусусиятларидан фоторезисторлар яратишда фойдаланилади. Бу асбоблар нурланиш спектрининг нафақат кўринувчи соҳасига, балки инфрақизил нурланишга нисбатан ҳам сезгирдир. Ярим ўтказгич қисман ёритилганда унинг ёритилган ва ёритилмаган қисмлари орасида фото Э.Ю.К. пайдо бўлади. Бу ходисадан электр энергияси манбалари – фото-элементлар ва Қуёш энергиясини бевосита электр энергиясига айлантира олувчи Қуёш батареялари яратишда фойдаланилади. Баъзи бир ярим ўтказгичлар (масалан, кремний) уларга бўлган босим таъсирида ўзининг электр қаршилигини кескин ўзгартиради (тензорезистор эффекти). Ярим ўтказгичларнинг бу ҳодисаларидан сезгир босим ўлчагич – тензодатчиклар тайёрлашда фойдаланилади. Агар ярим ўтказгичларда турли температурали иккита соҳа бўлса, эркин зарядлар қизиган соҳадан совуқ соҳага ўта бошлайди. Бунда, агар ток ташувчилар электронлардан иборат бўлса, улар совуқ соҳага ўтишларида уни манфий электр билан зарядлайдилар. Ярим ўтказгичнинг қизиган соҳаси электронларнинг бир қисмини йўқотиб, мусбат зарядланади. Натижада ярим ўтказгичнинг қизиган ва совуқ соҳалари орасида термо ЭЮК пайдо бўлади. Термоэлектр деб аталган бу ходиса иссиқлик энергиясини бевосита электр энергиясига айлантира оладиган термоэлементлар ва термогенераторлар яратишда қўлланилади. 4. Ярим ўтказгич материаллар Радиоэлектроникада асли ноорганик ва органик бўлган микрокристалл ва поликристалл тузилишдаги кўп сондаги ярим ўтказгич материаллардан асосан, германий, кремний, селен, кремний карбиди ва галлий арсениди қўлланилади. Бу материаллар ярим ўтказгич асбоблар ва интеграл схемалар ишлаб чиқаришда кенг ишлатилади. Кремний ва германийлар олмосникига ўхшаш тузилишга эга бўлганлиги учун олмоссимон ярим ўтказгич ҳисобланади. Бу кристалл учларида ва ёқларининг ўрталарида германий ёки кремнийнинг атомлари жойлашган кубдан иборат. Бундан ташқари атомлар, шунингдек, катта кубнинг бўлаги ҳисобланган саккизта кичик кубдан тўрттаси (октаний) нинг марказидан ҳам ўрин олган. Расмлардаги германий куб тузилишининг текисликдаги тасвири кўрсатилган эди. Шу расмлардан кўриниб турибдики, олмос туридаги тузилишда атомлар (германий ёки кремний) нинг ҳар бири ўзидан бир хил масофада жойлашган тўртта ҳудди шундай атомлар билан ўралган ва атомларнинг ҳар бири қўшни атомлар билан ковалент боғланган.

Германий – Ge Д.И. Менделеев даврий системасидаги тўртинчи гуруҳ элементи. Уни олиш учун дастлабки ҳом ашё материали бўлиб, рух ва сульфид рудалари, шунингдек, таркибида германий бўлган кўмир кукунлари хизмат қилади. Мураккаб кимёвий жараёнлар натижасида германийнинг металл қуймаси олинади, лекин хали унинг таркибида аралашма бўлганлиги ва монокристалл эмаслиги учун уни ярим ўтказгич тайёрлашда ишлатиш мумкин эмас. Бу куйма дастлаб зона бўйича суюқлантириш методи билан аралашмалардан тозаланади. Тозаланган ярим ўтказгич материалдаги аралашма миқдори германийда кўпи билан 10 -9 (массасига кўра % да) ва кремнийда 10 -11 (массасига кўра % да) бўлиши лозим. Монокристалл холидаги германий олиш учун у аввал вакуумда ёки инерт газ атмосферасида суюлтирилади. Сўнгра n ёки p турдаги электр ўтказувчанликли германий олиш учун тозаланган германий суюқланмасига донор ёки акцептор аралашма қўшилади. Кейин суюқланма ичидан берилган диаметрдаги яхлит цилиндр кўринишидаги германий монокристали маълум тезлик билан чиқариб олинади. Германий ярқироқ кумушсимон рангли бўлиб, зичлиги 5320 кг/м 3 ва суюқланиш температураси 937,2°С га тенг. Тозаланган, легирланмаган германий қуйдаги электр характеристикасига эга (20°С да): солиштирма электр қаршилиги ρ=0,60 ÷0,68 Ом·м; ε r = 16,3. Легирланган n – турдаги электр ўтказувчанликли германий ρ=0,0003÷0,45 Ом·м, р – турдаги электр ўтказувчанликли германийнинг р=0,004 ÷ 0,057 Ом · м (легирлаш даражасига қараб). Германийнинг барча хиллари юқори қаттиқликка ва мўртликка эга. Германий диодлар, фотоэлементлар ва бошқа ярим ўтказгич асбоблар тайёрлашда кенг қўлланилади. Кремний (Si) ҳам Д.И. Менделеев даврий системасининг тўртинчи гуруҳи элементидир. У табиатда кремнезем (SiO 2 ) кўринишида кенг тарқалган. У кремнийнинг техник турлариниларини олишда асосий моддалардан биридир. Кремний қуймасини зона бўйича суюқлантириш методи ёрдамида тозалаш ва ундан сўнг легирловчи аралашмалар киритиш натижасида n ёки р турдаги ўтказувчанликли (киритилган легирловчи аралашмага қараб) кремний монокристали олинади. Кремний намуналари пўлат ранг бўлади. Кремний ҳам германий каби мўртдир. Тозаланган легирланмаган кремнийнинг асосий характеристикалари (20°С да): зичлиги 2328 кг/м 3 ; суюқланиш температураси 1420°С; ρ = (2÷3) · 10 Ом·м; ε r = 11,7. легирланган n – турдаги электр ўтказувчанликли кремнийнинг р = 0,0001 ÷ 2,0 Ом·м; р – турдаги электр ўтказувчанликли кремнийники ρ = 0,00014 ÷ 0,05 Ом·м. Кремний германийга нисбатан кўпроқ ишлатилади, чунки кремний асосидаги ярим ўтказгичли асбоблар иш температурсининг чегараси 130-200°С, германий асосидаги асбобларда эса у 80- 100°С атрофида. Кремний ярим ўтказгичли интеграл схемаларда асос сифатида ишлатилади. С е л е н – Se – Д.И.Менделеев даврий системасининг олтинчи гулух элементи. Уни олишда бошланғич материал сифатида мисни электролитик тозалашдан ҳосил бўлган қолдиқ хизмат қилади. Қаттиқ селен аморф ёки кристалл тузилишга эга. Қора аморф селенни тозаланган суюқланган селендан уни хона температурасигача тез совитиш йўли билан олинган. У солиштирма қаршилиги ρ = 10 11 Ом ·м бўлган диэлектрикдир. Кул ранг кристалл селен суюқланган аморф селенни суюқланиш температураси (220°С) дан хона температурасигача аста-секин совитиш йўли билан олинади. Кристалл селен поликристалл тузилишига эга бўлган р – турдаги аралашма ярим ўтказгич ҳисобланади. Селен атомларининг занжирлари унинг кристалларининг элементар ячейкаси бўлган олти бурчакли призманинг бурчаклри бўйича жойлашган. Селеннинг асосий характеристикалари (20°С да);

зичлиги 4800 кг/м3; ρ = (0,8÷5) · 103 Ом ·м; ε r = 6,3. Селен – селен тўғрилагичлар, фотоэлементлар ва фоторезисторлар тайёрлашда ишлатилади. К р е м н и й к а р б и д и (SiC) ток ва кучланиш орасида аниқ ифодаланган чизиқли бўлмаган боғланишла поликристалл тузилишга эга бўлган мўрт материалдир. Кремний карбиди кремний ва углероднинг кимёвий бирикиши натижасида ҳосил бўлади. Кремний карбидини олишда бошланғич материал сифатида тоза кварц қум (SiO 2 ) ва тошкўмир ишлатилади. У ёки бу хилдаги аралашма (шихта) га фосфор, сурма, висмут ёки кальций, магний, алюминий ва б. киритилади. Кремний карбиди ҳосил булиш реакцияси чекли температурада (~ 2000°С) да ўтказилади. Фосфор, сурма ёки висмут билан легирланган кремний карбиди тўқ яшил рангли бўлиб, n турдаги электр ўтказувчанликка эга, кальций, алюминий ёки бор билан легирлангани эса тўқ бинафша рангли бўлиб, р турдаги электр ўтказувчанликка эга. Кремний карбидининг асосий характеристикалари (20°С да): зичлиги 3200 кг/м3; - 102 ÷ 105 Ом · м; ε r = 6,5 ÷ 7,5. Кремний карбидининг солиштирма қаршилиги кўп даражада унинг таркибига боғлиқ. Кремний карбиди аралашмали ярим ўтказгич ҳисобланади, лекин 1400°С ва ундан юқори температурада унда хусусий электр ўтказувчанлик пайдо бўлади. Кремний карбидининг суюқланиш температураси 2600°С. Кремний карбидининг энг тоза хили асосан чизиқли бўлмаган симметрик вольт-ампер характеристикасига эга ва - 50 дан + 80°С гача бўлган оралиқда ишлай олувчи варисторлар ишлаб чиқаришда қўлланилади. Варистордан автоматик бошқариш қурилмааларида фойдаланилади. Поликристалл кремний карбидини инерт газда бевосита буғга айлантириш газда бевосита буғга айлантиради (ҳайдаш) усули ёрдамида кимёвий тозалиги билан фарқ қилувчи кремний карбидининг монокристалини олиш мумкин. Улар 500°С гача бўлга иш температурасида ишлайдиган диодлар ва транзисторлар ясашда, шунингдек ёруғлик диодлари ишлаб чиқаришда ишлатилади. Галлий арсениди – GaAS мишьяк (маргимуш) билан галлийнинг бирикмасидан иборат бўлиб, монокристалл ярим ўтказгичдир. Электронлар ва тешикларнинг жуда ҳаракатчанлиги галлий арсенидининг ўзига хос хусусияти ҳисобланади. Бу хол галлий арсениди асосида юқори частоталар ва ҳароратлар соҳасида ишлай олувчи асбоблар яратишга имкон беради. p – n ўтишлар учун 300 - 400°С, яъни германий ва кремний асосида асбоблардагидан анча юқори бўлга иш температуралари белгаланиши мумкин. Галлий арсенидининг 20°С даги асосий характеристикалари: зичлиги 5400 кг/м 3 ; ρ = 10 2 ÷ 107 Ом · м; ε r = 11,2. Галлий арсенидининг суюқланиш температураси 1237ºС. Намлик ва радиация нурланиши каби ташқи таъсирлар ярим ўтказгичли асбобларнинг характеристикаларини жуда ёмонлаштиради. Шунинг учун ташқи таъсирлардан ҳимоя қилиш учун, улар герметик (металл, керамика ёки пластмасса) қобиққа (корпус) солиб қўйилади. Аморф ярим ўтказгичлар. Илгари кўриб ўтилган кристалл тузилишдаги ярим ўтказгич материаллар (германий, кремний ва б.) дан фарқли ўлароқ, аморф ярим ўтказгичлар махсус шишадан иборат. Шишасимон ярим ўтказгичлар ўзларида электрон электр ўтказувчанлик борлиги билан изоляцион шишалардан фарқ қилади. Аморф ярим ўтказгичлар учта асосий гуруҳга бўлинади: оксидли, элементли ва халькогенидли . Барқарор электрон электр ўтказувчанликка эга бўлиб, элтгичларининг ҳаракатчанлиги, фотоўтказувчанлиги ва радиацион мустахкамлиги кичик бўлган халькогенид шишаларнинг амалий аҳамияти каттарок. Улар олтингугурт, теллур, сурьма, мишьяк ва бошқалар каби икки, уч, ва ундан кўп компонентлардан иборат бўлиши мумкин. У ёки бу хусусиятини таъминлаш учун халькогенид шишаларнинг бошланғич таркибига олтин, кумуш, мис ва бошқалар киритилади. Халькогенид шишаларнинг солиштирма ўтказувчанлиги γ = 10 -21 ÷ 10 -11 Ом·м оралиқда бўлади. Халькогенид шишалар ўтказувчанлигининг температура ва частотага боғлиқлиги ҳудди кристалл ярим ўтказгичларники кабидир.

Халькогенид шишасимон ярим ўтказгичларни олиш технологиясининг соддалиги, уларнинг электр хусусиятларини бошқаришнинг енгиллиги уларнинг РЭА да кенг қўлланилишини таъминлайди.

АДАБИЁТЛАР Н.П. Богородицкий, В.В. Пасынков, Б.М. Тареев. “Электротехнические материалы”. Ленинград, Энергия, 1985.  Ю.В. КорицкийЭлектротехнические материалы”. М., Энергия, 1976.  Н.В. Никулин. “Электр материалшуносл ииги.” Тошкент, Ўқитувчи, 1981. 176 б.  Н.В. Никулин, А.С. “Назаров Радоматериаллар” ва радиокпмонентлар Тошкент 1997й.  Ш.М. Камолов, А.Ш. Ахмедов. “Матералшуносли к” Фан-Тошкент 1994йил.  Ю.В. Корицкий, В.В.Пасынков, Б.М.Тареев. “Справочники по электротехническим материалам” М., Энергия.  Е.М. Савицкий. “Металлы космической эры”.  В.Д. Саболов “Физические основы электронной техники” Изд. Высш.шк. 1997.  В.В. Крацухин, И.А.Соколов, Г.У.Кузнецов. “Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов”. М., Металлургия 1982.  А.Я. Нашельский. “Производство полупроводниковых материалов”. Учеб.пос. М.,Металлургия 1985.  А.А. Преображенский. “Теория магнетизма, магнитные материалы и элементы”. М., Энергия, 1976.  В.А. Привезенцев, И.Б. Пешков: “Обмоточные и монтажные провода”, М., Энергия, 1971.

O'xshashlar

Ўтказгич материаллар

Магнит материаллар

Электротехник материаллар классификацияси.

Электр изоляцион материаллар

Турли металлар. ( Металл материаллар )