Майдонли транзисторлар

Загружено в:

20.09.2019

Скачано:

0

Размер:

43.5 KB

Скачать

Майдонли транзисторлар Режа: 1.Майдонли транзисторлар хакида умумий маълумотлар. 2. Майдонли транзисторларнинг ишлаш принципи. 3. Майдонли транзисторларнинг турлари. 4. Майдонли шартли белгиланишлари.

Майдонли транзисторлар- чикиш токи кириш кучланиши билан бошкариладиган ярим утказгичли асбоб. Майдонли транзисторларда чикиш токига таъсир килувчи кириш кучланиши электр майдон хосил килади. Бинолар транзисторларда 2 хил асосий ва асосий булмаган заряд ташувчилар мухим роль уйнайди. Майдонли транзисторларда ток асосий ток ташувчилар ёрдамида хосил килиниб, асосий булмаган ток ташувчи заряд мухим роль уйнайди. Шу сабабли майдонли транзистор деб хам аталади. Бинолар транзисторларда чикиш токи база ёки эмиттернинг кириш токи билан бошкарилади. Унда кириш каршилиги кичик булади. Кириш каршилиги кичик булиши зарур, булган холларда бинолар транзисторни ишлатиш каршилиги катта булишини такозо килади. Майдонли транзисторларда токни бошкариш электр майдон воситасида бошкариладиган узгармас ток ва паст частотали узгарувчан токлар учун транзисторнинг кириш каршилиги жуда катта булади. Майдонли транзисторларни тайёрлаш технологияси бинолар транзисторларга биполяр транзистордан фарк килади. Икки Е i ток манбаини исток ва затвор оралигига тескари р-п утиш хосил буладиган килиб кулайлик. Натижада Р ва П-сохалар орасида мавжуд буладиган беркитувчи катлам кенгаяди. Бунда затвор сохасида зарядлар концентрацияси каналга нисбатан катта булганлигидан камбагал соханинг кенгайиши асосан канал томонга булади. Натижада ток утказувчи каналнинг кундаланг кесими камаяди ва унинг каршилиги ортади. Бу эса уз навбатида канал оркали утувчи токнинг камайишига олиб келади. Шундай килиб, затвор транзисторли бошкарув электрод булиб хизмат килади. 2. Затвори изоляцияланган майдонли транзисторлар: Бу майдонли транзисторларда затвор асосий каналдан диэлектрик билан ажратилган. Транзисторда затвор металлдан килинган булиб, ярим утказгичдан диэлектроник билан ажратилган. Шу сабабли металл диэлектрик ва ярим утказгичдан иборат структура хосил

булади. Транзисторни эса МДП транзистори деб юритилади. Купгина холларда диэлектрик сифатида оксидлардан фойдаланилади. Шунга кура баъзан транзисторни МОД транзистор хам деб аталади. Затвори изоляцияланган майдон транзисторлари 2 хилда ишлаб чикарилади. 1. Ичига канал урнатилган транзистор. 2. Индукцияланган каналли транзитор. Ичига канал урнатилган транзисторга паток ва сток оралигида диффузия усули билан п- типли канал хосил килинади. Затворга манфий потенциал берилганда каналда мусбат зарядлар индукцияланади. Ва зарядларга «камбагал» зона хосил булиб, каналнинг солиштирма каршилиги ошади. Манфий потенциал Изи.аж га етганда исток ва сток оралигидаги ток тухтайди Транзисторда урнатиладиган канал р-типли хам булиши мумкин. Бунда исток ва сток оралигидаги токни камайтириш учун затвор ва исток оралигига мусбат кучланиш берилади. Канал урнатилган –МДП транзисторлар купинча канал зарядларга камбагаллашган режимларда ишлатилади. Бу режимда ишлаган МДП транзисторининг характеристкаси р- п утишли транзисторникига ухшаш булади. Индукцияланган каналли транзисторнинг асоси катта солиштирма каршиликка эга булган р-утказувчанликли материалдан тай.рланади. Ярим утказгичнинг юкори сиртида п-утказувчанликка эга булган исток ва сток сохалари хосил килинади. Асос ва бу сохалар орасида р-п утишлар хосил булади. Исток ва сток оралигига ток манбаи кандай ишорада уланмасин, улардан бири доимо берк булади. Шу сабабли дастлабки холатда утказувчи канал булмайди. Затворга кичик микдордаги мусбат потенциал куйилса асоснинг затворга якин жойлашган сохасида манфий зарядларни индукциялайди. Кучланиш орттирила бориб, маълум бир чегаравий И зич кийматга етганда сиртига п- типли утказувчанликка эга булган инверсион катлам хосил булади. Бу катлам оркали истокдан стокка томон ток ока бошлайди. Затвордаги кучланиш ортиши билан каналнинг утказувчанлиги .ортади. Одатда И зич кучланиш I - 6Б атрофида булади.

$Транзисторда асос сифатида р- тип ярим утказгич урнига п- типли ярим утказгич олиниб, исток ва сток катламларини р- типли килиб ясалса, р- каналли транзистор хосил булади Ковакларнинг харакатчанлиги электронларнинг харакатчанлигига нисбатан кичик булганлигида р- каналли транзисторларни ишлаш тезлиги п- каналли транзисторларникига нисбатан секинрок булади. Шу сабабли р - каналли транзисторларга нисбатан п- каналли транзисторлар купрок ишлатилади. Интеграл схемаларда ишлатиладиган МДП транзисторлар бундан мустасно. Уларда бир-бирини тулдирувчи п ва р- каналли транзистор ишлатилади. Бундай МДП транзисторлар комплементлар транзисторлар деб аталади. Майдонли транзисторлар хам биполяр транзисторларга ухшаб умумий истокли / УИ/, умумий стокли /УС/ ва умумий затворли /УЗ\ схемаларда уланиши мумкин. Майдон транзисторининг эквивалент схемаси. УИ схемада уланган майдонли транзисторларини эквивалент схемасида С II п- затвор исток сигими, С I 2п- затвор окиб кетиш оралигининг утиш сигими С22и- сток оралигининг чикиш сигими: Кам кувватли майдонли транзисторларда атрофида булади. Майдонли транзисторларнинг частота хусусиятлари заряд ташувчиларнинг харакат тезлиги ва канал узунлиги билан белгиланади. Заррачалар тезлигини эса каналдаги майдон кучланганлигини ошириб купайтириш мумкин. Хозирги кунда ишлаб чикарилаётган майдонли транзисторларнинг частота диапозони 1500 МГц гача бориб, узиб уланиш вакти 30 нс атрофида булади. Майдонли транзисторлар, биполяр транзисторлар каби маркаланади. Фарки факат иккинчи элементида булиб, П харфи куйилган. Уларнинг шартли белгилари куйидагилар:$ Адабиётлар. 1.Н.Турдиев.Радиоэлектроника асослари.Т.1992 йил. 2.Ю.Ф.Колонтаевский.Радиоэлектроника.М.1988 йил. 1.Ю.А.Ганин, Э.М.Тухтасинов.Радиотехника. 2.В.Т.Поляков.Посвящение в радиоэлектронику.

Майдонли транзисторлар

20.09.2019

0

43.5 KB

Похожие