logo
  1. Главная страница
  2. Рефераты
  3. Физика
  4. Биполяр транзисторлар

Биполяр транзисторлар

Загружено в:

20.09.2019

Скачано:

0

Размер:

188 KB
Скачать
Биполяр транзистор лар ════════════════════════════════════════════ Режа : 1. Умумий маълумотлар 2. Биполяр транзисторнинг уланиш схемалари 3. Биполяр транзистор статик характеристикалари 4. Биполяр транзистор физик параметрлари 4.1. Умумий маълумотлар Биполяр транзистор деб ўзаро таъсирлашувчи иккита р- n ўтиш ва учта электрод (ташқи чиқишлар)га эга бўлган ярим ўтказгич асбоб га айтилади. Транзистордан ток оқиб ўтиши икки турдаги заряд ташувчилар - электрон ва ковакларнинг ҳаракатига асосланган. Биполяр транзистор р-n-р ва n-р-n ўтказувчанликка эга бўлган учта ярим ўтказгичдан ташкил топган (4.1 а ва б -расм). Эндиликда кенг тарқалган n-р-n тузилмали биполяр транзисторни кўриб чиқамиз. Транзисторнинг кучли легирланган чекка соҳаси ( n + - соҳа) эмиттер деб аталади ва у заряд ташувчиларни база деб аталувчи ўрта соҳага ( р - соҳа) инжекциялайди. Кейинги чекка соҳа ( n - соҳа) коллектор деб аталади. У эмииттерга нисбатан кучсизроқ легирланган бўлиб, заряд ташувчиларни база соҳасидан экстракциялаш учун хизмат қилади (4.2- расм). Эмиттер ва база оралиғидаги ўтиш эмиттер ўтиш, коллектор ва база оралиғидаги ўтиш эса - коллектор ўтиш деб аталади. 4.1 – расм. Ташқи кучланиш манбалари ( U ЭБ , U КБ ) ёрдамида эмиттер ўтиш тўғри йўналишда, коллектор ўтиш эса – тескари йўналишда силжийди. Бу ҳолда транзистор актив ёки нормал режимда ишлайди в а унинг кучайтириш хоссалари намоён бўлади. 4.2 – расм. Агар эмиттер ўтиш тескари йўналишда, коллектор ўтиш эса тўғри йўналишда силжиган бўлса, у ҳолда бу транзистор инверс ёки тескари уланган деб аталади. Транзистор рақамли схемаларда қўлланилганда у тўйиниш режимида (иккала ўтиш ҳам тўғри йўналишда силжиган), ёки берк режимда (иккала ўтиш тескари силжиган) ишлаши мумкин. 4.2. Биполяр транзисторнинг уланиш схемалари Транзистор схемага уланаётганда чиқишларидан бири кириш ва чиқиш занжири учун умумий қилиб уланади, шу сабабли қуйидаги уланиш схемалари мавжуд: умумий база (УБ) (4.3 а -расм); умумий эмиттер (УЭ) (4.3 б -расм); умумий коллектор (УК) (4.3 в - расм). Бу вақтда умумий чиқиш потенциали нольга тенг деб олинади. Кучланиш манбаи қутблари ва транзистор токларининг йўналиши транзисторнинг актив режимига мос келади. УБ уланиш схемаси қатор камчиликларга эга бўлиб, жуда кам ишлатилади. а) б) в) 4.3 – расм. Биполяр транзисторнинг актив режимда ишлаши. УБ уланиш схемасида актив режимда ишлаётган n-p-n тузилмали диффузияли қотишмали биполяр транзисторни ўзгармас токда ишлашини қўриб чиқамиз (4.3 а -расм). Биполяр транзисторнинг нормал ишлашининг асосий талаби бўлиб база соҳасининг етарлича кичик кенглиги W ҳисобланади; бу вақтда W L шарти албатта бажарилиши керак ( L- базадаги асосий бўлмаган заряд ташувчиларнинг диффузия узунлиги). Биполяр транзисторнинг ишлаши учта асосий ҳодисага асосланган: - эмиттердан базага заряд ташувчиларнинг инжекцияси; - базага инжекцияланган заряд ташувчиларни коллекторга ўтиши; - базага инжекцияланган заряд ташувчилар ва коллектор ўтишга етиб келган асосий бўлмаган заряд ташувчиларни базадан коллекторга экстракцияси. Эмиттер ўтиш тўғри йўналиишда силжиганда ( U ЭБ кучланиш манбаи билан таъминланади) унинг потенциал тўсиқ баландлиги камаяди ва эмиттердан базага электронлар инжекцияси содир бўлади. Электронларнинг базага инжекцияси, ҳамда ковакларни базадан эмиттерга инжекцияси туфайли эмиттер токи I Э шаклланади. Шундай қилиб, эмиттер токиэp эn Э I I I   , (4.1) бу ерда I э n , I эр мос равишда электрон ва ковакларнинг инжекция токлари. Эмиттер токининг I эр ташкил этувчиси коллектор орқали оқиб ўтмайди ва зарарли ҳисобланади (транзисторнинг қўшимча қизишига олиб келади). I эр ни камайтириш мақсадида базадаги акцептор киритма концентрацияси эмиттердаги донор киритма концентрациясига нисбатан икки даражага камайтирилади. Эмиттер токидаги I эn қисмини инжекция коэффициенти аниқлайди. Э эn I I   , (4.2) Бу катталик эмиттер иши самарадорлигини характерлайди (  =0,990-0,995). Инжекцияланган электронлар коллектор ўтиш томон база узунлиги бўйлаб электронлар зичлигининг камайиши ҳисобига базага диффундланадилар ва коллектор ўтишга етгач, коллекторга экстракцияланадилар (коллектор ўтиш электр майдони ҳисобига тортиб олинадилар) ва I Кn коллектор токи ҳосил бўлади. Зичликнинг камайиши концентрация градиенти деб аталади. Градиент қанча катта бўлса, ток ҳам шунча катта бўлади. Бу вақтда базадан инжекцияланётган электронларнинг бир қисми коваклар билан базага экстракцияланишини ҳам ҳисобга олиш керак. Рекомбинация жараёни базанинг электр нейтраллик шартини тиклаш учун талаб қилинадиган ковакларнинг камчилигини юзага келтиради. Талаб қилинаётган коваклар база занжири бўйлаб келиб транзистор база токи I брек ни юзага келтиради. I брек токи керак эмас ҳисобланади ва шу сабабли уни камайтиришга ҳаракат қилинади. Бу ҳолат база кенглигини камайтириш ҳисобига амалга оширилади W Ln (электронларнинг диффузия узунлиги). Базадаги рекомбинация учун эмиттер электрон токининг йўқотилиши электронларнинг узатиш коэффициенти билан характерлана ди : Эn Kn П I I   (4.3). Реал транзисторларда П  =0,980-0,995. Актив режимда транзисторнинг коллектор ўтиши тескари йўналиишда уланади ( U кб кучланиш манбаи ҳисобига амалга оширилади) ва коллектор занжирида, асосий бўлмаган заряд ташувчилардан ташкил топган иккита дрейф токларидан иборат бўлган коллекторнинг хусусий токи Iк 0 оқиб ўтади. Шундай қилиб, коллектор токи иккита ташкил этувчидан иборат бўлади 0K Kn K I I I   Агар I Кn ни эмиттернинг тўлиқ токи билан алоқасини ҳисобга олсак, у ҳолда 0K Э Kn I I I   , (4.4) бу ерда П    - эмиттер токининг узатиш коэффициенти . Бу катталик УБ уланиш схемасидаги транзисторни кучайтириш хоссаларини намоён этади. Кирхгофнинг биринчи қонунига мос равишда база токи транзисторнинг бошқа токлари билан қуйидаги нисбатда боғлиқ K Б Э I I I   . (4.5) Бу ифодани (4.4)га қўйиб, база токининг эмиттернинг тўлиқ токи орқали ифодасини олишимиз мумкин:   0 1 K Э Б I I I     . (4.6) Коэффициент   1 лигини ҳисобга олган ҳолда, шундай ҳулоса қилиш мумкин: УБ уланиш схемаси ток бўйича кучайиш бермайди ( Э K I I  ). Ток бўйича яхши кучайтириш натижаларини умумий эмиттер схемасида уланган транзисторда олиш мумкин (4.3 б -расм). Бу схемада эмиттер умумий электрод, база токи - кириш токи, коллектор токи эса – чиқиш токи ҳисобланади. (4.4) ва (4.5) ифодалардан келиб чиққан ҳолда УЭ схемадаги транзисторнинг коллектор токи қуйидаги кўринишга эга бўлади:   0K Б K K I I I I    . Бундан 0 1 1 1 K Б K I I I        . (4.7) Агар     1 белгилаш киритилса, (4.7) ифодани қуйидагича ёзиш мумкин: 0 )1 ( K Б K I I I      . (4.8) Коэффициент  - база токининг узатиш коэффициенти деб аталади.  нинг қиймати ўндан юзгача, баъзи транзистор турларида эса бир неча мингларгача оралиғида бўлиши мумкин. Демак, УЭ схемасида уланган транзистор ток бўйича яхши кучайтириш хоссаларига эга ҳисобланади. 4.3. Биполяр транзистор статик характеристикалари Транзистор статик характеристикалари коллектор занжирига юклама қўйилмаган ҳолда ўрнатилган кириш ва чиқиш токлари ва кучланишлар орасидаги ўзаро боғлиқликни ифодалайди. Ҳар бир уланиш учун статик характеристикалар оиласи маълумотномаларда келтирилади. Энг асосийлари бўлиб транзисторнинг кириш ва чиқиш характеристикалари ҳисобланади. Қолган характеристикалар кириш ва чиқиш характеристикаларидан ҳосил қилиниши мумкин. УБ схемаси учун кириш статик характеристикаси бўлиб U КБ = const бўлгандаги I Э = f (U ЭБ ) боғлиқлик, УЭ схемаси учун эса U КЭ = const бўлгандаги I Б =f(U БЭ ) боғлиқлик ҳисобланади. Кириш характерис- тикаларининг умумий характери одатда тўғри йўналишда уланган p - n билан аниқланади. Шу сабабли ташқи кўринишига кўра кириш характеристиклари экспоненциал характерга эга (4.4- расм). Расмлардан кўриниб турибдики, чиқиш кучланишининг ўзгариши кириш характеристикларини силжишига олиб келади. Характеристиканинг силжиши Эрли эффекти (база кенглигининг модуляцияси) билан аниқланади. Бунинг маъноси шундаки, коллектор ўтишдаги тескари кучланишнинг ортиши унинг кенгайишига олиб келади, бу вақтда база соҳасидаги кенгайиш унинг кенглигининг кичрайиши ҳисобига содир бўлади. База кенглигининг кичрайиши иккита эффектга олиб келади: заряд ташувчилар рекомбинациясининг камайиши ҳисобига база токининг камайиши ва базадаги асосий бўлмаган заряд ташувчилар концентрация градиентининг ортиши ҳисобига эмиттер токининг ортиши. а) б) 4.4 – расм. Шу сабабли коллектор ўтишдаги тескари куланишнинг ортиши билан УБ схемадаги кириш характеристика чапга, УЭ схемада эса ўнгга силжийди. УБ схемадаги транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи бўлиб I Э =const бўлгандаги I К = f (U КБ ) боғлиқлик, УЭ схемада эса I Б =const бўлгандаги I К = f (U КЭ ) боғлиқлик ҳисобланади. Чиқиш характеристикалари кўринишига кўра тескари уланган диод ВАХ сига ўхшайди, чунки коллектор ўтиш тескари уланган. Характеристикаларни қуришда коллектор ўтишнинг тескари кучланишини ўнгда ўрнатиш қабул қилинган (4.5 – расм). а) б) 4.5 – расм. 4.5 а - расмдан кўриниб турибдики, УБ схемадаги чиқиш характерис- тикалари икки квадрантларда жойлашган: биринчи квадрантдаги ВАХ актив иш режимига, иккинчи квадрантдагиси эса – тўйиниш иш режимига мос келади. Актив режимда чиқиш токи (4.4) нисбат билан аниқланади. Актив режимга мос келувчи характеристика соҳалари абсцисса ўқига унча катта бўлмаган қияликда, деярли параллель ўтадилар. Қиялик юқорида айтиб ўтилган Эрли эффекти билан тушунтирилади. I Э =0 бўлганда (эмиттер занжири узилганда) чиқиш характеристикаси тескари силжиган коллектор ўтиш характеристикаси кўринишида бўлади. Эмиттер ўтиш тўғри йўналишда уланганда инжекция токи ҳосил бўлади ва чиқиш характеристиклари) ( 1 2 Э Э I I   катталикка чапга силжийди ва х.з. УЭ схемасида уланган транзисторнинг чиқиш характеристикаси УБ схемада уланган транзисторнинг чиқиш характеристикасига нисбатан катта қияликка эга. Чунки унинг кўринишига Эрли эффекти катта таъсир кўрсатади. Боғлиқликларнинг умумий характери (4.5 б -расм) коллектор ва база токлари орасидаги қуйидаги боғлиқлик билан аниқланади: 0 КЭ Б K I I I   , (4.9) бу ерда I КЭ0 – I Б =0 (узилган база) бўлгандаги коллекторнинг тўғри токи. I КЭ0 токи I К0 токидан 1  мартага катта бўлади, чунки U БЭ =0 бўлганда U КЭ кучланишининг бир қ и сми эмиттер ўтишга қўйилган бўлади ва уни тўғри йўналишда силжитади. Шундай қилиб, I КЭ0 =( 1  )I К0 – анча катта ток бўлиб, транзистор ишининг бузилишини олдини олиш мақсадида база занжирини узиш керак. База токи ортиши билан коллектор токи ) ( 1 2 Б Б I I   катталикка ортади ва х.з., ва характеристика юқорига силжийди. УЭ схемадаги чиқиш ВАХларининг асосий хоссаси шундаки, ҳам актив ва ҳам тўйиниш режимларида бир квадрантда жойлашади. Яъни, электродларнинг берилган кучланиш ишораларида ҳам актив режим, ҳам тўйиниш режимида бўлиши мумкин. Режимлар алмашиниши коллектор ўтишдаги кучланишлар нольга тенг бўлганда содир бўлади. Коллектор соҳа қаршилигини ҳисобга олмаган ҳолда U КЭ = U КБ + U БЭ бўлгани учун, талаб қилинаётган бўсағавий кучланиш қиймати U * КЭ = U БЭ бўлади. U БЭ қиймати берилган база токида кириш характеристикасидан аниқланади. 4.4. Биполяр транзистор физик параметрлари Ток бўйича  ва  коэффициентлар статик параметрлар ҳисобланади, чунки улар ўзгармас токлар нисбатини ифодалайдилар. Улардан ташқари ток ўзгаришлари нисбати билан ифодаланидиган дифференциал кучайтириш коэффициентлари ҳам кенг қўлланилади. Cтатик ва дифференциал  кучайтириш коэффициентлари бир биридан фарқ қиладилар, шу сабабли талаб қилинган ҳолларда улар ажратилади. Ток бўйича кучайтириш коэффициентининг коллектордаги кучланишга боғлиқлиги Эрли эффекти билан тушунтирилади. УЭ схемаси учун ток бўйича дифференциал кучайтириш коэффициенти БK dI dI   температурага боғлиқ бўлиб база соҳасидаги асосий бўлмаган заряд ташувчиларнинг яшаш вақтига боғлиқлиги билан тушунтирилади. Температура ортиши билан рекомбинация жараёнлари секинлашиши сабабли, одатда транзисторнинг ток бўйича кучайтириш коэффициентининг ортиши кузатилади. Транзистор характеристикаларин ин г температуравий барқарор эмаслиги асосий камчилик ҳисобланади. Юқорида кўриб ўтилган ток бўйича узатиш коэффициентидан ташқари, физик параметрларга ўтишларнинг дифференциал қаршиликлари, соҳаларнинг ҳажмий қаршиликлари, кучланиш бўйича тескари алоқа коэффициентлари ва ўтиш ҳажмлари киради. Транзисторнинг эмиттер ва коллектор ўтишлари ўзининг дифференциал қаршиликлари билан ифодаланадилар. Эмиттер ўтиш тўғри йўналишда силжиганлиги сабабли, унинг дифференциал қаршилиги r Э ни (2.6) ифодани қўллаб аниқлаш мумкин: Э Т Э ЭБ Э I dI dU r   , (4.10). бу ерда I Э – токнинг доимий ташкил этувчиси. У кичик қийматга эга (ток 1 мА бўлганда r Э = 20-30 Ом ни ташкил этади) бўлиб, ток ортиши билан камаяди ва температура ортиши билан ортади. Транзисторнинг коллектор ўтиши тескари йўналишда силжиганлиги сабабли, I К токи U КБ кучланишига кучсиз боғлиқ бўлади. Шу сабабли коллектор ўтишнинг дифференциал қаршилигиK KБ K dI dU r  =1Мом бўлади. r К қаршилиги асосан Эрли эффекти билан тушунтирилади ва одатда у ишчи токларнинг ортиши билан камаяди. База қаршилиги r Б бир неча юз Омни ташкил этади. Етарлича катта база токида база қаршилигидаги кучланиш пасайиши база ва эмитттер ташқи чиқишлари кучланишига нисбатан эмиттер ўтишдаги кучланишни камайтиради. Кичик қувватли транзисторлар учун коллектор қаршилиги ўнлаб Ом, катта қувватликлариники эса бирлик Омларни ташкил этади. Эмитттер соҳа қаршилиги юқори киритмалар концентрацияси сабабли база қаршилигига нисбатан жуда кичик. УБ схемадаги кучланиш бўйича тескари алоқа коэффициенти ( I Э = const бўлганида) КБ ЭБ УБ dU Ud   каби аниқланади, УЭ схемасида эса ( I Б = const бўлганида) КЭ БЭ УЭ dU Ud   орқали аниқланади. Коэффициентлар абсолют қийматларига кўра деярли бир – хил бўладилар ва концентрация ва транзисторларнинг тайёрланиш технологиясига кўра УЭ = 10 -2 -10 -4 ни ташкил этадилар. Биполяр транзисторларнинг хусусий хоссалари асосий бўлмаган заряд ташувчиларнинг база орқали учиб ўтиш вақти ва ўтишларнинг тўсиқ сиғимларининг қайта зарядланиш вақти билан аниқланадилар. Бу таъсирларнинг нисбий аҳамияти транзистор конструкцияси ва иш режимига, ҳамда ташқи занжир қаршиликларига боғлиқ бўлади. Жуда кичик кириш сигналлари ва актив иш режими учун биполяр транзисторни чизиқли тўртқутблик кўринишида ифодалаш мумкин ва бу тўртқутбликни бирор параметрлар тизими билан белгилаш мумкин. Бу параметрларни h–параметрлар деб аташ қабул қилинган. Уларга қуйидагилар киради: h 11 – чиқишда қисқа туташув бўлган вақтдаги транзисторнинг кириш қаршилиги; h 12 – узилган кириш ҳолатидаги кучланиш бўйича тескари алоқа коэффициенти; h 21 –чиқишда қисқа туташув бўлган вақтдаги ток бўйича кучайтириш (узатиш) коэффициенти; h 22 –узилган кириш ҳолатидаги транзисторнинг чиқиш ўтказувчанлиги. Барча h – параметрлар осон ва бевосита ўлчанади. Электроника бўйича аввалги адабиётларда кичик сигналли параметрларнинг частотавий боғлиқликларига жуда катта эътибор қаратилган. Ҳозирги вақтда 10 ГГц гача бўлган частоталарда нормал ишни таъминлайдиган транзисторлар ишлаб чиқарилмоқда. Бундай холларда талаб қилинаётган частота характеристикаларини олиш учун маълумотномадан керакли транзистор турини танлаш керак.

Похожие

Биполяр транзисторлар
Майдоний транзисторлар
Бикутбий транзисторлар
Майдонли транзисторлар
Майдоний транзисторлар