logo
  1. Главная страница
  2. Рефераты
  3. Физика
  4. Майдоний транзисторлар

Майдоний транзисторлар

Загружено в:

20.09.2019

Скачано:

0

Размер:

121.5 KB
Скачать
Майдоний транзистор лар ════════════════════════════════════════════ Режа : 1. Умумий маълумотлар 2. МТ статик характеристикалари 3. МТ асосий параметрлари 4. Канали индукцияланган МДЯ - транзисторлар 5. Канали қурилган МДЯ - транзисторлар 1. Умумий маълумотлар Майдоний транзистор (МТ) деб, ток кучи қийматини бошқариш yчун ўтказувчи каналдаги электр ўтказувчанлигикни ўзгартириш ҳисобига электр майдон ўзгариши билан бошқариладиган ярим ўтказгичли актив асбобга айтилади. Майдоний транзисторлар турли электр сигналлар ва қувватни кучайтириш учун мўлжалланган. Майдоний транзисторларда биполяр транзисторлардан фарқли равишда ток ташкил бўлишида фақат бир турдаги заряд ташувчилар иштирок этади: ёки электронлар, ёки коваклар. Шунинг учун улар яна униполяр транзисторлар деб ҳам аталади. Майдоний транзисторларнинг тузилиши ва канал ўтказувчанлигига кўра икки тури мавжуд: р–n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзистор ҳамда металл – диэлектрик – ярим ўтказгичли (МДЯ) тузилишга эга бўлган затвори изоляцияланган майдоний транзисторлар. Улар МДЯ- транзисторлар деб ҳам аталадилар. Р–n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзистор. 5.1 – расмда n –каналли р–n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзисторнинг тузилишининг қирқими ( а ) ва унинг шартли белгиси ( б ) келтирилган. а) б) 5.1 – расм. n –турдаги со ҳа канал деб аталади. Каналга заряд ташувчилар киритиладиган контакт исток (И) ; заряд ташувчилар чиқиб кетадиган контакт сток (С) деб аталади. Затвор (З) бошқарувчи электрод ҳисобланади. Затвор ва исток оралиғига кучланиш берилганда юзага келадиган электр майдони канал ўтказувчанлигини, натижада каналдан оқиб ўтаётган токни ўзгартиради. Затвор сифатида каналга нисбатан ўтказувчанлиги тескари турдаги соҳа қўлланилади. Ишчи режимда у тескари уланган бўлиб канал билан р – n ўтиш ҳосил қилади. Каналнинг ўтказувчанлиги унинг қаршилиги билан аниқланади S l R   , бу ерда  - канал материалининг солиштирма қаршилиги, l - узунлиги, S – каналнинг кўндаланг кесим юзаси. Ташқи кучланиш мавжуд бўлмаганда канал узунлиги бўйлаб затвор остидаги каналнинг кўндаланг кесим юзаси бир хил бўлади. Берилган қутбланишда затвор ва исток оралиғига ташқи кучланиш берилса U ЗИ р–n ўтиш тескари йўналишда силжийди, канал томонга кенгаяди, натижада канал узунлиги бўйлаб каналнинг кўндаланг кесим юзаси бир текис тораяди. Канал қаршилиги ортади, лекин чиқиш токи I С = 0 бўлади, чунки U СИ =0 (5.2 а - расм). Агар исток ва сток оралиғига кучланиш манбаи уланса, у ҳолда канал бўйлаб истокдан сток томонга электронлар дрейфи бошланади, яъни канал орқали сток токи I С оқиб ўта бошлайди. Кучланиш манбаи U СИ нинг уланиши р–n ўтиш кенглигига ҳам таъсир кўрсатади, чунки ўтиш кучланиши канал узунлиги бўйлаб турлича бўлади. Канал потенциали унинг узунлиги бўйлаб ўзгаради: исток потенциали нолга тенг бўлиб, сток томонга ортиб боради, сток потенциали эса U СИ га тенг бўлади. Р–n ўтишдаги тескари кучланиш исток яқинида ЗИ U га, сток яқинида эса СИ ЗИ U U  тенг бўлади. Н атижада ўтиш кенглиги сток томонда катт а роқ бўлиб, канал кесими сток томога камайиб боради (5.2. б -расм). а) б) 5.2 –расм. Шундай қилиб, канал орқали оқиб ўтаётган токни U ЗИ кучланиш қийматини (канал кесимини ўзгартиради) ҳамда U СИ кучланиш қийматини (ток ва канал узунлиги бўйлаб кесимни ўзгартиради) бошқариш мумкин. Исток томонда канал кенглиги берилган U ЗИ қиймати билан, сток томонда эса U ЗИ + U СИ йиғинди қиймати билан аниқланади. U СИ қиймати қанча катта бўлса, каналнинг поналиги ( клиновидность ) ва унинг қаршилиги шунча катта бўлади. Каналнинг кўндаланг кесими нольга тенг бўладиган вақтдаги затвор кучланиши беркилиш кучланиши U ЗИ.БЕРК. деб аталади.. .ТЎЙ СИ ЗИ U U  кучланиш беркилиш кучланишига U ЗИ.БЕРК га тенг бўладиган вақтдаги сток кучланиши тўйиниш кучланиши U СИ.ТЎЙ. деб аталади. Бу ердан ЗИ БЕРК ЗИ ТЎЙ СИ U U U   . . . . (5.1) . .ТЎЙ СИ СИ U U  вақтидаги транзисторнинг ишчи режими текис ўзгариш режими, . .ТЎЙ СИ СИ U U  вақтидаги транзисторнинг ишчи режими эса тўйиниш режими деб аталади. Тўйиниш режимида U СИ кучланиш қийматининг ортишига қарамай I C токининг ортиши деярли тўхтайди. Бу ҳолат бир вақтнинг ўзида затвордаги U ЗИ кучланишининг ҳам ортиши билан тушунтирилади. Бу вақтда канал тораяди ва I C токини камайишига олиб келади. Натижада I C дрейфрли ўзгармайди. Бирор уч электродли асбоб каби, майдоний транзисторларни уч хил схемада улаш мумкин: умумий исток (УИ), умумий сток (УС) ва умумий затвор (УЗ). УИ схема кенг тарқалган схема ҳисобланади. 2. МТ статик характеристикалари Затвордаги кучланиш U ЗИ ёрдамида сток токи I C ни бошқариш сток – затвор характеристикасидан аниқланади. Б у характеристика транзисторнинг узатиш характеристикаси деб ҳам аталади. 5.3 а -расмда U СИ = const бўлгандаги сток затвор характеристикалар оиласи I С = f ( U ЗИ ) келтирилган. Сток – затвор характеристикадан кўриниб турибдики, U ЗИ =0 бўлганда транзистор орқали максимал ток оқиб ўтади. U ЗИ қиймати ортиши билан канал кесими туша бошлайди ва маълум U ЗИ.БЕРК. қийматга етганда нольга тенг бўлиб қолади ва сток токи I С деярли нольга тенг бўлиб қолади. Транзистор беркилади. U СИ ортиши билан характеристика тиккалаша боради, бу ҳолат канал узунлигининг унча катта бўлмаган камайиши билан тушунтирилади. Сток – затвор характеристика тенгламаси қуйидаги қўринишга эга бўлади:2 . . . ) 1( БЕРК ЗИ ЗИ ТЎЙC C U U I I   . (5.2) 5.3 б –расмда майдоний транзисторнинг чиқиш (сток) характерис- тикалари келтирилган. Сток характеристика - бу маълум U ЗИ =const қийматларидаги I С =f (U СИ ) боғлиқлик. U СИ ортиши билан I С деярли тўғри чизиқли ўзгаради (текис ўзгариш режими) ва U СИ = U СИ.ТЎЙ. қийматига етганда ( б нуқта) I С ортиши тўхтайди. а) б) 5.3 – расм. 3. МТ асосий параметрлари Майдоний транзисторларнинг асосий параметрларидан бири бўлиб характеристика тиклиги ҳисобланадиЗИ C dU dI S  (мА/В), ва уни қуйидаги ифодадан аниқлаш мумкин ) 1( . max БЕРК ЗИ ЗИ U U S S   , (5.3) бу ерда Smax – U ЗИ =0 бўлгандаги максимал тиклик. (5.2) (5.3) ифодалардан кўриниб турибдики, U ЗИ ортиши билан сток токи ва майдоний транзистор характер и стика тиклиги камаяди. Статик характеристикалардан майдоний транзисторнинг бошқа параметрларини ҳам аниқлаш мумкин. Транзисторнинг д ифференциал (ички) қаршилиги исток ва сток оралиғидаги канал қаршилигини ифодалайди C CИ i dI dU R  U ЗИ =const бўлганда (5.4) Тўйиниш режимида (ВАХ нинг текис қисмида) R i бир неча МОмни ташкил этади ва U СИ га боғлиқ эмас. Кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти транзисторнинг кучайтириш хусусиятини ифодалайди: ЗИ CИ dU dU  I С =const бўлганда (5.5) Бу коэффициент стокдаги кучланиш сток токига затвордаги кучланишга нисбатан қанчалик таъсир кўрсатишини ифодалайди. “Манфий” ишора кучланиш ўзгариши йўналишларининг қарама-қаршилигини билдиради. Ҳар доим ҳам бу коэффициентни характеристикадан аниқлаб бўлмаганлиги сабабли, бу катталикни қуйидагича ҳисоблаш мумкин: i SR  . (5.6) 4. Канали индукцияланган МДЯ - транзисторлар Р – n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзисторлардан фарқли равишда МДЯ–транзисторларда металл затвор канал ҳосил қилувчи ўтказгичли соҳадан доим диэлектрик қатлами ёрдамида изоляцияланган. Шу с абабли МДЯ–транзисторлар затвори изоляцияланган майдоний транзисторлар турига киради. Диэлектрик қатлами SiO 2 диэлектрик оксиди бўлганлиги сабабли, бу транзисторлар МОЯ – транзисторлар (металл – оксид- ярим ўтказгичли тузилма) деб ҳам аталадилар. МДЯ–транзисторларнинг ишлаш принципи кўндаланг электр майдони таъсирида диэлектрик билан чегараланган ярим ўтказгичнинг юқори қатламида ўтказувчанликни ўзгартириш эффектига асосланган. Ярим ўтказгичнинг юқори қатлами транзисторнинг ток ўтказувчи канали вазифасини бажаради. р – канали индукцияланган МДЯ - транзистор тузилмаси 5.4 а –расмда ва унинг шартли белгиси 5.4 б - расмда келтирилган. Транзистор қуйидаги чиқишларга эга: истокдан – И, стокдан – С, затвордан – З ва асос деб аталувчи – А кристаллдан. Сток ва истокларнинг р + - соҳалари n – турдаги ярим ўтказгич билан иккита р–n ўтиш ҳосил қилганлиги сабабли, U СИ кучланишининг бирор қутбланишида бу ўтишлардан бири тескари йўналишда уланади ва сток токи I С деярли нольга тенг бўлади. а) б) 5.4 – расм. Транзисторда ток ўтказувчи канал ҳосил қилиш учун затворга тескари қутбдаги кучланиш берилади. Затвор электр майдони SiO 2 диэлектрик қатлами орқали ярим ўтказгичнинг юқори қатламига киради, ундаги асосий заряд ташувчилар (электронлар) ни итариб чиқаради ва асосий бўлмаган заряд ташувчилар (коваклар) ни ўзига тортади. Натижада юқори қатлам электронлари камбағаллашиб, коваклар билан эса бойиб боради. Затвор кучланиши бўсағавий деб аталувчи маълум қиймати U 0 га етганда, юқори қатламда электр ўтказувчанлик ковак ўтказувчанлик билан алмашади ва исток ва стокни бир – бири билан боғловчи р - турдаги канал шаклланади.0 U U ЗИ  бўлганда юқори қатлам коваклар билан бойиб боради, бу эса канал қаршилигини камайишига олиб келади. Бу вақтда сток токи I С ортади. 5.5 – расмда р – канали индукцияланган МДЯ - транзисторнинг сток – затвор ВАХси келтирилган. 5.5 – расм. 5.6 – расм. 5.6 – расмда n - канали индукцияланган МДЯ - транзисторнинг чиқиш (сток) характеристиклар оиласи келтирилган. Затворга маълум кучланиш берилганда СИ U нинг ортиб боришига кўра сток токи ноль қийматдан аввалига чизиқли кўринишда ортиб боради (ВАХ нинг тикка қисми), кейинчалик эса ортиш тезлиги камаяди ва етарлича катта СИ U қийматларида ток ўзгармас қийматга интилади. Ток ортишининг тўхташи сток яқинидаги каналнинг беркилиши билан боғлиқ. 5. Канали қурилган МДЯ - транзисторлар 5.7 –расмда n – турдаги канали қурилган МДЯ транзистор тузилмаси ( а ) ва унинг шартли белгиси ( б ) келтирилган. Агар U ЗИ = 0 бўлганда U СИ кучланиш ўрнатилса, у ҳолда канал орқали электронлар ҳисобига ток оқиб ўтади. Затворга истокка нисбатан манфий кучланиш берилса, каналда кўндаланг электр майдон юзага келади ва унинг таъсирида каналдан электронлар итариб чиқариладилар. Канал электронлар билан камбағаллашиб боради, унинг қаршилиги ортади ва сток токи камаяди. Затвордаги манфий кулчланиш қанча катта бўлса, бу ток шунча кичик бўлади. Транзисторнинг бундай режими кабағаллашиш режими деб аталади. Агар затворга мусбат кучланиш таъсир эттирилса, ҳосил бўлган электр майдони таъсирида, исток ва сток, ҳамда кристаллдан каналга электронлар кела бошлайдилар, каналнинг ўтказувчанлиги ва шу билан бирга сток токи ортиб боради. Бу режим бойиш режими деб аталади. Кўриб ўтилган жараёнлар 5.8 а – расмда келтирилган статик сток – затвор характеристикада: U СИ =const бўлгандаги I С = f (U ЗИ ) билан ифода- ланган.ЗИ U  0 бўлганда транзистор бойиш режимида, ЗИ U  0 бўлганда эса камбағаллашиш режимида ишлайди. а) б) 5.7 – расм. Бойиш режимида сток характеристикалари U ЗИ = 0 да олинган бошланғич характеристикадан - юқорида, камбағаллашиш режимида эса – пастда жойлашади (5.8 б - расм). а) б) 5.8 – расм. S, Ri ва статик дифференциал параметрлар худди р–n –ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзисторлардаги (5.4), (5.5) ва (5.6) ифодалардан мос равишда аниқланади. Характеристика тиклиги ва ички қаршилик барча турдаги майдоний транзисторлардаги каби қийматларга эга бўлади. Кириш қаршилиги ва электродлараро сиғимларга келсак, МДЯ – транзисторлар р-n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзисторлардагига нисбатан яхши кўрсаткичларга эга. R ЗИ кириш қаршилиги бир неча даражага юқори бўл и б 10 12 -10 15 Ом ни ташкил этади. Электродлараро сиғимлар қиймати С ЗИ , С СИ лар учун -10 пФ дан, С ЗС учун -2 пФ дан ортмайди. Бу кўрсаткичлар транзистор инерциясини белгилайдилар.

Похожие

Майдоний транзисторлар
Биполяр транзисторлар
Бикутбий транзисторлар
Биполяр транзисторлар
Майдонли транзисторлар