Майдоний транзисторни тадқиқ этиш - Физика - Рефераты

Майдоний транзисторни тадқиқ этиш

Загружено в:

20.09.2019

Скачано:

0

Размер:

101.5 KB

Майдоний транзисторни тадқиқ этиш Ишнинг мақсади : Майдоний транзистор статик характеристикалари ва дифференциал параметрларини ўрганиш, транзистор ишига температуранинг таъсирини тадқиқ этиш. 1. Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик кўриш: Лаборатория ишида тузилиши ва схемаларда шартли белгиланиши 3.1- расмда келтирилгани канали р- турли майдоний транзистор тадқиқ этилади. 3.1 – расм. Сток токи затворга кучланиш бериш орқали бошқарилади, яъни бошқарилаётган р-n ўтишга тескари кучланиш U ЗИ >0 берилади. U ЗИ даги беркитиш кучланиши ортган сари ҳажмий заряд соҳасининг кенглиги ортиб боради. Натижада берилган U СИ кучланиш қийматида канал кенглиги кичраяди, унинг қаршилиги R K ортади, демак сток билан исток оралиғидаги сток токи I С камаяди. 3.2- расмда бошқариш характеристикаси I C = f ( U ЗИ ) келтирилган.

Бошқарувчи р-n ўтишнинг ҳажмий заряд соҳаси ва асос билан канал орасидаги р-n ўтиш бириккандаги (сток токи I C нольга тенг бўладиган) затвор кучланиши қиймати бўсағавий кучланиш U БЎС деб аталади. 3.2 – расм. Тўйиниш режимида ишлаётган майдоний транзистор бошқарув характеристикасини қуйидаги боғлиқлик билан аппроксимациялаш қулай.2 3 max 1         БЎС И C C U U I I , ( 3 .1) бу ерда максимал сток токи затвор – исток кучланиши ноль I C max – U ЗИ = 0 га мос келувчи бошланғич сток токи. Бошқарув характеристикасидан (3.2- расм) характеристика тиклиги аниқланиши мумкин. const сиU dU dI S И C   3 . (4.1) аппроксимациядан фойдаланилганда тиклик қуйидагича аниқланади:         БЎС И БЎС C U U U I S 3 max 1 2 , (4.2)

Майдоний транзистор чиқиш характеристикалар оиласи 3.3 – расмда келтирилган. Характеристиканинг бошланғич соҳаси ( U СИ < U СИ ТЎЙ ) чизиқли режимга мос келади. Бу режимда канал бутун исток-сток оралиғида мавжуд бўлади, шунинг учун U СИ ортган сари, чизиқли қонунга мос равишда сток токи K CИ C R U I  ҳам ортади. U СИ < U СИ ТЎЙ да транзистор тўйиниш режимига ўтади, бу соҳада сток токи I С сток кучланиши U СИ га кучли боғлиқ бўлмайди. Икки режим чегараси ҳисобланган тўйиниш кучланиши U СИТЎЙ затвордаги кучланиш U ЗИ га боғлиқ бўлади ва қуйидаги формуладан аниқланади: U СИ ТЎЙ = U ЗИ – U БЎС. . Чиқиш характеристикасидан (3.3 - расм) чиқиш қаршилиги аниқланиши мумкин const зиU I U r C CИ ЧИК    3.3 – расм. Бу катталик тўйиниш режимида ҳисобланса, катта қийматга эга бўлади, шунинг учун транзистор кучайтиргич сифатида ишлатилаётганда схеманинг сокинлик нуқтаси шу режимда танланади. Чизиқли режимда транзистор чиқиш қаршилиги затвордаги кучланиш U ЗИ га боғлиқ ва тахминан танланган

ишчи нуқтада U СИ кучланишини I С токка нисбати кўринишида ёки 3.3 – формуладан аниқланиши мумкин. БЎС И K K U U R R 3 0 1  , ( 3 .3) бу ерда max 0 3 C БЎС K I U R  . 2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ: 2.1. 3.4- расмда келтирилган схема, ўлчаш асбоблари ўлчанадиган КП103 майдоний транзистор паспорт кўрсатмалари билан танишиб чиқинг. (5- иловага қаранг) Цоколь расмини чизиб олинг ва тадқиқ этилаётган транзисторнинг чегаравий параметрлари U СИ ЧЕГ , I С ЧЕГ , P ЧЕГ қийматларини ёзиб олинг. 3.4 – расмда келтирилган схемани йиғинг. 3.4 – расм. 2.2. Сток кучланишининг U СИ =1/3 U СИ ЧЕГ ва 2/3 U СИ ЧЕГ қийматлари учун иккита бошқарув характеристикасини ўлчанг ( U СИ ЧЕГ қиймати паспорт кўрсатмаларидан олинади). Ўлчаш натижаларини 3.1 – жадвалга киритинг ва ундан фойдаланиб бошқарув характеристикасини қуринг. Тажрибада U ЗИ кучланиш қийматини 0 дан бўсағавий кучланиш U БЎС гача ўзгартиринг.

3 .1 – жадвал U ЗИ , В I С , мА U СИ =1/3 U СИ ЧЕГ U СИ =2/3 U СИ ЧЕГ 2.3. Затвордаги кучланишнинг учта қийматида ( U ЗИ =0; 0,25 U БЎС ; 0,5 U БЎС ) чиқиш характеристикалар оиласи I С = f ( U СИ ) ни ўлчанг. Тажриба ўтказишдан аввал I С – U СИ координаталар тизимида транзисторнинг рухсат этилган ишчи режими соҳаларини белгилаб олинг. (3.5 - расм) Изоҳ: Р С ЧЕГ чизиғини қуриш учун U СИ кучланишининг 0 дан U СИ ЧЕГ қийматлари оралиғида ихтиёрий бир нечта қийматлари танланади ва шу нуқталарда сток токи I С = P С ЧЕГ / U СИ ҳисобланади. 3.5 – расм. Тажрибада олинган нуқталарни 3.2 – жадвалга киритинг ва тайёрланган графикда уларни белгиланг (3.5 - расм). Бунда транзистор учун ишлаш рухсат этилган соҳадан чиқиб кетмасликка эътибор беринг. 3 .2 – жадвал U СИ , В I С , мА

U ЗИ =0 U ЗИ =0,25 U БЎС U ЗИ =0,5 U БЎС 2.4. Транзистор сток токига температунинг таъсирини тадқиқ этиш. Тадқиқ этилаётган транзисторни термостатга жойлаштиринг ва тегишли температура қийматини ўрнатинг, сток кучланишининг U СИ =1/3 U СИ ЧЕГ қийматида ва Т=40 0 С ва 80 0 С температураларда иккита бошқарув характеристикаси I С = f ( U ЗИ ) ни ўлчанг. Ўлчаш натижаларини 3.3 – жадвалга киритинг ва улардан фойдаланиб T=40 0 С ва 80 0 С температуралардаги иккита бошқарув характеристикаси I С = f ( U ЗИ ) ни қуринг. 3.3 - жадвал U ЗИ , В I С , мА T=40 0 С T=80 0 С 3. Тажрибада олинган натижаларни ишлаш. 3.1. 2.2. бандда ўлчанган бошқарув характерискаларини 3.1 – ифода ёрдамида аппроксимацияланг. Аппроксимация натижаларини қурилган I С = f ( U ЗИ ) графигида акс эттиринг. 3.2. Бошқарув характеристикаларидан фойдаланиб, транзистор тиклигини U СИ =1/3 U СИ ЧЕГ ишчи нуқтада аниқлангconst cuU U I S И C     3 S қийматини худди шу нуқта учун 3.2 – формула ёрдамида ҳам аниқланг.

3.3. 2.3 – бандда ўлчанган чиқиш характеристикалар оиласида U СИ ТЎЙ = U ЗИ – U БЎС оралиққа мос келувчи, чизиқли режим билан тўйиниш режими орасидаги чегарани кўрсатинг. 3.4. Чиқиш характеристикалар оиласидан фойдаланиб, қуйидаги ишчи нуқталар учун транзистор чиқиш қаршилигини аниқланг: - тўйиниш режимида ( U СИ =1/3 U СИ ЧЕГ , U ЗИ =0,25 U ЧЕГ ); - чизиқли режимда U СИ =0 ва затвор кучланишининг учта қийматида ( U ЗИ =0; 0,25 U БЎС ; 0,5 U БЎС ). Ҳисоблашлар натижаларини 3.4 – жадвалга киритинг ва улардан фойдаланиб чизиқли режим учун r ЧИҚ нинг U ЗИ га боғлиқлик графигини қуринг. 3 .4 – жадвал U ЗИ ,В R ЧИҚ , кОм U СИ =1/3 U СИ ЧЕГ U СИ =0 U ЗИ =0 U ЗИ =0,25 U ЧЕГ U ЗИ =0,5 U ЧЕГ 3.5. 2.4 – бандда ўлчанган бошқарув характеристикаларида, турли температураларда ўлчанган бошқарув характеристикалари кесишадиган термо барқарор нуқтанинг I СТ ва U ЗИТ координаталарини аниқланг. 4. Ҳисобот мазмуни . - тадқиқ этилаётган транзистор паспорт кўрсатмалари; - ўлчаш схемаси ; - ўлчанган боғлиқликлар жадвал ва гр а фиклари ;

- бошқарув характеристикасининг аппроксимацияси, ҳисобланган транзистор характеристикасининг тиклиги S ва чиқиш характеристикалари r ЧИҚ натижалари.

Похожие

Майдоний транзисторларда ясалган калит схемаларни тадқиқ этиш

Интеграл оптронларни тадқиқ этиш

Операцион кучайтиргич параметрларини тадқиқ этиш

Майдоний транзисторлар

Майдоний транзисторлар