Интеграл оптронларни тадқиқ этиш - Физика - Рефераты

Интеграл оптронларни тадқиқ этиш

Загружено в:

20.09.2019

Скачано:

0

Размер:

97.5 KB

Интеграл оптронларни тадқиқ этиш Ишнинг мақсади : Оптронлар ишлашини ва параметрларини ўлчаш услубларини ўрганиш. 1. Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик кўриш: Оптронлар – функционал электроникаанинг замонавий йўналишларидан бири – оптоэлектрониканинг асосий структура элементи ҳисобланади. Энг содда диодли оптрон (7.1 – расм) учта элементдан ташкил топган: фотонурлатгич 1, нур ўтказгич 2 ва фото қабул қилгич 3 бўлиб, ёруғлик нури тушмайдиган герметик корпусга жойлаштирилган. Киришга электр сигнали берилса фотонурлатгич қўзғотилади. Ёруғлик нури нур ўтказгич орқали фото қабул қилгичга тушади ва унда чиқиш электр сигнали юзага келади. Оптроннинг асосий хусусияти шундаки, ундаги элементлар ўзаро нур орқали боғланган бўлиб, кириш билан чиқишлар эса электр жиҳатдан бир – биридан ажратилган. Шу хусусиятидан келиб чиққан ҳолда, юқори кучланишли ва паст кучланишли занжирлар бир – бири билан осон мувофиқлаштирилади. Диодли оптроннинг шартли белгиси 7.2 – расмда, унинг конструкцияси эса 7.3 – расмда келтирилган.

1,2 – фотодиоднинг р ва n соҳалари ; 3,4 – ёруғлик диодининг n ва р соҳалари ; 5 – селен шиша асосидаги нур ўтказгич; 6,7 – ёруғлик диоди контактлари ; 8,9 – фотодиод контактлари. Ёруғлик сигналларини электр сигналига айлантиришда асосан фотодиодлар қўлланилади (худди шундай фоторезисторлар, фототранзисторлар ва фототиристорлар ҳам). Фотодиод оддий n-р ўтиш бўлиб, кўп холларда кремний ёки германийдан ясалади. Ундаги тескари ток ёруғлик нури тушиши натижасида юзага келаётган заряд ташувчилар генерацияси тезлиги билан аниқланади. Бу ҳодиса ички фотоэффект деб юритилади. Фотодиодни қўллаш бўйича иккита режим мавжуд: ташқи манбасиз – вентилли ёки фотовольтаик ва ташқи манбали – фотодиодили режим. Ташқи манбасиз ёруғлик нурини электр энергиясига айлантирувчи фотодиодлар вентилли фотоэлементлар деб аталади. Фото электр юритувчи куч U ф нинг юзага келиши ёруғлик билан генерацияланган электрон – ковак жуфтларининг n-р ўтиш орқали ажратилиши билан боғлиқ. Фото ЭЮК U ф катталиги оптик сигнал даражаси Рф ва юклама қаршилиги қийматига

боғлиқ бўлади. Вентилли фотоэлементнинг чиқиш характеристикаси 7.4 – расмда келтирилган. 7.4 – расм. 7.5 – расм. Фотодиод режимида ташқи кучланиш манбаи ҳисобига фототок i ф вентиль элементнинг қисқа туташув токига тахминан тенг бўлади, фототок ҳисобига бирор юклама қаршилигида содир бўладиган кучланиш пасайиши U ф эса катта бўлади. Бир хил юклама қаршилиги қийматида сигнал кучланиши U ф нинг фотодиод (1) ва вентиль элемент (2) учун оптик нурланиш қуввати Р ф га боғлиқликлари 7.5 – расмда келтирилган. Фотоэлектр ўзгартишлар самарадорлиги вольт – ватт S U =U ф /Р ф ҳамда ампер – ватть S i =I ф /Р ф (сезгирлик) билан ифодаланади. Фотодиодларнинг афзаллиги яна шундаки, ёруғлик характеристикалари I ф , U ф =f(Р ф ) чизиқли кўринишга эга, бу эса уларни оптик алоқа линияларида қўллаш имкониятини яратади. Вентиль элементлар асосан энергия ўзгартгичлар (қуёш батареялари) сифатида ишлатилади. Ёруғлик нури орқали токни бошқаришни биполяр транзисторлар ёрдамида ҳам амалга ошириш мумкин. Уларда база токининг кучайиши туфайли, фотодиодларга нисбатан сезгирлик юқори бўлади. Фототранзистор базасидаги заряд ташувчиларнинг оптик генерацияси базага ташқи манбадан заряд ташувчилар киритилишига эквивалентдир. Натижада, транзистор

фототоки фотодиодга нисбатан  мартага кучайтирилади. Бу ерда  - фотортранзистор база токининг статик кучайтириш коэффициенти. 7.6 – расм. Оптрон инерционлиги ёруғлик диоди ва нур қабул қилгичдаги жараёнлар билан боғлиқ бўлиб, чиқиш сигналиниг ортиб бориш вақти t орт ва камайиб бориш вақт t кам лари ёрдамида аниқланади (7.6 - расм). Диодли оптроннинг қуйидаги асосий параметрларини қўрсатиш мумкин: - максимал кириш токи I КИР mах ; - максимал кириш кучланиши U кир mах ; - максимал чиқиш тескари кучланиши U ЧИК.теск . mах ; - берилган токка мос келувчи ўзгармас кириш кучланиши U КИР ; - чиқишдаги тескари қоронғулик токи I ЧИК теск. к ; - чиқиш сигналининг ортиб бориш t орт . ва камайиб бориш t кам. вақтлари (берилган диодли оптрон чиқишидаги сигнал ўзининг максимал қийматидан 0.1-0.9 ва 0.9-0.1 оралиқларда ўзгаради) (7.6 - расм); - ток бўйича узатиш коэффициенти К I – чиқиш токи ўзгаришининг кириш токига нисбати К I = (I ЧИК -I ЧИК.теск.қ. )/I КИРх .

Лабораторияда ўлчанадиган диодли оптрон чегаравий қийматлари ва чиқишларининг жойлашиши иловада келтирилган. 2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ: Тадқиқ этилаётган оптрон принципиал схемасини ва чегаравий қийматларини ёзиб олинг. 2.1. Диодли оптрон характеристикасини тадқиқ этиш. 2.1.1. 7.7 – расмда келтирилган схемани йиғинг. Манбадан берилаётган чегаравий ток қийматини оптрон чегаравий қийматларига мос равишда ўрнатинг. 2.1.2. Е1 ни ўзгартириб бориб, оптроннинг кириш характеристикаси I КИР =f(U КИР ) ни ўлчанг. Ёруғлик диоди киришидаги қаршилик R1 дан анча кичик бўлганлиги сабабли, кириш қаршилигини I КИР = E1/R1 деб олинг. 7.7 – расм. Ўлчаш натижаларини 7.1 – жадвалга киритинг. 7 .1 – жадвал Е1 , В U КИР , В I КИР = E1/R1 , мА

2.1.3. Е2=0 деб олинг. Е1 ни ўзгартириб бориб, фотовольтаик режим учун оптрон узатиш характеристикасини I ЧИҚ =f(I КИР ) ўлчанг. Ўлчаш натижаларини 7.2 – жадвалга киритинг. 7 . 2 – жадвал Е1 , В U КИР , В I КИР = E1/R1 , мА 2.1.4. Е2=5 В ўрнатинг. 2.1.3 – банддаги ўлчашларни фотодиодли режим учун такрорланг. Ўлчаш натижаларини 7.2 – жадвалга ўхшаб, 7.3 – жадвалга киритинг. 2.1.5. Оптрон чиқишидаги сигналнинг ортиб бориш t орт . ва камайиб бориш t кам. вақтларини ўлчанг. 7.8 – расмда келтирилган схемани йиғинг, ёруғлик диоди занжирига импульс генераторини уланг. Генератор чиқишида амплитудаси 5В ва частотаси 1кГц бўлган импульсни ўрнатинг. R2 қаршиликка 1:10 кучланиш бўлувчиси орқали осцилограф уланг. (Осцилографнинг бошқа каналидан генератор чиқишидаги импульс амплитудасини ўлчаш учун фойдаланинг). Е2=5 В ўрнатинг ва чиқиш токи осцилограммасидан сигналнинг ортиб бориш t орт . ва камайиб бориш t кам. вақтларини ўлчанг.

7.8 – расм. Е2=0 ни ўрнатинг ва фотовольтаик режим учун вақт ўлчовларини такрорланг. 2.2. Транзисторли оптрон характеристикаларини тадқиқ этиш. 7.9 – расмда келтирилган схемани йиғинг, Е2=5 В ўрнатинг. 7.9 – расм. (Бу схемада оптрон фотодиоди ва ташқи транзистор фототранзисторни имитация қилади).

Е1 ни ўзгартириб бориб, I КИР =Е1/Р1 ва I ЧИҚ =I К деб олиб, транзисторли оптрон узатиш характеристикаси I ЧИҚ =f(I КИР ) ни ўлчанг. Ўлчаш натижаларини 7.2, 7.3 жадвалларга ўхшаш тарзда 7.4 – жадвалга киритинг. 3. Тажрибада олинган натижаларни ишлаш. 3.1. Оптрон кириш характеристикасини қуринг ва I КИР =10 мА қийматига мос келувчи кириш кучланиши U кир қийматини аниқланг. 3.2. Диодли ва фотовольтаик режимлар учун оптрон узатиш характеристикаларини қуринг ва I КИР =10 мА қийматида ток бўйича узатиш коэффициентини K I аниқланг. 3.3. Диодли оптронда сигнал тарқалишининг ўртача кечикиш вақтини ҳисоблаб топинг.         2 2 2 1 . . . кам орт кеч ўрт t t t . 3.4. Транзисторли оптрон узатиш характеристикасини қуринг ва I КИР =10 мА қийматида ток бўйича узатиш коэффициентини K I аниқланг. 4. Ҳисобот мазмуни. - тадқиқ этилаётган оптрон чегаравий қийматлари ва принципиал схемаси; - ўлчаш схемалари; - ўлчанган боғлиқликлар жадваллари ва графиклари; - ҳисоблаб топилган параметрлар; - ток ва кучланиш осцилограммалари.

Похожие

Транзистор – транзистор мантиқ интеграл схемасини тадқиқ этиш

Майдоний транзисторни тадқиқ этиш

Операцион кучайтиргич параметрларини тадқиқ этиш

Майдоний транзисторларда ясалган калит схемаларни тадқиқ этиш

Биполяр транзисторларнинг статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш