Биполяр транзисторларнинг статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш - Физика - Рефераты

Биполяр транзисторларнинг статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш

Загружено в:

20.09.2019

Скачано:

0

Размер:

146.5 KB

Биполяр транзисторларнинг статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш Ишнинг мақсади : Биполяр транзисторларнинг асосий статик характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш, характеристикаларни ўлчаш ва тажриба натижаларини қайта ишлаш услуби билан танишиш. 1. Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик: График кўринишда ифодаланган ток ва кучланиш орасидаги боғлиқлик транзистор статик характеристикалари деб аталади. Умумий эмиттер уланиш схемасида мустақил ўзгарувчилар сифатида база токи Бi ва коллектор – эмиттер кучланиши КЭu танланади, шунда:       КЭ Б К КЭ Б ЭБ u i f i u i f u ,, (2.1) Икки ўзгарувчили функция график кўринишда характеристикалар оиласи каби тасвирланади. БТ кириш хараткеристикалари оиласи 2.1- расмда келтирилган. Характеристикаларнинг ҳар бири қуйидаги боғлиқлик билан ифодаланади:  Б ЭБ if u  , const uКЭ  бўлганда (2.2) (абсцисса ўқи бўйлаб u ЭБ , ордината ўқи бўйлаб эса i Б қўйилади ). Характеристикалар оиласидаги ҳар бир хараткеристика коллектор – эмиттер кучланишининг ўзгармас қийматида ўлчанади (2.1- расмда 3 2 1 КЭ КЭ КЭ u u u   ).

2.1 – расм. 2.2 – расм. Чиқиш характеристикалари оиласи   КЭ К uf i  , const iБ бўлганда (2.3) 2.2- расмда келтирилган  1 2 3 Б Б Б i i i   . Пунктир чизиғидан чапроқда жойлашганн соҳа БТ тўйиниш режимига, ўнгда жойлашган соҳа – актив режимга мос келади. Кичик амплитудали сигналлар билан ишланганда КЭт Km БЭт Бт U I U I , , ,  0 Бi ва  0 КЭ U қийматлар билан бериладиган ихтиёрий ишчи нуқта атрофидаги ночизиқли боғлиқликлар (2.1-2.3), чизиқли тенгламалар билан алмаштирилиши мумкин, масалан транзисторнинг h- параметрлар тизимидан фойдаланиб.      КЭт Бт Кт КЭт Бт БЭт U h I h I U h I h U 22 21 12 11 (2.4) ёзиш мумкин, бу ерда Б БЭ i u h    11 , const uКЭ  бўлганда БК ii h   21 , const uКЭ  бўлганда

КЭ БЭ u u h    12 , const iБ бўлганда (2.5) КЭ К u i h    22 , const iБ бўлганда h - параметрлар (2.5) формулалари ёрдамида характеристикалар оиласидан аниқланиши мумкин ( h 11 ва h 12 – кириш характеристикалар оиласидан, h 21 ва h 22 – чиқиш характеристикалар оиласидан). Аппроксимацияланган кириш характеристиклари учун         КИР БЎС БЭ Б БЎС БЭ Б БЎС БЭ r U u i бўлганда U u i бўлганда U u 0 (2.6) га эгамиз. Чиқиш характеристикалари учун эса     . . , , . ,КЭ КЭ КЭ ТЎЙ К ТЎЙ К КЭ Б Кu U U тўй режими r i u i актив режим r             (2.7) 2.6 ва 2.7 формулаларда U БЎС - эмиттер ўтишдаги бўсағавий кучланиш, КИРr - транзистор кириш қаршилигининг ўрта қиймати ( Бr rКИР '  ), ТЎЙКr . - тўйиниш режимидаги транзистор чиқиш қаршилиги ( бошланғич соҳада ). К КЭ ТЎЙК i u r    . , const iБ ва ТЎЙ КЭ КЭ U u .  (2.8) Кr - актив режимда чиқиш қаршилиги Кr нинг ўрта қиймати. К КЭ К i u r    const iБ ва ТЎЙ КЭ КЭ U u .  бўлганда (2.9)

2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ: 2.1. Тажриба ўтказишга тайёргарлик кўриш: Транзистор тузилиши ва чегаравий параметрлари билан танишиб чиқинг, транзистор ҳақидаги маълумотларни ёзиб олинг, ўлчаш учун жадвал тайёрланг. 2.1 - жадвал Кириш ва бошқариш характеристикалари Е Б В u БЭ В i Б мкА i K мА 2.2 - жадвал Транзистор чиқиш характеристикалари i Б , мк А u КЭ В i K мА u КЭ В i K мА u КЭ В i K мА ва х.з. 2.4 – расмда келтирилган ўлчаш схемасини йиғинг. Транзистор цоколининг схемаси 2.5 – расмда келтирилган. Резистор қаршилиги R 1 = (5–10 )кOм.

2.2. В uКЭ 5 ўзгармас кучланиш қийматида транзисторнинг кириш ва бошқариш характеристикларини ўлчанг. Ўлчаш натижалари ва ҳисобларни 2.1 - жадвалга киритинг. 2.4 – расм. 2.5 – расм. 2.3. Чиқиш характеристикалар оиласини ўлчанг: Чиқиш характеристикалар оиласини база токининг i Б =50мкА қийматидан бошлаб ҳар 50 мкА қийматлари учун ўлчанг. Коллектор токи бу вақтда кўрсатилган чегаравий қийматлардан ошмаслиги керак; u кэ кучланиш қийматининг ўзгариш оралиғи шундай танланиши керакки, актив ва тўйиниш режимларида 3-5 та нуқта олиш мумкин бўлсин. 3. Ўлчаш натижаларини ишлаш:

3.1. Кириш, бошқарув ва чиқиш характеристикалар оиласи графигини қуринг. u кэ =5 В, i Б =100мкА нуқтада транзистор параметрларини аниқланг Б БЭ Э i u h    11 , Б K Э i i h    21 , КЭ K Э u i h    22 3.2. База токи 100 мкА бўлганда чиқиш характеристикасини қуринг. Чизиқли – бўлак аппроксимацияни амалга ошириб ТЎЙ КЭ U . , ТЎЙКI . , ТЎЙКr . , Kr ларни ҳисобланг. 4. Ҳисобот мазмуни: 1) ўлчаш схемалари; 2) олинган боғлиқликлар жадваллари ва графиклари; 3) ўлчаш ва ҳисоб натижаларининг таҳлили.

Похожие

Операцион кучайтиргич параметрларини тадқиқ этиш

Ярим ўтказгичли диод характеристикаси ва параметрларини тадқиқ этиш

Майдоний транзисторлар

Майдоний транзисторлар

Биполяр транзисторлар