logo
  1. Главная страница
  2. Рефераты
  3. Физика
  4. Fotodetektorlar turlari

Fotodetektorlar turlari

Загружено в:

18.08.2023

Скачано:

0

Размер:

618.046875 KB
Скачать
Fotodetektorlar turlari Reja: 1. Fotodetektor turlari. 2. Fotodiodning ishlash prinsipi 3. Transimpedans kuchaytirgichli fotodetektorlar 1. Fotodetektor turlari. Fotodetektor (fotodetektor) - bu optik energiyani elektr energiyasiga aylantiruvchi moslama. PD ikkita turdagi fotoelektr effektidan foydalanadi: - fotovoltaik; - elektr o&#39;tkazuvchanlik; Fotovoltaik effektga asoslangan qurilmalar: fotodiodlar, fototransistorlar, quyosh xujayralari. Fotokondüktivlik effekti fotorezistorlarda ishlatiladi. Optik aloqa tizimlarining PD-ga quyidagi talablar qo&#39;yiladi: - yuqori sezuvchanlik; - past shovqin darajasi; - talab qilinadigan ko&#39;rsatkichlar; - uzoq umr ko&#39;rish muddati; - optik kuchaytirgichlar bilan birgalikda integral mikrosxemalarda foydalanish. Fotodiodlar ushbu talablarga katta darajada javob beradi. Fotodiod - bu unga tushadigan nurlanish ta&#39;sirida elektr xossalari o&#39;zgarib turadigan uskuna. Optik aloqa texnologiyasida p-i-n fotodiodlar va ko&#39;chki fotodiodlari (APD) eng ko&#39;p qo&#39;llaniladi. 10Gbps dan 160Gbps va undan yuqori tezlikda ishlatiladigan Traveling-Wave Fotodetektorlari (TWP) yuqori tezlikda ishlaydigan tizimlar uchun istiqbolli hisoblanadi. Ushbu qurilmalarda fotodetektsiya yarimo&#39;tkazgichli optik kuchaytirgichda optik kuchaytirish bilan birlashtirilgan. 2. Fotodiodning ishlash prinsipi EOT fotodetektorlari impuls kengligini o&#39;lchash va impuls profilini tahlil qilishning turli xil ilovalari uchun juda ko&#39;p qirrali vositadir. ET seriyasi PIN-fotodiodlar asosida yaratilgan. Fotosurat detektorlari teskari tarafkashlik rejimida ishlaydi. PIN-fotodiodlarning ishlashi ichki fotoelektr ta&#39;siriga asoslangan bo&#39;lib, uning yordamida optik nurlanish elektr signaliga (oqimga) aylanadi. Orqaga teskari kuchlanish manbai sifatida 3V lityum xujayra (bir yoki bir nechtasi) ishlatiladi, agar yuqori kuchlanish zarur bo&#39;lsa, tashqi batareyalar ulanadi. Har bir foto detektori chiqadigan SMA yoki BNC ulagichi bilan jihozlangan. Fotodetektorni osiloskopga ulash uchun yuk qarshiligini 50 Ohm ga o&#39;rnatish kifoya. Deyarli barcha foto detektorlar FC-ga mos keladi va optik tolali yorug&#39;lik manbalariga mos keladi. 3.Transimpedans kuchaytirgichli fotodetektorlar Ushbu fotodetektorlar, shuningdek, PIN-fotodiod texnologiyasiga asoslangan, ammo ayni paytda yuqori tezlikda transimpedans kuchaytirgichi bilan jihozlangan. Kuchaytirgichlar tufayli fotodetektorning sezgirligi oshadi - qurilma 100 nVt quvvatga ega nurlanishni aniqlaydi. Asosan transimpedans kuchaytirgichi bo&#39;lgan fotodetektorlarda daromad 26 dB ni tashkil qiladi. Shuni ta&#39;kidlash kerakki, ushbu fotodetektorlar o&#39;zgaruvchan tok bilan bog&#39;langan, pastki uzilish chastotasi 30 kHz. Pulse kengligi o&#39;lchovi / Q-o&#39;zgaruvchan lazer manbalarini impuls profilini vizualizatsiya qilish Rejimli qulflangan lazerlarning chiqishini kuzatish Tashqi modulyatsiya bilan diod lazerlari va cw (yoki impulsli) lazer manbalarining keskin modulyatsiyasini ingl Impulsli va CW lazerlarining nurlarini aniqlash / kalibrlash Quvvat o&#39;lchagich sifatida katta ish maydoni bo&#39;lgan foto detektorlardan ham foydalaniladi (quvvat darajasi Om qonuni bo&#39;yicha hisoblanadi) Rasmda ET seriyali fotodetektorlarning ba&#39;zi qo&#39;llanilishi ko&#39;rsatilgan: Chapda: davomiyligi 100 ps dan kam bo&#39;lgan doimiy impulsning profili (tahlil 1064 nm to&#39;lqin uzunligida, ET-2000 fotodetektorida qilingan), o&#39;ngda: rejim Nd: YAG kristaliga asoslangan Q-o&#39;zgaruvchan lazer manbasida , 10 gigagertsdan yuqori bo&#39;lgan osiloskop chastota diapazoni, ET fotodetektor -2000. Fotodetektorlarning asosiy xususiyatlari Sezuvchanlik: hosil bo&#39;lgan fototokning to&#39;lqin uzunligiga qarab tushayotgan nurning berilgan kuchiga nisbati A / Vt. Spektral sezgirlik: fotodetektorning spektral sezgirligi to&#39;lqin uzunligining funktsiyasi sifatida ko&#39;rsatilgan. Rise Time: Fotodetektorning chiqish darajasi eng yuqori qiymatdan 10% dan 90% gacha ko&#39;tarilishi uchun zarur bo&#39;lgan vaqt. Kuz vaqti: Fotodetektorning chiqish darajasi eng yuqori qiymatdan 90% dan 10% gacha tushishi uchun zarur bo&#39;lgan vaqt. Chastotaga javob: Fotodetektorning chastota reaktsiyasi ko&#39;pincha sezgirlik funktsiyasi sifatida tavsiflanadi, radiatsiya oqimining desibel yoki gerts bilan o&#39;lchangan chastotasi. Pastroq uzilish chastotasi: fotodetektorning chiqish quvvati 3 dB ga kamaygan emissiya chastotasi, signal chastotasi 100 kHz. Chastotaga javob: gers bilan o&#39;lchangan yuqori va pastki chastota chegarasi orasidagi farq. Fotodetektorning chastota diapazoni taxminan ko&#39;tarilish vaqtidan Tr quyidagi formula bo&#39;yicha hisoblanadi: Chastotaga javob (Hz) ≈ 0,35 / Tr To&#39;q oqim: Fotokatot yoritilmaganda fotodiodda oqadigan kichik oqim. Aloqa quvvati: Yarimo&#39;tkazgichli emitentning terminallari orasidagi sig&#39;imning qiymati ma&#39;lum bir voltaj va chastotada sig&#39;imsiz. Buzilish kuchlanishi: yarimo&#39;tkazgich emitenti orqali teskari oqim oldindan belgilangan qiymatdan oshib ketadigan birikmaning buzilishiga olib keladigan teskari kuchlanish qiymati. Energiya ekvivalenti shovqini: signal-shovqin nisbati 1 bo&#39;lganida shovqin qavatiga tushgan fotonlar (nurlanish) sonining energiya ekvivalenti. Lazer quvvatini hisoblash Berilgan to&#39;lqin uzunligidagi sezgirlik qiymatidan foydalanib va Ohm qonunini (V = IQ) qo&#39;llagan holda, detektorning faol mintaqasi orqali uzatiladigan lazer nurlanishining kuchini hisoblash mumkin. Masalan, ET-2030 fotodetektorining chiqish signali 20 mV kuchga ega, lazer nurlanishining to&#39;lqin uzunligi 632,8 nm. Yukning qarshiligi 50 Ohm, kirish signalining kuchi quyidagicha hisoblanadi: I = 0,02 V / 50 Ohm, I = 0.0004 A. ET-2030 silikon fotodetektorining nurlanish to&#39;lqin uzunligi 632,8 nm bo&#39;lgan spektral sezgirligi 0,4 A / Vt. Keyin 0.0004 A / 0.4 A / W = 1 mVt - bu kirish nurlanishining qidirilayotgan kuchi. Shuni ta&#39;kidlash kerakki, hisob-kitoblar faqat fotodetektorning ish maydoniga ta&#39;sir ko&#39;rsatgan signal uchun berilgan. Mutlaq signal kuchini hisoblash amaliy qo&#39;llanmalar uchun juda muhim emas, chunki haqiqiy qurilmalarda yo&#39;qotishlar mavjud. Fotodetektorlarning sxematik diagrammasi Galliy-indiy arsenidi va kremniyga asoslangan fotodetektorlarning elektr davri diagrammasi, chastota diapazoni 2 gigagertsdan kam: 12 gigagertsdan yuqori chastotali fotodetektorning elektr sxemasi: Fotodetektorlar - yarimo&#39;tkazgichli qurilmalar, optik nurlanishni ro&#39;yxatga olish va konvertatsiya qilish chiqishda elektr signaliga kirishda optik signal fotodetektor. Asosiy fotodetektorlar: 1) Fotorezistorlar 2) Fotodiodlar 3) Fototransistorlar 4) FPZS Yarimo`tkazgichli fotodetektorlar va fotodiodlar. Yarimo`tkazuvchi fotodetektorni sxemasi 1-rasmda keltirilgan. 1-rasm Yarim o`tkazuvchi kristall rezistor R bilan va o`zgarmas kuchlanish V manbai bilan ketma-ket ulangan. Qayd qilinishi kerak bo`lgan optik to`lqin, kristallga tushadi va yutiladi, Bunda o`takzuvchanlik zonasiga elektronlarni qo`zg`atadi (yoki p-tipdagi yarim o`tkazuvchilarda – teshiklarni valentli zonaga). Bunday qo`zg`atish yarim o`tkazuvchi kristallni qarshiligini Rd kamaytirishiga olib keladi, demak qarshilikda R kuchlanishni pasayishini ko`paytirishga, u ∆ R d / R d << 1 bo`lganida tushayotgan oqim zichligiga proporsionaldir. Misol sifatida Eng ko`p tarqalgan yarim o`tkazuvchilardan birini, smon atomlari bilan legirlangan – germaniyni energetik darajalarini ko„rib chiqamiz. Germaniydagi Nd atomlari 0,09 eV ionzatsiyalash energiyasi bilan akseptorlar hisoblanadi. Demak, valentli zonaning yuqori darajasidan elektronni ko`tarish uchun va N d (akseptor) atomi uni ushlab olishi uchun eng kamida 0.09 eV energiyali foton kerak bo`ladi (ya`ni, to`lqin uzunligi 14 mkm qisqaroq foton). Odatda germaniy kristalli soni ko`p bo`lmagan donorli Nd atomlarga ega bo`lib past xaroratlarda o`zining valentli elektronlarini katta sonli akseptorli Na аtomlarga berish energetik tomonidan qulay. Bunda soni bo`yicha teng bo`lgan musbat ionlashgan donorli va manfiy ionlashgan akseptorli atomlar paydo bo`ladi. Akseptorlarni konsentratsiyasi N a >>N d bo`lgani sababli atomlar-akseptorlarni ko`pchiligi zaryadlanmagan bo`lib qoladi. Tushayotgan foton yutiladi va elektronni valentli zonadan atom- akseptor darajasiga o`tkazadi. Bunda hosil bo„lgan teshik elektr maydoni ta‟sirida harakatlanadi, Bu esa elektr tokini paydo bo`lishiga olib keladi. Elektron akseptor darajadan valentli zonaga qaytib kelishi bilan, shu bilan teshikni yo`q qilib, tok yo„qoladi. Bu jarayon elektorn-teshikli rekombinatsiya deyiladi yoki akseptor atomi tomonidan teshikni qamrab olish. Ionizatsiyalash energiyasi bilan kam aralashmalarni tanlab, ancha past energiyali fotonlarni opish mumkin. Mavjud yarim o`tkazuvchi fotodetektorlar Odatda to`lqin uzunligi to ∆ =32 mkm gacha bo`lganida ishlaydi. Shunday qilib, yarim o`tkazuvchi fotodetektorlarning fotoko`paytuvchilarga taqqoslanganda asosiy ustunligi ularni uzun to`lqinli nurlanishni qayd qilish qobiliyati hisoblanadi, chunki ularda harakatlanuvchi tashuvchilarni yaratilishi ancha katta bo`lgan yuza potensial to`sig`ini yengib o`tishi bilan bog`liq emas. Ularning kamchiligi tok bo`yicha kuchaytirish katta bo`lmasligi hisoblanadi. Bundan tashqari, tashuvchilarni fotouyg`otishini issiqlik uyg`otish bilan niqoblanmaslik uchun, yarim o`tkazuvchi fotodetektorlarni sovutishga to`g`ri keladi. Fotodiodlar - bu yarim o`tkazuvchi diodlar bo`lib, ularda ichki effekt ishlatiladi (fotoeffekt nurlanish ta‟sirida juft zaryad tashuvchilarning generatsiyasidan iborat). Yorug`lik oqimi fotodiodning teskari tokini boshqaradi. Fotodiodga yorug`lik ta`sirida fotoeffekt sodir bo`ladi va diodning o`tkazuvchanligi oshadi, teskari tok ko`payadi. Bunday rejim fotodiodli deyiladi. Agar yorug`lik oqimi bo`lmasa, bunda diod orqali oddiy boshlanuvchi teskari tok oqadi va u qorong`ilik toki deyiladi. Odatda fotodiod sifatida n-p-o`tishli yarim o„tkazuvchi diodlar ishlatiladi, u tashqi ta‟minlash manbai bilan teskari yo„nalishda siljigan. n-p-o`tishida kvantlar yorug`likni yutganida yoki unga yaqin hududlarda yangi zaryad tashuvchilari hosil bo`ladi. Diffuzion uzunligidan oshmagan masofada n-p-o`tishni atrofidagi hududlarda paydo bo`lgan asosiy bo`lmagan zaryad tashuvchilari n-p-o`tishga diffundirlanadi va elektr maydoni ta`sirida u orqali o`tadi. Ya‟ni teskari tok yuritilganda oshadi. n-p o`tishida bevosita kvantlarni yutilishi o`xshash natijalarga olib keladi. Teskari tokni oshgan miqdori fototok deyiladi. Fotodiodning xususiyatlari quyidagi tavsiflar bilan aniqlanadi: a) fotodiodning volt-amper tavsifi – Bu o`zgarmas yorug`lik oqimidagi yorug„lik tokining va qorong`ilik kuchlanish I q bog`liqligi. b) fotodiodning yorug`lik tavsifi, ya`ni fototok yoritilganlikka bog`liq bo`lib, fototokning yoritilganlikka to`g`ri proporsionaldir. Bu fotodiodning baza qalinligi asosiy bo`lmagan zaryad tashuvchilarning diffuzion uzunligidan ancha kichikligidir. Ya`ni bazada paydo bo`lgan amaldagi barcha asosiy bo„lmagan zaryad tashuvchilari fototokni hosil qilishida qatnashadi. d) fotodiodning spektral tavsifi – bu fototokni fotodiodga tushayotgan yorug„likni to„lqin uzunligiga bog`liqligi. U ta`qiqlangan zonaning eni bilan to„lqinni katta uzunligi tomonidan aniqlanadi, kichik to`lqin uzunligida – yutishni katta ko`rsatkich va zaryad tashuvchilarning yuza rekombinatsiyasi ta`siri ko`payishini yorug`lik kvantlarini to„lqin uzunligini kamayishi bilan. Ya`ni sezgirlikni qisqa to`lqinli chegarasi baza qalinligi va yuza rekombinatsiya tezligiga bog`liq. Fotodiodning spektral tavsifida maksimumni joylanishi yutish koeffitsiyentining oshish darajasiga qattiq bog`liq: e) vaqt doimiyligi – bu yoritilgandan keyin fotodiodning fototoki vaqt davomida o„zgarishi yoki barqarorlashgan miqdoriga nisbatan fotodiodning e marotaba (63%) qorong`ilashi; f) qorong„ili qarshilik – yoritilganlik bo`lmaganda fotodiodning qarshiligi; g) integral sezgirligi K = I f /F Bu yerda I f – fototok, F-yoritganlik; j) inersiyalik. Inersiyalikka ta`sir kusatuvchi uch fizik omillar mavjud: 1) baza orqali nomuvozanatli tashuvchilarnig diffuziya yoki drey vaqti L; 2) n-p o`tishidan uchib o„tish vaqti L1; 3) n-p o`tishini to`siqlik sig„imini qayta zaryadkalash vaqti, doimiylik vaqt RC tus bilan ta`riflanadi. Baza orqali zaryad tashuvchilarning diffuziyasi vaqtini aniqlash mumkin (tranzistorning bazasi orqali zaryad tashuvchilarning uchib o`tish vaqtiga o`xshash) dreyfsiz uchun: T g =50 ns N-p-o„tish orqali uchib o„tish vaqti: bu yerda ∆ - n-p-o`tishni qalinligi, V max – zaryad tashuvchilarning dreyfini maksimal tezligi (V max – kremniy va germaniy uchun 5∙10 6 sm/s teng) teskari kuchlanish va bazadagi aralashmalar konsentratsiyasiga bog`liq n-p o„tishni qalinligi odatda 5 mkm kam, demak T 1 =0,1 ns. Tashqari zanjirda yuklanishni kichik qarshiligida fotodiodning baza qarshiligiga va kuchlanishga bog`liq holda n- p-o`tishni to`siqli sig`imi – RC to`s aniqlanadi. RC to`s miqdori bir nechta nanosekund.

Похожие

Bеta-yemirilish turlari
Avtomatik rostlagichlar va ularning turlari
Parametrik datchik va ularning turlari
Yarim o‘tkazgichli diod va uning turlari
Suyuqliklar kinematikasi va dinamikasi soslari.Suyuqliklarda harakat turlari