Электрон – ковак ўтиш - Физика - Рефераты

Электрон – ковак ўтиш

Загружено в:

20.09.2019

Скачано:

0

Размер:

165.5 KB

Электрон – ковак ўтиш Режа: 1. Р -n ўтишнинг ҳосил бўлиши Р-n ўтишнинг тўғри уланиши 3. Р–n ўтишнинг тескари уланиши 4. Р– n ўтишнинг вольт – ампер характеристикаси (ВАХ) 5. Р- n ўтишнинг тешилиш турлари

1. Р -n ўтишнинг ҳосил бўлиши Ярим ўтказгичли асбобларнинг кўпчилиги бир жинсли бўлмаган ярим ўтказгичлардан тайёрланади. Хусусий холатда бир жинсли бўлмаган ярим ўтказгич бир соҳаси р –турдаги, иккинчиси эса n -турдаги монокристалдан ташкил топади. Бундай бир жинсли бўлмаган ярим ўтказгичнинг р ва n – соҳаларининг ажралиш чегарасида ҳажмий заряд қатлами ҳосил бўлади, бу соҳалар чегарасида ички электр майдони юзага келади ва бу қатлам электрон – ковак ўтиш ёки р-n ўтиш деб аталади. Кўп сонли ярим ўтказгичли асбоблар ва интеграл микросхемаларнинг ишлаш принципи р-n ўтиш хоссаларига асосланган. Р-n ўтиш ҳосил бўлиш механизмини кўриб чиқамиз. Соддалик учун, n –соҳадаги электронлар ва р – соҳадаги коваклар сонини тенг оламиз. Бундан ташқари, ҳар бир соҳада унча катта бўлмаган асосий бўлмаган заряд ташувчилар миқдори мавжуд. Хона температурасида р –турдаги ярим ўтказгичда акцептор манфий ионларининг концентрацияси N а коваклар концентрацияси р р га, n –турдаги ярим ўтказгичда донор мусбат ионларининг концентрацияси N d электронлар концентрацияси n n га тенг бўлади. Демак, р - ва n –соҳалар ўртасида электронлар ва коваклар концентрациясида сезиларли фарқ мавжудлиги туфайли, бу соҳалар бирлаштирилганда электронларнинг р –соҳага, ковакларнинг эса n -соҳага диффузияси бошланади. Диффузия натижасида n – соҳа чегарасида электронлар концентрацияси мусбат донор ионлари концентрациясидан кам бўлади ва бу соҳа мусбат зарядлана бошлайди. Бир вақтнинг ўзида р -соҳа чегарасидаги коваклар концентрацияси камайиб боради ва у акцептор киритмаси билан компенсацияланган ион зарядлари ҳисобига манфий зарядлана бошлайди (1 – расм). Мусбат ва м анфий ишорали айланалар мос равишда донор ва акцептор ионларини тасвирлайди.

Ҳосил бўлган икки ҳажмий заряд қатлами р- n ўтиш деб аталади. Бу қатлам ҳаракатчан заряд ташувчилар билан камбағаллаштирилган. Шунинг учун унинг солиштирма қаршилиги р- ва n –соҳа қаршиликларига нисбатан жуда катта. Баъзи адабиётларда бу қатлам камбағаллашган ёки i – соҳа деб аталади. Ҳажмий зарядлар турли ишораларга эга бўладилар ва р- n ўтишда кучланганлиги E га тенг бўлган электр майдон ҳосил қиладилар. Асосий заряд ташувчилар учун бу майдон тормозловчи бўлиб таъсир кўрсатади ва уларни р- n ўтиш бўйлаб эркин ҳаракат қилишларига қаршилик кўрсатади. 1 б -расмда ўтиш юзасига перпендикуляр бўлган, Х ўқи бўйлаб потенциал ўзгариши кўрсатилган. Бу вақтда ноль потенциал сифатида чегаравий соҳа потенциали қабул қилинган. 1 – расм.

Расмдан кўриниб турибдики, р- n ўтишда вольтларда ифодаланадиган контакт потенциаллар фарқига p n KU     тенг бўлган потенциал тўсиқ юзага келади. U K катталиги дастлабки ярим ўтказгич материал таъқиқланган зона кенглиги ва киритма концентрациясига боғлиқ бўлади. р- n ўтиш контакт потенциаллар фарқи: германий учун  K U 0,35 В, кремний учун эса = 0,7 В. Р- n ўтиш кенглиги l 0 K U га пропорционал бўлади ва мкмнинг ўнлик ёки бирлик қисмларини ташкил этади. Тор р- n ўтиш ҳосил қилиш учун катта киритма концентарцияси киритилади, l 0 ни катталаштириш учун эса кичик киритмалар концентрацияси қўлланилади. Р- n ўтиш токлари. q U U R i энергияга эга бўлган кўпгина заряд ташувчилар (1.1- расмга қаранг) р- n ўтиш орқали қўшни соҳаларга диффузия ҳисобига р- n ўтиш майдонига қарама–қарши равишда силжийдилар. Улар диффузия токини юзага келтирадилар. Асосий заряд ташувчиларнинг р- n ўтиш орқали ҳаракати билан бир вақтда, р- n ўтиш улар учун тезлатувчи бўлиб таъсир кўрсатаёган майдон таъсирида асосий бўлмаган заряд ташувчилар ҳам ҳаракатланадилар. Асосий бўлмаган заряд ташучилар оқими дрейф токи ни юзага келтиради. Ташқи майдон таъсир эттирилмаганда динамик мувозанат ўрнатилади, яъни диффузия ва дрейф токларининг абсолют қийматлари тенг бўлади. Лекин диффузия ва дрейф токлари ўзаро қарама–қарши йўналишда йўналганлиги учун, р- n ўтишдаги натижавий ток нольга тенг бўлади. Р- n ўтишнинг тўғри уланиши Агар р- n ўтишга ташқи кучланиш манбаи U уланса, у ҳолда мувозанат шарти бузилади ва ток оқиб ўта бошлайди. Агар кучланиш манбаининг

мусбат қутби р -турдаги соҳага, манфий қутби эса n -турдаги соҳага уланса, бундай уланиш тўғри уланиш деб аталади (2 - расм). 2 – расм. Кучланиш манбаининг электр майдони контакт майдон томонга йўналган бўлади, шу сабабли р-n ўтишдаги натижавий майдон кучланганлиги камаяди. Майдон кучланганлигининг камайиши потенциал тўсиқ баландлигини кучланиш манбаи қийматига камайишига олиб келади: U K = U 0 . Бу вақтда р-n ўтиш кенглигини ҳам камайишини кўриш мушкул эмас. Потенциал тўсиқ баландлигининг камайиши шунга олиб келадики, р-n ўтиш орқали ҳаракатланаётган асосий заряд ташувчиларни сони ҳам ортади, яъни диффузия токи ортади. Ҳар бир соҳада ортиқча асосий бўлмаган заряд ташувчилар концентрацияси юзага келади – n -соҳада коваклар, р -соҳада электронлар. Бирор ярим ўтказгич соҳасига асосий бўлмаган заряд ташувчиларни сиқиб киритиш жараёни инжекция деб аталади. Кучланиш ўзгариши билан диффузия токининг ўзгариши экспоненциал қонун асосида рўй беради:kT qU ДИФ eI I / 0 0  (1) бу ерда I 0 – дрейф токи бўлиб, уни р-n ўтишнинг тескари токи деб ҳам аташади.

Тўғри кучланиш берилганда потенциал тўсиқ баландлигига тескари ток таъсир кўрсатмайди, чунки бу ток фақат р-n ўтиш орқали бирлик вақт ичида тартибсиз иссиқлик ҳаракати туфайли олиб ўтилаётган асосий бўлмаган заряд ташувчиларнинг сони билан белгиланади. Диффузия ва дрейф токлари бир-бирига нисбатан қарама-қарши йўналган бўлади, шу сабабли р-n ўтиш орқали оқиб ўтаётган натижавий (тўғри) ток (1) дан келиб чиққан ҳолда 1 / 0 0 0     kT qU ДИФ ТЎГ e I I I I . (2) I 0 токи германийли р-n ўтишларда ўнлаб мкА ёки кремнийли р-n ўтишларда наноамперларни ташкил этади ва температура ортиши билан кучли равишда ток ҳам ортади. Лекин I 0 қийматидаги катта фарқ таъқиқланган зона кенглиги билан аниқланади. 3. Р–n ўтишнинг тескари уланиши Бу ҳолатда ташқи кучланиш манбаининг мусбат қутби n -соҳага уланади (3 - расм). 3 - расм Кучланиш манбаининг электр майдони ўтишнинг контакт майдони йўналган томонга йўналган. Шу сабабли потенциал тўсиқ баландлиги ортади

ва U K = U 0 га тенг бўлади. Тескари кучланиш қийматининг ортиши р- n ўтиш кенглигининг кенгайишига олиб келади (ТЕСК ТЎГ l l  ). Амалий ҳисобларда қуйидаги ифодадан фойдаланиш қулай: K U U l l 0 0  , (3) бу ерда       Nd Na U q l K 1 1 2 0 0  - ташқи майдон таъсир этмагандаги р–n кенглиги,  - ярим ўтказгич нисбий диэлектрик доимийси, 0 - электр доимий. Потенциал тўсиқнинг ортиши диффузия токининг камайишига олиб келади. Диффузия токининг ўзгариши экспоненциал қонун асосида рўй беради kT qU ДИФ eI I / 0 0   . (4) Дрейф токи потенциал тўсиқ баландлигига боғлиқ эмаслиги ва I 0 га тенг бўлганлиги сабабли, р-n ўтишдан ўтаётган натижавий ток  1 / 0 0 / 0 0 0       kT qU kT qU ТЕСК e I I еI I . (5) Тескари уланишда контактлашувчи ярим ўтказгичлардан асосий бўлмаган заряд ташувчилар чиқариб олинади (экстракция). Шу сабабли тескари ток экстракция токи деб аталади. 4. Р– n ўтишнинг вольт – ампер характеристикаси (ВАХ) Р- n ўтиш токининг унга берилаётган кучланишга боғлиқлиги I = f ( U ) вольт–ампер характеристика ( ВАХ ) дейилади. (2) ва (5) лар асосида умумий ҳолда экспоненциал боғлиқлик ёрдамида ифодаланади (4. а - расм).

 1 / 0 0    kT qU e I I. (6) Агар р- n ўтишга тўғри кучланиш берилган бўлса, U 0 кучланиш ишораси – мусбат, тескари кучланиш берилган бўлса эса - манфий бўлади. U ТУГ  0,1 В бўлса экспоненциал сонга нисбатан бирни ҳисобга олмаса ҳам бўлади ва кучланиш ортиши билан ток ҳам экспоненциал ортиб боради. Тескари кучланиш берилганда эса -0,2 В кучланиш қийматида ток I 0 қийматига етиб келади ва кейинчалик кучланиш қиймати ўзгармайди. I 0 катталиги шу сабабли тескари уланган р- n ўтишнинг тўйиниш токи деб ҳам аталади. а) б) 4 - расм Тескари ток тўғри токка нисбатан бир неча даражага кичик, яъни р- n ўтиш тўғри йўналишда токни яхши ўтказади, тескари йўналишда эса ёмон. Демак, р- n ўтиш тўғриловчи ҳаракат билан характерланади ва уни ўзгарувчи токни тўғрилашда қўллашга имкон беради. Экспоненциал ташкил этувчи kT qUe /0 температура ортиши билан камайишига қарамай ВАХ тўғри шахобчасидаги қиялик ортади (4. б -расм). Бу ҳодиса I 0 ни температурага кучли тўғри боғлиқлиги билан тушунтирилади. Тўғри кучланиш берилганда температура ортиши билан ток ортишига олиб келади. Амалиётда р- n ўтиш ВАХга температуранинг боғлиқлиги

кучланишнинг температура коэффициенти (КТК) деб аталадиган катталик билан баҳоланади. КТКни аниқлаш учун температурани ўзгартириб бориб, ўзгармас токдаги р- n ўтиш кучланишини ўзгариши ўлчаб борилади. Одатда КТК манфий ишорага эга, яъни температура ортиши билан ўтишдаги кучланиш камаяди. Кремнийдан ясалган р- n ўтиш учу н КТК 3 мВ/град даражани ташкил этади. (6) ифода идеаллаштирилган р- n ўтиш ВАХ сини ифодалайди. Бундай ўтишда р ва n - соҳаларнинг ҳажмий қаршилиги нольга тенг ва ток ўтиш вақтида р- n ўтишда рекомбинация жараёни содир бўлмайди деб ҳисобланади. Реал ўтишда эса база қаршилиги ўнлаб Омга тенг бўлади. Шу сабабли (6) ифодага р- n ўтишдаги ва ташқи кучланиш U 0 орасидаги фарқни ҳисобга олувчи ўзгартириш киритилади  kT Ir Uq Б e I I /) ( 0 0  (7) Р- n ўтиш сиғими. Паст частоталарда р- n ўтиш токи фақат электрон – ковак ўтишнинг актив қаршиликлари ҳамда ярим ўтказгичнинг р ва n – соҳаларининг қаршилиги ( r Б ) билан аниқланади. Юқори частоталарда р- n ўтишнинг инерцияси унинг сиғими билан аниқланади. Одатда р- n ўтишнинг иккита асосий сиғими ҳисобга олинади: диффузия ва тўсиқ (барьер) . Тўғри уланган р- n ўтишда қўшни соҳаларга асосий бўлмаган заряд ташувчилар инжекцияланади. Натижада р- n ўтишнинг юпқа чегараларида қиймати жиҳатидан тенг лекин қарама-қарши ишорага эга бўлган қўшимча асосий бўлмаган заряд ташувчилар Q ДИФ юзага келадилар. Кучланиш ўзгарса инжекцияланаётган заряд ташучилар сони, демак заряд ҳам ўзгаради. Берилаётган кучланиш таъсиридаги бундай ўзгариш, конденсатор қопламаларидаги заряд ўзгаришига айнан ўхшайди. Базага асосий бўлмаган заряд ташувчилар диффузия ҳисобига тушганликлар и сабабли, бу сиғим диффузия сиғими деб аталади ва қуйидаги ифодадан аниқланади

kT qI CДФ  . (8) (8) ифодадан кўриниб турибдики, р- n ўтишдан оқиб ўтаётган ток ва базадаги заряд ташувчиларнинг яшаш вақти  қанча катта бўлса, диффузия сиғими ҳам шунча катта бўлади Икки электр қатламга эга бўлган электрон – ковак ўтиш зарядланган коденсаторга ўхшайди. Ўтиш сиғими ўтиш юзаси S , унинг кенглиги ва диэлектрик доимийси  билан аниқланади. Ўтиш сиғими тўсиқ сиғими деб аталади ва қуйидаги ифодадан аниқланади      NaNd U qNd SC K T 12 0 0  . (9) Ўтишга кучланиш берилса, бу вақтда ўтиш кенглиги ўзгарганлиги сабабли, сиғим ҳам ўзгаради. Сиғимнинг берилаётган кучланиш U қийматига боғлиқлиги қуйидагича U U U C C K K Б Б   0 . (10) Тўғри уланган ўтишда мусбат ишораси, тескари уланганда эса манфий ишора олинади. С Б берилаётган кучланишга боғлиқлиги сабабли р- n ўтишни ўзгарувчан сиғимли конденсатор сифатида қўллаш мумкин. Тўғри кучланиш берилганда диффузия сиғими тўсиқ сиғимидан анча катта бўлади, тескари кучланишда эса тескари. Шунинг учун тўғри кучланиш берилганда р- n ўтиш инерцияси диффузия сиғими билан, тескари уланганда эса тўсиқ сиғими билан аниқланади.

5. Р- n ўтишнинг тешилиш турлари Юқорида айтиб ўтил г анидек, унча катта бўлмаган тескари кучланишларда I 0 қиймати катта эмас. Тескари кучланиш маълум чегаравий қийматга U ЧЕГ етганда, тескари ток кескин ортиб кетади, ўтишнинг электр тешилиши юз беради. Ўтишнинг тешилиш турлари икки гуруҳга бўлинади: электр ва иссиқлик. Электр тешилишининг икки механизми мавжуд: кўчкисимон ва туннель тешилиш. Кўчкисимон тешилиш нисбатан кенг р- n ўтишларда содир бўлади. Бундай ўтишда тескари кучланишда электрон ва коваклар зарба ионизацияси учун етарли бўлган энергия оладилар ва натижада қўшимча электрон-ковак жуфтлар ҳосил бўлади. Бу жуфтликларнинг ҳар бир ташкил этувчиси, ўз навбатида, электр майдонида тезлашиб, яна янги жуфтликни юзага келтиради ва х.з. Заряд ташувчиларнинг бундай кўчкисимон кўпайиши натижасида ўтишдаги ток кескин ортади. Тор р- n ўтишга эга бўлган ярим ўтказгичларда туннель эффектига асосланган туннель тешилиш содир бўлади. U ТЕС  U ЧЕГ етганда заряд ташувчиларнинг бир соҳадан иккинчисига энергия сарф қилмасдан ўтишига имкон яратилади (туннель эффекти). U ЧЕГ нинг янада ортиши билан шунча кўп заряд ташувчилар туннель ўтиши содир этадилар ва тескари ток кескин ортиб боради. Р- n ўтишда иссиқлик тешилиши тескари ток ўтиш натижасида ўтишнинг қизиши ҳисобига содир бўлади. Тескари ток, иссиқлик токи бўлиб, у ортган сари қизиш ҳам ортади. Бу ҳолат токнинг кўчкисимон ортишига олиб келади, натижада р- n ўтишда иссиқлик тешилиши юз беради ва у ишдан чиқади.

Похожие

Электрон – ковак ўтиш (р-n ўтиш)

Диффузия усули билан электрон-ковак ўтишни ҳосил қилиш

Саноат электроникаси асослари

Яримўтказгичли лазер

Ярим ўтказгичли асбоблар