Ярим ўтказгичли асбоблар - Физика - Рефераты

Ярим ўтказгичли асбоблар

Загружено в:

20.09.2019

Скачано:

0

Размер:

163.5 KB

Ярим ўтказгичли асбоблар ════════════════════════════════════════════ Режа: 1. Энергетик зоналар 2. Хусусий электр ўтказувчанлик 3. Киритмали электр ўтказувчанлик

Энергетик зоналар Замонавий электроника қурилмалари ярим ўтказгичли материаллардан тайёрланади. Ярим ўтказичлар кристалл, аморф ва суюқ бўлади. Ярим ўтказгичли техникада асосан кристалл ярим ўтказгичлар (10 10 асосий модда таркибида бир атомдан ортиқ бўлмаган киритма монокристаллари) қўлланилади. Одатда ярим ўтказгичларга солиштирма электр ўтказувчанлиги металлар ва диэлектриклар оралиғида бўлган ярим ўтказгичлар киради (уларнинг номи ҳам шундан келиб чиқади). Хона температурасида уларнинг солиштирма электр ўтказувчанлиги 10 -8 дан 10 5 гача См/м (метрга Сименс)ни ташкил этади. Металларда  =10 6 -10 8 См/м, диэлектрикларда эса  =10 -8 -10 -13 См/м. Ярим ўтказгичларнинг асосий хусусияти шундаки, температура ортган сари уларнинг солиштирма электр ўтказучанлиги ҳам ортиб боради, металларда эса камаяди. Ярим ўтказгичларнинг электр ўтказувчанлиги ёруғлик билан нурлантириш ва ҳатто жуда кичик киритма миқдорига боғлиқ. Ярим ўтказгичларнинг хоссалари қаттиқ жисм зона назарияси билан тушунтирилади. Ҳар бир қаттиқ жисм кўп сонли бир-бири билан кучли ўзаро таъсирлашаётган атомлардан таркиб топган. Шу сабабли бир бўлак қаттиқ жисм таркибидаги атомлар мажмуаси ягона тузилма деб қаралади. Қаттиқ жисмда атомлар боғлиқлиги атомнинг ташқи қобиғидаги электронларни жуфт бўлиб бирлашишлари (валент электронлар) натижасида юзага келади. Бундай боғланиш ковалент боғланиш деб аталади. Атомдаги бирор электрон каби валент электрон энергияси W ҳам дискрет ёки квантланган бўлади, яъни электрон энергетик сатҳ деб аталувчи бирор рухсат этилган энергия қийматига эга бўлади. Энергетик сатҳлар электронлар учун таъқиқланган энергиялар билан ажратилган. Улар таъқиқланган зоналар деб аталади. Қаттиқ жисмларда қўшни электронлар

бир-бирига жуда яқин жойлашганлиги учун, энергетик сатҳларни силжиши ва ажралишига олиб келади ва натижада рухсат этилган энергетик зоналар юзага келади. Энергетик зонада рухсат этилган сатҳлар сони кристалдаги атомлар сонига тенг бўлади. Рухсат этилган зоналар кенглиги одатда бир неча электрон – вольтга тенг (электрон – вольт – бу 1В га тенг бўлган потенциаллар фарқини енгиб ўтган электроннинг олган энергияси). Рухсат этилган зонадаги минимал энергия сатҳи туби ( Wc ), максимал энергия эса шипи ( Wv ) деб аталади. 1-расмда ярим ўтказгичнинг зона диаграммаси келтирилган. Таъқиқланган зона кенглиги  W т ярим ўтказгичнинг асосий параметри бўлиб ҳисобланади. 1 – расм. Электроникада кенг қўлланиладиган ярим ўтказгичларнинг таъқиқланган зона кенгликлари  W т (эВ) қуйидагига тенг: германий учун – 0,67, кремний учун – 1,12 ва галлий арсениди учун -1,38.

Диэлектрикларда таъқиқланган зона кенглиги  W т 2 эВ, мет а лларда эса рухсат этилган зоналар бир – бирига кириб кетган бўлади, яъни мавжуд эмас. Юқоридаги рухсат этилган зона ўтказувчанлик зонаси деб аталади, яъни мос энергияга эга бўлган электронлар, ташқи электр майдони таъсирида ярим ўтказгич ҳажмида ҳаракатланишлари мумкин, бунда улар электр ўтказувчанлик юзага келтирадилар. Ўтказувчанлик зонасидаги бирор энергияга мос келадиган электронлар ўтказувчанлик электронлари ёки эркин заряд ташувчилар деб аталадилар. Қуйидаги рухсат этилган зона валент зона деб аталади. Абсолют ноль температурада (0 К) ярим ўтказгичнинг валент зонасидаги барча сатҳлар электронлар билан тўлган, ўтказувчанлик зонасидаги сатҳлар эса электронлардан холи бўлади. 2. Хусусий электр ўтказувчанлик Ярим ўтказгичли электроника махсулотларининг деярли 97 % кремний асосида ясалади. 2 – расмда киритмасиз кремний панжарасининг соддалаштирилган модели ( а ) ва унинг зона энергетик диаграммаси ( б ) келтирилган. Агар ярим ўтказгич кристалли таркибида киритма умуман бўлмаса ва кристалл панжаранинг тузулмасида нуқсонлар (бўш тугунлар, панжара силжиши ва бошқалар) мавжуд бўлмаса, бундай ярим ўтказгич хусусий деб аталади ва i ҳарфи билан белгиланади.

2 - расм 2 – расмдан кўриниб турибдики, кремний хусусий кристаллида унинг атомининг тўртта валент электрони кремнийнинг қўшни атомининг тўртта электрони билан боғланиб, мустаҳкам саккиз электронли қобиқ (тўғри чизиқ) ҳосил қилади. 0 К температурада бундай ярим ўтказгичда эркин заряд ташувчилар мавжуд бўлмайди. Лекин температура ортиши билан ёки ёруғлик нури туширилганда ковалент боғланишларнинг бир қисми узилади ва валент электронлар ўтказувчанлик зонасига ўтиш учун етарлича энергия оладилар (2 б -расм). Натижада валент электрон эркин заряд ташувчига айланади ва кучланиш таъсир эттирилса , у ток ҳосил қилишда иштирок этади. Электрон йўқотилиши натижасида атом мусбат ионга айланади. Бир вақтнинг ўзида валент зонада бўш сатҳ ҳосил бўлади ва валент электронлар ўз энергияларини ўзгартиришларига, яъни валент зонасининг бирор рухсат этилган сатҳидан бошқасига ўтишига имкон яратилади. Шундай қилиб , у ток ҳосил бўлиш жараёнида қатнашиши мумкин.

Температура ортган сари кўпроқ валент электронлар ўтказувчанлик зонасига ўтадилар ва электр ўтказувчанлик ортиб боради. Валент зонадаги эркин энергетик сатҳ ёки эркин валент боғланиш қовакли деб аталади ва у электрон зарядининг абсолют қийматига тенг бўлган эркин мусбат заряд ташувчи ҳисобланади. К овакнинг ҳаракатланиши валент электрони ҳаракатига қарама – қарши бўлади. Шундай қилиб, атомлар орасидаги ковалент боғланишнинг узилиши бир вақтнинг ўзида эркин электрон ва электрон ажралиб чиққан атом яқинида ковак ҳосил бўлишига олиб келади. Электрон – ковак жуфтлигининг ҳосил бўлиш жараёнига заряд ташувчилар генерацияси деб аталади. Агар бу жараён иссиқлик таъсирида амалга ошса, у иссиқлик генерацияси деб аталади. Ўтк а з у вчанлик зонасида электроннинг ҳосил бўлиши ва валент зонасида ковакнинг юзага келиши 2 б -расмда мос ишоралар ёрдамида айланалар кўринишида тасвирланган. Стрелка ёрдамида электроннинг валент зонасидан ўтказувчанлик зонасига ўтиши кўрсатилган. Генерация натижасида юзага келган электронлар ва коваклар ярим ўтказич кристаллида яшаш вақти деб аталадиган бирор вақт мобайнида тартибсиз ҳаракатланадилар, сўнгра эркин электрон тўлиқ бўлмаган боғланишни тўлдиради ва боғланиш ҳосил бўлади. Бу жараён рекомбинация деб аталади. Ўзгармас температурада (бошқа ташқи таъсирлар мавжуд бўлмаганда) кристалл мувозанат ҳолатда бўлади. Яъни, генерацияланган заряд ташувчилар жуфтлиги сони рекомбинацияланган жуфтликлар сонига тенг бўлади. Бирлик ҳажмдаги заряд ташувчилар сони, яъни уларнинг концентрацияси, солиштирма электр ўтказучанлик қийматини беради. Хусусий ярим ўтказгичларда электронлар концентрацияси коваклар концентрациясига тенг бўлади ( n i = p i ). n ( negative сўзидан) ва p ( positive сўзидан) ҳарфлари мос равишда электрон ва ковакка мос келади.

Киритмасиз ярим ўткзгичда ҳосил бўлган электрон ва коваклар хусусий эркин заряд ташувчилар ва уларга асосланган электр ўтказувчанлик эса – хусусий электр ўтказувчанлик деб аталади. 3. Киритмали электр ўтказувчанлик Ярим ўтказгичли асбобларнинг кўп қисми киритмали ярим ўтказичлар асосида яратилади. Электр ўтказувчанлиги киритма атомлари ионизацияси натижасида ҳосил бўладиган заряд ташувчилар билан асосланган ярим ўтказгичлар – киритмали ярим ўтказгичлар дейилади. Кремний атомига Д.И. Менделеев даврий элементлар тизимидаги V гуруҳ элементлари (масалан, маргумуш As ) киритилса унинг 5та валент электронидан тўрттаси қўшни кремний атомининг тўртта валент электронлари билан боғланиб - саккиз электрондан ташкил топган мустаҳкам қобиқ ҳосил қиладилар. Бешинчи электрон ортиқча бўлиб, ўзининг атоми билан кучсиз боғланган бўлади. Шунинг учун кичик иссиқлик энергияси таъсирида у узилади ва эркин электронга айланади (3 а - расм), бу вақтда ковак ҳосил бўлмайди. Энергетик диаграммада бу жараён электроннинг донор сатҳи W d дан ўтказувчанлик зонасига ўтишига мос келади (3 б - расм). Киритмали атом мусбат зарядланган қўзғалмас ионга айланади. Бундай киритма донор деб аталади. Ярим ўтказгичли асбоблар ясашда кўп киритма атомлари киритилади (1 см 3 ҳажмга 10 14 -10 18 даражадаги атомлар). Хона температурасида киритманинг ҳар бир атоми биттадан эркин электрон ҳосил қилади. Коваклар эса хусусий ярим ўтказичлардаги каби кремний атоми электронларининг ўтказувчанлик зонасига ўтишидаги термогенерация ҳисобига ҳосил бўлади.

3 – расм. Ярим ўтказгич таркибига катта даражадаги донор киритманинг киритилиши эркин электронлар концентрациясини оширади, коваклар

концентрацияси эса хусусий ярим ўтказгичдагига нисбатан сезиларли камаяди. Эркин заряд ташувчилар концентрациясининг кўпайтмаси n p ўзгармас температурада ўзгармас қолади ва фақат ярим ўтказгич таъқиқланган зона кенглиги билан аниқланади. Шуни ёдда тутиш керакки, Т=300 К (хона температурасида) кремнийда np  0,64∙10 20 см -3 , германийда эса np  4∙10 26 см -3 . Шундай қилиб, агар кремний кристаллига концентрацияси 10 16 см -3 бўлган донор киритма киритилса, Т=300 К да электронлар ў тказувчанлиги n =10 16 см -3 , ковакларники эса – атиги 10 4 см -3 га тенг бўлади . Д емак бундай киритмали ярим ўтказгичда электр ўтказувчанлик асосан электронлар ҳисобига амалга оширилади, ярим ўтказгич эса – электрон ёки n - турдаги электр ўтказувчанлик деб аталади. n –турдаги ярим ўтказгичда электронлар - асосий заряд ташувчилар, коваклар эса - асосий бўлмаган заряд ташувчилар деб аталади. Кремний атомига Д.И. Менделеев даврий элементлар тизимидаги III гуруҳ элементлари (масалан, бор В) киритилса унинг валент электронлари қўшни кремний атомлари валент электронлари билан учта тўлиқ боғлиқлик ҳосил қиладилар. Тўртинчи боғланиш эса тўлмай қолади. Унча катта бўлмаган иссиқлик энергияси таъсирида қўшни кремний атомининг валент электронлари бу боғланишни тўлдиради. Натижада борнинг ташқи қобиғида ортиқча электрон ҳосил бўлади, яъни у манфий зарядга эга бўлган қўзғалмас ионга айланади. Кремний атомининг тўлмаган боғланиши – бу ковакдир (3 в - расм). Энергетик диаграммада бу жараён электроннинг валент зонадан акцептор сатҳи W a га ўтишига ва валент зонада ковак ҳосил бўлишига мос келади (3 г - расм). Бу вақтда эркин электрон ҳосил бўлмайди. Бундай киритма – акцепторли деб аталади, акцептор атомлари киритилган ярим ўтказгич эса – ковак ёки р – турдаги электр ўтказувчанлик деб аталади. Р- турдаги ярим ўтказгич учун коваклар – асосий заряд ташувчилар, электронлар эса - асосий бўлмаган заряд ташувчилар ҳисобланади.

Ферми сатҳи. Берилган температурада ҳаракатчан ва қўзғалмас заряд ташувчилар концентрацияси Ферми сатҳи W F ҳолати билан аниқланади. Бу сатҳ бир электронга мос келувчи жисмнинг ўртача иссиқлик энергиясига мос келади. Абсолют ноль температурадан фарқли температурада бу сатҳнинг тўлиш эҳтимоли 0,5 га тенг. Электронлар ва ковакларнинг ўртача иссиқлик энергияси ярим ўтказгич температураси билан аниқланади ва k Т га тенг, бу ерда k – Больцман доимийси, Т – абсолют температура. Қаттиқ жисмда заррачалар ҳаракатини ифодалайдиган Больцман қонунига асосан, n – ярим ўтказгичдаги энергияси W i кичик бўлмаган электронлар қуйидагига тенг: , exp      kT Wi n n n (1) бу ерда n n – эркин электронларнинг тўлиқ концентрацияси. Худди шундай ифодалар ковакларни энергия бўйлаб тақсимотини ифодалайди. (1) дан кўриниб турибдики, заррача энергиясининг ортиши билан, заррачалар сони кескин камаяди. Иккала ишорадаги эркин заряд ташувчилар концентрацияси тенг бўлган хусусий ярим ўтказгичлар учун Ферми сатҳи таъқиқланган зонанинг ўртасидан ўтади. Электрон ли ярим ўтказгичда электронларнинг (бутун ярим ўтказгичнинг) ўртача энергияси юқори бўлади, демак Ферми сатҳи ўртадан ўтказувчанлик зонаси туби томонга силжийди ва донор киритма концентрацияси қанча юқори бўлса , шунча ўтказувчанлик зонаси туби томонга яқинлашади. Р- турдари ярим ўтказгичда Ферми сатҳи таъқиқланган зона ўртасидан валент зона шипи томонга силжийди ва акцептор киритма концентрацияси қанча юқори бўлса , шунча валент зонаси шипи томонга яқинлашади.

Баъзи ярим ўтказгичли асбобларда (туннель диодлари, туннель тешилишли стабилитронлар) ажралмаган ярим ўтказгичлар қўлланилади. Бундай ярим ўтказгичларда Ферми сатҳи рухсат этилган зоналарда: электрон ли ярим ўтказгич учун – ўтказувчанлик зонасида, ковакли ярим ўтказгич учун – валент зонада жойлашади. Ажралмаган ярим ўтказгичлар жуда ка т та киритма концентрацияси (10 19 – 10 21 см -3 ) ҳисобига ҳосил қилинадилар. Заряд ташувчилар ҳаракатчанлиги. Заряд ташувчиларнинг ҳаракатчанлиги  - бу электр майдон кучланганлиги E =1 В/см бўлгандаги ярим ўтказгичдаги заряд ташувчиларнинг ўртача йўналтирилган тезлиги. Электронлар ҳракатчанлиги n доим коваклар ҳаракатчалиги p дан юқори бўлади. Бундан ташқари зарядлар ҳаракатчанлиги ярим ўтказгич турига ҳам боғлиқ бўлади. Шундай қилиб, кремнийдаги электронлар ҳаракатчанлиги n =1500 см 2 /(В  с), германийда n = см 2 /(В  с), галлий арсенидида n = см 2 /(В  с). Агар ярим ўтказгичда электр майдони ҳосил қилинса, у ҳолда эркин заряд ташувчилар силжиши юзага келади. Бундай силжиш дрейф ҳаракати деб аталади. Дрейф тезлиги ДР электр майдон кучланганлиги E га пропорционал бўлади Е ДР      (2) Электрон ва коваклар дрейф токининг натижавий зичлиги   .E p nq j p n ДР      (3)

Диффузия коэффициенти. Ярим ўтказгичда электр токи ҳосил бўлишига фақат электр майдони эмас, балки ҳаракатчан заряд ташувчилар градиенти ҳам сабаб бўлади. Ярим ўтказгич ҳажмида тенг тақсимланмаган эркин заряд ташувчилар ҳаракатининг йўналиши диффузия ҳаракати деб аталади. Электрон ва ковак диффузия токларининг зичлиги қуйидагига тенг;     dx dn qD j n nДДИ  .     dx dp qD j p рДИФ  (4) бу ерда q – электрон (ковак) заряди, D n и D p – мос равишда электрон ва ковак диффузия коэффициентлари, dn / dx и dp / dx – мос равишда электрон ва ковак концентрация грандиентлари. Дрейф ва диффузия ҳаракати параметрлари ўзаро Эйнштейн нисбати билан боғланган ;n T n q kT Dn           .p T p q kT Dp           (5)

(4) ифодадаги пропорционаллик коэффициентлариq kT T /   потенциал ўлчам бирлигига тенг (вольт) ва иссиқлик по тенциа ли деб аталади. Хона температурасида (Т=300 К) T = 0,026 В = 26мВ. Яшаш вақти  . Заряд ташувчининг яшаш вақти деганда унинг генерациясидан рекомбинациясигача бўлган вақт тушунилади. Ярим ўтказгичнинг бу параметри ярим ўтказгичли асбобларни (биполяр транзисторлардаги база кенглиги, майдоний транзисторларда канал узунлиги) конструкциялашда катта аҳамиятга эга. Яшаш вақтида заряд ташувчининг диффузия ҳаракати натижасида диффузия узунлиги деб аталувчи, ўртача масофаси маълум L га тенг бўлган масофани босиб ўтади.

Похожие

Ярим ўтказгичли асбоблар

Ярим ўтказгичли асбоблар

Ярим ўтказгичли диодлар

Ярим ўтказгичли диодлар

Ярим ўтказгичли рақамли интеграл микросхемалар схемотехникаси