Ярим ўтказгичларнинг электр ўтказувчанлиги. Кристалл панжаралар. Энергетик диаграммалар. - Энергетика - Рефераты

Ярим ўтказгичларнинг электр ўтказувчанлиги. Кристалл панжаралар. Энергетик диаграммалар.

Загружено в:

20.09.2019

Скачано:

0

Размер:

545 KB

Ярим ўтказгичларнинг электр ўтказувчанлиги. Кристалл панжаралар. Энергетик диаграммалар. Режа: 1. Электр ўтказувчанлик тушунчаси. 2. Қаттиқ жисмлар ва кристалл панжаралар. 3. Энергетик диаграммалар.

Электр ўтказувчанлик тушунчаси. Ярим ўтказгичларда заряд ташувчиларни эркин заряд ташувчи деб олиш учун уларнинг массаси ўрнига ''эффектив массасини'' олишимиз керак, чунки ярим ўтказгичларда электр ўтказувчанлик зонасидаги электронлар ва валентлик зонасидаги тешиклар эркин ҳаракат қила олмайди. Уларга кристалл панжараларнинг жойлашуви ҳалақит беради. Заряд ташувчиларнинг хақиқий массаси ўрнига ''эффектив массасини'' олсак, кристалл панжара даврий майдон таъсирини ҳам ҳисобга олган ҳолда ярим ўтказгичлар таркибидаги электрон ва тешикни ''эркин заряд ташувчилар'' деб оламиз. Агар ярим ўтказгич ташқи майдон таъсирида бўлса, заряд ташувчига қўйидаги куч таъсир қилиши мумкин.а m eE F эф    (1) бу ерда: а - заряд ташувчининг электр майдон йўналишидаги тезланиши; Заряд ташувчи, яъни ўтказувчанликни асосий сабабчиси бу тезланишни икки панжара тугуни орасида олади. Икки тугун орасидаги тезликнинг ўзгаришига кетган ''τ'' вақт ва тезликлар фарқи қўйидагича ифодаланади.    a V (2) ёки    эфm eE V (3)  V заряд ташувчининг иккинчи урилиш вақтида олган қўшимча тезлигидир. Кристалл панжаралар ичидаги тартибсиз ҳаракат заряд ва ионлар тўқнашувини содир этади. Уларнинг ҳар бири ўзаро урилганда V урт = 0 тенг бўлади. Шунинг учун кўп сонли заряд ташувчиларнинг икки тугун орасидан эркин югуриш йўлидаги электр майдон таъсирида турган ҳолатдаги ўртача тезлигини қўйидаги ифода орқали аниқлаймиз. эфm eE V V 2 2 1     (4) Ток зичлигини эса E m nEe V en j эф     2 2 бундан  ни топсак     эфm ne 2 2 (5)

Агар V l   ( l - эркин югуриш йўли деб олсак )     эфm nle 2 2 (6) Бундаги V m el E V V эф     2 катталик, заряд ташувчиларнинг ҳаракатчанлиги деб юритилади. (6) ифодадан кўринадики, ярим ўтказгичларнинг ''электр ўтказувчанлиги'' заряд ташувчилар концентрацияси '' n '' га, эркин югуриш йўли '' l '' га, ''эффектив масса'' '' m эф '' ва иссиқлик тезлиги '' V '' га боғлиқ бўлар экан. Ярим ўтказгичларнинг электр ўтказувчанлик хусусиятини ифодалайдиган (6) тенглик классик электродинамика асосида олинди. Қаттиқ жисмлар ва кристалл панжаралар. Ҳар қандай қаттиқ жисмларнинг атом ва молекулалари даврий такрорланиб турувчи тартибда жойлашган бўлиб, улар мунтазам геометрик шакл ҳосил қилади. Атомларни тартибли жойлашиши натижасида бир-бирига яқин турган атомлар кристалл панжара шаклини ҳосил қилади. Кристалл панжаранинг ҳаммаси бўлиб 14 хил элементар ''ячейка''си мавжуд ва 32 та синфга бўлинади. Кремний ва германий элементлари олмоссимон кристалл тузилишга эга. (8-расм) Олмоссимон кубик тузилиши зич жойлашмаган бўлиб, ҳар бир атом энг яқин 4та атомдан тузилган бўлади. Улар ўз навбатида 12та қўшни атомга эгадирлар. Қаттиқ жисмларда атомлар маълум шароитда жойлашиб, кристалл панжараларни ҳосил қилганлиги сабабли атомлар баъзи йўналишда зичроқ, баъзи йўналишда эса сийрак жойлашган бўлади. Ана шу жойлашув ярим ўтказгич хоссасини келиб чиқишига сабаб бўлади. Қаттиқ жисмларнинг кристалл панжаралари ҳарорат кўтарилиши билан тугун боғламларини

''бикр''лиги анча камаяди ва электр ўтказувчанлик ҳолатини юзага келтиришга сабаб бўлади. Бу ҳолат фанда машҳур ''Дебай темпратураси'' деб юритилади. 8 - р а с м Баъзи кристаллар учун ''Дебай темпратураси'' кўрсаткичини келтириш мумкин. (ҳарорат о К да келтирилган). Al=398 Ce=362 Ni=370 Au=180 Cr=411 W=310 Cu=315 NaCl=281 C=1860 Fe=420 CaCl=304 Wl=1950 Темпратура ўзгариши кристалл панжаранинг тебранишини ўзгартиради ва ярим ўтказгичларни электр ўтказувчанлиги ё '' салбий '' ё '' ижобий '' таъсир кўрсатиши мумкин . 3. Энергетик диаграммалар .

Кристалл жисмларда электр ўтказувчанлик хоссаси пайдо бўлиши учун унда иштирок этувчи электронлар '' валентлик '' электронлардир . Чунки , энергетик диаграммада энг охирги тўлдирилган ёки қисман тўлдирилган энергетик зоналардаги валентлик электронлардир . Шу сабабли , ярим ўтказгичларда Т =0 да охирги тўлдирилган энергетик зона '' валентлик зонаси '' деб , кейинги бўш зонани эса '' ўтказувчанлик зонаси '' деб юритилади . Тўлдирилган зона '' валентлик зона '' фақатгина абсолют ноль темпратурада электронлар билан тулган бўлиб , '' ўтказувчанлик зонаси '' эса бутунлай бўш бўлади . Юқори темпратураларда эса валентлик зонасида электронлар билан банд қилинмаган энергетик сатхлар , '' ўтказувчанлик зонасида '' эса банд қилинган энергетик сатхлар мавжуд бўлади . (9-расм) Ярим ўтказгичларни энергетик диаграммаси.Ш а р т Т = 0 б у л г а н д а Ш а р т Т 0 б у л г а н д а > 9 - р а с м

Бундан кўринадики, темпратура пасайиб бориши билан ярим ўтказгичларнинг электр ўтказувчанлиги камайиб, ''изоляторга'' яқинлашиб боради. Абсолют ноль темпратурага яқинлашиб борса ярим ўтказгич изоляторлик хоссага айланиб боради. Агар электрон кристалл панжара ичида, энергетик сатхда ҳаракат қилса, электроннинг тезлиги ''V '' тўлқинлар йиғиндиси тезлигига тенгдир. Бу ифода қўйидагича бўлади. dk dЕ h V   1 (7) Электрон ташқи майдон таъсирида тезланиш оладиган бўлса, унинг тезланиши dt dk dk E d h dk dE h dt d dt dV         2 2 1 1 (8) Ҳаракат миқдорининг ўзгариш куч импульсига тенг бўлганлиги учун (8) ифодани f dk E d h dt dV    2 2 1 (9) кўринишида ёзса бўлади. Бу ифодадан кўринадики 2 2 2 1 dk E d h  катталик классик механикадаги массанинг тескари қийматига ўҳшаш бўлган катталик экан. Ана шу эффектив масса тушунчаси электронлар учун энергетик зонанинг юқори қисмида, тешиклар учун эса зонанинг пастки қисмидагина ишлатиш мумкин холос. Ана шу ҳолат электр ўтказувчанлигини ягона хулосаси эканлигидан далолат беради ва P-N ўтиш ҳолати деб қаралади. Хулоса қилиб айтганда, P-N ўтиш токни бир томонлама ўтказиш хусусиятига эга экан. Ўтказувчанлик зонасини беркитувчи қатлам қалинлиги '' l '' деб белгиланган.   э k э k k o N N N N V EE l        2 2 1  (10) ифода билан топилади.       1 е n U EXP I I  (11)

бу ерда nI - иссиқлик токи деб аталади ва у миқдор жиҳатидан тескари кучланиш қўйилганда ҳосил бўлган токка тенг P-N ўтиш зарядларини тўплаш хусусиятига эга бўлганлигидан маълум сиғимга эга бўлади.

Адабиётлар: 1. Демирчян К.С. Теорическая электро техника. Москва, 1985 г. «Энергия», 1-2 часть. 2. Матханов И.Н. Основы анализа электрических церей. Москва, 1985 г., «Энергия». 3. Федоров А.А. Электроснабжения пром.предприятия. Москва, 1976 г. «Энергия». 4. Веников В.А. Математические задачи энергетики. Москва, «Высшая школа», 1980 г.

Похожие

Диэлектрикларнинг электр ўтказувчанлиги

Электр энергетик тизимда изоляция

Ярим ўтказгич материаллар

Кабел маҳсулотлари. Чўлғам симлари. Монтаж учун симлар ва кабеллар

Майдон транзисторлари уларнинг биполяр транзисторлардан фарқи P-N ўтишли майдон транзисторлари.