Майдон транзисторлари уларнинг биполяр транзисторлардан фарқи P-N ўтишли майдон транзисторлари. - Энергетика - Рефераты

Майдон транзисторлари уларнинг биполяр транзисторлардан фарқи P-N ўтишли майдон транзисторлари.

Загружено в:

20.09.2019

Скачано:

0

Размер:

614 KB

Майдон транзисторлари уларнинг биполяр транзисторлардан фарқи P-N ўтишли майдон транзисторлари. Режа: 1. Биполяр ва Униполяр транзисторлар. 2. Майдон транзисторларини қўлланилиши. 3. Умумий тушунчалар.

1. Биполяр ва Униполяр транзисторлар. Майдон транзисторлари икки хил турга бўлинади. Биполяр ва Униполяр транзисторлар. Биполяр транзисторларни кўриб чиқдик. Униполяр транзисторлар аслида майдон транзисторлари қаторига киради. Уларга Э.Ю.К яъни токни вужудга келиши электрон-тешик ўтказувчанлик ҳисобидан юзага келади. Майдон транзисторлари тузилиши ва манбага улаш чизмаси қўйидагича. Биполяр транзисторларида эса ишчи токни ҳосил қилишда ҳар иккала тип ток ташувчилари ҳам катта роль ўйнайди. P - N ўтишли майдон транзисторларининг ишлаш принципи ва тавсифи билан танишайлик.

Транзисторларда электр ўтказувчанлик тирқиши Р-канал бўйлаб ҳаракат қилса N -тирқишли майдон транзисторлари деб юритилади. Р-тирқишли майдон транзисторларида киришда-чиқишга оқаётган ток тирқиш каналлари бўйлаб параллел ҳаракати туфайли вужудга келади. Биполяр транзисторларида эса ток ташувчилар P - N ўтишларга перпиндикуляр йўналишда ҳаракат қилар эди. Майдон транзисторларининг тирқишидан оқаётган заряд чиқиш токини ҳосил қилади, бу ток кириш-чиқиш кучланишига ва канал қаршилигига боғлиқ. Каналнинг минимал қаршилиги қўйидаги ифода билан ҳисобланади. d W P q l R p      2 min бунда l- канал узунлиги; W -канал чуқурлиги; d- канал кенглиги; Р-панелдаги тешиклар концентрацияси; р -тешикларнинг каналдаги ҳаракатчанлиги. Майдон транзистори бенуқсон ишлаши учун кириш заряди мусбат + бўлиши керак. Аниқроғи P-N ўтишга тескари кучланиш бериш керак. Бу кучланиш ортиб-бориши билан P-N ўтиш кенгайиб боради ва канал қисқаради, қаршилик ортади, чиқиш токи камаяди. Канални тўла беркитувчи кучланиш қўйидаги ифода билан ҳисоблаб олинади. p p o w U         2 2 бу ерда p -каналнинг солиштирма қаршилиг и . Агар бу кучланиш камайиб борса, канал қаршилиг и камаяди ва чиқиш токи ортиб боради. Майдон трпанзисторларида P-N ўтказувчанлик тескари йўналишда ишлаши туфайли, кириш қаршилиги катта. Демак майдон транзисторларида кириш токи (қувват) кичи к бўлади. Чиқиш токи эса ўзгармас кириш-чиқиш кучланишда канал қаршилиги ва юклама қаршилигига боғлиқ. Бу қаршиликлар одатда, ҳар доим тескари уланган каналдаги P-N ўтиш қаршилигидан кичик. Демак, юкламанинг кириш қувватидан катта бўлган фойдали қувват олиш мумкин. Одатда чиқиш токи, кириш-чиқиш ички ўтказувчанлик кучланишлар ўртасидаги боғланишлар жадвал билан ифодаланади. Бундан ташқари майдон транзисторларини ўтказувчанлик

хусусияти мавжуд бўлиб, кучланиш-« U »нинг ҳар хил ўзгармас қийматларида чиқиш токининг кучланишига боғлиқдир. Майдон транзисторлари ҳарактерловчи асосий статик параметрлардан бири вольт - ампер ҳарактеристикани жадвалдаги чизиғининг тиклигидир. Бу ҳолатда кириш-чиқиш кучланиши ўзгармас бўлиб, чиқиш кучланиши 1 В га ўзгарганда чиқиш токи-“ S ” қўйидаги ифодани беради. эф чикиш U S    бу тенглама майдон транзисторларини кучайтириш хоссаларини ҳарактерлайди. 2. Майдон транзисторларини қўлланилиши. Майдон транзисторлари радиотехникада электр сигналларини генерациялаш ва уни кучайтиришда кенг қўлланилмоқда. Замонавий ишлаб чиқарилаётган транзисторлар асосан ясси транзисторлардир. Бу транзисторлар P-N ўтиш хоссаларига асосланган бўлиб P-N-P ёки N-P-N структураларга эга бўлади. Уларнинг қандай материалдан тайёрланишига қараб,бир-биридан фарқ қилиши мумкин. Майдон транзисторлари уч гуруҳга бўлинади. 1 гуруҳ частотаси – 3 мгц сигналларда ишлайди. 2 гуруҳ частотаси – 30 мгц сигналларда ишлайди. 3 гуруҳ частотаси – 120 мгц сигналларда ишлайди. Учта гуруҳ транзисторлари сигналларни кучайтириб боради. Майдон транзисторлари уч хил усулда электр занжирига улаш мумкин.

Майдон транзисторларини занжирга улаш чизмалари. Транзистор Б-базаси сигналларни бошқариш тур вазифасини; Э- эмиттер катод вазифасини яъни электрон чиқариш вазифасини; К-коллектор анод вазифасини бажаради. Транзисторлар ичидан сигнал (ток) ўтиши вақтида электронлар ва тешиклар ҳаракатланади, уларнинг ҳаракати ярим ўтказгич моддаларнинг кристалл панжараларида бўладиган жараёнлар билан чамбарчас боғлиқдир. Ҳозирги замонда транзисторларни янги-янги бенуқсон ишлайдиган, ҳажми ўта кичик, қуввати катта, иссиқликка чидамли ва вольт-ампер тавсифи белгиланган талабларга тўлиқ жавоб берадиган қилиб яратилмоқда. Транзисторларни вакуум лампаларга нисбатан анча афзалликларга эга бўлиб, вакуум ҳосил қилиш, чўғланган катод муҳитини яратиш зарурияти йўқлиги бу электрон асбобларнинг ўлчамларини, оғирликларини кескин камайтиришга, механик мустаҳкамликга эришишга, ишлаш вақтини анча оширишга имкон яратади, улар арзон туради ва фойдаланиш учун анча қулайликлар яратади. Майдон транзисторлари радиотехника, энергетика, автоматика, телемеханика ва электрон ҳисоблаш техникасининг баъзи соҳаларида майдон транзисторлари электрон вакуумли асбобларни ишлаб чиқаришдан сиқиб чиқарилмоқда. 3. Умумий тушунчалар. Илгари замонда вакуумли лам паларга электрон асос солган бўлса, эндиликда ярим ўтказгичли қурилмалар, электрониканинг беқиёс ривожланишига устқурма бўлиб хизмат қилмоқда. Вакуумли лампаларда

электр зарядлар в балки электронлардир. Электр ўтказувчанлик жиҳатидан ярим ўтказгичлар металлар ва диэлектриклар оралиғида содир бўлади. Ярим ўтказгичли транзисторларнинг муҳим хоссалари турли ташқи омиллар: Т-температура; Ф-ёруғлик оқими; Р-босим кучи; Е-электр майдон кучланганлиги; ва бошқа ташқи таъсирларида электр ўтказувчанликни тез ўзгаришидир. Ярим ўтказгичлар таркибида бир оз аралашма қўшилганда, уларнинг электр ўтказувчанлиги бир неча минг марта ўзгаришига олиб келади. Хулоса қилиб шуни таъкидлаш мумкинки ярим ўтказгичларда электронлар концентрацияси кам эканлиги (металларга солиштирганда анча кам) ва ташқи омилларга боғлиқлиги сабабдир. Ташқи электр майдон таъсирида эркин электронлар ҳаракатланиб, электрон ўтказувчанликни ҳосил қилади ( N -ўтказувчанлик). Ташқи электр майдон таъсирида тешиклар майдон йўналишига силжийди. Ана шу тешиклар силжиши катталик жиҳатидан электронлар зарядига тенг бўлган мусбат зарядлар токига эквивалент. Бу жараён тешикли ўтказувчанлик деб аталади (Р-ўтказувчанлик). Шундай қилиб ярим ўтказгичларнинг ўтказувчанлиги электрон ўтказувчанлик ва тешикли ўтказувчанлик йиғиндисидан иборат экан. Электрон ўтказувчанлик хоссасига эга бўлган ярим ўтказгичлар N -турдаги ярим ўтказгичлар денб юритилади, тешикли ўтказувчанлик хоссага эга бўлган ярим ўтказгичлар Р-турдаги ярим ўтказгичлар деб юритилади.

Адабиётлар: 1. Демирчян К.С. Теорическая электро техника. Москва, 1985 г. «Энергия», 1-2 часть. 2. Матханов И.Н. Основы анализа электрических церей. Москва, 1985 г., «Энергия». 3. Федоров А.А. Электроснабжения пром.предприятия. Москва, 1976 г. «Энергия». 4. Веников В.А. Математические задачи энергетики. Москва, «Высшая школа», 1980 г.

Похожие

МДП (МОП) майдон транзисторлари. Киритилган каналли ва индукцияланган каналли майдон транзисторлари.

Электр занжирлари назариясида қўлланиладиган электромагнит майдон тушунчаси ва интеграл катталиклар.

Биполяр транзисторлар, уларнинг тузилиши, ишлаш принципи ва қўлланилиш соҳалари.

Электромагнит майдон ҳамда электр ва магнит занжирларига оид асосий тушунча ва қоидалар

Детерминантлар ва уларнинг хоссалари. N - тартибли детерминантлар. Детерминантларнинг хисоблаш усуллари.