Транзисторларнинг классификацияси - Fizika - Slaydlar

Транзисторларнинг классификацияси

Yuklangan vaqt:

16.04.2025

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

533.958984375 KB

Ko'chirib olish

Транзисторларнинг классификацияси Биполяр транзисторлар Биполяр транзисторлар деб , қувват кучайтирувчи учта электр ўтказувчи зонасига эга бўлган электр ўтказувчи асбобга айтилади. Биполяр транзисторларда ток икки қутбли заряд ташувчилар, яъни электрон ва коваклар ҳаракатидан келиб чиқади. Шунинг учун бу транзистор номи биполяр дейилади (икки қутбли). Бу транзисторларнинг p-n-p ва n-p-n турлари мавжуд. Майдонли транзистор – чикиш токи кириш кучланиии билан бошқариладиган ярим ÿтказгичли асбоб. Майдонли транзисторларда чиқиш токига таъсир килувчи кириш кучланиши электр майдон ҳосил қилади. Биполяр транзисторда икки хил - асосий ва асосий булмаган заряд ташувчилар мухим роль ÿйнайди. Майдон транзисторларда ток асосий ток ташувчилар ёрдамида хосил килиниб, асосий булмаган ток ташувчи заряд му хим роль ÿйнамайди. Шу сабабли майдонли транзистор униполяр транзистор деб хам аталади.

Интеграл транзисторлар кремний монокристалидан тайёрланган пластина асосида ясалади. Пластинада бирор технологии усул билан база, эмиттор ва коллектор сохаларида турли концентрацияли аралашмалар хосил килинади. Сунгра бу сохалардан пластина устки қисмига учлар чикарилади Бу иккала сабабга кура эмиттер, база ва коллектор сохаларининг хажмий қаршилиги катта булади. Интеграл транзисторнинг базаси жуда юпка булиб, эмиттер база потенциал сатхи баланд булади. Интеграл схемадаги барча элементлар битта асосда ясалганлигидан улар орасида паразит богланишлар булади. Шу сабабли улар бир-биридан изоляцияланади. Интеграл схемаларни изоляциялашнинг икки усули мавжуд; диэлектрик оркали ва тескари силжишга эга булган р-п утиш оркали. Интеграл схемаларда асосан, коллектор занжири таъминловчи манбанинг манфий қутбига улаб қўйилади

Транзистор учта сохадан иборат ярим утказгичли асбоб. Унинг тузилиши 4.1- расмда келтирилган. Транзисторнинг урта қисми база деб аталиб, аралашма концентрациси четки кисмларига нисбатан кам ва юпка булади. Четки кисмларидан бири эмиттер, иккинчиси коллектор деб аталади. Транзисторнинг тузилиши триодга киёсланса, эмиттер – катодга, база – тўрга, коллектор – анодга ўхшатилади. 4.1- расм. Транзисторнинг тузилиши ва унинг карама-карши уланган диодлар сифатида тасвирланиши

4.2-расм. p-n-p (a) ва n-p-n (б) типли биполяр транзисторларнинг структураси 4.3-расм. p-n-p (a) ва n-p-n (б) типли биполяр транзисторларни уланиш схемаси

УБ схемали УЭ схемали УК схемали 4.4-расм. Транзисторни УБ схемада улаш

4.5- расм. Биполяр транзисторларнинг классификацияси ва шартли белгиланиши

Кўпроқ эса кириш ва чиқиш занжирига умумий электрод бўлиб эмиттер ҳисобланган схема, яъни умумий эмиттернинг схемаси қўлланилади . 4.6-расм. n-p-n транзисторнинг умумий эмиттер схемаси бўйича уланиши. Бундай схема учун кириш контури база- эмиттер орқали ўтади ва унда база токи пайдо бўлади ва у қуйидагича ифодаланади:0 ) 1( k Э k э Б I I I I I      

Транзисторларнинг ВАТлари Транзисторларниг кириш занжиридаги ток ва кучланишларнинг боглиқлиги I б = f 1 (U бэ ) транзисторларнинг кириш ёки база тавсифномаси дейилади. 4.7-расм. Биполяр транзисторнинг ВАТси: а) кириш; б) чиқиш тавсифномалари

Биполяр транзисторларнинг h- катталиклари Коллектор ўтишини қизиб кетмаслиги учун ундан чиқаётган қувват бирор бир максимал қийматдан ошиб кетмаслиги керак. P к = I к U кэ  P к.max Агар коллектор ва эмиттер орасида жуда катта кучланиш берилса коллектор ўтишида электр тешилиши рўй беради. Шунинг учун транзисторларнинг коллектор кучланиши рухсат этилганидан кичик бўлиши керак. U кэ  U кэ.max Бундай чекланиш коллектор токи бўйича ҳам мавжу I к  I к.max Агар коллектор токи ошиб кетса эмиттер ўтиши қизиб кетади. Юқоридаги учта чекланган эгри чизиқлар билан чегараланган қисм транзисторлар тавсифномасида ишчи қисм дейилади.

U кэ =const ( U кэ =0) I б =const (  I б =0) ; Uкэ= const (  Uкэ=0) Iб = const (  Iб=0)– биполяр транзисторнинг кириш қаршилиги; – кучланиш бўйича ички қайта боғланиш коэффициенти - ток узатиш коэффициенти ; – транзисторнинг ички ўтказувчанлиги б бэ э I U h    11кэбэ э U U h   12 б к э I I h    2 1 кэ к э U I h    2 2

ёки ёки k Э k ЭБ Ббэ U U F I I F U        11кэ э б Э бэ U h I h U      1 2 11 ký kÝ Á Á k U U F I I F I          2 2 кэ э б э k U h I h I      2 2 21

O'xshashlar

Ярим ўтказгичли диодлар ва уларнинг классификацияси

Майдон транзисторлари

Интеграл микросхемалар ва уларнинг синфланиши

Транзисторлар

Ярим ўтказгичларнинг электр хоссалари. Ярим ўтказгичларда ўтказувчанлик турлари