Bosh sahifa
Slaydlar
Fizika
Сканерловчи туннелли микроскоп
Сканерловчи туннелли микроскоп
Yuklangan vaqt:
23.09.2019
Ko'chirishlar soni:
0
Hajmi:
3552.4599609375 KB
Ko'chirib olish
O'xshashlar
Шишанинг синдириш кўрсаткичини микроскоп ёрдамида аниқлаш
Геометрик оптика қонунларини ўрганиш
Оптик асбоблар моделларини йиғиш (laboratoriya ishi)
Ёруғлик тўлқин узунлигини Ньютон халқалари ёрдамида аниқлаш
Atom kuchli mikroskoplar
![• Механизм испарения полем заключается в том, что атом ионизируется в сильном электрическом поле, а затем покидает поверхность в виде иона под действием этого же поля. Этот процесс имеет место при обеих полярностях: при приложении к игле соответствующего положительного потенциала атомы поверхности испаряются в виде отрицательных ионов, и, наоборот, в виде положительных ионов при приложении к игле отрицательного потенциала (рис. 5.4). Испарение полем начинается, когда потенциал превышает некоторое пороговое значение. • • • Рис. 5.4. Испарение полем – это процесс, симметричный по отношению к полярности прикладываемого напряжения: а – к игле приложен положительный потенциал; б – к игле приложен отрицательный потенциал • • В качестве примера на рис. 5.5 изображен вид поверхности Si (111) 7 7 при испарении с нее полем адатома Si с приложении к игле импульса напряжения +4 В. • • Рис. 5.5. СТМ изображения, показывающие испарение полем адатома Si с поверхности Si (111) 7 7 с помощью вольфрамовой иглы. Атом Si, помеченный стрелкой на а , удаляется приложением к игле импульса напряжения U t +2,0 В в течение 10 мс. Образовавшаяся вакансия помечена стрелкой на рис. б [28] • • На рис. 5.6 представлена зависимость порогового напряжения, необходимого для удаления атома Si, от логарифма туннельного тока, который приблизительно пропорционален ширине туннельного промежутка. В эксперименте использовались иглы, сделанные из разных материалов (Ag, W, Pt и Au). Явно видно, что процесс, в общих чертах, симметричен относительно полярности прикладываемого напряжения. Некоторое количественное отклонение от симметрии объясняется влиянием работы выхода иглы, которая усиливает поле, когда к игле приложен отрицательный потенциал, и ослабляет его, когда на игле положительный потенциал. • • • Рис. 5.6. Зависимость порогового напряжения, необходимого для удаления атома Si с поверхности Si (111) 7 7, от логарифма туннельного тока, который служит мерой расстояния от иглы до образца. Измерения проводились с помощью игл, изготовленных из Ag, W, Pt и Au (материалы перечислены в порядке возрастания работы выхода) [28] Майдон таъсирида буғлатиш](/data/documents/a308274c-7eb6-4c57-8b78-8ba735a6363d/page-8.png)
![• Электронно-стимулированная десорбция. Если к игле приложить отрицательный потенциал, то через туннельный промежуток на образец потечет ток электронов. Из-за очень малого сечения этого электронного пучка плотность тока при этом достигает обычно очень высоких значений. Можно было бы ожидать, что в результате произойдет локальный нагрев поверхности в области под пучком. Однако оценка показывает, что для большинства кристаллических материалов, используемых в СТМ, увеличение температуры при обычных условиях незначительно (<< 1 K) [29]. Более серьезный эффект дает прямое электронное возбуждение системы адсорбат–подложка, как это было продемонстрировано на примере атомов Н, адсорбированных на поверхности Si. • Возможность удаления атомов водорода один за другим была использована для формирования «проволоки из ненасыщенных связей» на моногидридной поверхности Si (100) 2 1-Н (рис. 5.7). На исходной поверхности все свободные связи насыщены атомами Н, следовательно, удаление одного атома Н приводит к появлению одной ненасыщенной связи. Эта процедура очень тонка и требует точной настройки используемых параметров: в данном случае напряжение было U t = – 2,9 В, туннельный ток 0,4 нА, а длительность импульса от 100 до 300 мс. При несколько большем напряжении (выше – 3,0 В) затруднительно удалить лишь один атом Н, так как часто одновременно удаляются несколько атомов. При немного меньшем напряжении (ниже – 2,6 В), напротив, удаление даже одного атома Н происходит достаточно редко. • • • Рис. 5.7. а – СТМ изображение (100 100 Å 2 ), показывающее структуру из ненасыщенных связей, сформированную на поверхности Si (100) 2 1-Н поочередным удалением атомов водорода. Структура содержит отрезки как параллельные, так и перпендикулярные димерным рядам; б – схематическая диаграмма, показывающая идеальную проволоку из ненасыщенных связей, перпендикулярную направлению димерных рядов. Атомы Si показаны серыми кружками, атомы Н маленькими черными кружками, а ненасыщенные связи, образовавшиеся после удаления атомов Н, в виде белых овалов [30] Э лектронли стимуллаштирилган десорбция](/data/documents/a308274c-7eb6-4c57-8b78-8ba735a6363d/page-9.png)
![• Агар СТМ игнаси ёрдамида атомсиртдан олинса, у олда уни айта ҳ қ сиртгда ўша жойига ёки бош а жойга та рибан ўт азиш мумкин. Бу қ қ қ имконият 5.8 расмда тасвирланган. 2-а расмда кўрсаткич билан белгиланган Si адатоми Si (111)7 7 сиртдан олинади, сўнгра 2-, б расмда + билан белгиланган жойга яна айта ўт азилади. қ қ Таъкидлаш жоизки, даставвал олинган атомни жойига ўт азиш қ атомни олишдек айталанувчан жараён деб бўлмайди, чунки қ олинган-жойидан ўз атилган атом игна бўйлаб миграцмяланиши қ ғ мумкин ва уни аввалги жойига ўт азиш мураккаблашади. Хусусан қ вольфрамли игна билан ўтказилган экспериментда Si Si (111)7 7 сиртдаги адатомларни дастлабки жойига ўт азиш э тимоллиги 20% қ ҳ атрофида ёки ундан ам кичик бўлади. Бундай атомни сиртдаги ҳ олатини назорат илиш эса янада мураккаблашади. Ўт азилган ҳ қ қ атом эса бош аси ам бўлиши мумкин, албатта. қ ҳ • • • Рис. 5.8. Удаление и повторное осаждение адатома Si на поверхности Si (111)7 7 с помощью вольфрамовой иглы СТМ: а – исходная поверхность; атом, который будет удален, помечен стрелкой; б – поверхность после атомных манипуляций; вакансия, образовавшаяся после удаления атома, помечена стрелкой, вновь осажденный атом помечен крестом [28] • • Оказалось, что осаждение не отдельных атомов, а кластеров, является более надежной методикой формирования наноструктур. В этой методике на поверхности формируются бугорки нанометрового масштаба за счет переноса материала с иглы. Для этого используют два основных метода: • Метод z – импульса, • Метод импульса напряжения. • Метод z – импульса проиллюстрирован схематически на рис. 5.9. • • Рис. 5.9. Последовательные стадии процесса формирования бугорка нанометрового размера при использовании метода z- импульса: а – игла приближается к поверхности; б – образуется контакт иглы с образцом; в – игла отводится, и «шейка», соединяющая иглу и образец, утоньшается; г – «шейка» рвется, а на поверхности остается бугорок из материала иглы • • Когда импульс напряжения прикладывается к пьезоэлементу, отвечающему за перемещение вдоль оси z , нормальной к поверхности, игла приближается к образцу до образования с ним непосредственного контакта. По окончании действия импульса игла отводится назад, «шейка», соединяющая иглу и образец, утоньшается до тех пор, пока не происходит ее разрыв, в результате этого на поверхности образца остается бугорок из материала иглы. • Метод импульса напряжения позволяет формировать такие же бугорки, посредством подачи соответствующих импульсов напряжения на переход игла-образец. В этом методе кратковременный контакт между иглой и образцом, возможно, также имеет место, так как механические напряжения, вызываемые полем, могут приводить к значительным деформациям и иглы, и образца в масштабах тоннельного промежутка. Испарение полем также нельзя исключить как сопутствующий процесс. Отметим, что в зависимости от материалов иглы и образца при практически сходных условиях на поверхности могут формироваться не бугорки, а ямки. Направление переноса материала в этом случае определяется такими параметрами, как относительная жесткость и упругость материалов образца и иглы. Атомларни ўтқазиш](/data/documents/a308274c-7eb6-4c57-8b78-8ba735a6363d/page-10.png)
![• В зависимости от используемого типа взаимодействия между иглой и образцом, выделяют два режима перемещения атомов вдоль поверхности: • Перемещение под действием межатомных сил; • Перемещение под действием электростатического поля. • Перемещение под действием межатомных сил. Когда игла СТМ приближается к адатому на поверхности, между иглой и адатомом действует притяжение за счет взаимодействия Ван-дер-Ваальса. Взаимодействие возрастает с уменьшением расстояния между иглой и адатомом. В результате они наиболее слабо связанны с остальными атомами поверхности. Когда игла приближается к адатому на достаточное расстояние, то между ним и иглой возникает связь, за счет которой адатом может быть перемещен в нужное место поверхности. Это иллюстрируется на рис. 5.10 при помощи кривых потенциальной энергии. На рис. 5.10, б показана энергия адатома как функция координаты вдоль нормали к поверхности для различных расстояний между иглой и образцом. Потенциальная энергия как функция координаты вдоль поверхности в отсутствие (пунктирная линия) и в присутствии (сплошная линия) иглы показана на рис. 5.10, в . • • • Рис. 5.10. Иллюстрация взаимодействия Ван-дер-Ваальса между иглой СТМ и адатомом Хе на поверхности Ni (110): а – атомное строение иглы и образца, используемое в расчетах; б – энергия как функция вертикального расстояния от поверхности до набора расстояний от иглы до образца; в – энергия как функция латерального перемещения вдоль поверхности образца. Кривые энергии в отсутствие иглы показаны пунктирной линией, в присутствии иглы сплошной линией [29] • • В отсутствии иглы СТМ и других объектов вблизи от поверхности, каждый атом этой поверхности находится в периодическом потенциале с неглубокими минимумами. Приближение иглы вплотную к поверхностному слою приводит к появлению глубокого минимума, обусловленного действием силы Ван-дер-Ваальса. В результате этого адатом фиксируется на участке под острием иглы. Если игла движется вдоль поверхности, на одном и том же расстоянии до образца, то адатом будет следовать за иглой. Когда адатом оказывается в нужном месте, то игла отводится от поверхности, оставляя адатом в этой точке. Последовательные стадии этого перемещения под действием атомных сил схематически показаны на рис. 5.11. • • Рис. 5.11. Схематическая иллюстрация последовательных стадий процесса перемещения адатома под действием межатомных сил; « а » игла помещается точно над атомом и подводится к нему « б » настолько близко, что притяжение между иглой и атомом достаточно, чтобы удерживать атом под иглой при ее перемещении вдоль поверхности « в » до нужного места « г ». После этого игла отводится « д » на такое расстояние, что взаимодействие между атомом и иглой практически отсутствует, а атом остается связанным с поверхностью в новом месте • Для того чтобы перемещение под действием межатомных сил было воспроизводимым и надежным, необходимо выполнение ряда условий. Во-первых, требуется, чтобы амплитуда потенциального рельефа была достаточно большой, чтобы можно было наблюдать адатом в СТМ, не вызывая его непреднамеренное перемещение, и в то же время, достаточно малой, чтобы можно было перемещать адатом, когда игла подведена к нему достаточно близко. • Во-вторых, для того, чтобы адатом в ходе перемещения оставался связанным с поверхностью, диффузионные барьеры должны быть меньше энергии связи адатома с поверхностью (энергии десорбции). • В-третьих, для того, чтобы сохранить нужное расположение адатомов, тепловое движение должно быть подавлено охлаждением образца до низких температур. • Наиболее полно удовлетворяют этим требованиям поверхности металлов с мелким потенциальным рельефом. Впервые возможность формировать из отдельных атомов заданные простые структуры была продемонстрирована Эйглером и Швейцером в 1990 году на примере атомов Хе на поверхности Ni (110) при 4 К [5.7] (рис. 5.12). Атомы Хе на поверхности Ni (110) характеризуются энергией связи 250 мэВ и высотой барьера для диффузии вдоль направления плотной упаковки 20 мэВ. • Другой наглядный пример – это создание так называемого квантового «загона» (quantum corral) – окружности радиуса 71 Å, выстроенной из 48 атомов Fe на поверхности Cu (111) (рис. 5.13). Квантовый «загон» действует как двумерная яма цилиндрической формы для электронов поверхностных состояний. Круговые волны, видимые на СТМ изображении внутри «загона» – это стоячие электронные волны, существование которых предсказывает решение уравнений Шредингера для этих граничных условий. • • Рис. 5.12. Квазитрехмерное СТМ изображение атомов Хе (имеющие вид выпуклостей высотой 1,6 Å), образующие на поверхности Ni (110) слово «IBM». Атомы Хе выстроены с помощью метода перемещения адатомов под действием межатомных сил. Высота каждой буквы 50 Å [31] • • • Рис. 5.13. Набор последовательных СТМ изображений, иллюстрирующих процесс образования «квантового загона» из 48 атомов Fe, адсорбированных на поверхности Cu (111) [32] • • Основным параметром, характеризующим особенности атомных манипуляций с помощью межатомных сил для данной системы, является пороговое расстояние от иглы до поверхности. Выше порога взаимодействие между иглой и адатомом слишком слабое, чтобы обеспечить возможность манипуляций. Ниже порога взаимодействие достаточно для перемещения адатома. Так как абсолютная величина зазора от иглы до поверхности не может быть определена точно, то более удобно выражать ее в терминах сопротивления туннельного перехода: более высокое сопротивление соответствует большему зазору, следовательно, более слабому взаимодействию между иглой и образцом. Было измерено, что пороговое сопротивление составляет 5 МОм для перемещения атомов Хе вдоль атомных рядов поверхности Ni (110), 200 кОм для перемещения атомов Fe по поверхности Cu (111) и молекул СО по поверхности Pt (111) и 20 кОм для перемещения адатомов Pt по поверхности Pt (111). Можно сделать вывод, что поверхностное сопротивление демонстрирует явную тенденцию к уменьшению по мере увеличения энергии связи адсорбата с подложкой, то есть большая сила требуется для перемещения адсорбата, который прочнее связан с поверхностью. Атомларни сирт бўйлаб кўчириш](/data/documents/a308274c-7eb6-4c57-8b78-8ba735a6363d/page-12.png)
