Elektrotexnika va signallarni qayta ishlash fani uchun umumiy taqdimot

Yuklangan vaqt:

04.12.2023

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

990.1123046875 KB

Ko'chirib olish

“ Elektrotexnika va signallarni qayta ishlash” fani uchun”ning umumiy TAQDIMOTI 01 0203 110C 1618 01

1- Mavzu: Korrelyatsiya funksiyasi haqida.. Korrelyatsiya ( lotincha “ korrelato” – nisbat, munosabat) degan ma’noni beradi va bu tasodifiy oʻzgaruvchilar oʻrtasidagi statistik ehtimollik bogʻliqligi oʻlchovini anglatuvchi matematik atama. Agar tahlil hodisalar oʻrtasida korrelyatsiya munosabatini aniqlanmagan boʻlsa, bu ular oʻrtasida korrelyatsiya munosabatining yoʻqligining dalili emas. Statistikada korrelyatsiya atamasi 1886- yilda inliz olimi Frensis Galton tomonidan ishlatilgan... 010101 191A0D 13 0D0D0D 1E 03 0A 1F 0E 0F 0C 29 18 16 18 2A 192B 12 0B 2D0704 06 0B

Ammo u korretsiya koeffitsientni hisoblashning aniq formulasi topa olmadi. Lekin uning shogirdi buni qildi – mashxur matematik va biolog Karl Person. Tasodifiy oʻzgaruvchi oʻrtasida kuchli korrelyatsiya – bu hodisalar oʻrtasida ma’lum bir statistik bogʻliqlik mavjudligini tasdiqlovchi dalillar, lekin bu monosabatni bir xil hodisalarga oʻtkazish mumkin emas , balki boshqa vaziyat uchundir. Koʻpincha tadqiqotchilar addiylik asosida ikkita oʻzgaruvchi oʻrtasidagi muhim korrelyatsiyani hisoblab chiqadilar. 29 05 0C 31 11 18 0E 23 33 0828 05 08 0F 18 1F 18 1308 18 0E 06 0C 0828 05 17

2- Mavzu: Kotelnikov teoremasi . Fs signalning disketlash chastotasi, Fa analog signalning yuqori spektr chastotasi. Ushbu ta’rif noldan Fa gacha boʻlgan chastotalardan iborat vaqt funksiyalariga tegishli. Radiotexnikada real muammolarda signal spektrlari har qanday chastotada ishga tushishi va tugashi mumkin. Shu munosabat bilan Kotelnikov teoremasi ning ta’ rifi bunday signalning spektr kengligiga nisbatan toʻgʻri hisoblanadi; Cheklangan spektrga ega boʻlgan har qanday uzluksiz signal spektri bilan egallangan chastotadan ikki marta yuqori chastota bilan olingan diskret namunalaridan aniq va yoʻqotishsiz tiklanishi mumkin. 01 02 01 0A 01 01 0C 0F 06 24 16 25 26 0F 14 0F 29 08 16 17 19 01

Kvantlangan signallar uzluksiz yoki diskret miqdorlar qatoridan – qator oxirgi qiymatlarni oladi , odatda signallar sathga ya’ ni kvantlanadi. Tasodifiy va deteminallashgan signallarga misol keltramiz. Signal axborotning material tushunchasidir. Taqdim etish usuliga koʻra signallar ikki guruhga boʻlinadi; tasodifiy va deteler. Ular matematik model va signal parametrlarining oʻzgarishini tavsiflovchi funksiyasi bilan xarakterlanadi. Tasodifiy signal vaqt funksiyalaridir uning qiymatlaridir... 01090D 10 0C 140D 02 0E0D 08 1304 0E07 08 0A 0C 1B 08 0F10 03 0A 09 230D 02 25 16 1B 25 1407

3- Mavzu: Rezistorlar va Kondensatorlarni ulash . Kondensator turlarining nomi dielektriklarning nomidan kelib chiqqan. Masalan: qogʻozli kondensatorlar parafilangan qogʻoz tasmasi bilan oʻzaro ajratiladi. Ikkinchi qoplama elektrotlarning quyuq eritmasi shimdrilgan qogʻoz yoki matodan iborat boʻladi. * Kondensatorlar parallel va ketma-ket ulanganda ularning umumiy sigʻimi oʻzgaradi. Paralel ulash * Agar bir qurilmaning ikki uchi , ikkinchi qurilmaning ikki uchiga mos ravishda ulangan boʻlsa , paralel ulash deyiladi.. C = n • c Jjjhh Kondensatorlarni ulash. Zarur sigʻim yoki kerakli kuchlanishga ega... 01 0203 26 01 0A 01 01 0B 0D 04 11 0F 16 22 0B 08 01 22 14 0E0F 2601 291F1F 17

Rezistor (lot. Resisto — qarshilik ko rsataman) — radio va elektrtexnika ʻ qurilmalari elektr zanjirining strukturaviy (tugal buyum ko rinishidagi) elementi; asosiy vazifasi ʻ — elektr toki ga faol qarshilik ko rsatish. Qarshilikning nominal ʻ qiymati (bir necha Om dan 1000 Gom gacha), undan og ish qiymati (0,001— ʻ 20%) va maksimal sochish quvvati (Vt ning yuz larcha ulushlaridan bir necha MVt gacha) bn tavsiflanadi. Tayyorlanadigan materialiga qarab, R. Metall, uglerodli, suyuklikli va yarimo tkazgichli; qarshilik turiga ʻ qarab, o zgarmas va o zgaruvchan ʻ ʻ xillarga bo linadi ʻ . 01 1128 0E 05 11 28 0D 11 28 0E 1A 28 26 13 29 2B 29 1B 28 0E 28 17 28 0C

4-Mavzu: Quvvat kuchaytirgichlari • Quvvat kuchaytirgichlari-kirirsh kuchlanishiga nisbatan chiqish voltajining minimal ozgarishi bilan iloji bo’lsa, kirish kuchini oshirish uchun mo’jallangan qurilmadir. Ya’ni, kuchaytirgichlar yukori quvvat olish qobilyatiga ega, omma chiqish voltaji o’zgarishi yoki o’zgarmasligi mumkin. Kuchaytirgichlarning kuchaytirgich samaradorligi har doim 100% dan past. Shuning uchun quvvatni kuchaytirish bosqichlarida yuqori issiqlik tarqalishi kuzatiladi. Quvvat kuchaytirgichlari yuklar bo’ylab kata quvvat talab qiladigan qurilmalarda qollaniladi. Ko’p bosqichli kuchaytirgichlarda kuchaytirish amplifikatsiyasiyani-ning oxirgi bosqichlarida amalga oshiriladi. Ovaz kuchaytirgichlari va RF kuchaytirgichlari yukni etarli darajada etgazib berish uchun oxirgi bosqichda kuchaytirgichlardan foydalanadilar . 01 351A1B 36 02 0304 09 080C0D 1D 1E 17 11 1404 07 1315 1415 0804 1315 0506 131E 2A15 1C

Bir tipli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan tranzistorlar- dan yig‘ilgan kuchaytirgich nosimmetrik bo‘ladi. Chunki ular turli sxemada (odatda, UE va UK) ulanadi. Nochi- ziqli buzilishlarni yo‘qotish uchun manfiy teskari bog‘lanish kiritishga to‘g‘ri keladi. Bu esa, o‘z navbatida, yangi dinamik buzilishlarni hosil qiladi. Ikki taktli sxemada chiqish qarshiligi kichik bo‘lishi uchun uni UK sxema bo‘yicha yig‘iladi. Dastlabki tok va kuchlanishi bo‘yicha kuchaytirish VT1 tranzistorli sxemada bajariladi. VT3 va VT2 lar o‘zaro simmetrik emitter takrorlagichlari bo‘lib, signalni tok bo‘yicha kuchaytiradi. • 27 04 13 0602 2A 2B 2E 1202 0304 0302 060D 1E 2F08 14 101F1810060A 1E 0302 08 030B 1E 02 030D 0E 08

5- Mavzu Tranzistorlarning asosiy parametrlari. Tranzistorlarni asosiy parametrlari. Kirish va chiqish qarshiliklari kollektorning teskari toki hamda tok bo`yicha kuchaytirish koeffisienti tranzistorlarning asosiy parametrlari hisoblanadi. Kirish qarshiligi qarshilikka aytiladi. Rx deb, chiqish zanjiri ochiq turgan holatdagi baza bilan emitter orasidagi c c chiqish qarshiliga qarshilikka aytiladi. Bir tiðli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan tranzistorlar- dan yig‘ilgan kuchaytirgich nosimmetrik bo‘ladi. Chunki ular turli sxemada (odatda, UE va UK) ulanadi. Nochi- ziqli buzilishlarni yo‘qotish uchun manfiy teskari bog‘lanish kiritishga to‘g‘ri keladi. Bu esa, o‘z navbatida, yangi dinamik buzilishlarni hosil qiladi. Ikki taktli sxemada chiqish qarshiligi kichik bo‘lishi uchun uni UK sxema bo‘yicha yig‘iladi. Dastlabki tok va kuchlanishi bo‘yicha kuchaytirish VT1 tranzistorli sxemada bajariladi. VT3 va VT2 lar o‘zaro simmetrik emitter takrorlagichlari bo‘lib, signalni tok bo‘yi- cha kuchaytiradi. 0D 37 33 300C 0A0A 14 08 18 2616 04 0A0A 12 0E 12 08 14 10 08 1E 030D

Maydon tranzistorlar unipolyar tranzistorlar qatoriga kiradi. Maydon tranzistorlarida ishchi tok yarim o`tkazgich uchun asosiy bo`lgan zaryad tashuvchilar (elektron yoki kovak) yordamida vujudga keladi. Bipolyar tranzistorlarda esa ishchi tokni hosil qilish har ikkala tip tok tashuvchilar ham katta rol o`ynaydi . Tranzistorlarni asosiy parametrlari. Kirish va chiqish qarshiliklari kollektorning teskari toki hamda tok bo`yicha kuchaytirish koeffisienti tranzistorlarning asosiy parametrlari hisoblanadi. 39 10 140D 0A 07 10 11 2B 12 27 04 18 03 02 0A 0A 230D 1F 08 18 08 03 230D

6- Mavzu; Proportional – integral mikrosxema. Integral sxema (IS, integral mikrosxema) — juda ixcham (mikrominiatyur) elektron qurilma. Elementlari (diodlar, tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar va b.) konstruktiv, texnologik va elektr jihatdan oʻzaro uzviy bogʻlangan (birlashtirilgan) va oʻta zich joylashtirilgan boʻladi. Uzluksiz yoki diskret (uzlukli) elektr va optik signallar tarzidagi axborotlarni qabul qilish, qayta ishlash uchun moʻljallanadi. I. S. Quyidagi xillarga boʻlinadi: elementlarni birlashtirish (integratsiya) usuli boʻyicha — yaxlit (monolit) va gibrid (tarkibiy) (osma diskret elektron asboblarlan foydalanilgan) sxemalar; ishlov beriladigan signallarning xili boʻyicha — raqamli va analog sxemalar; IS dagi elementlar soni N (integratsiya darajasi) boʻyicha — kichik (N< 102)? Oʻrta (N = 102 — —103), katta {N= W— 104) va juda katta (N> 104) sxemalarga boʻlinadi. I. S. Elektron hisoblash mashinalari, nazorat-oʻlchash apparatlari, aloqa texnikasi va b. Sohalarda qoʻllaniladi. 01 08 1B 01 20 2C 11 11 2C 31 11 16 181412 06 33 2B 0F 2C 1F 1A 11

Umumiy ma’lumotlar Integral mikrosxemalar elektr asboblarning sifat darajasidagi yangi turi bo‘lib elektron qurilmalarning asosiy negiz elementi hisoblanadilar. Integral mikrosxema (IMS) elektr jihatdan o‘zaro bog‘langan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar) majmui bo‘lib, yagona texnologik siklda bajariladi, ya’ni bir vatqning o‘zida yagona konstruksiya (asos)da ma’lum axborotni qayta ishlash funksiyasini bajaradi . •

7-Mavzu: Maydonli tranzistorlar. Maydoniy transistor. Maydoniy tranzistor (MT) deb, tok kuchi qiymatini boshqarish ychun o‘tkazuvchi kanaldagi elektr o‘tkazuvchanligikni o‘zgartirish hisobiga elektr maydon o‘zgarishi bilan boshqariladigan yarim o‘tkazgichli aktiv asbobga aytiladi. Maydoniy tranzistorlar turli elektr signallar va quvvatni kuchaytirish uchun mo‘ljallangan. Maydoniy tranzistorlarda bipolyar tranzistorlardan farqli ravishda tok tashkil bo‘lishida faqat bir turdagi zaryad tashuvchilar ishtirok etadi: yoki elektronlar, yoki kovaklar. Shuning uchun ular yana unipolyar tranzistorlar deb ham ataladi. Maydoniy tranzistorlarning tuzilishi va kanal o‘tkazuvchanligiga ko‘ra ikki turi mavjud: p–n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor hamda metall – dielektrik – yarim o‘tkazgichli (MDYa) tuzilishga ega bo‘lgan zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar. Ular MDYa- tranzistorlar deb ham ataladilar. P–n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor. 01 4003 01 390D 08 0228 0228 0D 390D 08 1E07 25 04 030B 0A 0228 1E020E 150A 07 030B 3C

Kanalning o‘tkazuvchanligi uning qarshiligi bilan aniqlanadi , bu yerda – kanal materialining solishtirma qarshiligi, l- uzunligi, S – kanalning ko‘ndalang kesim yuzasi. Tashqi kuchlanish mavjud bo‘lmaganda kanal uzunligi bo‘ylab zatvor ostidagi kanalning ko‘ndalang kesim yuzasi bir xil bo‘ladi. Berilgan qutblanishda zatvor va istok oralig‘iga tashqi kuchlanish berilsa UZI p–n o‘tish teskari yo‘nalishda siljiydi, kanal tomonga kengayadi, natijada kanal uzunligi bo‘ylab kanalning ko‘ndalang kesim yuzasi bir tekis torayadi. Kanal qarshiligi ortadi . 01 12 08 1E0228 08 110D 0304 08 0304 0A

8-Mavzu; Teskari aloqaning qoʻllanilishi. Teskari aloqa deb chiqishdagi yoki biror oraliq zveno qurilmasi chiqishidagi energiyaning bir qismini uning kirishiga uzatishga aytiladi. Buning uchun sxemagamaxsus zanjir kiritiladi va u teskari aloqa zanjiri deb ataladi. Bu zanjir kuchaytirgich chiqishidagi quvvatning bir qismini uning kirishiga uzatishga ҳizmat qiladi. Bir bosqichni o’z ichiga oladigan teskari aloqa –maҳalliy, ko’pbosqichli kuchaytirgichning barini o’z ichiga oladigan teskari aloqa – umumiy deb ataladi. Teskari aloqaningmavjudligi qurilma chiqishidagi signalning, demak kuchaytirish koeffitsientining ҳam ortishi yoki kamayishiga olib kelishimumkin. Birinchi ҳolatda kirish signali fazasi bilan teskari aloqa signali fazalari bir – birigamos keladi va ularning amplitudalari ko’shiladi – bunday teskari aloqamusbat teskari aloqa deb ataladi. Ikkinchi ҳolatda esa fazalar teskari bo’lib, amplitudalar bir – biridan ayiriladi – bunday teskari aloqamanfiy teskari aloqa deb ataladi.. 01 0A 3E29 0A 0A 1B 14100B 10110D 08 08 08 0205 08 100C 1B 1304 08 25 09 0D 25 1E1006

Teskari aloqa datchiklarning asosiy vazifasi ishchi organning haqiqiy holatini o`lchash, tegishli shakldagi signalga o`zgartirish hamda ushbu signalni taqqoslash qurilmasiga uzatishdan iborat. Ishchi organning raqamli dastur bo`yicha berilgan va haqiqiy siljish signallari taqqoslash qurilmasida farq (xato) signaliga aylantiriladi, so`ng xato signali kuchaytirilib ishchi organ surish yuritmasi dvigateliga xatoni kamaytirish yoki ishchi organ berilgan holatga talab etilgan aniqlikda yetganida harakatni to`xtatish uchun uzatiladi.

9- Mavzu; INTEGRAL MIKROSXEMALAR. Integral mikrosxemalar elektr asboblarning sifat darajasidagi yangi turi bo‘lib elektron qurilmalarning asosiy negiz elementi hisoblanadilar. Integral mikrosxema (IMS) elektr jihatdan o‘zaro bog‘langan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar) majmui bo‘lib, yagona texnologik siklda bajariladi, ya’ni bir vatqning o‘zida yagona konstruksiya (asos)da ma’lum axborotni qayta ishlash funksiyasini bajaradi. IMSlarning asosiy xossasi shundaki, u murakkab funksiyalarni bajarish bilan birga kuchaytirgich, trigger, hisoblagich, xotira qurilmasi va boshqa funksiyalarni ham bajaradi. Xuddi shu funksiyalarni bajarish uchun diskret elementlarda mos keluvchi sxemani yig‘ish talab qilinardi.Dielektrik asosli IMSlarda elementlar uning sirtida joylashadi. Yarim o‘tkazgich asosli mikrosxemalarning asosiy afzalligi – elmentlarning juda katta integratsiya darajasi hisoblanadi, lekin uning nominal parametrlari diapazoni juda cheklangan bo‘lib ular bir – biridan izolyatsiyalanishni talab qiladi. Dielektrik asosli mikrosxemalarning afzalligi – elementlarning juda yaxshi izolyatsiyasi, ularning xossalarining barqarorligi, hamda elementlar turi va elektr parametrlari tanlovining kengligi.

Element deb biror elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondensator va boshqalar) funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi va u kristall yoki asosdan ajralmagan konstruksiyada yasaladi. IMS komponentasi deb uning diskret element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi. Asosiy IMS konstruktiv belgilaridan biri bo‘lib asos turi hisoblanadi. Bu belgiga ko‘ra IMSlar ikki turga bo‘linadi: yarim o‘tkazgichli va dielektrik.Element deb biror elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondensator va boshqalar) funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi va u kristall yoki asosdan ajralmagan konstruksiyada yasaladi. IMS komponentasi deb uning diskret element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi.Asosiy IMS konstruktiv belgilaridan biri bo‘lib asos turi hisoblanadi. Bu belgiga ko‘ra IMSlar ikki turga bo‘linadi: yarim o‘tkazgichli va dielektrik .

10- Mavzu; Doimiy tok kuchaytrgichlarida nol dreyf. Dreyf oqim (gollandcha drijveh — suzish, haydash) — shamol va oqim taʼsirida okean va dengiz suvi ustki qatlamining oʻziga xos harakatga kelishi. Ishqalanish taʼsirida suv dengiz tagiga tomon tusha boradi. D. O. Nazariyasini F. Nansen yaratgan; bu nazariyani shved geofizigi va okeanografi V. Ekman 1906 yilda matematik yoʻl bilan isbot qilgan. Yerning aylanishi natijasida D. O. Dengiz yuzasida shim. Yarim sharda 45° oʻngga, jan. Yarim sharda 45° chapga buriladi. Dengiz tagiga chuqurlashgan sari oqim koʻproq burila boradi va muayyan chuqurlik (200 m) da oqim suv yuzasidagiga nisbatan boshqacha yoʻnalishda oqadi. 0A 324029 06 0A 0E 0220 03 1E100A 0C 43 0E 021407 021407

11-Mavzu: Rezonans kuchaytrgichlar . Yuqori chastotali kuchaytirgichlar ko’pincha rezonans yoki tanlovchanlik kuchaytirgichlari deb ham ataladi. Rezonans kuchaytirgichlarning asosiy vazifasi yuqori chastotali radiosignallarining juda tor oraliqdagi chastota spektrini kuchaytirishdan iborat. Bunday kuchaytirgichlarda kuchaytiruvchi elementining chiqish zanjiriga nagruzka sifatida ma`lum chastotaga sozlanadigan tebranish konturi yoki bog’langan tebranish konturi ulanadi. Bunday kuchaytirgichlar radioaloqada keng ko’llaniladi. Radio qabul qilish qurilmasida (antennada) faqat yana radiostantsiyaning signali emas, balki juda ko’p radiostantsiyalarning uzatadigan signallari qabul qilinadi. Shuning uchun qabul qiluvchi qurilmaning kirish qismidagi kuchaytirgichi turli radiostantsiyalardan keladigan tebranishlar (signallar)dan kerakli chastotali signalni tanlab kuchaytirish xususiyatiga ega bo’lish kerak. Shu sababli yuqorida ta`kidlanganidek, yuqori chastotali kuchaytirgichlar chastota tanlovchi yoki rezonans kuchaytirgichlar deb ataladi. . Yakka va bogʻlangan tebranish konturli rezonans kuchaytrgichining kuchaytirish hususiyatlarini aniqlash va ularni chastotaviy xarakteristikasini olish.

Xulosa qilib shuni aytsa bo’ladiki Darhaqiqat, bitta induktorli kontaktlarning zanglashida energiya tebranishi, ya’ni energiyaning generatordan bobinning magnit maydoniga davriy ravishda o’tishi mavjud. Kondensator bo’lgan kontaktlarning zanglashiga olib boradigan kontaktlarning zanglashiga olib borishida ham xuddi shunday bo’ladi, lekin kondansatörün elektr maydonining energiyasi tufayli. Kuchlanish rezonansi (XL = XC) paytida kondensator va induktorli kontaktlarning zanglashiga olib boradigan kontaktlarning zanglashiga olib keladigan davriy elektr energiyasi davriy ravishda bobindan kondensatorga o’tadi va aksincha, kontaktlarning zanglashiga olib keladigan energiya sarfi joriy manbaga tushadi. Shunday qilib, deyarli hech qanday generator bo’lmagan kondansatör va bobin o’rtasida energiya almashinadi. Faqatgina stressdagi rezonansni buzish kerak, chunki bobinning magnit maydonining energiyasi kondensatorning elektr maydonining energiyasiga teng bo’lmaydi va bu maydonlar o’rtasida energiya almashinuvi paytida vaqti- vaqti bilan manbadan yoki kontaktlarning zanglashiga olib keladigan yoki kontaktlarning zanglashiga olib keladigan energiyaning haddan tashqari ko’payishi kuzatiladi.

12-Mavzu; Kuchaytrishni avtomatik boshqarish. Avtomatik boshqarish nazariyasi – texnikaviy kibernetikaning turlicha murakkablikdagi va har xil tabiatli jarayonlarni avto-matik boshqarish tizimlari (ABT)ni yaratish ustida ilmiy tadqiqotishlari olib boruvchi boʻlimi. Avtomatik boshqarish nazariyasi n.da haqiqiy obyektlar oʻrnida ularning oʻxshash (adekvat) matematik modellaridan foydalaniladi. Unda asosan ikki muammo: ABT tahlili va sintezi ustida tadqiqotlar olib boriladi. Ikki xil boshqarish tizimi, yaʼni ochiq va yopiq boshqarish tizimlari jarayonlarni boshqarish tarzi boʻyicha bir-biridan farq qiladi. Birinchisida boshqaruvchi taʼsirlar jarayonni toyiltiruvchi taʼsirlardan kelib chiqib, ularning toyilishi farqini kamayti-rishga qaratiladi. Bunday boshqarish tizimining asosiy kamchiligi oʻlchash imkoni boʻlmagan tashqi toyiltiruvchi taʼsirlarni bartaraf eta olmasligidadir. Bundan tashkari, ushbu boshqarish tizimlari nobarqaror obyektlarni uzoq vaqt davomida boshqara olmaydi. Yopiq boshqarish tizimlari asosida teskari bogʻlanish gʻoyasi yotadi. Bu gʻoya parametrlarning meʼyordan chetlashishi boʻyicha boshqarish prinsipi (yoki teskari bogʻlanishli boshqarish) nomi bilan maʼlum. Bu yerda boshqaruvchi parametrlarning talab darajasidan ogʻishi tufayli ularni talab holatiga qaytaruvchi ijro signallari shakllantiriladi . . 0A 323529 1E 0A 03 1E020E 1E 021E1204 250212130D 03 1E020E 250D 03 140D0B 07 02050C 021E1204 03 230D 2B 1E 03 1A0A 0A

Bunday usulning universalligi nobarqaror obyektlarni boshqarishda namoyon boʻladi.Avtomatik boshqarish nazariyasi n., xususan, yopiqtizim nazariyasidagi markaziy muammo – bu tizimning 127mustahkamligi. 20- asr 50–60-yillari bunday tizimlarning sintez usullari jadal rivojlangan davr boʻldi. Sintez masalasini yechishda sifat mezonini tan-lash asosiy oʻringa ega. ABT ni sintez qilishning usullari ichida bunday tizimlarni invariant va avtonom sintez qilish usullari alohida oʻrin egallaydi. Bu nazariyada sifatni baholashning integral mezonidan foydalanishga asoslangan ABT sintez usuli ustuvor hisoblanadi

13-Mavzu; Tunnel diod generatori. Tunnel diodi deb qo‘zg‘otilgan yarim o‘tkazgich asosida loyihalangan yarim o‘tkazgichli asbobga aytiladi. Unda teskari va uncha katta bo‘lmagan to‘g‘ri kuchlanishda tunnel effekti yuzaga keladi va volt–amper xarakteristikada manfiy differensial qarshilikka ega bo‘lgan soha mavjud bo‘ladi. Tunnel diodlar boshqa turdagi diodlardan sezilarli farq qilmaydi, lekin ularni yasash uchun 1020 sm-3 kiritmaga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichli materiallar qo‘llaniladi. VAX nochiziqli bo‘lsa, uning har bir kichik sohasi to‘g‘ri chiziq deb qaraladi va xarakteristikaning bu nuqtasida differensial qarshilik kiritiladi. Agar xarakteristika kamayuvchi bo‘lsa, bu sohada qarshilik Ri manfiy qiymatga ega bo‘ladi. Tunnel diodi VAX keltirilgan. AV soha manfiy differensial qarshilik bilan xarakterlanadi. Agar tunnel diodi tebranma kontur elektr zanjiriga ulansa, u holda kontur va shu zanjirdagi manfiy qarshilik kattaligi o‘rtasidagi ma’lum nisbatlarda tebranishlar kuchayishi yoki generatsiyalanishi mumkin. Tunnel diodlari asosan 3-30 GGs diapazonda O‘YuCh generatorlar qurishda, hamda maxsus hisob qurilmalari va mantiqiy yuta yuqori tezlikda ishlaydigan sxemalarda qo‘llaniladi. 01 37 150F 01 13 06 21 0E14 46 1B14 180C47 4A 0E0F 1B05 10 46 1B05 17 0705 0D14 16 150F 16 1B0C47

Tunnel oqimi ikkala yo’nalishda ham o’tish joyidan o’tishi mumkin. Biroq, oldinga egilish hududida tunnel oqimi birinchi navbatda keskin oshadi va ma’lum bir maksimal qiymatga erishgandan so’ng keskin kamayadi. Oqimning kamayishi to’g’ridan-to’g’ri yo’nalishdagi birikmada elektr maydon kuchini oshirish bilan tunnel ulanishini amalga oshirishga qodir elektronlar sonining kamayishi bilan bog’liq. To’g’ridan-to’g’ri kuchlanishning ma’lum bir qiymatida bunday elektronlar soni nolga teng bo’ladi va tunnel oqimi butunlay yo’qoladi. To’g’ridan-to’g’ri kuchlanishning yanada oshishi faqat to’g’ridan-to’g’ri diffuziya oqimiga ta’sir qiladi, bu an’anaviy rektifikator yoki universal diodlar bilan bir xil tarzda kuchayib borayotgan kuchlanish bilan ortadi .

$14-Mavzu; SIGNALLARNING ENERGIYA SPEKTRI. Signalning spektral xarakteristikasi Furye tasvirlari – Furye seriyasining murakkab koeffitsientlari F(jw k) davriy signal (1) va spektral zichlik F(jw) davriy bo’lmagan signal (2) – bir qator umumiy xususiyatlarga ega. 1. Lineerlik . Integrallar (1) va (2) funktsiyaning chiziqli o’zgarishini amalga oshirish f(t). Shuning uchun funktsiyalarning chiziqli kombinatsiyasining Furye tasviri ularning tasvirlarining o’xshash chiziqli kombinatsiyasiga tengdir. Agar a f(t) = a 1 f 1 (t) + a 2 f 2 (t), keyin F(jw) \u003d a 1 F 1 (jw) + a 2 F 2 (jw), qaerda F 1 (jw) va F 2 (jw) – signallarning Fourier tasvirlari f 1 (t) va f 2 (t) navbati bilan. 2. Kechiktirish (davriy funktsiyalar uchun vaqt ma’lumotnomasini o’zgartirish) . Signalni ko’rib chiqing f 2 (t), bir muddat kechiktirildi t Signalga nisbatan 0 f 1 (t), xuddi shu shaklga ega: f 2 (t) = f 1 (t – t 0). Agar signal bo’lsa f 1 rasmga ega F 1 (jw), keyin signalning Furye tasviri f 2 teng F 2 (jw) \u003d \u003d . Ko’paytirish va bo’linishdan so’ng, a’zolarni quyidagicha guruhlaymiz: Oxirgi integral bo’lgani uchun F 1 (jw), keyin F 2 (jw) \u003d e –j w t 0 F 1 (jw) . Shunday qilib, signal bir muddat kechiktirilganda t 0 (vaqt kelib chiqishi o’zgarishi), uning spektral zichligi moduli o’zgarmaydi va argument w qiymatiga kamayadi t 0 kechikish vaqtiga mutanosib. Shuning uchun signal spektrining amplitudalari kelib chiqishiga va kechikish bilan boshlang’ich fazalariga bog’liq emas t 0 w ga kamayadi t 0 . 0A 324729 0A 44 13 15 0A 02 1F 02 350A 09 1E 0A 02 1D 402D 03 0E 0A 52 2B 02 0C 1F 52$

Davriy bo’lmagan signal – bu cheklangan vaqt oralig’ida nolga teng bo’lmagan signal. Davriy bo’lmagan signalni davriy, ammo cheksiz katta davr bilan qabul qilish mumkin. Davriy bo’lmagan signalning asosiy xususiyatlaridan biri bu uning spektridir. Signal spektri – bu turli xil harmonikalar intensivligining signal tarkibidagi ushbu harmonikalarning chastotasiga bog’liqligini ko’rsatadigan funktsiya. Davriy signal spektri – Furye qatori koeffitsientlarining ushbu koeffitsientlar mos keladigan harmonikalarning chastotasiga bog’liqligi .

Xulosa; Xulosa qilib aytganda biz bu fanni oʻqib signallar bilan ishlash ularni filtrlash va qayta ishlash va hk larni oʻrgandik. Bu fan hayotda ham juda kerakli fan boʻlib radioelektrnika, mikroelektronika, va bir qancha boshqa fanlar bilan ham bogʻliqlik taraflari bor.

O'xshashlar

Elektronika va signallarni qayta ishlash fani uchun umumiy taqdimoti

“Elektronika va signallarni qayta ishlash” fani uchun umumiy taqdimoti

Elektr va signallarni qayta ishlash fanidan umumiy slayd

Muborak gazni qayta ishlash zavodi

Yuqori chastotali signallarni uzatish usullari