Саноат электроникаси асослари - Fizika - Referatlar

Саноат электроникаси асослари

Yuklangan vaqt:

20.09.2019

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

52.1806640625 KB

Ko'chirib olish

Саноат электроникаси асослари Режа: 1. Электрон асбобларнинг хоссалари ва вазифалари. 2. Ярим ўтказгичларнинг электр ўтказувчанлиги. 3. Икки электродли ярим ўтказгич асбоблар. 4. Уч электродли ярим ўтказгич асбоблар.

Электрон асбобларнинг хоссалари ва вазифалари Электрон ва ярим ўтказгич қурилмаларининг кенг кўламда қўлланилишига сабаб, уларнинг юқори сезгирлиги, тезкорлиги ва универсаллигидир. Электроника вакуумда, газларда ва ярим ўтказгичлардаги электр токи ҳодисасига асосланган асбобларнинг ишлаш принципи, бу асбобларнинг тузилиши ва ишлашини ўрганади. Бу асбоблар асосан уч гуруҳга булинади: электрон – вакуум асбоблар, ион асбоблар ярим ўтказгичли асбобларга бўлинади. Ҳозирги вақтда айниқса ярим ўтказгичлар электроникаси муваффақият билан ривожланмоқда. Ярим ўтказгичли асбобларнинг электрон ва ион асбобларга нисбатан бир қанча муҳим афзалликлари бор. Ярим ўтказгичли асбобларда, вакуум ҳосил қилиш ва чўғланган катоднинг зарурати йўқлиги, бу асбобларнинг ўлчамларини ва оғирлигини камайтиришга, механикавий мустаҳкамлигини, хизмат қилиш муддатини бир мунча оширишга имкон беради, улар арзон туради ва фойдаланишда анча қулай. Радиотехника, энергетика, автоматика, телемеханика ва ҳисоблаш техникасининг баҳзи соҳаларида ярим ўтказгичли асбоблар электрон ва ион асбобларни ишлаб чиқаришдан сиқиб чиқармоқда. Ярим ўтказгичларнинг электр ўтказувчанлиги Ўтказгичлар билан диэлектриклар ўртасида оралиқ вазиятни эгаллайдиган материаллар ярим ўтказгичлар дейилади. Ярим ўтказгичларнинг электр ўтказувчанлик хусусияти металларникидан сифат жиҳатдан фарқ қилади. Улар қуйидагилар: а) оз миқдордаги аралашманинг ўтказувчанликка кучли таҳсир этиши; б) ўтказувчанлик хусусияти ва даражасининг температурага боғлиқлиги; в) ўтказувчанликнинг ташқи кучланишга кучли боғлиқлиги.

Ярим ўтказгич материалларга кимёвий элементлар – германий ва кремний, кимёвий бирикмалар, металл оксидлари, олтингугурт бирикмалари, селен бирикмалари ва бошқалар киради. Биз шулардан соф ярим ўтказгич материал – германийнинг айрим хусусиятлари билан танишиб чиқамиз. Унинг сиртқи электрон қобиғида 4 та валент электрон бор. Бу электронларнинг ҳар бири қўшни 4 та атом билан жуфт электрон боғланишда бўлади, яҳни ковалент боғланишни ҳосил қилади. Ҳар бир атомнинг қобиғи 8 та электрон билан тўлгани учун у мустаҳкам бўлади. Германий кристалининг бундай боғланишда бўлиши уни диэлектрик деб қараш кераклигини кўрсатади. Фараз қилайлик кимёвий соф германий кристали етарли энергияга эга бўлган зарядлар билан бомбардимон қилинаётган бўлсин. Бу ҳолда боғланиш энергиясидан катта энергия олган электронлар боғланишни узиб, эркин электронга айланади ва ўз ўрнидан узоқлашади. Бунда атомнинг электр жиҳатдан нейтраллиги бузилади ва заряди электрон зарядига тенг бўлган мусбат заряд ортиқ бўлиб қолади. Боғланишдан чиққан электрон бир вақтда икки атомга тегишли бўлади. Шунинг учун бир вақтда икки атомнинг қисман ионлашиши вужудга келади. Бунда ҳосил бўладиган мусбат заряд боғланишда электрон етишмаганлигини – боғланиш етишмовчилиги (дефекти) ни кўрсатади. Уни ковак деб аталади. Ковак – вакант (бўш) ўрин боғланишдаги қўшни электрон ёки озод бўлган эркин электрон билан тўлдирилиши мумкин. Агар у эркин электрон ҳисобига тўлдирилса, атомнинг электр нейтраллиги тикланади. Бу жараён рекомбинация деб аталади. Агар ковак қўшни боғланишдаги электроннинг силжиши ҳисобига тўлса, кўчиш ўрнида янги ковак вужудга келади. Агар ярим ўтказгич крисстали электр майдонига жойлаштирилса, боғланишни узиб чиққан электронлар манбанинг мусбат қутби томон кўча бошлайди ва электрон токини ҳосил қилади. Бу ҳолда боғланиш дефектларининг кўчиши ҳам йўналганлик характерига эга бўлади, яҳни коваклар манбанинг манфий қутби томон ҳаракатланади ва ковак токи

вужудга келади. Шуни ёдда тутиш кераккки, ковак токи электронлар ҳисобига, яҳни боғланган электронларнинг бир ўриндан иккинчи ўринга ўтиши ҳисобига вужудга келади. Шунинг учун ковакларни электронлар каби эркин ток ташувчилар деб олиниб, ҳаракати узлуксиз деб қаралади. Ковак токи ион токидан тубдан фарқ қилади. Чунки ион токи ҳосил бўлишида электролитда ионлашган атом ёки молекула бир жойдан иккинчи жойга кўчади ва маҳлум миқдордаги моддани олиб ўтади. Ковак токи ҳосил бўлишида эса, атомлар кўчмай, ўз ўрнида қолади. Уларда навбати билан ионлашиш вужудга келади. Шундай қилиб, кимёвий соф ярим ўтказгич криссталида электрон ковак жуфтини ҳосил бўлиши асосида икки хил ўтказувчанлик – электрон ва ковак ўтказувчанлиги мавжуд бўлиб, уларнинг миқдори бир-бирига тенгдир. Ярим ўтказгичнинг электрон ўтказувчанлиги n – тур ўтказувчанлик ( negative – манфий сўзидан олинган), ковак ўтказувчанлиги эса, р – тур ўтказувчанлик ( ро sitive – мусбат сўзидан олинган) деб аталади. Улар биргаликда ярим ўтказгичнинг хусусий ўтказувчанлиги дейилади. Юқорида кўриб чиқилган ўтказувчанликни ҳосил қилиш усули рационал эмас. Чунки амалда ўтказувчанлик турларидан бири – ё электрон, ё ковак ўтказувчанлиги асос қилиб олинади. Уни соф германий (ёки кремний) криссталига бегона модда қўшиб қотишма тайёрлаш йўли билан амалга оширилади. Киритиладиган модданинг миқдори асосий крисстал миқдорига нисбатан жуда оз бўлади. Асосий ўтказувчанлиги электрон ўтказувчанликдан иборат бўлган крисстал ёки n – тур крисстал ёки ярим ўтказгич дейилади. Ўз валент элеткронларини боғланишга берувчи бегона элемент донор модда деб аталади. Асосий ўтказувчанлиги ковак ўтказувчанлик бўлган ярим ўтказгич р – тур ярим ўтказгич деб аталади. Уни ҳосил қилувчи бегона модда – акцептор дейилади.

Ярим ўтказгич асбобларда асосий бўлмаган ток ташувчилар ўтказувчанлиги катта аҳамиятга эга. Икки электродли ярим ўтказгич асбоблар р- n – ўтиш ҳодисаси асосида ишлайдиган энг содда ярим ўтказгичли асбоб ярим ўтказгич диод деб аталади. р- n ўтишнинг вольт-ампер тавсифини аниқлайлик. р- n ўтишга ташқи манба уланса, потенциал тўсиқ ўзгаради ва ток ташувчиларнинг динамик мувозанати бузилади. Натижада диффузия ва дрейф токларининг мувозанати ҳам бузилиб, натижавий токнинг катталиги ташқи манбанинг кучланишига боғлиқ бўлиб қолади. Бу боғланишни аналитик ҳисоблаб, графикда тасвирлаш мумкин. Уни р- n ўтишнинг вольт-ампер тавсифи деб аталади. Ташқи манбани шундай улайликки, унинг ҳосил қилган майдон кучланганлик вектори р- n ўтишнинг хусусий майдон кучланганлиги вектори билан мос тушсин. Бунинг учун манбанинг мусбат қутби n – соҳа контактига, манфий қутби эса р – соҳа контактига уланиши керак (15.1- расм, а). бунда натижавий майдон кучланганлиги ортади, яҳни потенциал тўсиқ катталишиб, асосий ток ташувчиларнинг ҳаракати янада қийинлашади (15.1-расм,б). Диффузион ток нолгача камаяди, лекин асосий бўлмаган ток ташувчилар учун майдоннинг тезлантирувчи таъсири ортади ва улар контакт соҳасини кесиб ўтишда давом этади. Бунда ҳосил бўладиган ток тескари ток, қўйилган кучланишни эса, тескари кучланиш деб аталади. Демак, тескари уланишда р- n ўтишнинг қаршилиги етарлича катта бўлади. Уни тескари ўтиш қаршилиги дейилади. Манба қутбларини алмаштирайлик, яҳни р – соҳага мусбат, n – соҳага манфий қутб улансин. Бунда контакт соҳасида ташқи манба ҳосил қилинган майдон кучланганлиги вектори р- n ўтишнинг хусусий майдон кучланганлиги векторига қарама-қарши йўналган бўлади ва натижавий майдон кучланганлиги камаяди. Бу потенциал тўсиқнинг кичрайишига олиб келади

ва диффузия токи ортади (15.1-расм, в). Ҳосил бўладиган ток тўғри ток, р- n ўтиш қаршилиги эса, тўғри уланиш қаршилиги дейилади. р- n ўтишда ҳосил бўладиган натижавий ток қуйидагича ифодаланади:I=I0(e eU kT=1) (15.1) бу ерда I 0 – тескари токнинг тўйиниш қиймати; U –ташқи манба кучланиши; е – электрон заряди; k – Бол p цман доимийси; Т - абсолют температура. 15.2-расмда ташқи кучланишига қараб диффузия токининг ўзгараши графиги тасвирланган. Уни р- n ўтишнинг вольт-ампер тавсифи деб аталади. Унда ток ўқининг даражаланиш қиймати бир хил эмас. Тескари ток ўқининг даражаланиши қиймати бир неча марта катталаштирилган. Чунки тўғри ток мА да, тескари ток эса, мкА да ўлчанади. р- n ўтиш токи бир томонга афзал ўтказиш – вентил p хусусиятига эга. р- n ўтиш ҳодисаси асосида ишлайдиган энг содда ярим ўтказгичли асбоб ярим ўтказгичли диод деб аталади. Шунга кўра 15.2-расмда тасвирланган вольт- ампер тавсиф, ярим ўтказгич диоднинг ҳам тавсифидир. Унинг шакли жуда кўп факторларга боғлиқ. Тўғрилагич диодлар паст частотали ўзгарувчан токларни тўғрилашда ишлатилади. Тайёрлаш технологиясига кўра диодлар ясси ва нуқтавий бўлиши мумкин. Ясси диодларда р- n ўтишнинг юзини белгиловчи ўлчамлар, унинг қалинлигига нисбатан катта бўлади. Нуқтавий диодларда эса аксинча бўлади. Тўғрилагич диодлар сифатида асосан ясси диодлар ишлатилади. Тўғри йўналишда ўтувчи ток кучи 1600 А гача тескари йўналишда кучланиш 1000 В гача мўлжалланган. Албатта бунда диодлар қизийди, шунинг учун улар радиаторлар кийгизиб монтаж қилинади. 15.1 – расм.

Юқори частотали диодлар сигналларни детекторлаш. Ўзгартириш, модуляциялаш каби ишларда қўлланилади. Импул p с режимида ишлайдиган диодлар радио схемаларида калит вазифасини бажаради. Бу режимда асосан нуқтавий диод ва кичик ясси диодлар ишлатилади. Уч электродли ярим ўтказгич асбоблар Транзистор учта соҳадан иборат ярим ўтказгичли асбоб. Унинг тузилиши 15.3-расмда келтирилган. Ўрта қисми база деб аталади, аралашма концентрацияси четки қисмларига қараганда кам ва юпқа бўлади. Четки қисмлардан бири эмиттер, иккинчиси коллектор деб аталади. Эммитер деган ном электронлар базага пуркалади деган маънони англатади. Эмиттер соҳасида аралашма бўлади. Коллектор заряд ташувчиларни экстракциялаш (суғуриб олиш) вазифасини бажаради. Транзисторларнинг базаси n ёки р – ўтказувчанликка эга бўлиши мум-кин. Шунга кўра четки қисмлари р ёки n ўтказувчанликка эга бўлади. Демак, транзистор р- n -р ёки n -р- n структурали бўлади. Транзисторда иккита р- n ўтиш мавжуд. Транзисторни 15.3-расмда кўрсатилгандек иккита ток манбаига улайлик. К калит очиқ бўлганда эмиттер занжирида ток бўлмайди. Коллектор занжирида эса оз миқдорда тескари р- n ўтиш токи ( I кБт ,- т - тескари демак) бўлади. К – калит уланганда эмиттер занжирида ток ҳосил бўлади. Чунки Е Э манба кучланиши эмиттер – база йўналишида тўғри р- n ўтиш ҳосил қилади. Бунда кўпчилик коваклар эмиттердан базага ўтганда L Б > L Д бўлганида коллектор ўтишига етиб боради. Натижада коллектор токи ортади. Бу ерда L Б – база қалинлиги; L Д – электрон ёки ковакнинг рекомбинациялашгунга қадар эркин югуриб ўтиш масофаси. 15.2 – расм. 15.3 – расм.

Транзисторнинг асосий хоссаси базада бораётган жараёнлар билан белгиланади. Базада чет моддалар тақсимланиши натижасида унда асосий бўлмаган зарядларни эмиттердан коллекторга ўтишига ёрдам берувчи электр майдон бўлса, бундай транзисторлар дрейфли транзисторлар дейилади. Агар базада хусусий майдон бўлмаса, асосий бўлмаган заряд ташувчилар база орқали асосан диффузия ҳодисаси туфайли ўтса, бундай транзисторлар дрейфсиз транзисторлар дейилади. 15.4-расмда транзисторларнинг чиқиш тавсифлари берилган. Унда I Э =0 га мос келган тавсиф К- калит очиқ бўлган ҳолни ифодалайди. Тавсифдан кўринадики, коллектор – базага қўйилган манфий кучланиш қиймати ортиши билан токнинг сезиларли даражада ортиши кузатилмайди. Транзисторларнинг уч хил уланиш схемалари мавжуд 15.5.-расм: а. Умумий базали схема УБ. б. Умумий эмиттерли схема УЭ. в. Умумий коллекторли схема УК. 15.5 – расм. Ҳозирги вақтда электр схемаларда биполяр, яъни икки қутбли транзисторлар билан бир қаторда майдонли ёки бир қутбли транзисторлар кенг ишлатилади. Улардаги ток фақат бир ишорали заряд ташувчилар (электронлар ёки коваклар) ҳисобига ўтади. Бундай транзисторлардан ўтаётган токнинг миқдори шу ток ўтаётган каналнинг ўтказувчанлиги билан аниқланади. Бир қутбли транзисторлар икки қутбли транзисторларга қараганда содда ва арзон бўлади. 15.4 – расм.

Фойдаланилган адабиётлар: 1. Каримов А.С. ва бошқ. Электротехника ва электроника асослари: Олий ўқув юрти талабалари учун дарслик. – Т.: Ўқитувчи, 1995. 2. Касаткин А.С., Немцов М.В. Электротехника: Учебник для вузов. – М.: Вусш. шк., 2000. 3. Электротехника: Учебник для неэлектротех. спец. вузов / Под ред. В.Г.Герасимова. – М.: Вусш.шк. 1985. 4. Иванов И.Н., Равдоник В.С. Электротехника. Учеб. пособие для неэлектротех. спец. вузов. – М.: Вусш. шк., 1984.

O'xshashlar

Саноат электроника асослари

Саноат экологияси асослари. Газ холатидаги саноат чикиндиларини тозалаш

Саноат роботнинг кинематикаси

Автоматлаштириш системаларини лойиҳалаш асослари фанининг мақсади

Динамика асослари