Саноат электроника асослари - Fizika - Referatlar

Саноат электроника асослари

Yuklangan vaqt:

20.09.2019

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

130.5283203125 KB

Ko'chirib olish

Саноат электроника асослари Режа: 1. Интеграл микросхемалар. 2. Фотоэлектрик асбоблар. 3. Кучайтиргич каскадлар. 4. Тўғрилагичлар. .

Интеграл микросхемалар Микроэлектроника ўта кучайтирилган электрон блокларни ва қурилмаларни яратиш ва ишлатиш билан шуғулланади. Микроэлектрониканинг асосий элементи интеграл микросхема (ИМС) ҳисобланади. Конструктив тугалланган, маҳлум функцияни бажарувчи, бир технологик жараёнда ҳосил қилиниб, бир-бири билан электр жиҳатдан боғланган элементлардан ташкил топган кичик қурилма интеграл микросхема дейилади. ИМС кремний крисстал ёки пластинкасида ҳосил қилинган ва бир-бири билан схемага уланган транзистор, диод, резистор ва бошқалардан иборат бўлади. Бажарилишига қараб ИМСлар ярим ўтказгичли, гибрид ва бирлаштирилган ИМС ларга бўлинади. Ярим ўтказгичли ИМС ларда кремний пластинкасининг айрим жойлари турли элементлар (транзистор, резистор, конденсатор ва бошқалар) вазифасини бажаради. Актив элементлар – транзисторлар бўлиб, уларнинг турига қараб ярим ўтказгичли ИМС лар биполяр ёки МДЯ (металл, диэлектрик, ярим ўтказгич) микросхемаларга бўлинади. Биполяр МС ларда транзисторлар, уч қатламли диод, икки қатламли структура (конденсатор) вазифасини тескари уланган р- n ўтиш, резистор вазифасини р – типидаги юпқа полоса (қатлам) бажаради. МДЯ МС ларда, асосан, индукцияланган каналли бир қутбли транзисторлар ишлатилади. Ҳар бир элементнинг эгаллаган жойи микрометрлар билан ўлчанади. Элементлар бир-бири билан қисман пластинка ичида қисман сиртдаги металл йўлакчалар орқали боғланади (16.1-расм).

16.1 – расм. Бир технологик жараёнда бир неча минг МС ҳосил қилинади. МС учун 0,2 - 0,3 мм қалинликдаги диаметри 30-50 мм бўлган кремний пластинкаси олинади. Битта пластинка асосида 300-500 МС ҳосил қилинади. 16.1-расм,а да ярим ўтказгичли ИМС нинг конструкцияси (б) да схемаси ва (в) да умумий кўриниши берилган. Ярим ўтказгичли ИМС ларда транзистор ва диодлар яхши тавсифга эга. Пассив элементлар, конденсатор, резисторларнинг номинал параметрлари эса чегараланган ва (С=50¿ 400 пФ гача, R =10 ¿ 30 кОм гача) бўлади. Бу элементлар параметрларининг ўзгариши 20% ташкил этади. Пассив элементларнинг параметрлари аниқ бўлиши учун гибрид ИМС лардан фойдаланилади. Гибрид ИМС лар плёнкали пассив элементлар ва корпуссиз транзисторлардан ташкил топган бўлади. Олдин диэлектрик таглик (шиша, сопол) да пуркаш йўли билан актив қаршилик, конденсатор ва элементлараро уланишлар ҳосил қилинади, бунда ҳосил бўлган пленка қалинлиги 10 -6 м бўлади. Сўнг термо компрессион пайвандлаш йўли билан транзисторлар контакт майдончаларга пайвандланади (16.2-расм). 16.2 – расм. 16.2-расм,а да гибридли ИМС ларнинг тузилиши, (б) да схемаси ва (в) да умумий кўриниши берилган. Бирлаштирилган МС ларда ярим ўтказгич ҳажмида актив элементлар ҳосил қилиниб, пассив элементлар пуркаш йўли билан пленка шаклида ҳосил қилинади. Бир МС ўз ичига олган элементлар сонига қараб, унинг интеграция даражаси аниқланади. Агар элементлар сони 100 та гача бўлса, бундай

интеграл схема (ИС) базавий элементлар сифатида кўпайтирилади. Мантиқий операцияларни бажариш учун ишлатилади. 10 2 -10 3 элементга эга бўлган ИС лар ўрта даражада (ЎДИС) интеграцияга эга бўлиб, счетчик, резистор, дешифратор ва бошқа мураккаб функционал вазифаларни бажара олади. Элементлар сони 10 3 -10 4 гача бўлса, микросхема юқори даража интеграцияли (ЮДИС) бўлади ва турли инженерлик ҳисобини бажара олувчи кал p кулятор сифатида ишлатилади. Элементлар сони 10 4 -10 6 гача бўлса, микросхема ўта юқори даражали интеграцияга эга (ЎЮДИС). Улар кўп ишловчи микропроцессорлар сифатида ишлатилади. Иш режимига қараб ИМС лар аналогли ва рақамли ИМС ларга бўлинади. Аналогли ИМС лар узлуксиз электр сигналларини ўзгартириш ва қайта ишлаш учун мўлжалланган. Улар генераторлар, кучайтиргичлар ва бошқа қурилмалар сифатида ишлатилади. Рақамли ИМС лар асосан мантиқий элементлар сифатида ишлатилади. ИМС лар қуйидаги афзалликларга эга: 1) жуда ишончли; 2) ўлчамлари ва массаси кичик (бир неча граммдан иборат); 3) тез ишга тушади; 4) кам қувват истеъмол қилади. Асосий камчилиги чиқиш қуввати камлигидир. Фотоэлектрик асбоблар Фотоэлектрик асбоблар ёруғлик таъсирида ўзидан электронларни чиқарувчи фотокатод ва аноддан иборат. Ташқи фотоэффект қўлланилган фотоэлеткрон асбоб, фотоэлектрон кучайтиргич (ФЭК) нинг ишлашини кўриб чиқамиз (16.3-расм). Ёруғлик оқими туфайли фотокатод (ФК) дан электронлар учиб чиқади. ФЭК да ҳосил бўлган фототок I Ф иккиламчи эмиссия туфайли

кучайтирилади. ФК дан учиб чиққан электронлар ФК га нисбатан мусбат потенциалга эга бўлган, динод деб аталувчи электрод (Д 1 ) томон ҳаракатланади ва фототок I Ф ни ҳосил қилади. Бу ток Д 1 дан иккиламчи электронларни уриб чиқаради. Бу электронлар сони бирламчи электронлар сонидан  марта каттадир (  - диноднинг иккиламчи эмиссия коэффициенти). Иккиламчи электронлар I 1 =  I ф токни ҳосил қилади. Бу ток мусбат потенциалли биринчи динодникидан юқорироқ бўлган иккинчи динод (Д 2 ) га келиб, унда яна иккиламчи эмиссия туфайли I 2 =  I 1 =  2 I ф токни ҳосил қилади ва ҳ.к. Сўнгги n – динод (Д n ) дан I n ток анод томон ўтади. Бунда анод токи I a = I n =-  n I ф бўлади. 16.3 – расм. ФЭК ларда фототокнинг кучайтириш коэффициенти K i =  n га тенг бўлади. ФЭК лар кам инерцион бўлиб, юқори частоталарда ишлатилиши мумкин. Улардан астрономия, фототелеграфия, телевиденияда ёруғлик нури импульсларини ҳисобга олиш, кичик ёруғлик оқимларини ўлчаш ва спектрал анализда фойдаланилади. Ярим ўтказгичларда нурланиш таъсирида заряд ташувчилар жуфти (электрон ва коваклар) нинг ҳосил бўлиши кузатилади ва бу ҳодиса ички фотоэффект дейилади. Фотонлар таъсирида ҳосил бўлган қўшимча ўтказувчанлик фотоўтказувчанлик деб аталади. 16.4 – расм.

Масалан, кадмий сульфиди ёки кадмий селенидидан тайёрланган ярим ўтказгичли қаршилик нурланиш таъсирида ўз қаршилигини ўзгартиради. Бундай қаршилик фоторезистор дейилади. 16.4-расм, а да фоторезисторнинг тузилиши, (б) да уланиши ва (в) да вол p т-ампер тавсифи кўрсатилган. Диэлектрик таглик 1 га ярим ўтказгич 2 нинг юпқа қатлами суртилган. Ярим ўтказгич контактлар 3 ёрдамида манбага уланади. Ёруғлик нури тушмаганда фоторезисторнинг қаршилиги катта ( R Қ  10 4  10 7 Ом) бўлиб, қоронғилик қаршилиги дейилади. Занжирдан эса қиймати жуда кичик бўлган қоронғилик токи ўтади. Агар шу ярим ўтказгичга ёруғлик оқими тушса. Фотонлар энергияси таҳсирида заряд ташувчилар генерацияси юзага келади, қаршилик камаяди ва занжирдан ўтувчи ток ортади. Булар вентил элемент эмас. Асосан турли автомат ва ярим автомат схемаларда қўлланилади. Фотодиод бир ( р- n ) ўтишли фотоэлектрик асбоб бўлиб, токни бир йўналишда ўтказади. Лекин ёруғлик таъсирида уларнинг тескари токларини ҳам бошқариш мумкин. Бунда электрон ковакли ўтиш жойига ва унга яқин соҳага ёруғлик оқими таъсир қилади. Натижада заряд ташувчилар жуфти генерацияланиб, диоднинг тескари токи ортади (16.5 расм, а, б, в). 16.5 – расм. Фототранзистор икки р- n ўтишли уч қатламли ярим ўтказгич бўлиб, ёруғлик энергияси таъсирида фототокни кучайтириш учун хизмат қилади. Фототранзисторнинг тузилиши оддий транзисторнинг тузилишига ўхшайди. Юқорида кўриб чиқилган фотоэлектрон асбобларда ёруғлик оқими электр токининг фақат қийматига таъсир эта олади. Бу асбоблардан ташқари, ёруғлик оқимининг энергиясини ЭЮК га ва аксинча, электр токини нурланишга айлантирувчи асбоблар ҳам мавжуд.

Оптик электроника электр токининг ярим ўтказгичларда нурга айланишини ва аксинча, ёруғликнинг ярим ўтказгичларга таъсир қилиш натижасида электр сигналининг ҳосил бўлиш қонунларини ўрганади. Оптик электрониканинг асосий элементи оптрондир. Оптрон ўзаро оптик боғланган ёруғлик манбаи ва истеъмолчидан ташкил топган. Энг кенг тарқалган оптрон ёруғлик диод-фоторезистори ва диод-фототранзисторларидир. Ёруғлик диодидан ўтаётган кириш токининг ўзгариши ёруғлик равшанлигини ўзгартиради. Ёруғлик оптик алоқа каналидан ўтиб, фоторезисторга келиб тушади. Нур оқимининг ўзгариши фоторезисторнинг қаршилигини ўзгартиради. Натижада оптроннинг чиқиш занжиридаги токнинг қиймати ўзгаради. Кучайтиргич каскадлар Кичик қувватли ўзгарувчан сигналнинг параметрларини бузмасдан доимий кучланиш манбаининг қуввати ҳисобига кучайтириб берувчи қурилма кучайтиргич деб аталади. Кучайтиргич қурилмаси, кучайтирувчи элемент, резистор, конденсатор, чиқиш занжиридаги доимий кучланиш манбаи ҳамда истеъмолчидан иборат. Битта кучайтирувчи элементи бўлган занжир каскад деб аталади. Кучайтирувчи элемент сифатида қандай элемент ишлатилишига қараб кучайтиргичлар электрон, магнитли ва бошқа хилларга бўлинади. Ҳозирги вақтда энг кенг тарқалган кучайтиргичларда кучайтирувчи элемент сифатида икки қутбли ёки бир қутбли транзисторлар ишлатилади. Кучайтириш қуйидагича амалга оширилади. Бошқариладиган элемент (транзистор) нинг кириш занжирига кириш сигналининг кучланиши ( u кир ) берилади. Бу кучланиш таҳсирида кириш занжирида кириш токи ҳосил бўлади. Бу кичик кириш токи чиқиш занжиридаги токда ўзгарувчан ташкил этувчини ҳамда бошқариладиган элементнинг чиқиш занжирида кириш занжиридаги кучланишдан анча катта бўлган ўзгарувчан кучланишни ҳосил қилади. Бошқариладиган элементнинг кириш занжиридаги токнинг чиқиш занжиридаги токка таҳсири қанча катта бўлса, кучайтириш хусусияти шунча

кучлироқ бўлади. Бундан ташқари, чиқиш токининг чиқиш кучланишига таҳсири қанча катта бўлса (яъни R н катта), кучайтириш шунча кучлироқ бўлади. Кучайтириш каскаднинг асосий параметрлари бўлиб кучланиш бўйича кучайтириш коэффициентиKu=Uчиы/Uкир , ток бўйича кучайтириш коэффициенти KI=Iчиы/Iкир , қувват бўйича кучайтириш коэффициенти Kp=Pчиы/Pкир=UчиыIкир UчиыIкир =KuKI . (16.1) Мухандислик амалиётида сигналларни етарли даражада кучайтиришга тўғри келади, бунинг учун кўп каскадли кучайтиргичлардан фойдаланилади. Кўп каскадли кучайтиргичнинг кучайтириш коэффициенти Ku=Uчиыn/Uкир 1 . (16.2) Агарда Uчиы1=Uкир2,Uчиы2=Uкир3,...,Uчиыn−1=Uкирn шартлар бажарилса Ku=Uчиыn/Uкир1=K1K2...Kn бўлади. (16.2, а) Ток кучайтиргичлари кичик қаршиликни истеъмолчиларда (реле, ток индикатори), катта ток қийматини олиш керак бўлган ҳолларда ишлатилади. Кўп каскадли кучайтиргичларда, қувват кучайтиргичи охирги каскадларда бўлади. Қувват кучайтиргичлари истеъмолчи қурилмасининг имконият борича максимал қувватини олиш режимида ишлатилади. Кириш сигналларининг частота диапазони ва ўзаро боғланиш усулига қараб, кучайтиргичлар бир неча турга бўлинади. Кучайтирувчи элемент - нинг уланиш усулига қараб кучайтириш каскади уч турга – умумий эмиттерли , умумий коллекторли ва умумий базалиларга бўлинади . Буларнинг ичида кенг тарқалгани умумий эмиттерли каскад ҳисоб - ланади . Бу каскадда кириш ва чиқиш занжирлари учун 16.6 – расм .

эмиттер умумий электрод ҳисобланади . R К резистори эса коллекторга уланади (16.6-расм). Унинг ёрдамида чиқиш кучланиши олинади. Электр манбаи ЭЮК си Е К нинг коллектор занжирига нисбатан қутби транзисторнинг типига боғлиқ. Берилган схемада Е к нинг қутби n -р- n типидаги транзисторларга мос олинган. Манба кучланиши одатда 10  30 В бўлади. Кучайтиргич каскадининг коллектор занжири учун, Кирхгофнинг иккинчи қонунига биноан электр ҳолати тенгламасини ёзиш мумкин: Е К = U К + R К I К , (16.3) Яъни R К резисторидаги кучланиш пасайиши билан коллектор кучланиши U К нинг йиғиндиси доимо ўзгармас катталик – манба ЭЮК сига тенг бўлади. Коллектор резистори R К нинг вольт-ампер тавсифи IK=f(URK) чизиқли бўлиб, транзисторнинг вольт-ампер тавсифи IK=f(UK) чизиқли бўлмайди. Бундай ночизиғий занжирни ҳисоблаш, яъни I K , U RK ва U K ларни база токи I б ни ва резистор R K нинг турли қийматлари учун график йўл билан аниқлаш мумкин. Бунинг учун коллектор тавсифининг 16.7-расм абциссалар ўқидаги Е К нуқтадан R K резисторнинг қуйидаги тенгламани қониқтирувчи вольт-ампер тавсифини ўтказиш керак: U K = E K - R K I K . (16.3, а) Уни икки нуқтага кўра тузиш мумкин: U K = E K , I K =0 бўлганда абциссалар ўқида ва I K = E K / R K , U K =0 бўлганда ординаталар ўқида. Бу тавсифни истеъ- молчи линияси деб юритилади. Кесишиш нуқталаридан I K , U K ва U RK ларни I б нинг турли қий-матларида аниқлаш мумкин. Кучайтиргич каскадларининг умумий эмиттерли схемаларининг коллектор резисторлари бир неча килоомга тенг бўлади. База занжирига уланган R б резистори транзисторнинг тинч туриш режимини таъминлайди, яҳни киришда сигнал йўқ ҳолат. 16.7 - расм

Конденсатор С ички қаршилиги R ичк га тенг бўлган ўзгарувчан ЭЮК манбаси e кир ни база занжирига улашни таъминлайди. C бўлмаса манба занжирида Е К таъсирида ўзгармас ток ҳосил бўлган бўлар эди, бунинг натижасида сигнал манбасининг қизиши ва транзисторнинг иш режими ўзгариши мумкин. С е конденсатори истеъмолчи R н га берилаётган ўзгарувчан ташкил этувчини ажратишни таъминлайди. uкир =Rкир iкир бўлганда R K резисторида uчиы=−RKiK бўлади. Коллектор токи база токидан бир неча баробар катта бўлади. R K қаршилик эса R кир дан катта. Чиқишдаги кучланиш кириш кучланишидан бир неча марта катта бўлади. Бу кучайтириш каскадлари фақат кучланишни эмас, ток ва қувватни ҳам кучайтиради. Тўғрилагичлар Ўзгарувчан токни ўзгармас токка айлантирадиган статик ўзгартиргич тўғрилагич деб аталади. Тўғрилагичлар бошқариладиган ва бошқарилмайдиган тўғрилагичларга бўлинади. Бошқарилмайдиган тўғрилагичларда кучланишнинг ўзгармас қиймати олинса, бошқариладиган тўғрилагичлардан ток ёки кучланишнинг қийматини ўзгартириш керак бўлган ҳолларда фойдаланилади.

Тўғрилагичлар бир фазали ва уч фазали бўлиши мумкин. 16.8 – расм. Тўғриланган кучланишнинг формасига қараб, тўғрилагичлар ярим даврли ва икки ярим даврлиларга бўлинади. Тўғрилагичнинг ишига истеъмолчиларнинг тури катта таъсир кўрсатади. Истеъмолчиларнинг тўртта асосий тури бор: актив, актив-индуктив, актив-сиғим ва қарши ЭЮК ли. Кам қувватли тўғрилагичлар актив ва актив-сиғим истеъмолчига ишласа, катта қувватлилари актив-индуктив истеъмолчига ишлайди. 16.8-расмда бир фазали синусоидал токнинг ярим даврли тўғрилаш схемаси кўрсатилган. Икки чўлғамли трансформатор Т р нинг w 1 ўрамли бирламчи чўлғами U 1 синусоидал кучланишли занжирга уланган. Бу кучланиш w 2 ўрамли иккиламчи чўлғам-дан олинадиган U 2 кучланишга айлантирилади. U 2 қиймати w1 w2 =U1 U2 боғланишдан аниқланади. U 2 нинг тўғриланган қисми Uтщь=Ruiтщь . U 2 кучланиш тўғриланган ток i тўғ ва диоднинг параметрлари мослигини таъминлаши керак. 16.8-расм, а даги графиклардан ток R и қаршиликдан U 2 = U 2 m sin  t кучланишнинг мусбат ярим даврларидагина, яъни 0 дан  гача, 2  дан 3  гача бўлган оралиқларда ўтишини кўрамиз. Агар диоднинг ички қаршилиги ҳисобга олинмаса ( r Д =0 ), тўғриланган кучланишнинг бир даврдаги ўртача қиймати қуйидагича бўлади: Uщр=Uтщь=1 T∫0 T/2 U2dt=√2U2 π ≈0,45 U2 , бу ерда U 2 – трансформаторнинг w 2 чўлғамидаги кучланишнинг эффектив қиймати, В.

Истеъмолчининг қаршилиги R И дан ўтувчи ток (расмда штрихланган), йўналиши жиҳатдан ўзгармас, қиймати жиҳатдан пульсацияланувчи. Унинг бир даврдаги ўртача қиймати: Iщр=Iтщь=Uтщь RИ =0,45 U2 RИ . Тўғриланган кучланиш пул p сацияланувчи бўлгани учун бундай схема кам ишлатилади. Ундан радиосигналларни детекторлаш, аккумуляторларни зарядлаш ва бошқаларда фойдаланиш мумкин. 16.9 – расм. Агар ўзгарувчан синусоидал кучланишнинг қиймати трансфор- мацияланган ҳолда тўғриланиши керак бўлса 16.-расмда кўрсатилган икки ярим даврли кўприк схемадан фойдаланилади. Бу схемада тўғрилашни кўприк шаклида уланган 4 та бир хил электрон ёки ярим ўтказгичли диодлар ( V Д 1 , V Д 2 , V Д 3 , V Д 4 ) бажаради. Кўприк диагоналларининг бирига ўзгарувчан кучланиш манбаи U , иккинчисига эса истеъмолчи қаршилиги R И уланади. Ўзгарувчан токни ўзгармас токка тўғрилаш қуйидагича бажарилади. Кириш кучланишининг мусбат ярим даврида (манбанинг юқори қисмаси мусбат, пастки қисмаси манфий зарядланган) ток манбаидан V Д 1 R И ва V Д 3 лар орқали берилган кучланишнинг мусбат қутбидан манфий қутбига ўтади. Иккинчи ярим даврда эса ток V Д 2 R И ва V Д 4 лар орқали ўтади. Бинобарин, токнинг ҳар бир ярим даврида тўғрилагичдаги маълум жуфтлик (масалан V Д 1 ва V Д 3 ) ишлайди, иккинчи жуфтликка эса (масалан V Д 2 ва V Д 4 ) тескари кучланиш берилган бўлади. Бунда тўғрилаш коэффициенти

Uщр=Uтщь=2 T∫0 T/2 u1dt≈0,9 U2 га тенг, чунки U 2 кучланиш (эффектив қиймат) бевосита тўғриланади.

Фойдаланилган адабиётлар: 1. Каримов А.С. ва бошқ. Электротехника ва электроника асослари: Олий ўқув юрти талабалари учун дарслик. – Т.: Ўқитувчи, 1995. 2. Касаткин А.С., Немцов М.В. Электротехника: Учебник для вузов. – М.: Вусш. шк., 2000. 3. Электротехника: Учебник для неэлектротех. спец. вузов / Под ред. В.Г.Герасимова. – М.: Вусш.шк. 1985. 4. Иванов И.Н., Равдоник В.С. Электротехника. Учеб. пособие для неэлектротех. спец. вузов. – М.: Вусш. шк., 1984.

O'xshashlar

Саноат электроникаси асослари

Саноат экологияси асослари. Газ холатидаги саноат чикиндиларини тозалаш

Саноат роботнинг кинематикаси

Динамика асослари

Радиотехника предмети. Радиоалока линиясининг структура схемаси