logo
  1. Bosh sahifa
  2. Referatlar
  3. Fizika
  4. Qattiq jismlarning elektr o'tkazuvchanligi

Qattiq jismlarning elektr o'tkazuvchanligi

Yuklangan vaqt:

20.09.2019

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

593.5 KB
Ko'chirib olish
Qattiq jismlarning elektr o&#39;tkazuvchanligi Reja: 1. Zonalar nazariyasining elementlari. 2. Kristall panjaradagi elektronning harakati. Effektiv massa. 3. Metallarda elektr o&#39;tkazuvchanlik. 4. Yarim o&#39;tkazgichlarda elektr o&#39;tkazuvchanlik. 1. Zonalar nazariyasining elementlari. Elektron nazariyani rivojlanishi natijasida qattiq jismlarning zonalar nazariyasi ishlab chiqildi. Bu nazariyada qattiq jism kristall tuzilishiga ega deb haralib, shu kristall panjaralar orasida harakatlanuvchi elektronlarning holatlari o&#39;rganiladi. Kristall panjaradagi elektron ham erkin elektronlar kabi panjaraning davriy potentsial maydonida harakat qiladi. Pauli prinsipiga asosan kristallardagi elektronlar ma&#39;lum energetik holatlarda turaoladi. Bu energetik holatlar energetik zonalarga birikadi. Energetik zonalar esa bir - birlaridan man qilingan zonalar bilan ajralgan bo&#39;ladi. (4.1(a)- rasm). Atomlarning birlashishi natijasida vujudga keladigan kristallda hosil bo&#39;ladigan zonalarni kelib chi?ishini aniqlaylik. Buning uchun dastlab N dona izolatsiolangan atomdan iborat jismni ko&#39;raylik. Izolatsiyalangan atomdagi elektronlarning holati 4 ta kvant soni n, l, m l , m s bilan xarakterlanishi bizga ma&#39;lum, ya&#39;ni ular ixtiyoriy energiyaga ega bo&#39;lmasdan diskret qiymatli energiyaga ega bo&#39;ladilar. Bu atomda xar bir holat energetik diagrammada bitta energetik sathni tashkil qiladi. (4.1(b) -rasm). Agar atomlar bir-birlariga yaqinlashsa, ular orasidagi o&#39;zaro ta&#39;sir orta boradi, ular orasidagi masofa juda yaqin bo&#39;lsa, xar bir atom qo’shni atom hosil qilgan juda kuchli elektr maydonda turib u bilan o&#39;z maydoni orqali ta&#39;sirla-shadi. Natijada, elektronlarning energetik sathlari parchalanadi, ya&#39;ni N ta bir xil energetik sathlar o&#39;rniga N ta bir-biriga yaqin, lekin mos kelmaydigan sathlar xosil bo&#39;ladi. Shunday qilib, izolyatsiolangan atomdagi xar bir energe-tik sath, kristallarda Nta zich joylashgan zonalardan iborat bo&#39;lgan energetik sathlar to&#39;plamini xosil qiladi. Demak, qattiq jismda izolyatsiolangan aloxida energetik sathlar o&#39;rniga energetik zonalar xosil bo&#39;lar ekan. Parchalanish darajasi barcha sathlar uchun bir xil emas. Atomdagi tashqi elektronlar (valentli) joylashgan sathlar kuchli ta&#39;sirga uchrab, ichki elektron-lar joylashgan sathlar esa kuchsiz o&#39;zgaradi. 1) elektronsiz energetik sathlar zonasi. 2) valent elektronli energetik sathlar zonasi. 3) ichki elektronlar joylashgan energetik sathlar zonasi. Energetik zonalardagi energetik sathlar orasidagi energiya farqi 10 -22 eV bo&#39;ladi, demak energetik zonalar amalda uzluksiz spektrni beradi. Bu esa, o&#39;z navbatida elektronni bitta zona bilan chegaralangan energetik sathlarda harakat qila olishini ko&#39;rsatadi, ya&#39;ni berilgan zonadagi elektronlar bir atomdan ikkinchi atomga o&#39;ta olib, xamma atomlar uchun umumiy bo&#39;lib holadi. Energetik zonadagi xamma sathlar elektronlar bilan band bo&#39;lsa, bunday zonani to&#39;ldirilgan zona deb ataladi. Elektronlar turishi mumkin bo&#39;lgan zonalar ruxsat etilgan zonalar deb ataladi. Kristallardagi atomlarning xossalariga harab muvozanatli holatda ikkita atom orasidagi masofa r 1 ko&#39;rinishda yoki r 2 ko&#39;rinishda bo&#39;ladi, r 1 ko&#39;rinishda holatlar o&#39;rtasida man qilingan zona hosil bo&#39;ladi, r 2 masofada esa qo’shni zonalar bir-birini berkitadi. Kristallardagi energetik zonalar, Shredinger tenglamasini echish bilan aniqlanadi. Kristalldagi elektronlar deyarli erkin elektronlar bo&#39;lib, ular potentsial maydonda harakatlanadi deb haraymiz. Bu maydonni kristall panjara hosil qiladi. Е r r1 r2 а) 3P 3S 2P 2S 1S 1). Elektronsiz energetic sath 2). Valentli cath 3).Ichki electron joylashgan sath b) .1-rasm . Е 4.2-rasm . 0 k Bu maydonda xarakatlanyotgan elektronning holati Shredinger tenglamasi bilan ifodalanadi,       U m 2 2 2  (4.1) bu erda U - elektronnning potentsial energiyasi. Davriy potentsial maydon uchun (4.1) tenglamaning echimi  к = u k (r) e –i к r (4.2) ko&#39;rinishda bo&#39;lishini Blox isbotlagan. (4.2) funktsiyani Blox funksiyasi deyiladi , bu yerda u k (r) - panjara davri bilan o&#39;zgaradigan davriy funktsiya. Erkin elektronlar energiyasining to’lqin soniga bog’liqlik grafigi m k m E 2 2 2 2 2     (4.3) 13.2 - rasmdagidek, lekin energiyaning qiymati uzluksiz bo&#39;lib ko&#39;ringani bilan E(k) diskret nuqtalar to&#39;plamidan iborat, ammo bu nuqtalar shunday qalin joylashganki ular tekis chiziq bo&#39;lib ko&#39;rinadi. Davriy o&#39;zgaruvchi maydon uchun esa E(k) bog’lanish 4.3 -rasmdagidek ko&#39;rinishga ega. 4.3 - rasmda bir o&#39;lchovli kistall uchun Brillyuen zonasi keltirilgan. na k  bunda (n= ± 1, ± 2,...) nu qtalarda E(k) uziladi va E’ o , E` o `, ... man qilingan zonalar vujudga keladi. Agar к =2  / l -to’lqin uzunligi orqali ifodalasak, E(k) uzilib, man qilingan zonani xosil bo&#39;lish sharti n =2a (4.4) 2 а sin a =n l - bu esa Vulf - Bregg tenglamasi, ya&#39;ni atomlar joylashgan tekislikdan qaytayotgan to’lqinning to’lqin uzunligi l ni ifodalaydi. Haqiqatan xam elektronlar to’lqin xossasiga ega bo&#39;lib, ularni kristalldagi harakatini elektronlar to’lqinining tarqalishi deb qarash mumkin. Shunday qilib, kristallarda elektronlar energetik zonalar bo&#39;ylab taqsimlangan bo&#39;ladi. Е k + /a  /a 0 13.3-расм Е0’ Elektronlar kristallda past energetik zonadan boshlab yuqori zonalarga qarab to&#39;lib boradi. Zonalardagi elektronlarning taqsimlanishi va man qilingan zonalarning kengligiga harab qattiq jismlar o&#39;tkazgich, yarim o&#39;tkazgich va izolyatorlik xossalariga ega bo&#39;ladi (4.4 - rasm). 2. Kristall panjaradagi elektronning harakati. Effektiv massa. To’lqin soni k elektronning impulsi  bilan  =  k (13.5) formula orqali bog’langan. Noaniqlik munosabatiga asosan  х ×  Р ~  holda  x ×  k ~ 1 (13.6) k - aniq bo&#39;lganda (  k = 0) e lektronnning kristalldagi vaziyati aniq bo&#39;lmaydi. Faraz qilaylik (  k ¹ 0) bo&#39;lsin, u holda elektron  x=1/  k sohada joylashgan bo&#39;ladi. Superpozitsiya prinsipiga asosan elektronni holatini ifodalaovchi ikr e u      funktsiya е -ikr o&#39;rinishdagi yassi to’lqinlarning yig’indisidan iborat bo&#39;ladi, bu to’lqinlar esa  к raliqdadir. Agar  к juda katta bo&#39;lmasa, u holda yassi to’lqinlar superpozitsiyasi to’lqin paketi xosil qiladi. Natijali to’lqin amplitudasi dk d   гр (4.7) guruh tezligi bilan ko&#39;chadi.  Ye>k T a)  Ye b)  Ye v) 4.4 - rasm . O’tkazgich Yarim o’tkazgich Dieliktirik Elektron shu to’lqin to&#39;plamining markazida deb faraz qilinsa, гр elektronning kristaldagi tezligini ifodalaydi. e =   dan foydalanib, dk d гр e   1  (4.8) Endi E elektr maydoni ta&#39;sirida kristalldagi elektron o&#39;zini qanday tutishni aniqlaylik. Bu holda panjara hosil qilgan F kris kuchdan tashhari elektronga F=eE kuch ham ta&#39;sir qiladi. dt vaqtda bu kuchlar elektron ustida dA=F гр dt (4.9) ish bajaradi. (4.8) ga asosan: dt dk d dA e  1F  (4.10) Bu ish elektron energiyasini orttirishga ketadi, ya&#39;ni dA=d e . . e e d dk dk d  desak,  dk dk de  F dk de dt bundan  F dt dk  (4.11) (4.8) ni differensiallab dt dk dk d dk d dt d dt d ×      2 2 гр 1 1 e e    (4.11) ga asosan dt d гр   F dk d × ×  2 2 1 e yoki dt d dk d F гр e 2 2 2 /   (4.12) (4.12) ni Nyutonning II qonuni dt d m F   bilan taqqoslasak, 2 2 2 /dk d m e   (4.13) buni elektronning effektiv massa deyiladi . Erkin elektronlar uchun 2 2 2 k m  e dagi m ni m* ga almashtirib bu ifodani kristall uchun ham to’g’riligini isbotlash mumkin. * 2 2 2 m dk d   e Demak, harakat tenglamasi криcтF F dt d m       dan elektronni kristall panjaradagi harakatini aniqlashda faqat kuchni va m massa o&#39;rniga effektiv m* massani olish kerak. Endi effektiv massa m* ni elektronning ruxsat etilgan zonadagi joylashgan joyiga qanday bog’liqligini ko&#39;raylik (4.5-rasm). Zonaning pastki qismida ( А ва А 1 ) e ( к ) erkin elektronlarnikidan deyarli farq qilmaydi, ya&#39;ni m* » m . Burilish nuqtasida (V da) d 2 e /dk 2 =0, ya&#39;ni m* ®¥ . . Bu hol elektronning harakatiga ( ( e В energiyali holatida turgan) tashqi maydon hech qanday ta&#39;sir qilmasligini ko&#39;rsatadi. Ruxsat etilgan zonaning S nuqta yaqinida d 2 e /dk 2 < 0, ya&#39;ni k ortishi bilan d 2 E/dk 2 kamayadi. Bunga mos holda elektronning effektiv massasi m* ruxsat etilagan zonaning yuqorisida manfiy bo&#39;ladi. Haqiqatan bu shuni ko&#39;rsatadiki, криcF F   kuch ta&#39;siri ostida e s energiyali holatdagi elektron     e F tashqi kuch yo&#39;nalishiga teskari yo&#39;nalgan tezlanish oladi. 3. Metallarda elektr o &#39; tkazuvchanlik . Kvant mexanikasi nuqtai nazaridan qaraganimizda ideal kristall panjaradagi elektronlar hech qanday to &#39; siq uchramasdan harakat qiladi , buning natijasida metallardagi elektr o &#39; tkazuvchanlik cheksiz katta bo &#39; lishi kerak , lekin kristall panjara hech vaqt ideal sof bo &#39; lmaydi , chunki panjarada doimo ma &#39; lum darajada nuqsonlar ( aralashma va vakansiya ) bo &#39; ladi . Bu nuqsonlar elektronlarning sochilishiga, ya&#39;ni ularning tartibli harakatiga qarshilik ko&#39;rsatadi. Bundan tashhari panjaraning atomlari ham doimo muvozanat vaziyati atrofida tebranib (issiqlik tebranishi) turadi. Bular metallarda elektr qarshiligini vujudga keltiradi. Agar metall qancha toza va temperaturasi qancha past bo&#39;lsa, elektr qarshilik shuncha kam bo&#39;ladi. Metallarning solishtirma elektr qarshiligini r = r те b + r aralashma (4.14) ko&#39;rinishda ifodalash mumkin. r teb - panjaraning issiqlik tebranishi natijasida hosil bo&#39;ladigan qarshiligi; aralashma - r aralashma begona atomlarda elektronlarning sochilishi natijasida vujudga kelgan qarshilik. Agar T = 0 K bo&#39;lsa, r teb = 0; Metalning hajm birligida n dona erkin elektronlar bo&#39;lsin. Bu elektronlarning o&#39;rtacha tezligi   V quyidagicha aniqlanadi    n i iV n V 1 1   (4.15) e e в e с А В С А ’  /а 4.5 -rasm k Agar E tashqi elektr maydoni yo’q bo&#39;lsa, ya&#39;ni E =0,   V =0 bo&#39;ladi. Agar E ¹ 0 bo&#39;lsa   V ¹ 0 bo&#39;ladi va tok vujudga keladi. Elektronga Ee F     (4.16) elektr kuchi va каршиF =-r   V ( 4.17) qarshilik kuchi ta&#39;sir qiladi. Bunday holda elektronning kristalldagi harakat tenglamasi quyidagicha ifodalanadi:        V r Ee dt V d m    * (4.18) bunda m* - elektronning effektiv massasi 2 2 2 / * dK E d m   . Bu tenglamani yechish bilan elektronlarning o&#39;rtacha tezligini   V topish mumkin. Muvozanat vaziyati tiklangandan keyin,   V =const bo&#39;ladi. Agar tashqi maydonni ( E =0) yo’qotsak,   V tezlik kamayaboshlaydi va elektronlar bilan panjara orasida muvozanat tiklangandan keyin   V =0 ga aylanadi.   V kamayish qonuniyati (4.18) tenglamadan kelib chiqadi, ya&#39;ni =0 da, 0 *      V r dt V d m   (4.19) 0 *      V m r dt V d   ni echib < V ( t )>=< V (0)> ) exp( t m r ×   (4.20) ni topamiz. Bundan ko&#39;rinadiki,   m r * (4.21) vaqtda   V tezlik e marta kamayadi.  - vaqtni relaksatsiya vaqti deyiladi va tezlikning e marta kamayishi uchun ketgan vaqtni ifodalaydi.     V m F    * карши (4.22) Muovzanat hol ro&#39;y bergandan so&#39;ng tashqi maydonni uzib elektronning   V tezligini (4.18) ning chap tomonini nolga tenglab topish mumkin, 0 *     V m Ee    E m e V   *     (4.23) Bunday paytdagi tok zichligi E m ne E m e en V en j     * * 2         (4.24) Om qonunining differensial ko&#39;rinishi j = s E ga asosan * 2 m ne  s  (4.25) koeffitsiyent elektr o&#39;tkazuvchanlikni ifodalaydi. Klassik mexanika nuqtai nazaridan s    ne m 22 (4.26) (4.26) formuladagi       l V - erkin chopish vaqti. (4.25) bilan (4.26) ni solishtirsak,  ni   /2 bilan mos kelishini ko&#39;ramiz. (4.25) dagi s tajriba natijasiga yaxshi mos keladi, chunki, s » 1/ Т , klassik elektron nazariya bo&#39;yicha esa klas клас s~ 1 T edi. Klassik nuqtai nazardan E elektr maydoni, barcha elektronlarni harakatga keltiradi. Kvant mexanikasi nuqtai nazardan haraganda elektr maydoni faqat Fermi sathi yaqinidagi elektronlarning harakatini o&#39;zgartira oladi xolos. Pastroq sathdagi (valent) elektronlarining harakatini o&#39;zgartirmaydi va ularni (4.25) formulada hissasi bo&#39;lmaydi. Undan tashhari (4.25) formulada m* effektiv massa turibdi. 4. Yarim o&#39;tkazgichlarda elektr o&#39;tkazuvchanlik Yarim o&#39;tkazgichlarda xususiy elektr o&#39;tkazuvchanlik. Yarimo&#39;tkazgichlar elektr o&#39;tkazuvchanligi bo&#39;yicha metallar bilan dielektriklar oraliqidagi moddalar guruhiga kiradi va T=0 da ularning valent zonasi to&#39;lasicha elektronlar bilan band bo&#39;lib taqiqlangan zonasining kengligi katta emas ( ~ 1 эВ ). Yarimo&#39;tkazgichlar xususiy va aralashmali yarimo&#39;tkazgichlarga bo&#39;linadi. T =0 K da xususiy yarim o &#39; tkazgichlarning valent zonasi elektronlar bilan butunlay to &#39; lgan bo &#39; ladi , bu holda yarim o &#39; tkazgich sof dielektrik bo &#39; ladi . Agar temperatura T ¹ 0 K bo&#39;lsa, valent zonaning Yuqori sathlardagi bir qism elektronlar o&#39;tkazuvchanlik zonasining pastki sathlariga o&#39;tadi (4.6-rasm). Bu holda elektr maydoni ta&#39;sirida o&#39;tkazuvchanlik zonasidagi elektronlarning holati o&#39;zgaradi. Bundan tashhari valent zonada hosil bo&#39;lgan bo&#39;sh joylar hisobiga ham elektronlar o&#39;z tezligini o&#39;zgartiradi. Natijada yarimo&#39;tkazgichning elektr o&#39;tkazuvchanligi noldan farqli bo&#39;ladi, ya&#39;ni sof yarim o&#39;tkazgichda erkin elektron va teshik vujudga keladi. Elektr maydoni ta&#39;sirida butun kristall bo&#39;ylab elektronlar maydonga teskari yo&#39;nalishida, teshiklar esa maydon yo&#39;nalishda harakatga keladi. Bunday elektr o&#39;tkazuvchanlik faqat sof yarim o&#39;tkazgiyalar uchun xos bo&#39;lib, uni xususiy elektr o&#39;tkazuvchanlik deyiladi. O&#39;tkazuvchanlik zonasidagi elektronlar va valent zonasidagi kovaklar, ya&#39;ni elektronini yo’qotgan bo&#39;sh joylar, Fermi-Dirak taqsimotiga bo&#39;y sunadi:  kovak erkin e lektron 4 .6 - rasm Е Е с Е F Е V f(E) 0 1   1 /) ( э 1    kT E EFe E f (4.27)   1/)(эк 1 1 ) (     kTEE F e E f E f (4.28) Xususiy yarimo&#39;tkazgichlar uchun o&#39;tkazuvchanlik zonasidagi elektronlarning konsentratsiyasi valent zonadagi kovaklarning konsentratsiyasiga teng: n = p. Konsentratsiyalarni hisoblash uchun E energiyani o&#39;tkazuvchanlik zonasining tubiga nisbatan o&#39;lchaymiz (E s = 0). O&#39;tkazuvchanlik zonasi tubidan dE energiya intervalini ajrataylik (E, E+dE). Bu sohada joylashgan elektronlar Fermi-Dirak statistikasiga bo&#39;ysunadi va ularni energiya bo&#39;yicha taqsimlanishi quyidagi ko&#39;rinishda yoziladi, dE e E m dn kT EE F 1 1 ) 2( *) 2( 4 / 2/1 3 2/3  ×     (4.29) Odatda xususiy yarim o&#39;tkazgichlar uchun va 4.29 ning maxrajidagi 1 ni hisobga olmasa ham bo&#39;ladi. U holda dE e E m dn kT E E F/) ( 2/1 3 2/3 ) 2( *) 2( 4      (4.30) Bu ifodani 0 oraliqida integrallab quyidagi hosil qilamiz kT E E F e kT m n /) ( 3 2/3 э ) 2( ) 2(2       (4.31) Xuddi shunga o&#39;xshash amallarni bajarib valent zonasidagi kovaklarning kontsentratsiyasi uchun kT EF e kT m p / 3 2/3 к ) 2( ) 2(2      (4.32) ifodani hosil qilish mumkin. (4.31) va (4.32) lardan, n = r ni inobatga olib, Fermi sathi energiyasining qiymatini topamiz: ) m ln( 4 3 2 E э к F      m kT E (4.33) (4.33) ning ikkinchi hadi, birinchisiga nisbatan juda kichik bo&#39;lgani uchun 2 EF E  deb olish mumkin. Demak , xususiy yarim o &#39; tkazgichlarda Fermi sathi ( Е Ғ ) taqiqlangan zonaning o &#39; rtasida joylashadi . Yarim o&#39;tkazgichning o&#39;tkazuvchi va valent zonalaridagi elektron va kovaklar zaryad tashuvchilardir. Ma&#39;lumki, o&#39;tkazuvchanlik zaryad tashuvchilarning kontsentratsiyasiga proportsionalbo&#39;ladi, u holda xususiy yarimo&#39;tkazgichlarning elektr o&#39;tkazuvchanligi s temperatura ortishi bilan ortadi va quyidagi qonuniyat bo&#39;yicha o&#39;zgaradi (4.7-rasm): s = s э + s к yoki s = s 0 е x р(-  Е/2кТ) (13.34) Yarim o&#39;tkazgichlarning aralashmali elektr o&#39;tkazuvchanligi. Tabiatda sof yarimo&#39;tkazgich bo&#39;lmaydi, ya&#39;ni oz miqdorda bo&#39;lsa, ham begona element atomlari aralashgan bo&#39;ladi. Bu aralashmalar yarimo&#39;tkazgichlarda qanday o&#39;zgarishlarni vujudga kelti- rishi mumkin: 0 1/T lns 4.7 -rasm To&#39;rt valentli Si (kremniy) da yoki Ge (germaniy) dan tuzilgan kristall panjara-ning bazi tugunlarida besh valentli atomlar, masalan R (fosfor) yoki As (mish-yak) joylashgan bo&#39;lsin (4.8-rasm). Bu holda aralashma atomlardan to&#39;rtta elektron Si (kremniy) yoki Ge (germaniy) atomlari bilan kovalent bog’lanishda bo&#39;ladi, beshinchi elektron esa atom bilan juda zaif bog’langan, shuning uchun issiqlik harakat energiyasi ham bu elektronni atomdan ajratib ozod elektron bo&#39;lishiga etarlidir. Bu elektronlar tok tashuvchilik vazifasini bajaradi. Bunday yarimo&#39;tkazgich elektronli yarim o&#39;tkazgich, R va As atomlarini esa donorlar yoki n - tip aralashma deyiladi. P Ge Ge Ge Ge  4.8 - rasm. ( n - tip) е Adabiyotlar: 1. A.A.Detlaf. Yavorskiy B.M. 2. O.Ahmadjonov. 3. T.I.Trofimova. 4. I.V.Savelev. 5. A.A.Gribov, N.I.Prokofeva. 6. www.ziyonet.uz

O'xshashlar

Qattiq jismlarning xossalari
Qattiq jismlarning issiqlik xossalari
Yarim o'tkazgichlarning xususiy elektr o'tkazuvchanligi
Qattiq jismlarning aylanma harakati dinamikasi
Panjaraviy issiqlik o'tkazuvchanligi