Кенг полосали кучайтиргичлар - Fizika - Referatlar

Кенг полосали кучайтиргичлар

Yuklangan vaqt:

20.09.2019

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

253.5 KB

Ko'chirib olish

Кенг полосали кучайтиргичлар ═══════════════════════════════════════════ ═ Режа: 1. Биполяр транзисторда ясалган кучайтиргич босқичи 2. Майдоний транзисторларда ясалган кучайтиргичлар 3. Кўп босқичли кучайтиригичлар 4. Аналог интеграл схемаларнинг чиқиш босқичлари (қувват кучайтиргичлари) 5. Эмиттер қайтаргич

Аналог интеграл микросхемалар элементар негиз босқичлар асосида ясаладилар. Негиз босқичларга УЭ схемада уланган биполяр транзисторлар ҳамда УИ схемада уланган майдоний транзисторлардан ясалган бир босқичли кучайтиргичлар киради. Негиз босқичлар бир вақтнинг ўзида ток ёки кучланиш, ҳамда ток ва кучланиш бўйича кучайтириш билан қувватни кучайтирадилар. 1. Биполяр транзисторда ясалган кучайтиргич босқичи Умумий эмиттер схемада уланган биполяр транзисторда ясалган кучайтиргич босқичи энг кенг тарқалган. Кучайтиргич таҳлил қилинганда сигнал манбаи ёки қаршилик R Г билан кетма – кет уланган идеал кучланиш манбаи Е Г кўринишида (1 а -расм), ёки қаршилик R Г билан параллель уланган идеал ток манбаи I Г кўринишида (1 б -расм) ифодаланиши мумкин. а) б) 1 – расм. Агар R Г ва кучайтиргич босқичининг кириш қаршилиги қийматлари бир – бирига яқин бўлса, сигнал манбаининг тури ҳисоблаш аниқлигига таъсир кўрсатмайди. Агар R Г кучайтиргич босқичининг кириш қаршилигидан

анча катта бўлса, 1 б -расмда келтириган сигнал манбаидан, акс ҳолда эса 1 а - расмда келтириган сигнал манбаидан фойдаланиш тавсия этилади. Умумий эмиттер схемада уланган биполяр транзисторда ясалган кучайтиргич босқичи схемаси 2 – расмда келтирилган. Схемани таҳлил қилганда, транзистор ҳолати кириш кучланиши билан бошқарилганда узатиш характеристикаси (3-расм), чиқиш характеристикалар оиласи (4.5-расм) ҳамда кириш характеристикалар оиласи (4.4-расм) дан фойдаланиш қулай. 2 – расм. 3 – расм. Узатиш характеристикаси - коллектор токи I К нинг база – эмиттер кучланиши U БЭ га боғлиқлиги экспоненциал функция билан аппроксимацияланади) exp( T БЭ KS K U I I   . (1)

бу ерда q kT Т  - термик потенциал, I KS – пропорционаллик коэффициенти бўлиб унинг таҳминий қиймати микроқувватли кремнийли транзисторлар учун Т =300 К бўлганда 10 -9 мА тартибга эга бўлади. Кириш сигнали мавжуд бўлмаганда кучайтиргич босқичи сокинлик режимида бўлади. Сокинлик режимида коллектор – эмитттер кучланишининг доимий ташкил этувчиси K K П КЭ R I E U   . Киришга ўзгарувчан кириш сигналининг мусбат ярим даври берилса, база токи ортади ва у коллектор токи ўзгаришига олиб келади. Бу ҳолат узатиш характеристикаси (3-расм) дан кўриниб турибди. Коллектор токи I K нинг U БЭ кучланишига боғлиқ равишда ўзгариши характеристика тиклиги S билан ифодаланади: БЭ K dU dI S  U КЭ = const бўлганда Бу катталикни (1) ифодадан фойдаланиб ҳам топиш мумкин: T K dI S   (2) . Шундай қилиб, тиклик коллектор токига пропорционал бўлиб, ҳар бир транзисторнинг индивидуал хоссаларига боғлиқ бўлмайди. Шунинг учун бу катталикни аниқлашда ўлчашлар талаб қилинмайди. Кириш сигнали таъсири натижасида R К даги кучланиш ортади, U КЭ кучланиш эса камаяди, яъни манфий ярим даврли чиқиш сигнали шаклланади. Демак, бундай кучайтиргич босқичи чиқиш ва кириш кучланиш сигналлари орасида 180 0 га фаза силжишини амалга оширади. Коллектор токи Iк КИР БЭ K U S U S I      . катталикка ортади.

Чиқиш кучланиши U ЧИҚ эсаK КИР K K R U S R I U     2 . катталикка камаяди. Демак кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти (юклама мавжуд бўлмаганда ( I Ю =0 )), қуйидагига тенг K КИР ЧИК U SR U U K     (3) Масалан , агар R К =5 кОм; Т =25 мВ; I K к=1 мА; S = 40 мА/В, у ҳолда К U =-200. Коллектор токи фақат U БЭ кучланишига эмас, балки U КЭ кучланишига ҳам боғлиқ бўлади. Бу боғлиқлик дифференциал чиқиш қаршилиги билан характерланади K E K КЭ КЭ I U dI dU r   U БЭ = const бўлганда, Бу ерда пропорционаллик коэффициенти U Е Эрли кучланиши . U Е нинг қийматлари кремнийли n-p-n транзисторлар учун 80-200 В атрофида бўлади. r КЭ ҳисобига ) // ( КЭ K U r R S K   (5) . Сигнал манбаига нисбатан кучайтириш босқичи учун кириш қаршилиги катта роль ўйнайди. Унинг қиймати қанча катта бўлса, сигнал манбаи шунча кам юкланади ва шунчалик яхши кириш босқичига узатилади. Кириш занжирини юкламага уланган кучланиш манбаи кўринишида ифодалаш учун дифференциал кириш қаршилиги катталиги киритилади

Б БЭ БЭ КИР dI dU r r   U КЭ = const бўлганда. Кириш қаршилиги r БЭ ва тиклик S орасида қуйидаги боғлиқлик мавжуд S rБЭ   , бу ерда  - ток узатиш дифференциал коэффициенти. Амалий ҳисоблар учун қуйидаги нисбатдан фойдаланиш мумкин K T БЭ I r   (6). Кучайтиргич босқичининг чиқиш ёки ички қаршилиги r ЧИҚ бу босқични юклама (кейинги босқич) билан ўзаро таъсирлашувида катта роль ўйнайди. Кучайтиргичнинг чиқиш қаршилиги юкламадан ток оқиб ўтаётганда чиқиш кучланишини камайишига олиб келади ва бу ҳолатни кучайтириш коэффициентини ҳисоблаётганда ҳисобга олиш керак бўлади. Юклама қаршилиги R Ю ва чиқиш қаршилиги r ЧИҚ кучайтиргич кучайтириш коэффициентини ) /( Ю ЧИК Ю R r R  мартага камайтирувчи кучланиш бўлувчисини ҳосил қиладилар. Чиқиш ички қаршилиги КЭ K ЧИК r R r //  . Натижада юкламадаги кучайтириш коэффициенти ) // // ( Ю КЭ K UЮ R r R S K  . (7) Кучайтириш коэффициенти температура ўзгаришига боғлиқ, чунки T K dI S   . Ниҳоят, ток бўйича дифференциал кучайтириш коэффициенти қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади

БKdI dI   U КЭ = const бўлганда. Бу катталик статик коэффициентдан коллектор токининг кенг ўзгариш диапазонида сезиларли фарқ қилмайди ва ) 1/(      га тенг. Ночизиқли бузилишларни камайтириш ва кучайтириш коэффициентини температуравий барқарорлигини ошириш мақсадида кучайтиргич босқичига манфий тескари алоқа киритилади. Тескари алоқа деб чиқишдаги ёки бирор оралиқ звено қурилмаси чиқишидаги энергиянинг бир қисмини унинг киришига узатишга айтилади. Бунинг учун схемага махсус занжир киритилади ва у тескари алоқа занжири деб аталади. Бу занжир кучайтиргич чиқишидаги қувватнинг бир қисмини унинг киришига узатишга ҳизмат қилади. Бир босқични ўз ичига оладиган тескари алоқа – маҳаллий , кўпбосқичли кучайтиргичнинг баърини ўз ичига оладиган тескари алоқа - умумий деб аталади. Тескари алоқанинг мавжудлиги қурилма чиқишидаги сигналнинг, демак кучайтириш коэффициентининг ҳам ортиши ёки камайишига олиб келиши мумкин. Биринчи ҳолатда кириш сигнали фазаси билан тескари алоқа сигнали фазалари бир – бирига мос келади ва уларнинг амплитудалари кўшилади – бундай тескари алоқа мусбат тескари алоқа деб аталади. Иккинчи ҳолатда эса фазалар тескари бўлиб, амплитудалар бир - биридан айирилади – бундай тескари алоқа манфий тескари алоқа деб аталади. Кучайтиргичларда фақат манфий тескари алоқа (МТА) қўлланилади. МТА нинг киритилиши сигнал кучайишини камайтиради, лекин параметрларнинг барқарорлиги ортади ва ночизиқли бузилишлар камаяди. 4 – расмда манфий тескари алоқали бир босқичли кучайтиргич схемаси келтирилган.

4 – расм. Бу ерда МТА эмиттер занжирига R Э резистор киритилиши билан амалга оширилган. Кириш кучланиши U КИР ортиши билан эмиттер токи ортади, шу сабабли R Э резисторда кучланиш пасайиши ҳам ортади: Э Э Э R I U  , чунки база- эмиттер ўтишида кучланиш кириш кучланишига нисбатан кичик бўлади Э КИР БЭ U U U   . Кириш ва R Э резистордаги кучланишиларнинг ўзгариши бир - бирига тенг деб ҳисоблаш мумкин, яъни база-эмиттер кучланиши ўзариши БЭ U ни ҳисобга олмаса ҳам бўлади. R Э орқали оқиб ўтаётган ток R К дан ҳам оқиб ўтади, демак, бу токнинг ўзгариши колектордаги резисторда эмиттердаги резистордагига нисбатан / K Э R R марта катта кучланиш ортишига олиб келади Агар КИР Э U U   ни инобатга олсак

Э K КИР ЧИК U R R U U K    . Бу ифодага транзисторнинг токка боғлиқ бўлган параметрлари кирмайди. Шу сабабли, коллектор токи эмиттер токидан анча фарқ қилишини ҳисобга олсак, МТА ли кучайтиргичнинг кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти кам миқдорда бўлса ҳам ток қийматига боғлиқ бўлади Э K U SR SR K   1 . Кучайтиргич кириш қаршилиги қиймати Э БЭ КИР R r r   МТА ҳисобига ортади. Чиқиш қаршилиги эса манфий тескари алоқа ҳисобига секин ортади ва R К қийматига интилади. 2. Майдоний транзисторларда ясалган кучайтиргичлар Майдоний транзисторлардан кучайтиргич ясашда умумий исток (УИ) схемада уланган майдоний транзисторлар кенг қўлланилади. 5 –расмда n – каналли р–n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзисторда ясалган кучайтиргич босқичи келтирилган. р–n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзисторда сток ва затворга берилаётган кучланиш ишоралари (қутблари) бир - бирига тескари бўлиши керак. Шу сабабли ўзгармас ток бўйича режим ҳосил қилиш учун R И резистор киритилади ва у кетма-кет МТАни ҳосил қилади. Бундан ташқари, кучайтиргич параллель киришларига R СИЛ резистор уланади ва у затворни умумий шина билан гальваник алоқасини таъминлайди ва кучайтиргич кириш қаршилигини барқарорлайди.

Берилган I С0 сокинлик токи учун R И катталиги майдоний транзистор сток – затвор ВАХсидан аниқланади (5.3 а –расмга қаранг). ВАХдан U ЗИ0 ни аниқлаб R И ни қуйидаги ифодадан қийналмас аниқлаш мумкин:И С ЗИ R I U 0 0   5 – расм. Киришга ўзгарувчан сигналнинг мусбат ярим даври U КИР берилганда чиқишда тескари фазадаги сигнал U ЧИҚ ҳосил бўлади, яъни УИ схемадаги кучайтиргич босқичи кириш сигналини инверслайди. Кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти қуйидагига тенг C C C n C C C C ЗИ СИ КИР ЧИК U Rr R Rr RSr UU UU K           

“Манфий” ишора УИли схема сигнални инверслашини билдиради. Амалиётда C C R r  , шу сабабли кучайтириш коэффициентини қуйидаги кўринишда ифодалаш мумкин C U R S K   УИ схемадаги реал кучайтиргич босқичларида К u =3  ÷50, R КИР  R СИЛ , R ЧИҚ  R С . 3. Кўп босқичли кучайтиригичлар Кучайтиргич параметрларининг яхши барқарорлигини таъминлаб берувчи манфий тескари алоқа кучайтириш коэффициентини кескин камайтиради. Катта К U қийматини олиш учун кенг полосали кўп босқичли кучайтиргичлар қўлланилади. 6 – расмда кетма - кет – параллель тескари алоқали уч босқичли кучайтиргич принципиал схемаси келтирилган. Биринчи УЭ босқич VT1 транзисторда бажарилган, унда ток бўйича маҳаллий кетма –кет МТА мавжуд бўлиб, у R Э1 да бажарилган. Иккинчи босқич VT2 транзисторда бажарилган. Учинчи босқич VT3 транзисторда бажарилган бўлиб, R Э3 резистор маҳаллий МТАни амалга оширади.

6 – расм. Маҳаллий МТАдан ташқари кучайтиргичда умумий тескари алоқа қўлланилган. У кучайтиргич босқич чиқишини VT1 транзистор эмиттери билан боғловчи R ТА резистор занжирида бажарилган. Маҳаллий (босқичлар ичидаги) тескари алоқаларга нисбатан бутун кучайтиригични қамраб оладиган тескари алоқа, янада юқори барқарорликни ҳамда алоҳида босқичларни кучайтириш коэффициенти оғишига сезгирликни камайишини таъминлайди. 6 – схема интеграл кучайтиргич ясашда асос ҳисобланади. Лекин тескари алоқали асосий уч босқичли кучайтиргичдан ташқари, интеграл кучайтиргич схемаси кичик чиқиш қаршилигини таъминлаш учун ва кучайтиригичда қўшимча кенг полосалик, чидамлилик, температуравий барқарорлик ва ўзидан олдинги чиқиш босқичи кучланиши ўзгармас ташкил этувчисини кейинги босқич кириш кучланиши ўзгармас ташкил этувчиси билан мувофиқлашни таъминлаш учун чиқиш босқичи сифатида эмиттер қайтаргичга эга бўлади. Гап шундаки, турли катта сиғимларга эга бўлган конденсаторларнинг мавжуд эмаслиги туфайли барча босқичлар ўзгармас ток бўйича ўзаро боғланган.

4. Аналог интеграл схемаларнинг чиқиш босқичлари (қувват кучайтиргичлари) Чиқиш босқичларининг вазифаси – сигналнинг берилган (етарлича катта) қувватини бузилишларсиз паст омли юкламага узатишни таъминлаш. Одатда кўп босқичли кучайтиргичларда улар чиқиш босқичлари ҳисобланадилар. Кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти чиқиш босқичлари учун иккинчи даражали параметр ҳисобланади. Шу сабабли асосий параметрлар бўлиб қуйидагилар ҳисобланади: фойдали иш коэффициенти  ва ночизиқли бузилишлар коэффициенти К Г . Фойдали иш коэффициенти чиқиш сигнали қувватини манбадан тортиб олинаётган қувватга нисбатига тенг: ЎРТ М ЧИКm ЧИКm I E I U2 1   , (8) бу ерда Iчиқ.m, Uчиқ.m – чиқиш катталиклар амплитудаси, Е М – кучланиш манбаи, I ЎРТ – ўртача ток. Ночизиқли бузилишлар коэффициенти чиқиш сигнали шаклининг кириш сигнали шаклидан фарқини ифодалайди. Бу фарқ босқичнинг узатиш характеристикасининг ночизиқлиги сабабли юзага келади. Кучайтиргич босқичи узатиш характеристикалари чиқиш катталигини ( I ЧИҚ ёки U ЧИҚ ) кириш катталигига ( I КИР ёки U КИР ) боғлиқлигини ифодалайди..  ва К Г катталиклари кўп ҳолларда транзисторнинг сокинлик режими– кучайтириш синфи билан аниқланади. Шу сабабли қувват

кучайтиригичларида қўлланиладиган кучайтиргич синфларини кўриб чиқамиз. Узатиш характеристикасидаги ишчи нуқта (сокинлик нуқтаси) ҳолатига кўра А, В, АВ ва бошқа кучайтириш синфлари мавжуд. А режимда сокинлик режимида ишчи нуқта узатиш характеристикаси квазичизиқ соҳа ўртасида жойлашади (7 - расм). а) б) 7 - расм Кириш сигналининг иккала ярим даври узатиш характеристикасининг квазичизиқ соҳасида жойлашганлиги сабабли ночизиқли бузилишлар энг кичик ( К Г 1%) бўлади. Расмдан кўриниб турибдики, агар М m ЧИК E U 2 1 .  ; ЎРТ m ЧИК I I  . бўлса, у ҳолда (8)ни ўрнига қўйиб, қуйидагини оламиз 4 1   , (яъни 25 %).

В режимда сокинлик режимидаги ишчи нуқта транзисторнинг берк ҳолатига мос келувчи квазичизиқ соҳа чегарасида жойлашади. Транзистор фақат мусбат ярим давр мобайнида очиқ ҳолатда бўлади (8 – расм). В режимда К Г 70 % атрофида бўлади. (7.1) ифодага Е М ва m ЧИК ЎРТ I I . 2   ларни қўйиб, қуйидагини ҳосил қиламиз 4    (яъни 78 %). В режимда ночизиқли бузилишларни камайтириш мақсадида мусбат ярим даврни, иккинчиси – манфий ярим даврни кучайтирадиган, иккита кучайтиргичдан ташкил топган икки тактли схема қўлланилади. а) б) 8 – расм.

АВ синфи А ва В синфлари оралиғидаги ҳолатни эгаллайди ва икки тактли қурилмаларда қўлланилади. Бу ерда сокинлик режимида бир транзистор берк бўлганда, иккинчиси очилиш арафасида бўлади, лекин бу ҳолат асосий ишчи ярим даврни кичик инерцияга эга бўлган ВАХ соҳасига олиб чиқишга имкон яратади.  коэффициент А синфига нисбатан юқори, К Г  3 % бўлади. 5. Эмиттер қайтаргич Кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти бирга яқин бўлган, кириш сигнал қутбини ўзгартирмайдиган ва катта кириш ва кичик чиқиш дифференциал қаршиликка эга бўлган кучайтиргичлар – қайтаргич деб аталади. Эмиттер қайтаргич классик схемаси 9 – расмда келтирилган. Транзисторга ўзгармас кириш кучланиши берилганда ( А режим), эмиттер занжирида R Э резисторда кучланиш пасайишини юзага келтирувчи ўзгармас ток оқиб ўтади. Чиқиш кучланиш Uчиқ шундай ўрнатиладики, база – эмиттер кучланиши KS Э Т БЭ I I U ln  га тенг бўлсин. U кир кириш сигнали КИР U катталикка ортади (камаяди) ва эмиттер токини ортишига (камайишига) олиб келади. Натижада U ЧИҚ чиқиш кучланиши Э Э ЧИК R I U    қийматга ортади (камаяди). Бу вақтда чиқиш кучланиши кириш кучланиши каби ортади, кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти эса қуйидагига тенг бўлади 1    КИР ЧИК U U U K .

9 – расм. Эмиттер қайтаргичнинг кириш қаршилиги УЭ схема ва ток бўйича МТА схемалари кириш қаршилигидан фарқ қилмайди ва қуйидагига тенг бўладиЭ КИР R r )1 (    . Чиқиш қаршилиги r ЧИҚ ( R Э орқали амалга оширилган) 100 % манфий тескари алоқа ҳисобига камаяди. Бу ҳолат шу сабабли содир бўладики, чиқиш кучланишининг ҳар бир кучайиши эмиттер токини оширади, демак база токи ҳам ортади. Унга эса R Г қаршилик кўрсатади. Лекин база занжиридаги ток эмиттер занжиридаги токка нисбатан )1 (   марта кичик бўлади, шу сабабли чиқиш қаршилиги Э Г ЧИК R R r //1   .

Эмиттер – база соҳа қаршилигини ҳам ҳисобга олсак, у ҳолда Э Г ЧИК R R S r //)1 1(     . Микроэлектроникада ФИК жуда кичик бўлганлиги сабабли А синфи қўлланилмайди. В ва АВ синфига мансуб икки тактли кучайтиригичлар анча оммабоп ҳисобланади. Ва биз уларни ўрганишга ўтамиз.

O'xshashlar

Квант кучайтиргичлар

Гидравлик ва пневматик кучайтиргичлар

Кучайтиргич қурилмалари схемотехникаси

Радиосигналларини кучайтириш. Кучайтиргичларнинг класиффикацияси

Кучайтиргичлар ҳақида умумий маълумот магнит кучайтиргичлари