Диффузия усули билан электрон-ковак ўтишни ҳосил қилиш - Fizika - Referatlar

Диффузия усули билан электрон-ковак ўтишни ҳосил қилиш

Yuklangan vaqt:

20.09.2019

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

780 KB

Ko'chirib olish

Диффузия усули билан электрон-ковак ў тишни ҳ осил қ илиш Режа: 1. Ч ексиз манбадан диффузия 2. Яримчексиз манбадан диффузия 3. Чексиз юпқа қатламдан диффузия 4. Д иффузия ўтказиш усуллари

Диффузия усули ярим ў тказгичларга киришма вий атомлар киритишда, ярим ў тказгичларнинг электрофизик хоссаларини ма қ садли бош қ аришда, электрон-ковак ў тиш лар ни ҳ осил қ илишда электроника ва микроэлектроника саноатида, илмий тадқиқотларда кенг қўлланилади. Диффузия усулининг яримўтказгичларни легирлашнинг бош қ а усуллар и га нисбатан бир қ анча афзаллик томонлари мавжуд: 1. Деярли ихтиёрий юзада ю қ ори сифатли электрон-ковак ў тишни олиш мумкин. 2. Диффузия ускуналари жуда содда б ў либ, жараённи бош қ ариш осон ва содда математик моделлар асосида диффузия чу қ урлигини тезда ани қ лаш мумкин. 3. Диффузия усули электрон-ковак ўтишни олишда бошқа усулларга нисбатан қулай усулдир. Диффузия усули режалаштирилган яримўтказгич асбоблар электрик тавсифномаларини деярли ўзгартирмаган ҳолда олишга имкон беради. Ушб у усул асосан германий ва кремний асосида электрон асбоблар ясашда кенг қў лланилади. Лекин жараённинг ю қ ори температурада олиб борилиши диффузия усулининг камчилиги ҳ исобланади. Чунки ю қ ори температурада ярим ў тказгичларга бегона – бошқарилиши қийин, тез диффуффузияланувчи киришма вий атом лар материал ҳажмига кириб қ олади, унда ну қ тавий ва бошқа ну қ сонлар ҳ осил б ў лади. Бу эса электрон- ковак ў тишни олишда қў шимча қ ийинчиликлар ту ғ диради. Модда концентрациясининг камайиш и й ў налиши б ў йича атомларнинг тартибсиз исси қ лик ҳ аракати диффузия деб аталади. Диффузия жараёни модданинг барча агрегат ҳ олатларида кузатилади. Фа қ ат модданинг турли агрегат ҳ олатлар и да диффузия тезлиги турлича б ў лади. Қ аттиқ жисмларда зарралар орасидаги бо ғ ланиш кучли б ў лгани

учун уш бу жараён газлар даги га нисбатан минглаб марта секин содир б ў лади. Ярим ў тказгичларда диффузия икки хил б ў лади: 1. Кимёвий мувозанат ҳолатида бўлган кристаллдаги диффузия, яъни ўздиффузия; 2. Кимёвий мувозанат ҳолатида бўлмаган, кимёвий потенциал градиенти ортган кристаллдаги диффузия, яъни гетеродиффузия. Кристалл панжарадаги диффузия жараёни атомларнинг бир мувозанат ҳ олатидан иккинчи ҳ олатга сакраши билан тавсифланади. Бундай сакраш узунлиги кристалл панжара доимийси тартибида б ў лади. Агар қ атти қ жисмда бирор бир элемент атомларининг концентрация градиенти ҳ осил б ў лса, у ҳ олда бутун ҳ ажм б ў йича бу атомлар сонини тенглаштиришга й ў налган диффузия ҳ аракати вужудга келади. Қ атти қ жисмларда диффузия туфайли концентрациянинг тенглашиш жараёни фа қ атгина ю қ ори температураларда сезиларли амалга ошади. Ушб у ҳ олда зарраларнинг ҳ аракат тезлиги кескин ортади. Паст (хона) температураларда эса қ атти қ жисмларда диффузия жараёни умуман олганда содир б ў лмайди. Атомларнинг ў з жойидан сакрашининг асосан уч хил механизми мавжуд: 1. Тугунлардаги атомлар нинг ў заро ў рин алмашиниши мумкин (1а-расм). 2. Атомлар кристалл панжаранинг бўш тугунлари (вакансиялар) бўйича ҳаракат қилиши мумкин (1б-расм). 3. Атомлар тугунлараро ҳ аракат қ илиши мумкин (1в-расм).

расм. Кристалл панжара тугунларида жойлашган атомлар ў з мувозанат вазиятлари атрофида узлуксиз равишда тебраниб турадилар. Ю қ ори температураларда бу атомларнинг баъзилари мувозанат вазият и да ушлаб турувчи потен ц иал т ў си қ ни енгишга етарли б ў лган энергияни ҳ осил қ илади. Натижада бундай атомлар кристалл панжара тугунларидаги мувозанат ҳ олатларидан тугунлараро номувозанат ҳ олатга ў тадилар. Ушб у ҳ олда Френкель ну қ сонлари (2а-расм) юзага келади (тугунлараро атом + вакансия (б ў ш тугун) комплекси) . Баъзи ҳ олларда исси қ лик тебранишлари ҳ исобига юзадаги атомлардан бири ў з мувозанат ҳ олатидан номувозанат ҳ олатга ў тади ва у кристалл билан фа қ ат қ исман бо ғ ли қ б ў л иб қола ди. Ушбу ҳолда Шоттки ну қ сонлари (2б-расм) ҳ осил б ў лади. Исси қ лик тебранма ҳ аракати натижасида Френкель ва Шоттки эффекти б ў йича ҳ осил б ў лган вакансиялар қў шни атомлар билан осон ў рин алмашинади. Бунинг натижасида улар тугунлараро ҳ аракат қ илади.

расм. Исси қ лик мувозанати шароитида кристаллда маълум ми қ дорда вакансиялар концентрацияси мавжуддир. Улар нинг концентрацияси температура б ў йича экспоненциал қ онун асосида ортади: N v ≈ e -∆ E / kT (1) б у ерда , ∆Е v - вакансия ҳ осил б ў лиш энергияси; k - Больцман доимийси; Т - кристалл температураси (абсолют температура) . Германий ва кремний кристалл панжараларида мувозанатли вакансиялар концентрацияси хона температурасида 10 13 -10 14 м -3 ни ташкил этади ва унинг миқдори температура, шунингдек киришмалар концентрацияси ва панжара ну қ сонлари ортиши билан ортади. Масалан, кремнийда 1100-1200 0 С температураларда , термодинамик мувозанат шароитларида , N v =10 21 ÷10 24 м -3 . Вакансиялар концентрацияси ~5∙10 25 м -3 га етганда (яъни вакансиялар ми қ дори тугунлар ми қ дорининг 10 -3 % қ исмига я қ инлашганда) кристалл эрий бошлайди.

Агар диффузия жараёнида атомларнинг тартибсиз ҳ аракати туфайли концентрация градиенти ортади деб қ арасак, модда сиртига тик й ў налишда бирлик юзадан бирлик ва қ т ичида ў тадиган диффузияланувчи атомлар о қ ими қ уйидаги тенглик билан ифодаланади: F = - D grad N (2) бу ерда, F - диффузияланувчи модда атомлари оқими; D - модда атомларининг диффузия коэффициенти, см 2 /сек.; N - модда атомлари концентрацияси, см -3 . Тенгликдаги манфий ишора диффузиянинг киришмалар концентрацияси камайиши йўналишида бўлаётганини билдиради. Агар диффузияланувчи модда атомлари концентрацияси бир йўналиш бўйича ўзгарса, у ҳолда (2) тенглик қуйидаги кўринишни олади: F = - D ∙  N/  x (3) б у ерда ,  N /  x - диффузияланувчи киришманинг концентрация градиенти. (2)- ва (3)-ифодалар Швейцариялик физик олим Фик томонидан идеал газ ва қ оришмаларда диффузия жараёнини ифодалаш учун таклиф қ илинган эди. Кейинчалик бу ифода қ атти қ жисмлардаги диффузия жараёнини ифодалаш учун ҳ ам ў ринли эканлиги исботланди. Ушбу (2)-ифода Фикнинг биринчи қ онуни деб юритилади. Ушбу тенгликнинг маъноси қ уйидагича: д иффузия жараёни вужудга келиши учун албатта концентрация градиенти о рти ши керак. Фикнинг иккинчи қ онуни диффузия й ў налишига тик б ў лган ихтиёрий текисликга кир иб борган киришмаларнинг т ў планиш тезлигини ани қ лайди:

 N/  t = D  2 N/  x 2 (4) Юқоридаги ифодаларда диффузия коэффициенти киришманинг концентрациясига боғлиқ эмас, деб ҳисобланади. Фикнинг иккинчи қонуни барча диффузия жараёнлари учун муҳим аҳамиятга эга ва шунинг учун ҳам улар диффузия тенгламалари деб аталади. Диффузия коэффициенти D асосий катталиклардан бири ҳ исобланади. Ушб у катталик киришмавий атомларнинг бо ғ ланиш энергиясига, кристаллдаги вакансиялар ми қ дорига, кристалл панжара доимийсига ва бош қ а бир қ анча катталикларга бо ғ ли қ б ў лади. Қ атти қ жисмларда диффузия коэффициентини ани қ лашда газлар учун чи қ арилган диффузия коэффициенти ифодасидан фойдаланилади. Фа қ ат газлардан фар қ ли равишда кристалларда атомларнинг элементар кўчиши кристалл панжара доимийси а ор қ али ифодаланади (3 -расм ) . расм.

Шунинг учун ҳам кристалларда диффузия коэффициенти қ уйидагича ифодаланади: D = K 0 a 2 / (5) бу ерда, K о - кристаллнинг тузилиши ва диффузия механизмига боғлиқ бўлган коэффициент. Ҳажмий марказлашган кубсимон панжара учун диффузия бўш тугунлар (вакансиялар) бўйича амалга ошаётган бўлса, K о = 1/8 га, тугунлараро амалга ошаётган бўлса K о = 1/24 га тенг бўлади. Бирор мувозанат ҳолатда атомнинг туриши мумкин бўлган ўртача вақт:  =  о ∙ ехр(  Е/ k Т) бу ерда,  о - кристалл панжара тугунларидаги атомларнинг хусусий тебраниш даври орқали аниқланувчи (~10 -3 с) доимий. (5) ифодани ҳисобга олган ҳолда диффузия коэффициенти учун қуйидаги тенгламани ёзиш мумкин: D = D о ∙ ехр(-  Е/kТ) (6) бу ерда, D о = K о а 2 / t о . (6) ифодада,  Е - диффузиянинг фаолланиш энергияси, яъни атомнинг кристалл панжарада бир бирликка сакраши учун керак бўлган энергия; k - Больцман доимийси ( k = 8,6 . 10 -5 эВ/град). (6) ифода киришмавий атомларнинг кристалл панжаранинг вакансиялари ҳамда тугунлари бўйича ўздиффузияси ва диффузияси учун ўринлидир. Демак, диффузия коэффициенти берилган концентрация

градиентидаги модда атомлари о қ ими зичлиги катталигини ани қ лайди. Ярим ў тказгичларда киришма вий атомлар диффузияси тезлиги уларнинг чегаравий эрувчанлигига тескари пропорционал дир. Одатда киришма вий атомлар нинг тугунлараро диффузия тезлиги панжара вакансиялари б ў йича диффузия тезлигидан анча ю қ оридир. Қаттиқ жисмларда температура ортиши билан диффузия коэффициенти экспоненциал қонунга мувофиқ кескин ортиб кетади. Фик қ онунлари асосида ани қ ланган диффузия коэффи ц иенти ор қ али, шунингдек берилган бошлан ғ ич ва чегаравий шартлар ёрдамида қ уйидаги масалаларни ечиш мумкин: 1. Киришма вий атомлар та қ симотини ани қ лаш. 2. Киришмавий атомлар концентрациясини аниқлаш . 3. Диффузияланувчи киришмавий атомлар эрувчанлигини аниқлаш. Мисол сифатида турли чегаравий шартлар ор қ али киришма лар концентрацияси нинг та қ симоти учун тенглама лар ечимини к ў риб чи қ амиз. Ч ексиз манбадан диффузия Агар диффузия жараёнида ярим ў тказгич қ атламидан унинг ҳ ажмига кираётган киришма ми қ дори, ярим ў тказгич юзасига келаётган киришма ми қ дорига тенг б ў лса, бундай манба чексиз манба (4-расм) деб аталади. Ушб у ҳ олда ярим ўтказгич кристаллдаги киришманинг бошлан ғ ич концентрацияси нолга тенг б ў лади ва (3) тенглама ечими қуйидаги к ў ринишда б ў лади: N ( x, t )= N 0 (1- erf x/2  Dt ) (7) N ( 0 , t )= N 0 ; N ( x , 0 )= N 0

бу ерда , erf - Гаусс хатоли клар функциясининг ( erf – «error function» ) қ ис қ ача ифодаси : erfZ = 2/  x  exp (- t 2 ) dt (8) тенглама ечимини қуйидагича ифодалаш ҳам мумкин: N ( x , t)= N 0 erfc x /2  Dt ) (8) бу ерда, erfсZ =1- erfZ - хатоликларнинг қўшимча функцияси бўлиб ( erfc – «error function complement”), одатда унинг ва erf функциянинг қийматлари маълумотномаларда график ва жадваллар кўринишида берилган бўлади. Юқоридаги, (8) ифодада: N 0 ( x , t ) - сирт даги киришма концентрацияси (см -3 ); N ( x , t ) - сирт дан х масофадаги киришма концентрацияси (см -3 ); D - диффузия жараёни температурасидаги киришманинг диффузия коэффициенти (см 2 ·сек - 1 ). расм. Ч ексиз манбадан легирлаш тақсимоти.

Диффузия жараёни бошлангандан с ў нг t ва қ т давомида ярим ў тказгичга кирган киришма ми қ дори қ уйидагича ифодаланади: Q =  F ( x , t ) dt = N 0 . 2  Dt /  (9) Яримўтказгичга кирган диффузант миқдори сиртдаги киришма концентрациясига тўғри пропорционал эканлиги ва қиздириш вақти ортиши билан киришма миқдори ҳам ортиши ушбу ифодадан кўриниб турибди. Чунки диффузия коэффициенти ва яримўтказгичга кирган киришма миқдори температурага кучли боғлиқдир. Агар яримўтказгичнинг ҳажмида киришманинг бошланғич концентрацияси ҳисобга олинмас даражада кичик бўлса, киришманинг сиртий концентрацияси эса N 0 , атом/см 3 бўлса ва у доимий сақланса, унда: N ( x , t ) = N 0 (1- erf Dt x 2 ) (10) Ушбу (10) ва (8) ифодаларга мос равишда киришма концентрациясининг диффузия жараёнидан сўнг яримўтказгич қалинлиги бўйича ўзгариши 5а - расмда (яримлогарифмик координаталарда) ва 5б- расмда (чизиғий координаталарда) тасвирланган.

расм. Киришма концентрациясининг қалинлик бўйича ўзгариши (а - яримлогарифмик координаталарда) ва (б - чизиғий координаталарда). Агар киришмавий элементнинг яримўтказгич ҳажмидаги концентрацияси бир хил, яъни N 1 , аммо нисбатан кичик бўлса, айнан шу киришмавий элементнинг диффузияси учун сиртий концентрация N 0 бўлган ҳолатда намуна қалинлиги учун қуйидаги киришмавий тақсимотни оламиз: N ( x , t ) = N 1 + ( N 0 - N 1 ) (1- erf Dt x 2 ) (11) Транзисторнинг эмиттери ва базасини олиш жараёнида бир босқичли диффузияни амалга оширишда ушбу ҳолат кўп учрайди. Бундай диффузия одатда кремний сиртида “шишасимон манба”дан (фосфор ва бор силикатлари ) амалга оширилади. Қўлланиладиган шишасимон қатлам диффузия жараёнининг давомийлигига боғлиқ бўлмаган ҳолда, сиртий N 0 концентрациянинг доимийлигини таъминлайди.

Агар n -тур киришмаларнинг диффузияси бошланғич концентрацияси N 1 бўлган p -тур яримўтказгичда ёки аксинча, амалга ошаётган бўлса, p - n ўтишга N ( x , t ) = N 1 муносабат мос келади, яъни: N 0 (1- erf Dt xj 2 ) = N 1 (12) p - n ўтишнинг чегарасига мос келувчи x j катталик ҳисоблаб топилиши ёки расм ёрдамида таҳминий тарзда аниқланиши мумкин. расм. N 1 / N 0 нисбатнинг турли қийматларида ўтиш ҳолатининг  Dt қийматига боғлиқлиги.

Агар ушбу структурада қарама-қарши ўтказувчанлик турига эга киришманинг такрорий диффузияси амалга оширилса, ҳосил бўладиган иккинчи p - n ўтишнинг жойлашуви қуйидаги муносабат орқали аниқланади: N10 (1- erf 11 2 t D x )+ N 1 = N 0 (1- erf Dt xj 2 ) (13) бу ерда, N 10 - иккинчи диффузияланувчи киришманинг сиртий концентрацияси; D 1 t 1 - иккинчи диффузияланувчи киришманинг диффузия коэффициентининг вақтга кўпайтмаси. Баъзи ҳолларда диффузиянинг иккала жараёни бир вақтда ва одатда турли температураларда боради. Диффузиянинг ҳар бир босқичи учун тенгламадаги Dt кўпайтма ҳамма диффузия жараёнлари учун Dt қийматларнинг йиғиндисини ўз ичига олади. Турли ҳолатлар учун ўтиш ҳолатини ва концентрациявий тақсимотни аниқ топиш учун узоқ давом этувчи ҳисоблашлар амалга оширилади, аммо кўпинча амалиётчи технологлар графикларни таққослашдан иборат оддий усулдан фойдаланадилар. Яримчексиз манбадан диффузия Диффузияланувчи киришманинг exp(-z 2 ) қонун бўйича диффузияланиши учун зарурий миқдори жуда кичик, деб ҳисоблаймиз. Юқоридаги ифодада, z=-(x/2 Dt ) 2 . Киришманинг бундай миқдорини яримўтказгич ҳажмига ион легирлаш орқали ёки дастлабки диффузия жараёнини сиртда кичик миқдордаги киришма манбаини ҳосил қилиш учун етарлича бўладиган даражада паст температурада ва қисқа вақт давомида ўтказиш орқали киритиш мумкин:

Q 0 = 2 N 01 ( D 1 t 1 /π) 1/2 (14) бу ерда, Q 0 - дастлабки диффузия давомида кремнийга кирувчи киришманинг миқдори, ат. / см 2 ; N 01 – дастлабки диффузия температурасидаги киришманинг сиртий концентрацияси, ат. / см 2 ; D 1 – дастлабки диффузия жараёни температурасидаги диффузия коэффициенти, см 2 /c ; t 1 – дастлабки диффузиянинг давомийлиги, с. Дастлабки диффузиядан сўнг ҳосил қилинган сиртий диффузия манбаи дастлабки диффузия температурасидан юқори бўлган температурада қиздириш орқали яримўтказгич ҳажмига ҳайдалади ва ҳосил бўлган киришмалар тақсимоти қуйидагича ифодаланади, бу ерда, индексларда келтирилган “2” киришманинг манбадан ҳайдалиш жараёнига оиддир: N ( x , t 1 , t 2 ) = 2) 2/( 2/1 22 11 01 ) ( 2 Dt x e t D t D N   (15) Юқоридаги (15) ифода 11 22 t D t D  бўлган ҳолат учун ўринлидир. 7-расмда чекланган манбадан диффузия жараёни учун легирлаш профили тасвирланган.

расм. Чекланган манбадан легирлаш тақсимоти. Чексиз юпқа қатламдан диффузия Ушбу ҳолда диффузияланиш фақат кристаллда рўй беради, деб ҳисоблаймиз. ( х , 0) диффузантнинг таш қ и чегараси эса қ айтаргич ҳ исобланади. Бундай тизимга SiO 2 оксид қ атлами билан қ опланган кремнийдаги киришмаларнинг юп қ а сиртий қ атламдан ҳажмга рўй берадиган диффузиясини мисол қилиб к ў рсатиш мумкин. Бунда оксид қ атлами қ айтарувчи чегара ҳ исобланади, чунки киришманинг бу қ атлам даги диффузия коэффициенти кремний дагига нисбатан бир неча бор кичик дир . Ушб у ҳ олда кремний ҳажмидаги киришмалар та қ симоти экспоненциал қ онун б ў йича ифодаланади: N ( x, t ) = Q 0 . exp(- x 2 /4 Dt )/2π  Dt (16)

бу ерда, Q 0 = 2 N 0 ( D /  ) 1/2 ; Q 0 - киришма миқдори; N 0 - сиртдаги киришмалар концентрацияси. (10)-тенгламанинг график ечими 8 -расмда келтирилган. расм. Чексиз юпқа манбадан яримчегараланган жисмга диффузияда киришманинг тақсимоти. Д иффузия ўтказиш усуллари Диффузия жараёни одатда етарлича м ақсадли чегараланган температуралар орали ғ ида олиб борилади. Масалан, кремний учун бу орали қ , икки бос қ ичли диффузия жараёнида 1000-1300 0 С га тенг. 1000 0 С дан кичик температураларда диффузия коэффициенти қ иймати ва диффузия чу қ урлиги жуда кичик б ў лади. 1300 0 С дан ю қ ори температураларда эса диффузияланувчи қ атламлар сифати бузилади. Бирор берк ҳажмга яримўтказгич пластинкаси билан киришмавий моддани жойлаштирамиз ва уларни маълум бир температурагача қиздирамиз. Қиздириш натижасида киришмавий модда буғланади ва берк ҳажмда киришмавий буғларнинг парциал босими ҳосил бўлади. Бу ғ молекулалари бутун ҳажм юза си га, шу билан бирга пластинка сиртига абсорбцияланади.

Етарлича ю қ ори температурада бу ғланган атомлар нинг ярим ў тказгич пластинкаси ҳ ажми бўйлаб диффузия си бошла на ди. Маълумки, умумий ҳ олда мувозанатий концентра ц ия бу ғ босимига пропорционал б ў лади, шунинг учун ҳам сирт даги концентрацияни бош қ ариш бу ғ босимини назорат қ илиш орқали амалга оши рилади. 9-расмда даврий системанинг III ва V гуруҳ элементлари буғ босимларининг температурага боғлиқлиги кўрсатилган. Диффузия жараёнлари очиқ ва ёпиқ қувурларда олиб борилади. Агар диффузиявий қувурнинг чиқишлари ташқи муҳит билан алоқада бўлса, бундай қувур очиқ қувур ҳисобланади. расм. Даврий системанинг III ва V гуруҳ элементлари буғлари босимининг температурага боғлиқлиги.

Ушб у қ увур ор қ али диффузия ў тказил адиган со ҳ ага кремний пластинкалари жойлаштирилади (10-расм). Қ увур ичидаги ҳ аво нинг ифлосл аниши жуда кичик б ў лиши учун қувур сиртида с ў рувчи тир қ иш очилган . Диффузиявий қ увурнинг кириш тир қ иши ор қ али газ симон таш игич лар киритилади (азот, аргон ёки кислород). Агар диффузия жараёни ёпи қ найчада ў тказилса, бундай қ увур ёпи қ қ увур ҳ исобланади. Ушбу ҳолда ярим ў тказгич пластинаси ва киришма манбаи кварц найчага киритилади. С ў нгра 10 -5  10 -4 мм. сим. устунига тенг вакуум ҳ осил қ илиниб , бутун тизим диффузиявий қ издиргичларга жойлаштирилади. Диффузант манбани қатти қ ёки газ симон ҳ ол атларда кремний сиртидан унинг ҳажмига кирити ли ш и мумкин. расм. Ёпиқ ҳажмда (а) диффузия жараёни схемаси ва икки зонали қиздиргичда (б) температуранинг тақсимоти.

расм. Очиқ қувурда диффузиявий жараёнларни ўтказиш схемалари. Диффузия жараёни одатда икки босқичда олиб борилади. Биринчи босқичда кремний сиртида етарлича юпқа диффузия қатлами ҳосил қилинади. Ушб у бос қ ич диффузия ў тказиладиган температурадан паст температурада олиб борилади. Иккинчи бос қ ичда кремний пластинаси киришмалардан холис б ў лган атмосфера муҳитида қ издирилади. Шунинг учун ҳам уш бу босқичда сирт даги киришма қ атлами фа қ ат диффузияланиб та қ симланади. Иккинчи бос қ ич эса чекл анган киришма манбаидан диффузияланиш жараёнига мос келади. Легирловчи элемент сифатида олинадиган киришма ва киришма манбаи қ атор шартларни қ аноатлантириши лозим: 1. Танланган киришманинг яримўтказгичдаги чегаравий эрувчанлиги жуда юқори бўлиши зарур. Кремний учун юқори эрувчанликка эга донор киришма - арсений билан фосфор бўлса, акцептор киришма - бор ҳисобланади (расм).

расм. III ва V гуруҳ элементларининг кремнийдаги эрувчанлиги. 2. Танланадиган киришма манбаи яримўтказгич сирти билан таъсирлашганда диффузия жараёнини қийинлаштирувчи мураккаб бирикмаларни ҳосил қилмаслиги зарур. 3. Киришма манбаи ярим ў тказгич сиртини ифлосламаслиги зарур . Бунинг учун у ю қ ори даражадаги тозаликка эга б ў лиши керак. Диффузия жараёнини ў тказишда қ атти қ , сую қ ёки газ к ў ринишидаги киришма манбаидан фойдаланилади. Фосфор манбаи сифатида қ атти қ ҳ олатдаги фосфор ангидриди ( Р 2 О 5 ) ва алюминий фосфатларини ( NH 4 H 2 PO 4 , ( NH 4 ) 2 HPO 4 ) c ую қ ҳ олатда хлороксид фосфорни ( РОС l 3 ) , газ ҳ олатида эса фосфинни ( РН 3 ) қў ллаш мумкин. Бор манбаи сифатида эса қ аттиқ ҳ олатдаги бор ангидриди ( В 2 О 5 ) ва бор кислотаси ( Н 3 ВО 3 ) , сую қ ҳ олатда бор уч бромиди ( ВВ r 3 ) , газ ҳ олатида бор уч хлориди ( ВС l 3 ) ва диборанни ( В 2 Н 6 ) қ ўллаш м умкин.

Диффузия жараёнида электрон-ковак ўтишларни ҳосил қилиш асослари расм. Бошлан ғич донор киришманинг N D бир текис концентрациясига эга яримўтказгичга диффузия натижасида акцептор киришма концентрациясининг N A тақсимоти. Киришмаларнинг диффузияси натижасида олинадиган яримўтказгич структуралар

расм. Донор киришманинг бошланғич N 0 D концентрациясига эга яримўтказгичга донор N D ва акцептор N A киришмаларнинг бир вақтда диффузияси натижасидаги концентрацияларининг тақсимоти. расм. Донор ва акцептор киришмалар концентрациялари N D - N A фарқининг масофадан x сиртгача боғланиши. расм. Киришмаларнинг кремнийга диффузиясида олинган p - n ўтиш.

расм. Киришмаларнинг диффузиясида кремнийда p - n ўтиш олиш жараёнларининг кетма-кетлиги.

O'xshashlar

Электрон – ковак ўтиш

Электрон – ковак ўтиш (р-n ўтиш)

Саноат электроникаси асослари

Ярим ўтказгичли асбоблар

Ярим ўтказгичли асбоблар