Варикаплар, импульс диодлар, стабилизаторлар. Фотодиодлар ишлаш принципи. - Energetika - Referatlar

Варикаплар, импульс диодлар, стабилизаторлар. Фотодиодлар ишлаш принципи.

Yuklangan vaqt:

20.09.2019

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

2578 KB

Ko'chirib olish

Варикаплар, импульс диодлар, стабилизаторлар. Фотодиодлар ишлаш принципи. Режа: 1 . Ярим ўтказгичли диодлар тавсифи. 2. Стабилизаторлар. 3. Фотодиодлар.

1. Ярим ўтказгичли диодлар тавсифи. Ҳозирги замон электроникасини ярим ўтказгичли P - N ўтишнинг ва металл билан ярим ўтказгич орасидаги контакт хоссаларига асосланиб ишлашга асослангандир. Ярим ўтказгичли диодлар қандай мақсадларда фойдаланишига қараб тўртта асосий гуруҳга бўлинади. а) Тўғрилагич диодлар. Бу диодлар ёрдамида ўзгарувчан қийматли токни ўзгармас (яъни бир қутбли импульс берувчи) токка айлантирилади ва импульсли диодлар деб юритилади. Импульс диодлар 3 га бўлинади. Паст частотали диодлар ясси диодлар бўлиб, германий ва кремний монокристалларидан, поликристалли сим, титан ва мис оксидидан тайёрланади. Бу тўғриловчи диодлар токни қийматига қараб ўз навбатида кичик, ўрта ва юқори қувватли диодларга бўлинади. 1. I туг < 300 Ма-кичик-қувватли; 2. I туг < 300 Ма < 10а-ўрта қувватли;

3. I туг > 10а-катта қувватли;  Юқори частотали тўғрилагич диодлар частотаси f =150 Мгц бўлган сигналларни детекторлаш ва тўғрилашда фойдаланилади. Бу турдаги диодлар германий элементидан тайёрланади ва нуқтавий диод деб юритилади, сиғим кичик бўлгани учун улардан юқори частотали сигналларни тўғрилашда ишлатилади. Ўзаро кантактлашиш жойи нуқтавий бўлганлиги учун қувват 1,5-3,0 Вт бўлади. Ток қиймати сал ошса кристалл нуқтаси қизиб кетиб диод ишдан чиқади. Компьюторларда асосан импульс диодлар ишлатилади. Уларнинг асосий вазифаси ток йўналишини бир лаҳзада (микросекунд, наносекунд) ўзгаришини таъминлайди. Импульс диодлар махсус материаллардан тайёрланади ва юқори техналогик ишлов берилади. Импульсли диодлар германий ва кремний элементидан тайёрланади ва Д18 ва Д219 сонлар билан белгиланади. Ярим ўтказгичли тўғрилагич импульсли диодлар қўйидаги параметрлар билан тавсифланади. в) Электрик параметрларини ўзгартирувчи диодлар. Бу турдаги диодлар P - N ўтиш ва ярим ўтказгич металл контактининг чизиқли бўлмаган волть-ампер тавсифига эга бўлишига асосланган. Параметрларни

ўзгартирувчи диодлар қандай мақсадларга қўлланилишига қараб, частотани силжитувчи, кўпайтирувчи ва модуляцияловчи диодларга ажралади.  Частотани силжитувчи диодлар бир-бирига яқин частотали сигналларни аралаштириб ва талаб этилган частотани олиш учун ишлатилади.  Кўпайтирувчи диодлар эса берилган сигналларни ҳар хил сигналларга айлантиради.  Модуляцияловчи диодлар ёрдамида кириб келаётган сигналларни амплитуда қиймати ўзгариши учун ишлатилади. с) Стабилитронлар. Бундай турдаги диодлар ёрдамида қиймати ўзгариб турадиган ўзгармас кучланишни тўғрилаш яъни мувозанатлашда фойдаланилади. Стабилитронларнинг энг оддий чизмаси билан танишамиз. (1-расм). Тушунча берамиз! Агар 1-1 кириш жойида U (в) кучланиш ортса, стабилитрондаги кучланиш кескин ошади, ички қаршилик камаяди. Натижада R - қаршиликдаги потенциал тушуви ортиб, R т -қаршиликдаги потенциал тушуви ўзгармай қолади. 2-2 чиқишда мувозанатлашган кучланиш олинади. Стабилитроннинг асосий параметрлари: 1. Мувозанатга келган кучланиш – U мув ;

2. Динамик қаршилик ; dt dU Rдин  3. Статик қаршилик ;I U Rстат  4. Ночизиқли коэффициент ; дин стат R R   5. Мувозанатлашган кучланишдаги температура коэффициенти ; dT dU Uмув   1  Стабилитронни динамик қаршилиги диоддан ўтаётган токнинг ўзгариши билан мувозанатлашган кучланишни ўзгаришини тавсифини беради.  Динамик қаршилик қанча кичик бўлса, кучланишни мувозанатлаш шунча яхши бўлади.  Статик қаршилик эса диоднинг ўзида юқотиладиган қувватни аниқлайди.  Ночизиқли коэффициент диоддаги токнинг нисбий ўзгаришини мувозанатлашган кучланишнинг нисбий ўзгаришига бўлган нисбати билан ўлчанади. Мувозанатлашган кучланишнинг ўзгариши қанча кичик бўлса, яъни  қанча катта бўлса, стабилитрон шунча яхши ишлайди. Замонавий стабилитронлар кремний қотишмаларидан тайёрланади ва 200 30    ва ундан юқори қийматларга эгадир. d ) Варикаплар. P - N ўтиш жараёнида электр сиғими мавжуд. Демак P - N ўтишга мослашган ҳар қандай ярим ўтказгичли диодни электр сиғимини бошқариш мумкин. Чунки P - N ўтишдаги электр сиғими берилган ташқи кучланишга кучли боғлангандир. Кучланишни ўзгартириш йўли билан электр сиғимини ўзгартирувчи P - N турдаги махсус тайёрланган ярим ўтказгичлар ''Варикаплар'' номи билан юритилади. Варикапларда P - N ўтишнинг тескари кучланиш '' U тес '' берилганда электр сиғим (актив сиғим)дан фойдаланилади.

Қўйидаги 2-расмда варикапнинг чизмаси келтирилгандир. Тушунча берамиз!!! Варикапнинг асосий параметрларидан бири, унинг ишончлилигидир. Паст частоталарда диоднинг R к/к қаршилигини ҳисобга олмасак ҳам бўлади. У ҳолда варикапнинг ишончлилиги N P N P R wC Q     (1) бу ерда w - айланиш частотаси. Юқори частоталардан эса P - N ўтишнинг қаршилигини ҳисобга олмасак ҳам бўлади. Лекин диоднинг R к/к қаршилигини ҳисобга олиш зарур бўлиб, бунда ишончлилик – '' Q '' тенг. кк NP R C w Q /     1 (2) бўлади. (1) ва (2) ифодалардан кўринадики варикапнинг ишончлилиги паст частоталарга тескари пропорционал экан. Пастдаги жадвалга варикапнинг ишончлилиги частотага боғлиқ эканлиги кўрсатилгандир (3- расм). Паст частоталарда ишлайдиган варикаплар кўпроқ ''кремний'' элементидан тайёрланади. Юқори частоталарда ишлайдиган варикаплар кўпроқ ''германий'' элементидан тайёрланади. 1) Фотодиодлар ишлаш принципи ва аҳамияти.

Ярим ўтказгичли фотодиодлар ишлаш принципини ички фотоэффект ҳодисасига асосланган. Фотодиодлар сиртида ёруғлик тушгандан кейин ишлайди. Ярим ўтказгичларга нурланишнинг таъсирини ўрганиш фақат фотоэлектрик асбобларни тайёрлашга имкон туғдирмасдан, балки ярим ўтказгичларнинг хоссаларини аниқлашда ҳам алоҳида ўрин тўтади. Хақикатдан ҳам, ярим ўтказгичларнинг хоссаларини ҳарактерловчи қатор параметрлар заряд ташувчиларнинг яшаш даври, ман қилинган зонанинг кенглиги, квант чиқариши каби фотоэлектрик ҳодисаларни ўрганиш натижасида аниқланади. Ҳозирги замон муаммоларидан бири жуда катта миқдордаги қуёш радиация энергиясидан самарали фойдаланиш масаласидир. Қуёш радиациясининг қисқа тўлқинли қисми, асосан Ер атмосферасида ютилиб қолади. Ер сиртига у зун тўлқинли қисми етиб келади. Қуёш энергиясидан фойдаланишнинг жуда ҳам кўп усуллари мавжуд бўлиб, бўлардан энг эффективроғи – нурланиш энергиясини бошқа кўринишдаги энергияга айлантиришда фойдали иш коэффециенти энг катта бўлган қурилма ярим ўтказгичли қуёш батареяси бўлиб ҳисобланади. Уларни таркибини фотодиодлар, фотоэлементлар ташкил этади. 2) Фотодиодлар ёки фотоэлементлар хусусиятларига таъсир қилувчи параметрлардан бири – ман қилинган зонанинг кенглиги Е д ни билиш керак. Ана шу зона тушган қуёш энергиясини – электр энергияга айлантириб беради. Маълумки электрон – тешик жуфтини ҳосил қилиш учун энергияни

Е д га тенг ёки ундан анча катта бўлган фотон ютилиши керак, яъни; шартларга мувофиқ; фотодиод 1 шарт: дE h   Фойдаланиш мумкин! 2 шарт: дE h   Фойдаланиб бўлмайди! бунда Е д дан кичик бўлган энергияли фотонлар валентлик зонасидан ўтказувчанлик зонасига электрон чиқара олмайди. Бу 2-шартга қараганда Е д кичик бўлган фотодиодни танлаб олиш мақсадга мувофиқ эмас, чунки Е д кичиклаша борса, фотоннинг ортиқча энергияси иссиқликка айланиши натижасида эффективлик камая боради. Фотодиоднинг қалинлиги '' d '' деб олайлик (4-расм). Ёруғлик таъсирида электрон – тешик жуфти (хусусий ютилиш) генерацияланса, фотодиодда ҳосил бўлган ўтказувчанликнинг сиртидаги электр майдони учун ифода dx dn N n b b e kT E a x        ) ( 1 1 (1) бўлади. Бунда:    a p n N n U b акцепторлар концентрацияси. Биз бу ифодани олишда (1) дан ва квазианационар шарти n N P a  (2) дан фойдаланамиз. а) Фотодиоддаги акцепторлар концентрацияси жуда оз бўлсин, яъни aN n шарти бажарилсин. 3)

4-расм. Фотодиод сиртида тушган ёруғлик таъсири. Фотодиод сиртида ҳосил бўлган Е х электр майдони dx n dl b b e kT E n x       1 1 (3) Фотодиодга тушган ёруғлик энергияси hν ҳисобидан пайдо бўлган Э.Ю.К Е фд – қўйидагича ифодаланади. ) ( ) ( o n d n lп b b e kT Eфд       1 1 (4) в) Фотодиод сиртида тушаётган ёруғлик интенсивлиги катта бўлмасин, яъни n Na шарти бажарилсин. У ҳолда фотодиод сиртининг электр майдони dx dn N b e kT E a x     1 (5) тенг бўлади. Фотодиоднинг ҳосил қилган Э.Ю.К си  ) ( ) ( o n d n N b e kT E a фд      1 (6) Биз юқорида таҳлил қилган фотодиоднинг ишлаш принципига электр майдон ва Э.Ю.К жуда кичик бўлиб, ярим ўтказгичларнинг энергетик ҳолатидаги ман қилинган зона кенглиги Е д дан кичикдир. Кейинги йилларда фотодиодларни янги турлари жуда кўп кашф қилинмоқда. Улар асосан CdTe поликристалл плёнкада Е х =150 В атрофида фото Э.Ю.К олиш мумкинлиги исботланди. Қатор ўтказилган тажрибалар шуни кўрсатадики, ҳосил бўладиган фото Э.Ю.К поликристалл плёнканинг тайёрлашдаги қатор омилларга боғлиқ бўлар экан. Плёнкани вакуумда электр токини ўтказмайдиган таглик устида моддани буғлатиш йўли билан чанглатиб

олинади. Фотодиодлар тайёрлаш технологияси жуда мураккаб бўлганлиги учун ҳам, унинг ҳам ривожлантиришга аҳамияти беқиёсдир.

Адабиётлар: 1. Демирчян К.С. Теорическая электро техника. Москва, 1985 г. «Энергия», 1-2 часть. 2. Матханов И.Н. Основы анализа электрических церей. Москва, 1985 г., «Энергия». 3. Федоров А.А. Электроснабжения пром.предприятия. Москва, 1976 г. «Энергия». 4. Веников В.А. Математические задачи энергетики. Москва, «Высшая школа», 1980 г.

O'xshashlar

Тристорлар тавсифи, параметрлари, турлари ва ишлатиш соҳалари. Ярим ўтказгичли асбоблардаги шартли белгилар.

Элекроэнергетик тизимнинг асосий элементлари ва уларнинг ишлаш принципи

Биполяр транзисторлар, уларнинг тузилиши, ишлаш принципи ва қўлланилиш соҳалари.

Импульс техникаси, уни шакли ва параметрлари.

Elektron asboblar. O’zgarmas va o’zgaruvchan tok zanjirlarida ishlatiladigan elektron voltmetrlar