logo
  1. Главная страница
  2. Презентации
  3. Физика
  4. Signallarning energiya spektri

Signallarning energiya spektri

Загружено в:

04.12.2023

Скачано:

0

Размер:

839.4345703125 KB
Скачать
Signallarning energiya spektri. Radiotexnikada ishlatiladigan signallar ancha murakkab tuzilishga ega. Bunday signallarni matematik tarzda tasvirlash qiyin. Shuning uchun signallarni tahlil qilish va ularni radiotexnika zanjirlari orqali o&#39;tkazish tartibini soddalashtirish uchun murakkab signallarni elementar funktsiyalar bilan tavsiflangan ideallashtirilgan matematik modellar to&#39;plamiga parchalanishini ta&#39;minlaydigan usul qo&#39;llaniladi.Davriy signallarning garmonik spektral tahlili trigonometrik funktsiyalarda - sinus va kosinuslarda Furye qatorida kengayishni o&#39;z ichiga oladi. Bu funktsiyalar chiziqli qurilmalar (faqat amplituda va faza o&#39;zgarishi) tomonidan konvertatsiya qilishda o&#39;z shaklini saqlab turadigan garmonik tebranishlarni tavsiflaydi, bu esa radiotexnika zanjirlarining xususiyatlarini tahlil qilish uchun tebranish tizimlari nazariyasidan foydalanish imkonini beradi.Furye qatori sifatida ifodalanishi mumkin.Amaliy dasturda Furye seriyasini yozishning boshqa shakli mavjud amplituda spektri qayerda; - fazali spektr. Furye seriyasining murakkab shakli Yuqoridagi formulalar davriy signalning spektral javobini olish uchun ishlatiladi. Davriy bo&#39;lmagan signalning spektrini olish uchun Furye transformatsiyasi qo&#39;llaniladi. Korrelyatsiya funktsiyasi. K orrelyatsiya funktsiyalari to&#39;lqin shakllarini va ularning bir-biriga o&#39;xshashlik darajasini integral miqdoriy baholash uchun ishlatiladi. Korrelyatsiya funksiyalari (ACF).   (korrelyatsiya funktsiyasi, CF). Cheklangan energiyaga ega deterministik signallarga nisbatan qo&#39;llanilganda, ACF signal shaklining miqdoriy integral xarakteristikasi bo&#39;lib, t vaqti bilan bir-biriga nisbatan siljigan s (t) signalining ikki nusxasi mahsulotining ajralmas qismidir:B s (t) = s (t) s (t + t) dt. (2.4.1) Ushbu ifodadan kelib chiqadigan bo&#39;lsak, ACF siljish qiymatining t o&#39;zgaruvchan qiymatiga qarab signal va uning nusxasining skalyar mahsulotidir. Shunga ko&#39;ra, ACF energiyaning jismoniy o&#39;lchamiga ega va t = 0 da ACF qiymati to&#39;g&#39;ridan-to&#39;g&#39;ri signal energiyasiga teng va maksimal mumkin bo&#39;lgan (signalning o&#39;zi bilan o&#39;zaro ta&#39;sir qilish burchagi kosinasi 1 ga teng):B s (0) = s (t) 2 dt = E s. ACF funksiyasi uzluksiz va hatto. Ikkinchisini (2.4.1) ifodadagi t = t-t o&#39;zgaruvchisini o&#39;zgartirish orqali osongina tekshirish mumkin:B s (t) = s (t) s (t-t) dt = s (t-t) s (t) dt = B s (-t). Paritetni hisobga olgan holda, ACF ning grafik tasviri odatda faqat t ning ijobiy qiymatlari uchun amalga oshiriladi. (2.4.1) ifodadagi + t belgisi t ning qiymatlari noldan oshgani sayin s (t + t) signalining nusxasi t o&#39;qi bo&#39;ylab chapga siljishini bildiradi. Amalda, signallar odatda 0-T dan argumentlarning ijobiy qiymatlari oralig&#39;ida ham belgilanadi, bu esa matematik operatsiyalar uchun kerak bo&#39;lganda intervalni nol qiymatlar bilan kengaytirish imkonini beradi. Hisob-kitoblarning ushbu chegaralarida signalning nusxasini argument o&#39;qi bo&#39;ylab chapga o&#39;tkazish qulayroqdir, ya&#39;ni. (2.4.1) ifodada s (t-t) funksiyasining qo‘llanilishi:B s (t) = s (t) s (t-t) dt. (2.4.1 &#34;).Cheklangan signallar uchun t siljishining qiymati ortishi bilan signalning uning nusxasi bilan vaqtinchalik qoplanishi kamayadi va shunga mos ravishda o&#39;zaro ta&#39;sir burchagi kosinusu va umuman skalyar mahsulot nolga moyil bo&#39;ladi Kotelikov teoremasi- ga koʻra uzluksiz analog signalni uzatish talab qilinsa signalning barcha qismini uzatish shart emas balki ma&#39;lum vaqt oralig&#39;idagi tasodifiy qiymatlarini uzatish kifoyadir.Qabul qiluvchi qism mana shu oniy qismlar bo&#39;yicha birlamchi analog signalni qayta tiklab oladi. Rezistorlar va kondansatorlar. Yupqa plenkali rezistorlar – eng ko‘p tarqalgan IMT elementlari hisoblanib, turli materiallardan tayyorlanishi mumkin: metallar va ular qorishmlaridan, metallar aralashmasi va yarim o‘tkazgichlardan, metallar aralashmasi va dielektrik metariallardan. Plenkani kvadrat qarshiligi 200 dan 600 Om/s gacha va sochiolish quvvatini taxminan 10 mVt/mm 2  ta ega bo‘lgan ko‘pincha xrom GOST 5905-67 bo‘yicha ishlatiladi. Bunda u vaqt bo‘yicha yetarli stabillashgan. Yupqa plenkali rezistorlarni himoyalangan dielektrikni zinapoyalari bo‘lmagan silliq yuzada joylashtiriladi. Rezistiv materiallarning asosiy parametrlari – bu rezistiv plenkani kvadratini solishtirma qarshiligi, qarshilikni haroratli koeffitsiyenti va yo‘l qo‘yiladigan sochilish quvvati.Kondensatorlar qoplamlari uchun eng yaxshi material bo‘lib alyuminiy hisoblanadi, ammo u taglikka yomon yopishadi. Kondensatorlar qoplamalari yuqori o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lishi kerak, korroziyaga chidamlik, taglik materiali va kondensatorning dielektriki bilan texnologik sig‘ishishiga ega bo‘lishi kerak: TKLR, TKLR ga yaqin tagliklarga va dielektrikka, taglikka va dielektrikka yaxshi yopishishi, yuqori mexanik mustahkamligi. Dielektrik materiali taglikka va qoplama materialiga yaxshi jipslashishi kerak, yuqori elektrik mustahkamlikka va kam yo‘qolishiga, ega bo‘lishi, plenkani shakllantirish jarayonida parchalanib ketmaslik. Plenkali kondensatorlarni tayrlashda kremniy monoachishmasi yoki germaniy monoachishmasini, eng texnologikli bo‘lgani uchun, qo‘llash tavsiya etiladi. GIS ni yaratishda solishtirma yuza qarshiligi P s (N0) har bir kvadratga 10 dan 10 ming Om gacha bo‘lgan rezistiv plyonkalar kerak bo‘ladi. Plyonka qarshiligi qancha kichik bo‘lsa, P s  shunchа yuqori bo‘ladi. Quvvat kuchaytirgichlar. Quvvat kuchaytirgichlari-kirirsh kuchlanishiga nisbatan chiqish voltajining minimal ozgarishi bilan iloji bo’lsa, kirish kuchini oshirish uchun mo’jallangan qurilmadir. Ya’ni, kuchaytirgichlar yukori  quvvqt olish qobilyatiga ega , omma chiqish voltaji o&#39;zgarishi yo&#39;ki o&#39;zgarmasligi mumkin. Kuchaytirgichlarning kuchaytirgich samaradorligi har doim 100% dan past. Shuning uchun quvvatni kuchaytirish bosqichlarida yuqori issiqlik tarqalishi kuzatiladi. Quvvat kuchaytirgichlari yuklar bo’ylab kata quvvat talab qiladigan qurilmalarda qollaniladi. Ko’p bosqichli kuchaytirgichlarda kuchaytirish amplifikatsiyasiyani-ning oxirgi bosqichlarida amalga oshiriladi. Ovaz kuchaytirgichlari va RF kuchaytirgichlari yukni etarli darajada etgazib berish uchun oxirgi bosqichda kuchaytirgichlardan foydalanadilar.Zamonaviy elektronikada, kuchaytirgichlarning aksaryati yarimo’tgazgichka asoslangan  komponentlar bilan qurilgan , ammo vakum trubkasi asosidagi kuchaytirgichlar aniqlik, chastotaga javob berish va chidamlilik asosiy talab bo’lgan muhitda ishlatiladi. Masalan, gitara kuchaytirgichlari sifat uchun klapanlardan foydalanadilar va harbiy texnik kuchli elektromagnit impluslarga qarshi chidamliligi uchun valflardan foydalanadilar.Radioelektron qurilmalarda ishlatilayotgan kuchaytirgich elementlari qanday bo‘lishidan qat’i nazar quvvat kuchay- tirgichlarning sxemasi bir taktli quvvat kuchaytirgich yoki ikki taktli quvvat kuchaytirgich sxemasida tuziladi. Quvvat kuchaytirgichlari qurilmalardagi kuchaytirish pog‘onasining so‘nggi bosqichidagi kuchaytirgich hisobla- nadi.  Shuning uchun ular   oxirgi kaskad  yoki  chiqish kaskadi  deb ataladi. Quvvat kuchaytirgichlarning asosiy vazifasi qurilmaning iste’molchisini eng katta va kerakli miqdordagi quvvatga ega bo‘lgan signal bilan ta’minlashdir. Shu sababli undan chiqqan signal bevosita iste’molchiga beriladi. Kuchaytirgichning chiqish qarshiligi biror usulda iste’molchining qarshiligiga moslanadi. Qarshiliklarni mos- lashtirish maqsadida, moslovchi kondensator yoki moslov- chi transformatorlar qo‘llanilishi mumkin. Transistorlarning asosiy parametrlariTranzistorlarni umumiy emitterli (a) umumiy bazali (b) va umumiy kollektorli (v) usulda aniqlanadi. Bipolyar tranzistorlar.  Bipolyar  tranzistorlarda , emitter baza va kollektor qatlamlari yahlit monokristallarda hosil qilingan bo`ladi (4-(a) rasmda). Bu qatlamlardagi erkin tok tashuvchilarning konsentrasiyasi va qatlamlarning qalinligi qat`iy qiymatlarga ega. 4-(b)  rasmda bipolyar tranzistorlarni zanjirga ulash sxemasi ko`rsatilgan. . a,b-bipolyar tranzistorlarni elektr zanjiriga ulash. Maydon tranzistorlari.  Ma`lumki tranzistorlar konstruktiv tuzilishiga qarab bipolyar va unipolyar tiplarga ajratadi.Maydon tranzistorlar unipolyar tranzistorlar qatoriga kiradi.Maydon tranzistorlarida ishchi tok yarim o`tkazgich uchun asosiy bo`lgan zaryad tashuvchilar (elektron yoki kovak) yordamida vujudga keladi. Bipolyar tranzistorlarda esa ishchi tokni hosil qilish har ikkala tip tok tashuvchilar ham katta rol o`ynaydi. P- n o`tishli maydon tranzistorlarini ulanish sxemasi 5-rasmda ko`rsatilgan. Proportional-integral mikrosxema. (IS, integral mikrosxema) — juda ixcham (mikrominiatyur) elektron qurilma. Elementlari (diodlar, tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar va b.) konstruktiv, texnologik va elektr jihatdan oʻzaro uzviy bogʻlangan (birlashtirilgan) va oʻta zich joylashtirilgan boʻladi. Uzluksiz yoki diskret (uzlukli) elektr va optik signallar tarzidagi axborotlarni qabul qilish, qayta ishlash uchun moʻljallanadi. I. s. quyidagi xillarga boʻlinadi: elementlarni birlashtirish (integratsiya) usuli boʻyicha — yaxlit (monolit) va gibrid (tarkibiy) (osma diskret elektron asboblarlan foydalanilgan) sxemalar; ishlov beriladigan signallarning xili boʻyicha — raqamli va analog sxemalar; IS dagi elementlar soni N (integratsiya darajasi) boʻyicha — kichik (N< 102)? oʻrta (N = 102 — — 103), katta {N= W— 104) va juda katta (N> 104) sxemalarga boʻlinadi. I. s. elektron hisoblash mashinalari, nazorat-oʻlchash apparatlari, aloqa texnikasi va b. sohalarda qoʻllaniladi. Maydonli tranzistorlar. Maydonili tranzistor  (MT) deb, tok kuchi qiymatini boshqarish ychun o‘tkazuvchi kanaldagi elektr o‘tkazuvchanligikni o‘zgartirish hisobiga elektr maydon o‘zgarishi bilan boshqariladigan yarim o‘tkazgichli aktiv asbobga aytiladi.Maydoniy tranzistorlar turli elektr signallar va quvvatni kuchaytirish uchun mo‘ljallangan. Maydoniy tranzistorlarda bipolyar tranzistorlardan farqli ravishda tok tashkil bo‘lishida faqat bir turdagi zaryad tashuvchilar ishtirok etadi: yoki elektronlar, yoki kovaklar. Shuning uchun ular yana  unipolyar  tranzistorlar deb ham ataladi.Maydoniy tranzistorlarning tuzilishi va kanal o‘tkazuvchanligiga ko‘ra ikki turi mavjud: p –n  o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor hamda metall – dielektrik – yarim o‘tkazgichli (MDYa) tuzilishga ega bo‘lgan zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar. Ular MDYa- tranzistorlar deb ham ataladilar. Teskari aloqaning qo’llanilish -  eshitganga,  o’qiganga  yoki  ko’rganga  tan  aks  ta&#39;sir  yoki  ta&#39;sirlanish  tayanchi.  Bunda  mazkur  axborotni  olgan  shaxs  shu  axborotga  bo’lgan  munosabatini,  tushunganligi  yoki  to’liq  tushunmaganligini,  qo’llab-quvvatlashi  yoki  inkor  etishini  shu  axborotni  yuborgan  shaxsga  bildiradi.  Bunday  aloqa  har  ikkala  tomonning bir-birini qanchalik tushunganini bilish uchun zarur.  Rahbar  berilgan  topshiriq  yoki  aytilgan  so’z  har  doim  bo’ysinuvchilar  tomonidan  birdek  qabul  qilinadi,  deb  o’ylamasligi  kerak.  Bunday  xato  fikrga  boruvchi  rahbar  o’zini  real  voqelikdan  uzoqlashtiradi.  Teskari  aloqani  samarali  o’rnatmagan rahbarning boshqaruv faoliyati zaiflashadi va inqirozga yuz tutadi.  Shov-shuv  axborot  almashuv  jarayonida  salbiy  ta&#39;sir  ko’rsatuvchi  unsurlardan  hisoblanadi.  Axborotlarni  uzatish  nazariyasi  tili  bilan  aytganda  shov-shuv  -  bu  g’oyani buzib talqin qilishda namoyon bo’ladi. Aytilgan so’zdan tortib, to uni qabul  qilingungacha  bo’lgan  masofadagi  turli  to’siqlar,  shov-shuvlar  axborotni  kodlashtirish  va  dekodlashtirish,  shuningdek  rahbar  bilan  bo’yisnuvchi  o’rtasidagi  aloqa jarayoniga katta ta&#39;sir o’tkazishi mumkin.  Shu sababli shov-shuvni ham e&#39;tiborsiz qoldirish mumkin emas.     Integral mikrosxemalar Integral mikrosxema (IMS)  elektr jihatdan o’zaro bog’langan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar,  rezistorlar , kondensatorlar va boshqalar) majmui bo’lib, yagona texnologik siklda bajariladi, yani bir vatqning o’zida yagona konstruktsiya (asos)da ma’lum axborotni qayta ishlash funktsiyasini bajaradi.IMSlarning asosiy xossasi shundaki, umurakkab funktsiyalarni bajarish  bilan birga kuchaytirgich , trigger, hisoblagich, xotira qurilmasi va boshqa funktsiyalarni ham bajaradi. Xuddi shu funktsiyalarni bajarish uchun diskret elementlardamos keluvchi sxemani yig’ish talab qilinardi. IMSlar uchun ikki asosiy belgi mavjud:  konstruktiv  va  texnologik . Konstruktiv belgisi shundaki, IMSning barcha elementlari asosiy asos  ichida yoki sirtida joylashadi , elektr jihatdan birlashtirilgan va yagona qobiqga joylashtirilgan bo’lib, yagona hisoblanadi. IMS elementlarining hammasi yoki bir qismi va elementlararo bog’lanishlar yagona texnologik siklda bajariladi. Shu sababli integral mirosxemalar yuqori ishonchlilikka va kichik tannarhga ega. Hozirgi kunda yasalish turi va hosil bo’ladigan tuzilmaga ko’ra IMSlarning uchta prinsipial turi mavjud:  yarim o’tkazgichli, pardali  va  gibrid . Har bir IMS turi konstruktsiyasi, mikrosxema tarkibiga kiradigan element va komponentlar sonini ifodalovchi integratsiya darajasi bilan xarakterlanadi. Doimiy tokkuchaytirgichlarida nol dreyf. Oʻzgaruvchan tok  — tok kuchi (kuch lanish) va yoʻnalishi vaqt oʻtishi bilan davriy ravishda oʻzgaradigan elektr toki; keng maʼnoda — vaqt boʻyicha oʻzgaradigan har qanday elektr toki. Oʻzgaruvchan tokni oʻzgartirish, mas, uzoq masofaga uzatish, toʻgʻrilash, chastotasini oʻzgartirish kabi amallarning bajarilishi nisbatan oddiyligi uning afzalligi hisoblanadi. Asosiy koʻrsatkichlari: chastotasi va tok kuchining taʼsir etuvchi qiymati. Sanoatda foydalaniladigan oʻzgaruvchan elektr tarmoqlarida tok kuchi va kuchlanish garmonik tarzda 50 Gs chastota bilan oʻzgaradi. Zanjir uchlaridagi oʻzgaruvchan kuchlanishni elektr styalardagi generatorlar vujudga keltiradi. Tok kuchining taʼsir etuvchi qiymati deganda maʼlum vaqt ichida oʻtkazgichdan Oʻzgaruvchan tok oʻtganda ajraladigan issiqlik miqdoriga teng issiqlik ajratadigan tok kuchi tushuniladi. Tok kuchi va kuchlanishning taʼsir etuvchi qiymatlari Oʻzgaruvchan tok zanjiriga ulangan ampermetr va voltmetr bilan oʻlchanadi. Rezonans kuchaytirgichlar. Rezonans  (lot. resono — akssado beraman, javob beraman) — tebranish (elektr, mexanik) konturida majburiy tebranish amplitudasi eng yuqori (maksimum) qiymatga yetganda sodir boʻladigan hodisa. Mac, tizimning barcha parametrlari oʻzgarmas va bu tizim xususiy tebranish chastotasi tashqi kuch davri sinusoidal boʻlsa, yaʼni tizim xususiy tebranish chastotasi tashqi kuch chastotasiga mos kelsa, R. hodisasi roʻy beradi. R.ning foydali va zararli tomonlari bor (Mas, radiotexnikada foydali boʻlsa, inshootlarda zararli). R. fizikada koʻp uchraydi (toʻlqinlar R.si, kuchlanish R.si, toklar R.si). Tebranish konturida tok kuchi faza jihatdan tashqi elektr yurituvchi kuchga teng kelib qolgan hollarda ham R. roʻy beradi. R. aksariyat tabiatda kuzatiladi. Barcha inshootlar, binolar va mashinalar oʻz xususiy tebranishlariga ega. Shuning uchun tabiatda yuz beradigan davriy tashqi taʼsirlar ularda R.ni paydo kilishi mumkin. Mas, koʻprik ustidan poyezd oʻtganda yuz beradigan davriy zarb (silkinish) kuchlari taʼsirida R. paydo boʻladi. R. hodisasi koʻprik, poydevor, mashinalarga zararli taʼsir qiladi, hatto ularni buzib yuborishi ham mumkin. Shuning uchun R.ga qarshi maxsus tadbirlar koʻriladi, zarblarni yumshatkichlar, amortizatorlardan foydalaniladi. Radiotexnikada R. radiostansiyaning bir xil (zarur) signallarini boshqa (xalaqit) signallaridan ajratib olishga imkon beradi Kuchaytirgichni avtomatik boshqarish. Har qanday avtomatik boshqarish sistemasi (ABS) ikkita asosiy qismdan iborat bo&#39;lib, ular boshqarish obyekti va boshqarish qurilmasi deyiladi. Umumiy holda, boshqarish obyekti sifatida tirik organizmlar, insonlar jamoasi, sanoat korxonalari, alohida sexlar, agregatlar va boshqalar bo&#39;lishi mumkin. Ushbu kursda faqat texnik obyektlar ko‘rib chiqiladi va shuning uchun boshqarish obyekti deganda boshqarilishi lozim bo‘lgan jarayonni amalga oshiradigan texnik qurilmalar tushuniladi. Obyekt sifatida soddaroq bo‘lgan boshqarish sistemasi ham ko‘rib chiqilishi mumkin. Obyekt holati, uning ishlash rejimi tashqi muhitning obyektga va boshqarish qurilmasiga ta’sirini hamda obyektning o‘zida yuz beruvchi jarayonni xarakterlovchi qator fizik kattaliklar bilan aniqlanadi. Ulardan ba’zilari ish jarayonida o&#39;lchanadi va nazorat qilinadigan kattaliklar deyiladi, boshqalari esa o&#39;lchanmaydi va nazorat qilinmaydigan kattaliklar deyiladi, lekin ular obyekt ishlashiga ta’sir ko‘rsatadi [ 1 — 4, 8]. Obyektga boshqarish qurilmasi orqali ishlab chiqilgan yoki inson tomonidan beriladigan ta’sir boshqaruvchi ta’sir (kattalik) deyiladi, boshqarish sistemasiga bog&#39;liq bo‘lmagan ta&#39;sirlar toydiruvchilar deyiladi. Toydiruvchi ta’sirlami ikkita turga bo‘lish mumkin: yuklama va xalaqitlar. Yuklama odatda obyektning boshqa o‘zgaruvchan parametrlariga, vaqtga, obyektning ish jarayoni va texnologik protsess bilan bogiiq boiadi va uni bartaraf qilib boimaydi. Xalaqitlar kutilmagan hodisalar bilan bogiiq boiadi va ulaming har qanday kamayishi obyekt ishini yaxshilaydi. Tunnel diod generatori. Tunnel diodlar ko‘p miqdorda aralashmali yarim o‘tkazgichlardan tayyorlanadi (yaratilgan yarim o‘tkazgichlar). Yaratilgan yarim o‘tkazgichlar asosida bajarilgan  n-p  o‘tishni volt-amperli tavsifi manfiy qarshilikli hududga ega bo‘lib, bunda kuchlanish ko‘payganda oqib o‘tadigan tok kamayadi. Manfiy qarshilikka ega bo‘lgan element, elektr energiyani talab qilmaydi, uni zanjirga beradi, ya’ni zanjirning faol elementi hisoblanadi.Volt-amperli tavsifining tushib ketuvchi qismi bo‘lgani uchun tunnel diodlarni generatorlar va keng diapazon chastotali shu jumladan SVCH (o‘ta yuqori chastotali), elektr tebranishlarni kuchaytirgichlari sifatida va yuqori tezlikli qayta ulashlar sifatida ishlatishga imkon yaratadi.Tunnel  diodlar   yaratilgan yarim o‘tkazgichlardan, asosan, germaniy, kremniy va galliy arseniddan tayyorlanadi. Potensial to‘siq orasidan tashuvchilarni tunnel o‘tishi uchun  n-p  o‘tish tor va keskin bo‘lgani sababli, tunnel diodlarning  n-p  o‘tishlari eritib quyish usuli bilan tayyorlanadi. Bundan tashqari, yaratilgan qatlamlarni epitaksial qo‘shib  borish usuli   qo‘llaniladi, bu shuningdek keskin o‘tishlarni olishga yordam beradi. Sig‘imni kamaytirish uchun (demak, manfiy qarshilik bilan faol element sifatida ishlashi mumkin bo‘lgan tunel diodni yuqori  chegaraviy   chastotasini oshirish uchun)  p-n  o‘tishlarni kichik maydonini olish usuli qo‘llaniladi. E’tiboringiz uchun rahmat

Похожие

Signallarning energiya spektri. Korrelyatsiya fuksiyasi
Elektronika va signallarni qayta ishlash fani uchun umumiy taqdimoti
“Elektronika va signallarni qayta ishlash” fani uchun umumiy taqdimoti
Elektrotexnika va signallarni qayta ishlash fani uchun umumiy taqdimot
Energiya turlari va manbalari