p-n o’tish xususiyatlari - Физика - Рефераты

p-n o’tish xususiyatlari

Загружено в:

26.08.2023

Скачано:

0

Размер:

51.9580078125 KB

p-n o’tish xususiyatlari Reja: 1. Yarim o‘tkazgichli asboblar. 2. P-n o‘tishning volt – amper xarakteristikasi 3. p-n o‘tishning to‘yinish tok

1. Yarim o‘tkazgichli asboblar. Yarim o‘tkazgichli asboblarning ko‘pchiligi bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgichlardan tayyorlanadi. Xususiy xolatda bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgich bir sohasi p –turdagi, ikkinchisi esa n -turdagi monokristaldan tashkil topadi. Bunday bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgichning p va n – sohalarining ajralish chegarasida hajmiy zaryad qatlami hosil bo‘ladi, bu sohalar chegarasida ichki elektr maydoni yuzaga keladi va bu qatlam elektron – kovak o‘tish yoki p-n o‘tish deb ataladi. Ko‘p sonli yarim o‘tkazgichli asboblar va integral mikrosxemalarning ishlash printsipi p-n o‘tish xossalariga asoslangan. P-n o‘tish hosil bo‘lish mexanizmini ko‘rib chiqamiz. Soddalik uchun, n – sohadagi elektronlar va p – sohadagi kovaklar sonini teng olamiz. Bundan tashqari, har bir sohada uncha katta bo‘lmagan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar miqdori mavjud. Xona temperaturasida p –turdagi yarim o‘tkazgichda akseptor manfiy ionlarining kontsentratsiyasi N a kovaklar kontsentratsiyasi p r ga, n –turdagi yarim o‘tkazgichda donor musbat ionlarining kontsentratsiyasi N d elektronlar kontsentratsiyasi n n ga teng bo‘ladi. Demak, p - va n –sohalar o‘rtasida elektronlar va kovaklar kontsentratsiyasida sezilarli farq mavjudligi tufayli, bu sohalar birlashtirilganda elektronlarning p –sohaga, kovaklarning esa n -sohaga diffuziyasi boshlanadi. Diffuziya natijasida n – soha chegarasida elektronlar kontsentratsiyasi musbat donor ionlari kontsentratsiyasidan kam bo‘ladi va bu soha musbat zaryadlana

boshlaydi. Bir vaqtning o‘zida p -soha chegarasidagi kovaklar kontsentratsiyasi kamayib boradi va u aktseptor kiritmasi bilan kompensatsiyalangan ion zaryadlari hisobiga manfiy zaryadlana boshlaydi (1a–rasm). Musbat va manfiy ishorali aylanalar mos ravishda donor va akseptor ionlarini tasvirlaydi. Hosil bo‘lgan ikki hajmiy zaryad qatlami p-n o‘tish deb ataladi. Bu qatlam harakatchan zaryad tashuvchilar bilan kambag‘allashtirilgan. Shuning uchun uning solishtirma qarshiligi p- va n –soha qarshiliklariga nisbatan juda katta. Ba’zi adabiyotlarda bu qatlam kambag‘allashgan yoki i – soha deb ataladi. Hajmiy zaryadlar turli ishoralarga ega bo‘ladilar va p-n o‘tishda kuchlanganligiE ga teng bo‘lgan elektr maydon hosil qiladilar. Asosiy zaryad tashuvchilar uchun bu maydon tormozlovchi bo‘lib ta’sir ko‘rsatadi va ularni p-n o‘tish bo‘ylab erkin harakat qilishlariga qarshilik ko‘rsatadi. 1 b -rasmda o‘tish yuzasiga perpendikulyar bo‘lgan, X o‘qi bo‘ylab potentsial o‘zgarishi ko‘rsatilgan. Bu vaqtda nol potentsial sifatida chegaraviy soha potentsiali qabul qilingan.

1-rasm Rasmdan ko‘rinib turibdiki, p-n o‘tishda voltlarda ifodalanadigan kontakt potensiallar farqiga U K  n   p teng bo‘lgan potentsial to‘siq yuzaga keladi. U K kattaligi dastlabki yarim o‘tkazgich material ta’qiqlangan zona kengligi va kiritma kontsentratsiyasiga bog‘liq bo‘ladi. p-n o‘tish kontakt potensiallar farqi:

germaniy uchun U K  0,35 V, kremniy uchun esa = 0,7 V. P-n o‘tish kengligi l 0 UK ga proportsional bo‘ladi va mkmning o‘nlik yoki birlik qismlarini tashkil etadi. Tor p-n o‘tish hosil qilish uchun katta kiritma kontsentartsiyasi kiritiladi, l 0 ni kattalashtirish uchun esa kichik kiritmalar kontsentratsiyasi qo‘llaniladi. 2. P-n o‘tishning volt – amper xarakteristikasi (VAX) P-n o‘tish tokining unga berilayotgan kuchlanishga bog‘liqligi I=f(U) volt– amper xarakteristika (VAX) deyiladi. Agar p-n o‘tishga to‘g‘ri kuchlanish berilgan bo‘lsa, U 0 kuchlanish ishorasi – musbat, teskari kuchlanish berilgan bo‘lsa esa - manfiy bo‘ladi. U TUG  0,1 V bo‘lsa eksponentsial songa nisbatan birni hisobga olmasa ham bo‘ladi va kuchlanish ortishi bilan tok ham eksponentsial ortib boradi. Teskari kuchlanish berilganda esa -0,2 V kuchlanish qiymatida tok I 0 qiymatiga yetib keladi va keyinchalik kuchlanish qiymati o‘zgarmaydi. I 0 kattaligi shu sababli teskari ulangan p-n o‘tishning to‘yinish toki deb ham ataladi. 3. p-n o‘tishning to‘yinish tok

Teskari tok to‘g‘ri tokka nisbatan bir necha darajaga kichik, ya’ni p-n o‘tish to‘g‘ri yo‘nalishda tokni yaxshi o‘tkazadi, teskari yo‘nalishda esa yomon. a) b) 2- rasm Demak, p-n o‘tish to‘g‘rilovchi harakat bilan xarakterlanadi va uni o‘zgaruvchi tokni to‘g‘rilashda qo‘llashga imkon beradi. Eksponentsial tashkil etuvchie qU0 / kT te m pera t ura o r t is hi b i l an ka m a y i shi ga qaramay VAX to‘g‘ri shaxobchasidagi qiyalik ortadi (2. b -rasm). Bu hodisa I 0 ni temperaturaga kuchli to‘g‘ri bog‘liqligi bilan tushuntiriladi. To‘g‘ri kuchlanish berilganda temperatura ortishi bilan tok ortishiga olib keladi. Amaliyotda p-n o‘tish VAXga temperaturaning bog‘liqligi kuchlanishning temperatura koeffitsienti (KTK) deb ataladigan kattalik bilan baholanadi. KTKni aniqlash uchun temperaturani

o‘zgartirib borib, o‘zgarmas tokdagi p-n o‘tish kuchlanishini o‘zgarishi o‘lchab boriladi. Odatda KTK manfiy ishoraga ega, ya’ni temperatura ortishi bilan o‘tishdagi kuchlanish kamayadi. Kremniydan yasalgan p-n o‘tish uchun KTK 3 mV/grad darajani tashkil etadi. (1) ifoda ideallashtirilgan p-n o‘tish VAX sini ifodalaydi. Bunday o‘tishda r va n -sohalarning hajmiy qarshiligi nolga teng va tok o‘tish vaqtida p-n o‘tishda rekombinatsiya jarayoni sodir bo‘lmaydi deb hisoblanadi. Real o‘tishda esa baza qarshiligi o‘nlab Omga teng bo‘ladi. Shu sababli (2) ifodaga p-n o‘tishdagi va tashqi kuchlanish U 0 orasidagi farqni hisobga oluvchi o‘zgartirish kiritiladi

Похожие

Элементар зарралар ва уларнинг асосий хусусиятлари электрон (е). Протон(p). Нейтрон (n).Нейтрино (n). Позитрон (e+). Антимодда

Электрон – ковак ўтиш (р-n ўтиш)

Atom xususiyatlari

Yorug’likning korpuskulyar xususiyatlari

Mikrozarrachalarning to‘lqin xususiyatlari