logo
  1. Главная страница
  2. Рефераты
  3. Физика
  4. Fotoelektrik va elektrooptik signallarni o‘zgartirish asosidagi yarim o‘tkazuvchi elementlari

Fotoelektrik va elektrooptik signallarni o‘zgartirish asosidagi yarim o‘tkazuvchi elementlari

Загружено в:

20.09.2019

Скачано:

0

Размер:

292 KB
Скачать
Fotoelektrik va elektrooptik signallarni o‘zgartirish asosidagi yarim o‘tkazuvchi elementlari Reja: 1. Frotorezistorlar. 2. Fotorezistorlarning tavsiflari 3. Fotorezistorlarning parametrlari (ko‘rsatkichlari) 4. Fotorezistorlarni tayyorlash 5. Fotorezistorlarning qo‘llanishi. 6. Optik nurlashni qayd qilish 7. Yarim o‘tkazuvchi fotodetektor 8. Fotodiodlar 9. Fototranzistorlar 10. Maydon fototranzistorlari 11. Yorig‘lik diodlar Rasmda fotoelementning prinsipial sxemasi keltirilgan. rasm. Fotoelementning prinsipial sxemasi. Hozirgi zamon elektron texnikasida fotoelektrik va elektrooptik signallarni o‘zgartirish prinsiplariga asoslangan yarim o‘tkazuvchi asboblar keng qo‘llaniladi. Bu prinsiplardan birinchisi unda yorug‘lik energiyasini (yorug‘lik kvantlari) yutish natijasida moddalarning elektrofizik xususiyatlarini o‘zgarishiga olib kelishi. Bunda moddaning o‘tkazuvchanligi o‘zgaradi yoki elektr yurutuvchi kuch (EYUK) paydo bo‘ladi, bu esa foto sezgirlik element ulangan zanjirdagi tokning o‘zgarishiga olib keladi. Ikkinchi prinsip moddada nurlanish generatsiyasi bilan bog‘liq bo‘lib, unga berilgan kuchlanish va yorug‘ilk chiqaruvchi element orqali oqadigan tok bilan belgilangan. Ko‘rsatilgan prinsiplar optoelektronikani ilmiy asoslarini tashkil qiladi – bu yangi ilmiy-texnik yo‘nalish bo‘lib, bunda ma’lumotlarni uzatish, qayta ishlash va saqlash uchun ham elektrik, ham optik vositalar va usullar ishlatiladi. Yarim o‘tkazgichlardagi barcha ko‘p turli optik va fotoelektrik hodisalarni quyidagi asosiylarga keltirsa bo‘ladi: - yorug‘likni yutish va foto o‘tkazuvchanlik; - n-p o‘tishdagi foto samara; - elektrolyuminessensiya; - stimullangan kogerent nurlanish. Foto o‘tkazuvchanlik hodisasi deb elektromagnit nurlanish ta’sirida yarim o‘tkazuvchini elektr o‘tkazuvchanligini oshirish deyiladi. Yarim o‘tkazuvchiga yorug‘lik berilganida valentli zonasidan o‘tkazuvchanlik zonasiga elektronlarni tashlash hisobiga unda elektron – teshikli juftlarni generatsiyasi bo‘lib o‘tadi. Buning natijasida yarim o‘tkazuvchini o‘tkazuvchanligi quyidagi miqdorga ko‘payadi: ∆ δ = Y e (M e ∆n i + M t D p i ), (1) bunda – Y e – elektron zaryadi; M e -elektronlar harakatchanligi; M t -teshiklar harakatchanligi; ∆n i -generatsiyalangan elektronlar- ning konsentratsiyasi; ∆r i - generatsiyalangan teshiklarni konsentratsiyasi. Yarimo‘tkazuvchida yorug‘lik energiyani yutishini asosiy sababi bo‘lib elektronlarni valentli zonadan o‘tkazuvchanlik zonasiga o‘tkazishi bo‘lsa, ya’ni zonalararo o‘tish, unda fotonning yorug‘lik kvantini energiyasi quyidagi shartga qondirishili kerak: hV kp ≥ ∆W, (2) bunda h-plank doimiyligi; ∆W-yarimo‘tkazgichini taqiqlangan zonasini eni; V kp -elektromagnit nurlashni kritik chastotali (foto o‘tkazuvchanlikni qizil chegarasi). V<V kp chastotali nurlanish foto o‘tkazuvchanlikni keltirib chiqaraolamaydi, chunki bunday nurlanishni hv< D W kvant energiyasi elektronlarni valentli zonadan o‘tkazuvchanlik zonasiga o‘tkazish uchun yetarli emas. Agar hv> D W bo‘lsa, unda ortiq bo‘lgan taqiqlangan zonaning eniga nisbatan kvantlar energiyasini qismi kinetik energiya ko‘rinishida elektronlarga uzatiladi. Kritik chastota V kr to‘lqinning chegaralangan uzunligi to‘g‘ri keladi:  tr = S / M kr , (3) bunda s-yorug‘lik tezligi (3-108 м /s). chegaralangandan katta bo‘lgan to‘lqin uzunliklarida foto o‘tkazuvchanlik keskin pasayadi. Masalan, (binobarin) germaniy uchun cheklangan to‘lqin uzunligi taxminan 1.8 mkm tashkil etadi. Biroq foto o‘tkazuvchanlikni pasayishi to‘lqin uzunligining kichik miqdorlarida ham kuzatiladi. Buni chastota ko‘paygan sari energiya yutilishini tez oshib borishi va yarim o‘tkazuvchiga tushayotgan elektromagnit energiyani chuqurlikka kirib borishini kamayishi bilan tushuntirsa bo‘ladi. Yutilish yupqa yuza qatlamida bo‘ladi va shu yerda zaryad tashuvchilarning asosiy soni hosil bo‘ladi. Faqat yuzasida ortiqcha tashuvchilarning katta soni paydo bo‘lishi yarim o‘tkazuvchini hamma hajmida o‘tkazuvchanlikka kam akslantiradi, chunki yuzali rekombinatsiyani tezligi hajmidan katta va ichiga kirib boradigan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilari rekombinatsiya tezligini yarimo‘tkazuvchi hajmida ko‘paytiradi. Yarim o‘tkazuvchilarni foto o‘tkazuvchanligi infraqizil, ko‘rinadigan yoki taqiqlangan zona- ning eniga bog‘lik bo‘lib elektromagnit spektrning ultrabinafsha qismlarida uchrashi mumkin va u o‘z navbatida, yarimo‘tkazuvchini turiga, haroratiga, aralashmalar konsentratsiyasiga va elektr maydon kuchlanganligiga bog‘liq. Yarim o‘tkazgichda bo‘sh zaryad ta- shuchilarning paydo bo‘lishiga olib keluvchi yuqorida ko‘rilgan yorug‘likni yutadigan me- xanizm foto faollik deyiladi. Modomiki bunda o‘tkazuvchanlik o‘zgarar ekan, demak, yarim o‘tkazuvchini ichki qarshiligi, ko‘rsatilgan hodisa fotorezistiv effekti asosiy qo‘llanishi yorug‘likka sezgirli yarim o‘tkazuvchi asboblarda – fotorezistorlarda o‘z ifodasini topadi, ular zamonaviy oatoelektronika va fotoelektron avtomatikada keng qo‘llaniladi. Frotorezistorlar. Fotorezistorning ulanish sxemasi va konstruksiyasi. Qorong‘i va yorug‘li tok. 22-rasm mono 23-rasm. Plenkali kristalli fotorezistor fotorezistor Yorug‘lik ta’sirida o‘tkazuvchanligi o‘zgaradigan yarim o‘tkazgichli asboblar fotorezistorlar deyiladi. Monokristalli va plenkali fotorezistorlar konstruksiyalari 22, 23 rasmlarda ko‘rsatilgan. Fotorezistorning asosiy elementi bo‘lib birinchi holatda monokristall hisoblanadi, ikkinchisida esa – yarimo‘tkazuvchi materialning yupqa plenkasi. Agar fotorezistor kuchlanish manba bilan ketma-ket ulanib yoritilmagan bo‘lsa, Bunda uning zanjirida qorong‘i toki oqa boshlaydi. I k = E\(RQ + R yu ), 24-rasm. Bunda YE-ta’minlovchi manbai EYuK; RQ-qorong‘ida fotorezistorning elektr qarshiligini miqdori, qorong‘ilik qarshiligi deb nomlanadi; R yu -yuklash qarshiligi. Fotorezistorni yoritganda fotonlar energiyasi elektronlarni o‘tkazuvchanlik zonasiga sarflanadi. Elektron teshikli juftlarni bo‘sh soni oshib boradi, fotorezistorning qarshiligi kamayadi va u orqali yorug‘lik toki oqa boshlaydi I yo = YE / (R e + R yu ). Yorug‘lik va qorong‘ilik tokini farqi (ayirmasi) If tokini miqdorini berib, fotokokning birlamchi o‘tkazuvchanligi degan nom olgan. If = I yo – IQ Nurli oqim kam bo‘lganda, o‘tkzuvchanlikni birlamchi fototoki amalda inersiyaga ega emas va fotorezistorga tushayotgan nurli oqimni miqdoriga to‘g‘ri proporsional o‘zgaradi, nurli oqim miqdori oshgan sari o‘tkazuvchanlikni elektronlar soni ko‘payib boradi. Imolddani ichida harakatlanib, elektronlarF If Rn atomlar bilan to‘qnashadi, ularni ionlashtiradi va zaryadlar-ning qo‘shimcha oqimini yaratadi bu esa o‘tkazuvchanlikni ikkilamchi fototoki degan nom olgan. Ionlashtirilgan atomlarn sonini ko‘paytirishi o‘tkazuvchanlik elektronlar harakatini to‘xtatadi. Buning natijasida fototokni o‘zgarishi yorug‘lik oqimini o‘zgarishiga nisbatan faqt bo‘yicha kechikadi, bu esa fotorezistorning ba’zi inersiyaligini bildiradi. Fotorezistorlarning tavsiflari Fotorezistorlarning asosiy tavsiflari quyidagicha: Volt-amperli bu fototokni (o‘zgarmas yorug‘lik oqimi bo‘lganida) yoki qorong‘ulik tokning berilgan kuchlanishga bog‘iqligini ifodalaydi. Fotorezistorlar uchun bu bog‘lama amalda chiziqli (25-rasm). 25-rasm 26-rasm. Fotorezistorda faqat yuqori kuchlanishlarda ko‘p holatarda OM qonuni buzuladi. Yorug‘likni (lyuks-amperli), - bu fototokni o‘zgarmas spektral tarkibli tushayotgan yorug‘lik oqimiga bog‘liqligini ifodalaydi. Yarim o‘tkazuvchi fotorezistorlar nochiziqli lyuksamperli tavsifga ega (26-rasm). Eng katta sezgirlik kam yoritilganlikda bo‘ladi. Bu fotorezistorlarni juda kichik jadallikdagi nurlanishlarni o‘lchashda qo‘llashga imkon yaratadi. Yoritilganlikni ko‘paytirganda yorug‘lik toki yoritilganlikni kvadrat ildiziga proporsional oshadi. Lyuksamperli tavsifini qiyaligi fotorezistorga berilgan kuchlanishga bog‘iq. Spektrli – bu ma’lum bir to‘lqin uzunlikdagi nurlash oqimini ta’sirida fotorezistorni sezgirligini ifodalaydi. Spektral tavsifi yorug‘likka sezgirli elementni tayyorlashda ishlatiladigan material bilan aniqlanadi. Oltingugurtli - qadimiyli fotorezistorlar ko‘rinish hududidagi spektorda yuqori sezgirlikka ega, selenli- kadmiylilar -qizilda, oltin gugurtli-qo‘rg‘oshinlilar esa – infraqizilda (27-rasm). 27-rasm. 28-rasm. Chastotaviy – bu unga yorug‘lik oqimi ta’sirida ma’lum bir chastota bilan o‘zgaradigan fotorezistorning sezgirligini ifodalaydi. Fotorezistorlarning inersiyaligi shunga olib keladiki, ularning fototokini miqdori ularga tushayotgan yorug‘lik oqimini chastotali modulyatsiyasiga bog‘liq - yorug‘lik oqimini chastotasi oshgan sari fototok kamayadi (28-rasm). Yuqori chastotali o‘zgaruvchan yorug‘lik oqimlari bilan ishlaganda inersiyaliligi fotorezistorlarni qo‘llash imkoniyatlarini cheklaydi. Fotorezistorlarning parametrlari (ko‘rsatkichlari) Fotorezistorlarning asosiy parametrlari: Ishchi kuchlanish U p – fotorezistorga berilgan o‘zgarmas kuchlanish bo‘lib, belgilangan ekspluatatsion sharoitlarda (odatda 1 В dan 1000 V gacha) uni uzoq vaqt ishlashida nominal parametrlari ta’minlanishi. Fotorezistorni maksimal joiz kuchlanishi U max – fotorezistorga berilgan o‘zgarmas kuchlanishni maksimal miqdori bo‘lib, bunda belgilangan ekspluatatsion sharoitlarda uzoq vaqt ishlaganda nominal miqdorlardan uning parametrlari og‘ishi ko‘rsatilgan chegaralardan oshmasligi. Qorong‘ilik qarshiligi RQ - spektral sezgirligi diapazonida unga tushadigan nurlanish bo‘lmaganidagi fotorezistorning qarshiligi (oddiy asboblarda 1000 dan 100 000 000 Om gacha o‘zgaradi). Yorug‘lik qarshiligi R yo – nurlash ta’siri boshlangandan keyin, yoritilganlik belgilangan miqdori yaratilib, ma’lum bir vaqt oraliqdan keyin o‘lchalgan fotorezistorning qarshiligi. Qarshilikni o‘zgarish karraliligi K r – fotorezistorning qorong‘ilik qarshiligini ma’lum bir darajada yoritganlik qarshiligiga nisbati (yorug‘lik qarshiligiga). Ruxsat etilgan sochilish quvvati – bu quvvat bo‘lib, fotorezistorning ekspluatatsiya jarayonida parametrlarini qaytarib bo‘lmaydigan o‘zgarishlar hozir bo‘lmaydi. Fotorezistorning umumiy toki – bu tok bo‘lib, qorong‘ilik tokdan va fototokdan iboratdir. Fototok – belgilangan spektral taqsimlanish bilan faqat nurlash oqimi ta’sirida ro‘yobga kelgan undagi ko‘rsatilgan kuchlanishda fotorezistor orqali oqadigan tok. Solishtirma sezgirlik – bu fototokni fotorezistorga yorug‘lik oqimi tashayotgan miqdorini unga berilgan kuchlanish ko‘paytmasini nisbati, mkA/(lm.V): К 0 = If / (F.U), Bu yerda If - qorong‘ilikda va ma’lum bir yoritilganlikda (200 lk) fotorezistorda oqayotgan toklar ayirmasiga teng fototok, mkA; f – tushayotgan yorug‘lik oqimi, lm; U-fotorezistorlarga berilgan kuchlanish, V. Integral sezgirlik – bu solishtirma sezgirlikni eng katta ishchi kuchlanishga ko‘paytmasi Sint = К 0 .Umax. Vaqt doimiyligi Lf – bu vaqt bo‘lib uning davomida fototok 63% o‘zgaradi, ya’ni YE marotaba. Vaqt doimiyligi asbobni inersiyaligini ta’riflaydi va uning chastotaviy tavsifini ko‘rinishga ta’sir ko‘rsatadi. Yorug‘likni yoqqanda va o‘chirganda fototok maksimumgacha ko‘tariladi va bir zumda minimumgacha tushmaydi (29-rasm). 29-rasm. Fototokning relaksatsiya egri chizig‘i. Vaqt bo‘yicha fototokni oshib borish va kamayish egri chiziqlarini davom etishi va xarakteri belgilangan materialda nomuvozanatlilarni rekombinatsiya mexanizmiga, shuningdek yorug‘lik miqdorining jadalligiga ayniqsa bog‘liq. Injeksiya darajasi kichik bo‘lganida vaqt bo‘yicha fototokni oshib borishi va kamayishini Yarim o‘tkazuvchida tashuvchilarni hayot vaqtiga teng doimiy vaqti L bilan eksponentlarni tasavvur qilish mumkin. Bunday holatda yorug‘lik yoqilganida fototok vaqt bo‘yicha oshib borishi va kamayishi qonun bo‘yicha bo‘ladi: if = If (1-Ye -V/g ); if = If Ye -t/t . Bu yerda If – yoritilganda fototokning diomiy miqdori. Vaqt bo‘yicha fototokni kamayish egri chiziqlaridan nomuvozanatli tashuvchilarni hayot vaqtini aniqlash mumkin. Fotorezistorlarni tayyorlash Fotorezistorlarn uchun materiallar sifatida turli elementlarning sufidlari, selenidlari va telluridlari keng ishlatiladi, shuningdek AIII Bv tipdagi birlashmalar. Infraqizil hududida PvS, PvSe, PvTe, InSv asosidagi fotorezistorlarni ishlatish mumkin, yorug‘lik ko‘rinishida va ultrabinafshaga yaqinidagi xududda – CdS. Fotorezistorlarning qo‘llanishi. Ohirgi yillarda fotorezistorlar fan va texnikaning ko‘p sohalarida keng qo‘llaniladi. Buni ularni yuqori darajada sezgirligi, oddiy konstruksiyada bo‘lishi, kichik o‘lchamlari va yo‘l qo‘yiladigan katta sochilish quvvatlari bo‘lgani uchun tushuntirsa bo‘ladi. Fotorezistorlarning optoelektronikada ishlatilishi katta qiziqish uyg‘otadi. Optik nurlashni qayd qilish Optik nurlashni qayd qilishda uni yorug‘lik energiyaisni odatda elektr signaliga o‘zgartirishadi, so‘ng oddiy usul bilan o‘lchashadi. Bunday o‘zgartirishda Odatda quyidagi fizik hodisalarni ishlatishadi: - qattiq jismli foto o‘tkazuvchi detektorlarda harakatlanuvchi tashuvchilarni generatsiyasi; - nurlashni yutganida termo EYUK ni o‘zgarishiga olib keladigan termojuftlikni haroratini o‘zgarishi; - foto elektrik effekt natijasida fotosezgirli plenkalardan bo‘sh elektronlarni emissiyasi. Quyidagi qurilmalar optik detektorlarni eng muhim tiplari hisoblanadi: - foto ko‘paytirgich; - yarimo‘tkazuvchanlik fotorezistor; - fotodiod; - ko‘kili fotodiod. Yarim o‘tkazuvchi fotodetektor Yarimo‘tkazuvchi fotodetektorni sxemasi 30-rasmda keltirilgan. 30-rasm Yarim o‘tkazuvchi kristall rezistor R bilan va o‘zgarmas kuchlanish V manbai bilan ketma-ket ulangan. Qayd qilinishi kerak bo‘lgan optik to‘lqin, kristallga tushadi va yutiladi, Bunda o‘takzuvchanlik zonasiga elektronlarni qo‘zg‘atadi (yoki r-tipdagi yarim o‘tkazuvchilarda – teshiklarni valentli zonaga). Bunday qo‘zg‘atish yarim o‘tkazuvchi kristallni qarshiligini Rd kamaytirishiga olib keladi, demak qarshilikda R kuchlanishni pasayishini ko‘paytirishga, u D R d / R d << 1 bo‘lganida tashayotgan oqim zichligiga proporsionaldir. Misol sifatida Eng ko‘p tarqalgan yarim o‘tkazuvchilardan birini, smon atomlari bilan legirlangan – germaniyni energetik darajalarini ko‘rib chiqamiz. Germaniydagi Nd atomlari 0,09 эВ ionzatsiyalash energiyasi bilan akseptorlar hisoblanadi. Demak, valentli zonaning yuqori darajasidan elektronni ko‘tarish uchun va N d (akseptor) atomi uni ushlab olishi uchun eng kamida 0.09 эВ energiyali foton kerak bo‘ladi (ya’ni to‘lqin uzunligi 14 mkm qisqaroq foton). Odatda germaniy kristalli soni ko‘p bo‘lmagan donorli Nd atomlarga ega bo‘lib past xaroratlarda o‘zining valentli elektronlarini katta sonli akseptorli Na а tomlarga berish energetik tomonidan qulay. Bunda soni bo‘yicha teng bo‘lgan musbat ionlashgan donorli va manfiy ionlashgan akseptorli atomlar paydo bo‘ladi. Akseptorlarni konsentratsiyasi N a >>N d bo‘lgani sababli atomlar-akseptorlarni ko‘pchiligi zaryadlanmagan bo‘lib qoladi. Tushayotgan foton yutiladi va elektronni valetli zonadan atom-akseptor darajasiga o‘tkazadi, bu 31- rasmda ko‘rsatilgan (A jarayoni). Rd Optik nurlash V R Vsi Gn 31-rasm. Bunda hosil bo‘lgan teshik elektr maydoni ta’sirida harakatlanadi, Bu esa elektr tokini paydo bo‘lishiga olib keladi. Elektron akseptor darajadan valentli zonaga qaytib kelishi bilan, shu bilan teshikni yo‘q qilib, (V jarayoni), tok yo‘qoladi. Bu jarayon elektorn-teshikli rekombinatsiya deyiladi yoki akseptor atomi tomonidan teshikni qamrab olish. Ionizatsiyalash energiyasi bilan kam aralashmalarni tanlab, ancha past energiyali fotonlarni opish mumkin. Mavjud yarim o‘tkazuvchi fotodetektorlar Odatda to‘lqin uzunligi to  =32 mkm gacha bo‘lganida ishlaydi. Shunday qilib, yarim o‘tkazuvchi fotodetektorlarning fotoko‘paytuvchilarga taqqoslanganda asosiy ustunligi ularni uzun to‘lqinli nurlanishni qayd qilish qobiliyati hisoblanadi, chunki ularda harakatlanuvchi tashuvchilarni yaratilishi ancha katta bo‘lgan yuza potensial to‘sig‘ini yengib o‘tishi bilan bog‘liq emas. Ularning kamchiligi tok bo‘yicha kuchaytirish katta bo‘lmasligi hisoblanadi. Bundan tashqari, tashuvchilarni fotouyg‘otishini issiqlik uyg‘otish bilan niqoblanmaslik uchun, yarim o‘tkazuvchi fotodetektorlarni sovutishga to‘g‘ri keladi. Fotodiodlar Bu yarim o‘tkazuvchi diodlar bo‘lib, ularda ichki effekt ishlatiladi (fotoeffekt nurlanish ta’sirida juft zaryad tashuvchilarning generatsiyasidan iborat). Yorug‘lik oqimi fotodiodning teskari tokini boshqaradi. Fotodiodga yorug‘lik ta’sirida fotoeffekt sodir bo‘ladi va diodning o‘tkazuvchanligi oshadi, teskari tok ko‘payadi. Bunday rejim fotodiodli deyiladi. Agar yorug‘lik oqimi bo‘lmasa, bunda diod orqali oddiy boshlanuvchi teskari tok oqadi va u qorong‘ilik toki deyiladi. Odatda fotodiod sifatida N-p-o‘tishli yarim o‘tkazuvchi diodlar ishlatiladi, u tashqi ta’minlash manbai bilan teskari yo‘nalishda siljigan. N-p-o‘tishida kvantlar yorug‘likni yutganida yoki unga yaqin hududlarda yangi zaryad tashuvchilari hosil bo‘ladi. Diffuzion uzunligidan oshmagan masofada n- p-o‘tishni atrofidagi hududlarda paydo bo‘lgan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilari N-p-o‘tishga diffundirlanadi va elektr maydoni ta’sirida u orqali o‘tadi. Ya’ni teskari tok yuritilganda oshadi. N-p-o‘tishida bevosita kvantlarni yutilishi o‘xshash natijalarga olib keladi. Teskari tokni oshgan miqdori fototok deyiladi. Fotodiodning hususiyatlari quyidagi tavsiflar bilan aniqlanadi: a) fotodiodning volt-amper tavsifi – Bu o‘zgarmas yorug‘lik oqimidagi yorug‘lik toki- ning va qorong‘ilik Iq kuchlanishga bog‘liqligi. . Donorlar darajasi Н g darajasi Belgilar Elektron Teshik. Neytral donorli atom (hali elektronga ega) Neytral akseptor musbat ionlashgan Donorli atom Manfiy ionlashgan akseptorli atom b) fotodiodning yorug‘lik tavsifi, ya’ni fototok yoritilganlikka bog‘liq bo‘lib, fototokning yoritilganlikka to‘g‘i proporsionaldir. Bu fotodiodning Baza qalinligi asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarning diffuzion uzunligidan ancha kichikligidir. Ya’ni bazada paydo bo‘lgan amaldagi barcha asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilari fototokni hosil qilishida qatnashadi. g) fotodiodning spektral tavsifi – bu fototokni fotodiodga tushayotgan yorug‘likni to‘lqin uzunligiga bog‘liqligi. U ta’qiqlangan zonaning eni bilan to‘lqinni katta uzunligi tomonidan aniqlanadi, kichik to‘lqin uzunligida – yutishni katta ko‘rsatkich va zaryad tashuvchilarning yuza rekombinatsiyasi ta’siri ko‘payishini yorug‘lik kvantlarini to‘lqin uzunligini kamayishi bilan. Ya’ni sezgirlikni qisqa to‘lqinli chegarasi baza qalinligi va yuza rekombinatsiya tezligiga bog‘liq. Fotodiodning spektral tavsifida maksimumni joylanishi yutish koeffitsiyentining oshish darajasiga qattiq bog‘liq: d) vaqt doimiyligi – bu yoritilgandan keyin fotodiodning fototoki vaqt davomida o‘zgarishi yoki barqarorlashgan miqdoriga nisbatan fotodiodning Ye marotaba (63%) qorong‘ilashi; e) qorong‘ili qarshilik – yoritilganlik bo‘lmaganda fotodiodning qarshiligi; j) integral sezgirligi K = If/F Bu yerda If – fototok, F-yoritganlik; 3) inersiyalik. Inersiyalikka ta’sir kusatuvchi uch fizik omillar mavjud: 1) baza orqali nomuvozanatli tashuvchilarnig diffuziya yoki drey vaqti L; 2) n-p o‘tishidan uchib o‘tish vaqti L1; 3) n-p o‘tishini to‘siqlik sig‘imini qayta zaryadkalash vaqti, doimiylik vaqt RC tus bilan ta’riflanadi. Baza orqali zaryad tashuvchilarning diffuziyasi vaqtini aniqlash mumkin (tranzistorning bazasi orqali zaryad tashuvchilarning uchib o‘tish vaqtiga o‘xshash) dreyfsiz uchun:p уу D t 2 2   va dreyfli uchun: , )0( ) 1( ) 10( )1( ln 1 1 ) 10( )0( ln 2          N N N N N N D t p уу   T g =50 ns N-p-o‘tish orqali uchib o‘tish vaqti: max 1 V T   bu yerda  - n -p-o‘tishni qalinligi, V max – zaryad tashuvchilarning dreyfini maksimal tezligi ( V max – kremniy va germaniy uchun 5+10 6 см/s teng) teskari kuchlanish va bazadagi aralashmalar konsentratsiyasiga bog‘liq n -p o‘tishni qalinligi odatda 5 mkm kam, demak T 1=0,1 ns . Tashqari zanjirda yuklanishni kichik qarshiligida fotodiodning baza qarshiligiga va kuchlanishga bog‘iq holda n - p-o‘tishni to‘siqli sig‘imi – RSto ‘ s aniqlanadi. RSto ‘ s miqdori bir nechta nanosekund. Fototranzistorlar Qo‘shqutbli fototranzistorlar tashqi ko‘rinishidan oddiydan farqi shundaki, uning korpusida «darcha» ochilgan, u orqali yorug‘lik oqimi baza h ududiga ta’sir ko‘rsatadi. Fototranzistorlar fotodiodlarga qaraganda katta integral sezgirlikka ega. Baza h ududiga yorug‘lik nuri ta’sir qilganida unda elektron va teshiklarni generatsiyasi boshlanadi va ular kollektorli o‘tish tomoniga h arakatlanadilar va bo‘linadilar. Teshiklar kollektorli o‘tish maydoni ta’sirida bazadan kollektorga yurishadi va uni tokini oshirishadi, elektronlar bazada qalinlashadi va emitterli o‘tishni to‘g‘ri kuchlanishini oshiradi, bu sababli bu o‘tishda teshiklar injeksiyasi kuchayadi. Buning hisobiga qo‘shimcha kollektorli tok oshadi. Maydon fototranzistorlari P-tipdagi kanali bo‘lgan fototranzistorda p-kanalini nurlaganda unda va uni atrofidagi n - h ududida (zatvor) elektron va teshiklarni generatsiyasi sodir bo‘ladi. P-kanali va n - h ududi orasidagi o‘tish teskari kuchlanishda joylashadi va shuning uchun Bu o‘tishning maydoni ta’sirida zaryad tashuvchilarning bo‘linishi sodir bo‘ladi. P-kanalida elektronlar konsentratsiyasi ko‘payadi, uni qarshiligi kamayadi va N - h ududida teshiklar konsentratsiyasi ko‘payadi. Kanal toki (stok toki) oshidi. Yorig‘lik diodlar Ularni yana injeksion yorug‘lik diodlari deyiladi, yorug‘lik diodlarda iayda bo‘lgan yorug‘lik injeksion elektrolominestensiya xodisaga tegishli. Yarim o‘tkazuvchi diodda to‘g‘ri ko‘chlani shd а emitter xudiddan baza h udidiga zaryad tashuvchilarning injeksiyasi sodir bo‘ladi. Masalan, agar p- h ududiga N - h ududidagi teshiklarga qaraganda elektronlar qop bo‘lsa, Bunda p- h ududidan N - h ududiga elektronlar h arakatlanadi. Bu elektronlar bazadagi asosiy zaryad tashuvchilari bilan rekombinatsiyalanadi.Rekombinatsiyalangan electron-lar o‘tkazuvchanlik zonasining anacha yuqori energetik darajalaridan, unga yaqin bo‘lgan chegaralarida, valentli zonaning yuqori chegaralariga yaqin joylashgan ancha past darajalarga o‘tishadi. Bunda foton ajralib chiqadi, uning enegriyasi таъ ³I³ ланган zonaning taxminan eniga teng (elektron-voltlarda). Oddiy qilib aytganda, Bunda elektronlar va teshiklarni rekombinatsiyalanganda energiya ajralib chiqadi, u esa amalda to‘liq fotonlarni hosil bo‘lishiga sarflanadi. Foton – bu yorug‘lik zarrachasi. Ajralib chiqadigan foton enegriyasi to‘lqin uzunligiga proporsionaldir: hv = hc/   D W  1,23  . Demak,  = 0,38-0,78 mkm li yorug‘likni ko‘rinish diapazonini olish uchun D W 1,7 эВга teng bo‘lishi kerak. Yorug‘lik diodlar uchun kremniy va germaniy yaroqsiz. Asosan galliy fofidi GaP va kremniy karbidi SiC ishlatiladi. Yoritish rangi o‘zgaruvchan yorug‘lik diodlar mavjud. Ular ikki o‘tishga ega, ulardan v birinchisi spektrning qizild qismida. Rangi o‘tishlar orqali oqadigan toklar nisbatiga bog‘liq. Yorug‘lik diodlar – bu ancha murakkab asboblarning asosi: chimziqli yorug‘lik diodli shkalalar, son-xarfli indikatorlar, smatritsali indikatorlar va h.k.

Похожие

Quyosh fotoelektrik elementlari va mo’dullari
Opoelektron mikrosxemalar
Opoelektron mikrosxemalar
Analogli integral sxemalar. E turdagi mikrosxemalarning hususiyatlari
Signallarni diskret almashtirish