Analogli integral sxemalar. E turdagi mikrosxemalarning hususiyatlari - Физика - Рефераты

Analogli integral sxemalar. E turdagi mikrosxemalarning hususiyatlari

Загружено в:

20.09.2019

Скачано:

0

Размер:

129.5 KB

Analogli integral sxemalar. E turdagi mikrosxemalarning hususiyatlari Reja: 1. Tagliklar 2. Plenkali elementlar – rezistorlar va kondensatorlar 3. O‘kazgichlar (simlar) va kontakt maydonchalari 4. Osma elementlarni tanlash 5. Yaratish texnologiyasi 6. Mikrosxemalarni belgilash 7. Raqamli sxemalar: Oltinchi element

Analogli integral sxemalar. E turdagi mikrosxemalarning hususiyatlari Integral sxema (IT) yoki mikrosxema - ma’lum bir o‘zgartirishni bajaradigan va signallarni qayta ishlaydigan va elektr birlashgan elementlarni, komponentlarni va kristallarni yuqori zichlikda joylashtirilgan mikroelektronli mahsulot. Integral mikrosxema (IMT) – ma’lum bir o‘zgartirish funksiyasini bajaradigan va elektro radio elementlarni (ERE) o‘zaro elektr bog‘langan majmuini qamrab olgan, yagona tehnologik siklda tayyorlangan elektron texnikani konstruksiyasi bo‘yicha bir yaxlit tamomlangan mahsulot. IMT lar yarimo‘tkazgichli va plenkalilarga bo‘linadi: - yarimo‘tkazgichli IMT – bu mikrosxema bo‘lib, barcha elementlar va elementlararo ulanishlar hajmida va yarim o‘tkazgichni yuzasida bajarilgan; - plenkali IMT – bu mikrosxema bo‘lib, barcha elementlar va elementlararo ulanishlar plyonka ko‘rinishida bajarilgan; - gibrid IMT plenkali elementlardan tashqari komponentlarga ham ega. Plenkalarni qalinligi va ularni olish usuliga bog‘liq holda plyonkali va gibridli mikrosxemalarni yupqa va qalinplyonkalarga bo‘lishadi: - yupqa plyonkali IMT – bu 1 mkm gacha plyonka qalinligi bo‘lgan integral mikrosxema, uni elementlari asosan vakumli changyutgich va cho‘ktirish usullari bilan tayyorlanadi. - qalin plenkali IMT – Bu 10-70 mkm plyonka qalinligidagi integral mikrosxema, uni elementlari farentli bosma (setkografiya) usullari bilan tayyorlanadi. IMT elementlari katta bo‘lmagan maydonda bir biroviga zich joylashtiriladi va bir vaqtda shakllantiradi. Bu ular parametrlarini kam texnologik tarqalishiga sharoit tug‘diradi. IMT ni loyihalashtirilganda minimal sonli passiv elementlardan iborat sxemali qarorni qabul qilishga intilish kerak, chunki rezistor va kondensatorlar IMT platasini ko‘p maydonini egallaydi. Buning ustiga yetarli aniqlik nominallarda bu elementlarni yaratish texnologik imkoniyatlari cheklangan. Tagliklar GIS da tagliklar dielektrikli va mexanikli asos bo‘lib aktiv va passiv elementlarni, shuningdek plyonkali va osma elementlarni joylashtirish uchun xizmat qiladi. GIS ni ayrim elementlarini taglik izolyatsiyalaydi va konstruksiyasi issiqlikni olish elesmenti hisoblanadi. Shuning uchun taglik sillik va yassi yuzaga, yuqori hajmli qarshilikka, surtilgan plyonkalarga kimyoviy inertlilikka yuqori elektrik va mexanik ishiqlikka, yuqori ishchi haroratga va arzon narxga ega bo‘lishi kerak. Tagliklarni tashqi o‘lchamlari standartlashtirilgan: o‘lchamlari asosan 48 Х 60 mm, qalinligi 0,5-0,6 mm bo‘lib sitall va polikordon tayyorlanadi.

Yupqa plyonkali GIS platalari arzon, yuqori mexanik pishiqlikka ega, issiqlikka chidamlikni o‘tkazuvchanlik, issiqlikka chidamlilik va kim- yoviy bardoshlikka ega bo‘lishi kerak. Sopolni yuqori mexanik mustahkamligi teshiklar, pazalar (ariqchalar) bilan korpusni betali sifatida platani ishlatishga imkon yaratadi, yuqori issiqlik o‘tkazishi esa baquvvat mikro-sxemalarni tayyorlashga imkon beradi. Eng yuqori issiqlik o‘tkazuvchanlikka berilliy sopoli ega, ammo berilliy achimasi yuqori zaxarliligi uchun keng ishlab chiqarishda ishlatilmaydi. «Polikor» va «sital» turdagi sopolni ko‘p qatlamli yupqa plyonkali IMT yaratishda ishlatishadi. Mikrosxemani passiv qismi aniq tayyorlanishida plataning yassiligi va g‘adir- budirligiga asosan bog‘liq. Yuzaning maksimal egriligi (mikronotekistlik) har 1 mm ga 4 mkm dan oshmasligi kerak. Plata ishchi yuzasining g‘adir-budirligi 8- sinfdan kam bo‘lmasligi kerak (notekislikni balandligi 0,32-0,63 mkm). Plata yuzasining ishlov berish tozalagi yuqori bo‘lishi kerak, chunki kaolin plenkalarni g‘adir-budir yuzaga yopishishi yaxshiroq, mikronetokisliklarni ta’siri esa 10-70 mkm qalinidagi plenkalar hususiyatlariga kam ta’sir ko‘rsatadi. Plata o‘lchamlari korpusining muayyan konstruksiyasi bilan ainqlanadi. Plata qalinligi 0,6-1,0 mm. 1206 (153. 15-1) metallshishali korpusni tanlangani hisobga olingan holda va tonologik hisob kitoblarga ko‘ra plataning o‘lchamlari 16,0 х 15,0 tashkil etadi. Plenkali elementlar – rezistorlar va kondensatorlar Yupqa plenkali rezistorlar – eng ko‘p tarqalgan IMT elementlari hisoblanib, turli materiallardan tayyorlanishi mumkin: metallar va ular qorishmlaridan, metallar aralashmasi va yarim o‘tkazgichlardan, metallar aralashmasi va dielektrik metariallardan. Plenkani kvadrat qarshiligi 200 dan 600 Om/s gacha va sochiolish quvvatini taxminan 10 mVt/mm 2 ta ega bo‘lgan ko‘pincha xrom GOST 5905-67 bo‘yicha ishlatiladi. Bunda u vaqt bo‘yicha yetarli stabillashgan. Yupqa plenkali rezistorlarni himoyalangan dielektrikni zinapoyalari bo‘lmagan silliq yuzada joylashtiriladi. Rezistiv materiallarning asosiy parametrlari – bu rezistiv plenkani kvadratini solishtirma qarshiligi, qarshilikni haroratli koeffitsiyenti va yo‘l qo‘yiladigan sochilish quvvati. Kondensatorlar qoplamlari uchun eng yaxshi material bo‘lib alyuminiy hisoblanadi, ammo u taglikka yomon yopishadi. Kondensatorlar qoplamalari yuqori o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lishi kerak, korroziyaga chidamlik, taglik materiali va kondensatorning dielektriki bilan texnologik sig‘ishishiga ega bo‘lishi kerak: TKLR, TKLR ga yaqin tagliklarga va dielektrikka, taglikka va dielektrikka yaxshi yopishishi, yuqori mexanik mustahkamligi. Dielektrik materiali taglikka va qoplama materialiga yaxshi jipslashishi kerak, yuqori elektrik mustahkamlikka va kam yo‘qolishiga, ega bo‘lishi, plenkani shakllantirish jarayonida parchalanib ketmaslik. Plenkali kondensatorlarni tayrlashda kremniy monoachishmasi yoki germaniy monoachishmasini, eng texnologikli bo‘lgani uchun, qo‘llash tavsiya etiladi. GIS ni yaratishda solishtirma yuza qarshiligi P s (N0) har bir kvadratga 10 dan 10 ming Om gacha bo‘lgan rezistiv

plyonkalar kerak bo‘ladi. Plyonka qarshiligi qancha kichik bo‘lsa, P s shunch а yuqori bo‘ladi. O‘kazgichlar (simlar) va kontakt maydonchalari O‘tkazgichlar (simlar). IMT elementlari qalinligi 0,8 mkm gacha alyuminiyli tarqatish yordamida elektrik o‘zaro ulangan. Kontakt maydonchalari. Kontakt maydonchalari (KM) yarimo‘tkazuvchi kristallning odatda atrofida joylashtirilib, oltin yoki alyuminiy simlarini uchlari yordamida (termokompressiya usuli bilan) yarimo‘tkazuvchi sxemani yaratish uchun xizmat qiladi. Tarqatishni yaratganidek (odatda alyuminiy) KM uchun o‘sha material ishlatiladi. O‘tkazgichlar va kontak maydonchalari kichik solishtirma qarshilikka taglikka yaxshi birikishga, yuqori korroziyalikka chidamlikka ega bo‘lishi kerak. O‘tkazgich va kontak maydonchalarni tayyorlashda elektroo‘tkazuvchanlik miqdori bo‘yicha bir-birovidan farqlanadigan va taglik bilan yopishishni mustahkamligi bo‘yicha turli metallar ishlatilishi mumkin. Boshida (avval) taglikka yaxshi adgeziya (birikishga) ega (nixrom yoki titian) material plyonkasi yopishtiriladi. Keyin – yuqori solishtirma o‘tkazuvchanlikka ega material (alyuminiy, mis va boshq.), undan keyin – payvandlash uchun yoki simli yopishtirish yoki boshqa uchlarini, shuningdek tashqari ta’sirlardan sim yurituvchi yo‘llarni himoyalashni sharoitlarni ta’minlaydigan materialdan plyonka. Yuqori elektro‘tkazuvchanlinka ega bo‘lga н metallar, odatda taglik bilan qoniqarsiz mustahkam yopishqoqlikka ega. Faqat alyuminiy qatlam ostisiz o‘tkazuvchanlik va kontak maydonlari uchun material sifatida ishlatiladi. Boshqa metallarni taglikka o‘tkazuvchilarni adiziyani oshirish uchun qatlam osti bilan qo‘shiladi. Osma elementlarni tanlash GIS da osma elementlarni ishlatish platada joyni iqtisod qilish fikrlar bilan aniqlanadi yoki plyonkali elementlarni talab qilingan aniq tavsiflarni ta’minlash bilan bog‘liq. Bizning holatda GIS ni osma elementlari sifatida korpussiz tranzistorlarni ishlatamiz. Gibridli plyonkali mikroshemalarda osma elementlar sifatida mitti yarimo‘tkazuvchi asboblarni keng qo‘llashadi: tranzistorlar, diodlar va h.k. GIS ning bu komponentlarga qo‘yiladigan muhim talablar – kichik o‘lchamlari va og‘irligi (vazni). Egiluvchan uchli asboblarning kamchiligi – GIS korpusida ularni yig‘ish jarayonini avtomatizatsiyalash qiyinligi. Uchlari zaldirli asboblarni qo‘llash yig‘ish jaraynini nazorat qilishni qiyinlashtiradi. Uchlari to‘sinli (balkali) bo‘lgan asboblar qimmat, ammo yig‘ishni avtomatizatsiyalash va o‘rnatish zichligini oshirishga imkon tug‘diradi.

Yaratish texnologiyasi Fotolitografiya yordamida yupqa plyonkali gibridli IMT tayyorlashni asosiy bosqichlarini ko‘rib chiqamiz. Birinchi navbatda plataga rezistiv materialdan yaxlik plyonka changlatiladi, uning ustidan esa tok o‘tkazuvchi materialdan yaxlit plyonka yopiladi. So‘ng fotorezist suriladi, unga fotoshablon orqali yorug‘lik tushiriladi, rasmi chiqariladi va nusxalantiriladi. Topologik chizmagpa asoslanib platani yuzasi bo‘sh qolgan uchastkalardan fotorezistordagi darcha orqali zaharlovchi modda bilan o‘tkazuvchi va rezistivli plyonka olib tashlanadi. Keyin ikkinchi fotolitografiya o‘tkaziladi, uning natijasida rezistivli plyonka yuzasidan selektivli –zaxarlovchi bilan rezistorlar bo‘ladigan joylardan o‘tkazuvchi plyonka olib tashlanadi. Plataga tok o‘tkazuvchi plyonkalarni adgezatsiyasini yaxshilashda rezistiv plyonkalar qatlam osti rolini o‘ynaydi. Plyonkali kondensatorning dielektriklari va yuqori qobug‘ining o‘tkazuvchi plyonkasi maskalar orqali changlatiladi. Buni ishonchli selektiv zaxarlovchilar yo‘qligidan tushuntirsa bo‘ladi, ular bo‘lganida pastga joylashgan o‘tkazuvchilarni buzmasdan faqat dielektrik plenkalarga ta’sir ko‘rsatilar edi. Osma komponentlarni yig‘ish ularni turli yelimlar, saqichlar, komponentlar yordamida plataga mahkamlashdan iborat va keyinchalik plataning kontaktli maydonchalari bilan ular uchlarini ulanishini yaratishdir. Komponetlarni mahkamlash uchun ТК L1, VK-9 va b. yelimlar ishlatiladi. Elektr ulanishlar va komponentlar egiluvchan uchlarini mustahkam mahkamlash elektr kontaktli payvandlash yoo‘li bilan bajariladi. Mikrosxemalarni belgilash Barcha mikrosxemalarni belgilash harf bilan boshlanadi yoki u siz. Agar K harfi bo‘lsa, unda miqroshema umumiy vazifalarni bajaradi demakdir, agar KA bo‘lsa, bunda IT planar texnologiyasi bo‘yicha tayyorlangan. Agar hech qanday harf bo‘lmasa, bunda bu mahsulot ancha yaxshilangan parametrlarga ega. Shuningdek ularni oddiy ossillograflarda, generatorlarda, chastota o‘lchagichlarda va h.k. uchratish mumkin. Shuni aytish lozimki, barcha yarim o‘tkazuvchi asboblar shunga o‘xshash prinsp bo‘yicha belgilanadi. Faqat ularda harf o‘rniga sonlar: 1- germaniy, 2-kremniy, 3-galliy birlashmalari. Mikroshemalarni belgilash quyidagilarga olib keladi: Birinchi element IT ni konstruktiv-texnologik guruhini belgilaydi:  1, 5, 7 – yarimo‘tkazuvchi IT (7raqam qobuqsiz IT tegitshli);  2, 4, 6, 8 – gibridli IT;  3 – boshqalar. Ikkinchi element Ishlab chiqarish tartib raqaimni belgilaydi. 2-3 raqamga ega bo‘lishi mumkin.

Uchinchi element IT funksional vazafalari, ya’ni guruhga va turi. Adashib ketmaslik uchun, barcha IT belgilarini ikki sinfga bo‘lamiz – analogli va raqamli. Analoglilardan boshlaymiz (1-jadval). 1-jadval Guruhga TUR Turnomin allarini belgilanis hiNomi Belgisi nomi Belgisi Gener atorlar G Garmonik signallar S GS To‘g‘ri burchakli signallar G GG Signallarning maxsus shakli F GF Shovqin M GM Boshq. P GF Detek- torlar D Amplitudali A DA Chastotali S DS Fazali F DF Impulsli I DI Boshq. P DP Kommu ta-torlar va kalitlar K Tok T Kt Kuchlanish N KN Boshq P KP Ko‘p funk- siyali shema lar X Analogli A Xa Raqamli L XL Kombinatsiya K XK Boshq. P XP Modul ya- torlar M Amplitudali A MA Chastotali S MS Fazali F MF Impulsli I MI Boshq. P MP Eleme n-tlar to‘pla mi N Diodlar D ND Tranzistorlar T NT Rezistorlar R NR Kondensatorla n YE NE

Kombenatsiyal i K NK Boshq. P NP O‘zga r- tirgich lar P Chastotani S PS Fazani F PF Davom etishini D PD Kuchlanish N PN Quvvat M PM Daraja (kelishtrish) U PU Kod-analog A PA Analog-kod V PV Kod-kod R PR Boshq. P PP Ikkila mchi tok manba larnin g shema lari YE To‘g‘rilovchila r V YEV O‘zgartiruvchil ar M YEM Kuchlanish stabilizatorlari N YEN Tok stabilizatolari T YET Boshq. P YEP Ushla b qoluvc hi shema lar B Passiv M BM Aktiv R BR Boshq. P BP Selek- siya va taqqos -lash shema lari S Amplitudali (sig-nal darajalari) A SA Vaqtinchaliklar V SV Chastotaviy S SS Fazoviy F SF Boshq. P SP Kucha ytirgic hlar U Y u qori chastota V UV Oraliq chastota P UP Past chastota N UN Impulsli signalar I UI Qaytargichlar YE UYE

O‘qish va qayta tiklash L UL Indikatsiyalar M UM O‘zgarmas tok T UT Operatsionli va differensiyali D UD Boshq. P UP Filtrla r F Y u qori chastotalar V FV Past chastotalar N FN Polosalilar YE FE Rejektorlilar R FR Boshq. P FP 2-jadval Guruhga ТУР Tiponomina l belgisi Nomi Belgisi Nomi Belgisi Manti q eleme nt-lari L «I» shemasi I LI «ILI» shemasi L LL «NE» shemasi N LN «И-NE» shemasi A LA «ILI-NE» sxemasi YE LE Qayta ulash elementlari R LR Boshq. P LP Trigge rlar T JK- triggerlar D- triggerlar RS-triggerlar SHMIDT triggerlari Komb i- natsio n manti qiy shema lar K Multipleksorlar va demultipleksorl ar P KP I Shifratorlar V IV Deshifratorlar D ID Schetchiklar YE IYE Registorlar R IR Summatorlar M IM Boshq. P IP Р OZU U RU

Eslab qoluvc hi quril- malar Maskali (niqobli) PZU YE RE (PR kam bo´-lishi mumkin PPZU T RT Elektr signal bilan o‘chiruvchi qayta dasturlaydigan PZU Р RR RPZU o‘chirish bilan UF nurlanish bilan F RF O‘zga r- tirgich lar P Raqam- analogli A PA Analog- raqamli V PV Boshq. P PP Raqamli s x emalar: Oltinchi element Bor yoki yo‘q bo‘lishi mumkin. Tehnologik tiplarni (turlarni) parametrik guruhlarga bo‘linishini bildiradi. Odatda Bu – harf.

Похожие

Mikrosxemalar haqida ma‘lumot

Maksvell tenglamalari (integral ko'rinishda)

Avtomatikaning funksional elementlari

O‘tkazgichlar, dielektriklar va yarim o‘tkazgichlar

O‘tkazgichlar, dielektriklar va yarim o‘tkazgichlar