Муҳитдаги электростатик майдон учун Остроградский Гаусс теоремаси - Fizika - Referatlar

Муҳитдаги электростатик майдон учун Остроградский Гаусс теоремаси

Yuklangan vaqt:

20.09.2019

Ko'chirishlar soni:

0

Hajmi:

228.87890625 KB

Ko'chirib olish

Муҳитдаги электростатик майдон учун Остроградский Гаусс теоремаси Режа: 1. Икки изотроп диэлектрик муҳитларнинг бўлиниш чегарасида электростатик майдон учун шартлар 2. Сегнетоэлектриклар

Муҳитдаги электростатик майдон учун Остроградский-Гаусс теоремаси Муҳитда электр майдони кўрилганда икки турдаги электр зарядлари фарқланади: эркин ва боғланган. Боғланган зарядлар деб атом ва молекулалар таркибига кирган, ҳамда ион панжарали кристалл диэлектриклар ионларнинг зарядига айтилади. Юқорида санаб ўтилган модда заррачалари билан боғланмаган зарядларни эркин дейилади. Эркин зарядларга қуйидагилар киради: а) электр майдон таъсирида макроскопик масофаларга кўча оладиган заррачаларнинг зарядлари (металл ва яримўтказгичлардаги ўтказувчанлик электронларининг, вакуумдаги электронларнинг, газ ва электролитлардаги ионларнинг ва х.к.); б) металлардаги атом қолдиқларининг мусбат зарядлари; в) жисмга берилган ва унинг электр нейтраллигини бузадиган ортиқча зарядлар (масалан, диэлектрик сиртига ташқаридан берилган зарядлар). Диэлектрик муҳитда электр майдони ҳам эркин, ҳам боғланган зарядлар томонидан ҳосил қилинади. Кучланганлик вектри натижавий майдонни характерлайди. Аммо диэлектрикдаги электр майдоннинг дастлабки манбаи эркин зарядлардир, чунки боғланган зарядларнинг майдони эркин электр зарядлари системаси ҳосил қилган майдонга диэлектрик киритилганда диэлектрикнинг қутбланиши натижасида пайдо бўлади. Ўз навбатида боғланган зарядлар эркин зарядларнинг қайта тақсимланишини содир этиши ва натижада шу зарядларнинг электр майдонини ўзгартириши мумкин (масалан, улар ўтказгичда турган бўлсалар). Майдонлар суперпозиция принципига биноан муҳитдаги майдон кучланганлиги эркин ва боғланган зарядлар майдон кучланганликларининг геоментрик йиғиндисига тенг:⃗E = ⃗E эрк + ⃗E боғл Демак вакуумдаги электростатик майдон учун Остраградский-Гаусс теоремаси (14.9) муҳитдаги электросататик майдонга татбиқ этилиши

мумкин, агар q кам деганда S ёпиқ гаусс сирт қамраб олган эркин ва боғланган зарядларнинг алгебраик йиғиндиси тушинилса:∮ (S) ⃗Ed⃗s= 1 ε0 (qђ “ эрђ +qђ “ ‡”‹‘ ) Майдонда боғланган зарядларнинг тақсимоти олдиндан маълум бўлмаганлиги туфайли берилган эркин зарядлар системасига мос келадиган муҳитдаги электростатик майдонни (15.16) муносабатдан фойдаланиб ҳисоблаш мураккаблашади. Дипол-молекулалар электр нуқтаси назаридан нейтрал. Шунинг учун фақат S гаусс сирт кесадиган диполларгина q кам боғ зарядга ҳисса қўшади. Электр моментлари ⃗E билан коллинеар бўлган қутбсиз диэлектрик мисолида q кам боғ нинг мидорини ҳисоблаш қийин эмас. 15.4-расмда S гаусс сиртнинг dS кичик қисми кўрсатилган. dS юзача миқёсининг ҳамма ерида (миқёсида) ⃗E вектори бир хил ва ташқи нормал ва d⃗S вектор билан  бурчак ҳосил қилади. Юзача фақат 15.4-расмда штрих чизиқлар билан кўрсатилган ясовчиси дипол-молекула  узунлигига тенг ва асосининг юзаси dS бўлган қийшиқ цилиндр ичида марказлари ётган dn диполларнигина кесади: dn = n 0  dS cоs  , бу ерда n 0 - диэлектрик молекулаларининг концентрацияси. Ушбу диполларга тўғри келган заряд қуйидагига тенг: dq кам боғ =-qdn = -n 0 р е ds cоs  = - ⃗P d⃗S Шундай қилиб qђ “‡”‹=−∮ (S) ⃗Pd⃗s (15.17) Хусусан бундан S ёпиқ сирт билан чегараланган V ҳажм сохасида боғланган зарядларнинг ўртача хажмий зичлигининг қиймати ¿ρ‡”‹ >= − 1 V ∮ (S) ⃗Pds эканлиги келиб чиқади.

(15.15) ни инобатга олган ҳолда V  0 даги лимитга ўтиб  р =  боғ учун (15.14) муносабатни оламиз: 4. q кам боғ нинг (15.17) даги қийматини (15.16) га қўямиз: ∮ (S) ⃗Ed⃗s= 1 ε0( qђ “ эрђ −∮ S ⃗Pd⃗s ) ёки ∮ (S) ε0⃗Ed⃗s+∮ S ⃗Pd⃗s=qђ “эрђ (15.16  ) Чап томонда турган иккала интегралларни интеграллаш бир хил S ёпиқ сирт бўйича бажарилади. Шунинг учун (15.16  ) тенгламани қуйидаги кўринишда ёзиш мумкин: ∮ (S) (ε0⃗E+⃗P)ds = qђ “эрђ (15.16  ) ⃗D= ε0⃗E+⃗P (15.18) векторни электр силжиш (электр индукция) дейилади. (15.18) дан фойдаланиб, муҳитдаги электростатик майдон учун Остроградский-Гаусс теоремасини ифодаловчи (15.16  ) тенгламани қуйидаги кўринишда ёзиш мумкин: ∮ (S) ⃗Dd⃗s=qђ “эрђ (15.19) Бу теоремага биноан, майдонда ўтказилган ихтиёрий ёпиқ сирт орқали электростатик майдоннинг электр силжиш оқими (силжиш оқими) шу сирт қамраб олган эркин зарядларнинг алгебраик йиғиндисига тенг . Изотроп диэлектрик муҳитда ⃗P вектор ⃗E пропорционал (15.9 га қаранг) бўлгани учун ⃗D= ε0⃗E+χε 0E=εε 0E (15.20) бу ерда  = 1 +  (15.21)15.4-

диэлектрик муҳитнинг нисбий сингдириш кўрсаткичи.  каби  - ўлчамсиз катталик. Вакуум учун  = 0 ва  = 1. Ыутбсиз диэлектрикларнинг нисбий диэлектрик сингдирувчанлиги (молекулалар концентрацияси ўзгармас бўлганда) температурага боғлиқ эмас, қутблиларнинг эса - Дебай-Ланжевен формуласига биноан температура ортиши билан камаяди. Икки изотроп диэлектрик муҳитларнинг бўлиниш чегарасида электростатик майдон учун шартлар Икки диэлектрик муҳитларни бўлувчи сиртда ётган А нуқтада бу мухитлардаги 1[⃗E 1 , ⃗D 1 ] ва 2[ ⃗E 2 , ⃗D 2 ] электростатик майдон кучланганлиги ⃗E ва электр силжиши ⃗D ларнинг қийматлари орасидаги муносабатларни топамиз. А нуқтада муҳитларни ажратувчи сиртга уринма бўйича йўналган ⃗τ ва унга биринчи мухитдан иккинчисига ўтказилган нормал бўйича ( ⃗n ) бирлик векторларни ўтказамиз. А нуқта яқинида, икки томони d  га тенг ва муҳитларни бўлувчи чегарага параллел, бошқа иккита томонилари эса  h га тенг, тўрт бурчак шаклидаги L ёпиқ контур чизамиз (15.5-расм). Электростатик майдоннинг потенциаллик шартига кўра майдон кучланганлиги ⃗E векторининг тўрт бурчак L контур бўйлаб циркуляцияси нолга тенг: ∮ (L) ⃗Ed⃗ℓ=0 Мазкур тенглик  h нинг ҳар қандай қийматида бажарилиш лозим.  h  0 даги лимитга ўтамиз. Унда, ℓim Δh→0∮ (L) ⃗Ed⃗ℓ=0 (15.22) L тўғри тўрт бурчак контур ён томонларининг узунлиги  h  0 да бу томонлар бўйлаб чизиқли интеграл ∫Ed ℓ нинг қийматлари ҳам нолга интилади, контурнинг устки ва остки томонлари эса муҳитларни бўлувчи сиртга чексиз яқинлашади. Шунинг учун соат стрелкасига тескари йўналишда L контур бўйлаб айланилганда

ℓim Δh→0∮ (L) ⃗Ed⃗ℓ=(E2τ−E1τ)dℓ(15.22  ) бўлади. 15.5-расм. 15.6-расм. (15.22) ва (15.22  ) лардан майдон кучланганлиги учун Е 2  = Е 1  (15.23) биринчи шарт келиб чиқади. Демак, майдон кучланганлигининг икки муҳитни бўлучи сиртга уринма ташкил этувчиси шу сирт орқали муҳитларнинг биридан иккинчисига ўтганда ўзгармайди. (15.20) ва (15.23) ларга биноан электр силжиш учун биринчи шарт D 2  = (  2 /  1 ) D 1  (15.24) кўринишга эга, бу ерда  1 ва  2 - биринчи ва иккинчи муҳитларнинг нисбий диэлектрик сингдирувчанлиги. Иккинчи жуфт шартларини олиш учун А нуқта атрофида мухитларни бўлувчи сиртнинг унча катта бўлмаган dS юзали қисмини ажратамиз. 1 ва 2 муҳитларни ажратувчи чегаранинг бу қисмини қамраб олган ва узунлиги  h ясовчиси ажратувчи сиртга нормал ⃗n векторга параллел, асослари эса ⃗n га перпендикуляр бўлган тўғри цилиндр кўринишдаги S ёпиқ сирт чизамиз (15.6-расм). Остроградский-Гаусс (15.19) теоремасига биноан ∮ (S) ⃗Dd⃗s=qђ “эрђ бу ерда qђ “ эрђ - S ёпиқ сиртнинг ичида, яъни цилиндр ҳажмида, жойлашган эркин зарядларнинг йиғиндиси.  h  0 даги лимитга ўтамиз, яъни цилиндр ҳажмини нолга интилтирамиз:

ℓim Δh→0∮ (S) ⃗Dd⃗s=ℓim Δh→0 qђ “эрђАгар муҳитларни бўлувчи сиртда эркин сирт зарядлар бўлмаса, у ҳолда: ℓimΔh→0qђ “эрђ = 0 ℓim Δh→0∮ (S) ⃗Dd⃗s=(D2n−D1n)dS Демак, ⃗D вектор учун иккинчи шарт D 2n = D 1n (15.25) кўринишга эга, яъни эркин сирт зарядлари бўлмаган муҳитларни бўлувчи чегарадан ўтганда электр силжишининг нормал ташкил этувчиси ўзгармайди. Мос ҳолда майдон кучланганлиги учун икинчи шарт Е 2n =   1 2 E 1n (15.26) кўринишга эга. Хусусий ҳолда, агар биринчи муҳит вакуум бўлса, у ҳолда  1 =1 ва Е 2n =E 1n /  2 . Шундай қилиб, муҳитнинг нисбий диэлектрик сингдирувчанлиги қуйидаги маҳнога эга. У, вакуумдан берилган муҳитга ўтганда майдон кучланганлигининг нормал ташкил этувчиси неча марта камайишини кўрсатади. Икки диэлектрик мухитларни бўлувчи чегарадан ўтишда, электростатик майдон кучланганлик чизиқлари синади (15.7-расм). Муҳитларни бўлувчи сиртнинг А нуқтадаги перпендикуляр билан кучланганлик чизиқлари ҳосил қилган  1 ва  2 бурчаклар tg E E tg E E n n     1 1 1 2 2 2   , шартларни қаноатлантиради. Шунинг учун (15.23) ва (15.26) лардан, икки диэлектрик муҳитларни бўлувчи сиртда, агар бу сиртда эркин сирт зарядлари бўлмаса, электростатик майдон кучланганлик чизиқларининг синиш қонуни 15.7- расм.

tg tg E En n    2 1 1 2 2 1   ёки tg  2 =   2 1 tg  1 (15.27) кўринишга эга. Муҳитларни бўлувчи сиртнинг майдон кучланганлиги чизиқларига уринган нуқталарда бир диэлектрик мухитдан иккинчисига ўтганда майдон кучланганлигининг вектори ўзгармайди, яъни ⃗E 1 = ⃗E 1  , ⃗E 2 = ⃗E 2  , ⃗E 2 = ⃗E 1 . Мос ҳолда бу нуқталарда, электр силжиши вектори учун ⃗D 2 =   2 1 ⃗D 1 муносабат бажарилади. Агар муҳитларни бўлувчи сирт электросататик майдоннинг эквипотенциал сиртига тўғри келса (мос тушса), майдон кучланганлиги ва электр силжиш векторлари шу сиртга ортогонал, яъни ⃗E 1 = ⃗E 1n , ⃗E 2 = ⃗E 2n , ⃗D 1 = ⃗D 1n , ⃗D 2 = ⃗D 2n бўлади. Шунинг учун бундай чегарадан ўтишда электр силжиш вектори ўзгармайди: ⃗D 2 = ⃗D 1 ва ⃗E 2 =   2 1 ⃗E 1 Диэлектрик муҳитларда электросататик майдонларга мисоллар кўриб чиқамиз. 1-мисол. Иккита турли диэлектрик муҳитларнинг концентрик қатламлари билан ўраб олинган R радиусли бир текис зарядланган сферанинг майдони. Нисбий диэлектрик сингдирувчанлиги  1 бўлган биринчи муҳитнинг ташқи радиуси R 1 , иккинчи муҳитники (  =  2 ) эса - R 2 (15.8-расм). Иккинчи муҳит қатламидан ташқарида (r  R 2 ) – вакуум (  =1). Диэлектрикнинг концентрик қатламлари ва зарядланган сфера 0 маркази майдоннинг симметрия марказидир. Шунинг учун майдоннинг ихтиёрий М 15.8-расм.

нуқтасидаги ⃗E ва ⃗D лар, 0 марказдан, агар  >0, ёки 0 марказга, агар  <0, радиал йўналган, яъни ⃗E = ⃗E r ва ⃗D = ⃗D r . S гаусс сирт сифатида маркази 0 нуқтада бўлган r радиусли сфера сиртини танлаймиз. Бу сиртнинг барча нуқталарида ⃗D dS=D r dS, бунда D r - S сиртдаги майдони кўрилаётган нуқтага 0 марказдан ўтказилган ⃗r радиус векторга ⃗D векторнинг проекцияси. Майдон симметриясига биноан S сиртнинг барча нуқталарида D нинг қиймати бир хил. Шунинг учун S сирт орқали силжиш оқими, ∮ (S) ⃗Dd⃗s=4πr2Dr Бошқа томондан (15.19) Остроградский-Гаусс теоремасига кўра бу оқим qђ€“ эрђ га тенг. Шундай қилиб: а) агар r<R бўлса q ýð = 0, D r = 0 б) агар r  R бўлса q ýð = q = 4  R 2  D q R R rr   4 2 2 2   Майдон кучланганлиги электр силжиш билан (15.20) муносабат орқали боғланганлиги учун Е r =0 (r  R) Er= q 4πε1ε0r2=Er‰€ђ ε1  (R≤r≤R1), Er= q 4πε 2ε0r2= Er‰€ђ ε2  (R1≤r≤R2), Er= q 4πε0r2=Er‰€ђ  (r≥R2), Бунда E r вак - диэлектриклар бўлмаган ҳолдаги, яъни вакуумдаги шу зарядланган сфера майдонининг шу нуқтасидаги майдон кучланганлиги, E r вак (14.10) формула бўйича топилади. Е(r) нинг r га боғланиш графиги 15.9-расмда кўрсатилган. Ўша ернинг ўзида E r вак нинг r га боғланиши штрих чизиқлар билан берилган.

15.9-расм. 15.10-расм. 2-мисол. Турли ишорали  ва -  сирт зичликлари билан зарядланган иккита параллел текисликларнинг майдони. Бир-биридан d масофада жойлашган текисликлар орасидаги фазо, нисбий диэлекрик сингдирувчанликлари ва қалинликлари мос равишда  1 , d 1 ва  2 , d 2 =d-d 1 бўлган иккита диэлектрик қатламлари билан тўлдирилган, (15.10-расм). Текисликларда эркин зарядларнинг тақсимланиши ва диэлектрик мухитларнинг жойлашиши симметриклигидан ⃗E ва ⃗D векторлар ҳамма ерда ХО ўққа параллел бўлиши керак, яъни ⃗E = ⃗E х ва ⃗D = ⃗D х . Диэлктрик қатламларнинг ҳар бирида майдон бир жинсли, демак бу қатламлар ҳам бир жинсли қутбланган. Шунинг учун уларда фақат, иккита ясси текисликларнинг ҳар бирида ишораси билангина фарқланадиган, зичлиги  р бўлган қутибланган сирт зарядлари мавжуд. Бундай қутбланган зарядларнинг майдон кучланганлиги фақат диэлектрик қатламларнинг ичидагина нолдан фарқли. Демак, х  0 ва х  d соҳаларда ⃗E ва ⃗D =  0 ⃗E ларнинг натижавий қийматлари нолга тенг. Пластинкалар орасидаги (0  х  d) фазода D х ва Е х ларнинг қийматларини топиш учун (15.19) Остроградский-Гаусс теоремасидан фойдаланамиз. 15.10-расмда штрих чизиқлар билан кўрсатилган S гаусс сирт учун, ясовчилар ОХ ўқига параллел,  S юзали асосларининг эса ҳар бири зарядланган текисликларга пареллел бўлган, шу билан бирга чап асоси D=0 бўлган x<0 соҳада, ўнги эса, майдоннинг кўрилаётган координатали 0<x<d нуқтаси орқали ўтган цилиндр сиртини оламиз. Цилиндр сирт орқали силжиш оқими фақат унинг ўнг асоси орқали оқимга тенг:

∮ (S) ⃗Dd⃗s=DxΔSS гаусс сирт чап текисликнинг, юзаси цилиндр асосининг  S юзасига тенг, қисмида жойлашган эркин зарядларни қамраб олган: q ýð =  S. Шундай қилиб 0  х  d соҳада D х =  ва Ex= σ ε1ε0 = Exr‰ ђ ε1  (0≤x≤d1), Ex= σ ε2ε0 =Ex‰€ђ ε2  (d1≤x≤d), бу ердаги Е х вак ни вакуумда жойлашган шу турли ишорали зарядланган параллел текисликлар учун (14.17) формуладан аниқлаймиз. 6 . Кўриб чиқилган мисоллар қуйидаги умумий хулосани тўғри эканлигини тасдиқлайди. Агар,  нисбий диэлектрик синдирувчанлиги майдон кучланганлигига боғлиқ бўлмаган бир жинсли изоптроп диэлектрик эквипотенциал сиртлар билан чегараланган электростатик майдоннинг тўла ҳажмини ёки унинг бирон қисмини тўлдирган бўлса, диэлектрикдаги майдон кучланганлиги ⃗E майдоннинг шу нуқтасида эркин зарядлар вакуумда ҳосил қилган майдон кучланганлигидан  марта кичик бўлади. ⃗E = ⃗E вак /  (15.28) Мос равишда ⃗D =  0 ⃗E =  0 ⃗E вак = D вак (15.29) бўлади. Хусусан, бутун майдонни тўлдирган бир жинсли изотроп диэлектрикда жойлашган нуқтавий q заряднинг майдон кучланганлиги ва потенциали ⃗E= q⃗r 4πε0εr2, ϕ= q 4πε0εr (15.30) бўлади.

7 . Агар диэлектрик муҳитларни ажратувчи чегара эквипотенциал бўлмаса⃗D  ⃗D n , ⃗E  ⃗E n ва ⃗D  ⃗D вак , ⃗E  ⃗E вак /  бўлади. Бунга модуллари бир хил турли ишорали зарядлар билан зарядланган иккита параллел пластинкаларнинг майдони мисолида ишонч ҳосил қилиш мумкин. Агар пластинкалар ораси вакуум бўлса (15.11а-расм), пластинкалар зарядларининг сирт зичлиши  ва -  га тенг, пластинкалар орасидаги майдон кучланганлиги эса, Е вак =  /  0 бўлади. Энди пластинкаларга перпендикуляр қилиб иккита теппа-тенг диэлектрик муҳитлар билан пластинкалар орасидаги фазони тўлдирамиз (15.11б-расм). Диэлектрикларни ажратувчи чегара, майдон кучланганлиги чизиқларига параллел бўлгани учун, биринчи ва иккинчи муҳитлардаги майдон кучланганлиги ⃗E = ⃗E 1  , ⃗E = ⃗E 2  ва чегаравий шарт (15.23) га мос ҳолда ⃗E 2 = ⃗E 1 . Демак, диэлектриклар билан тўлдирилганда пластинкалардаги эркин зарядларнинг қайта тақсимланиши рўй беради. Е 1 =  1 /(  1  0 ), Е 2 =  2 /(  2  0 ) бўлгани учун  1 /  1 =  2 /  2 . Бошқа томондан, элктр зарядларнинг сақланиш қонунига мувофиқ, ҳар бир пластинкадаги умумий заряд ўзгармайди, яъни  S=(  1 +  2 )S/2, бу ерда S - пластинка юзаси, ёки  1 +  2 =2  . Шундай қилиб,                1 1 1 2 2 2 1 2 1 2 1 2 0 1 22 2 2 2        , ( )E E E âàê Электростатик майдоннинг бирон қисмини диэлектрик билан тўлдириш ҳамма жойда майдон кучланганлигини камайишига олиб келмайди. Масалан, кучланганлиги ⃗E эрк бўлган бир жинсли майдонга диэлектрикдан ясалган узун стержен жойлаштирилса (15.12-расм) у қутбланади: унинг чап учида боғланган манфий зарядлар, ўнг учида эса - мусбат зарядлар пайдо бўлади. Боғланган зарядларнинг стержен ичидаги 15.11-расм. 15.12.- расм.

майдон кучланганлиги ⃗E боғ йўналиши бўйича ⃗E эрк га қарама-қарши, яъни Е=  ⃗E эрк + ⃗E боғ  < ⃗E эрк . Аммо стержендан ташқаридаги А ва В нуқталарда ⃗E эрк ва ⃗E боғ ларнинг йўналишлари бир хил. Демак, стержен киритилганда майдоннинг А ва В нуқталарида майдон кучаяди.

Сегнетоэлектриклар Маълум темпераутралар оралиғида, ташқи таъсирларнинг - электр майдони, деформация, ҳароратнинг ўзгариши - таъсирида кучли ўзгарадиган ўз-ўзидан қутибланишга эга бўлган кристалл диэлектриклар гуруҳини сегнетоэлектриклар дейилади. Сегнет тузи NaKC 4 H 4 О 6 . 4Н 2 О, барий титанати Ва TiО 3 сегнетоэлектрикларга мисол бўла олади. Электр хоссалари ферромагнитикларнинг магнит хоссаларига ўхшаш бўлгани учун, баҳзан сегнетоэлектрикларни ферроэлектриклар деб аташади. Ташқи электр майдон бўлмаганда сегнетоэлектрикларнинг бутун ҳажми, доменлар деб аталган ва тўйингунгача қутбланган ихтиёрий кичик соҳаларга бўлинган бўлади. Доменларнинг электр моментларининг мумкин бўлган йўналишлари кристалл симметрияси билан белгиланади. Ташқи электр майдонида сегнетоэлектрик намуналарнинг қутбланиши, биринчидан, домен чегараларининг силжишидан ва электр моментларининг векторлари майдон кучланганлиги йўналишига яқин бўлган доменларнинг ўлчамини ортишидан ва иккинчидан, доменлар электр моментларининг майдон йўналиши бўйлаб бурилишидан иборат. Етарлича кучли майдонда, майдон бўйлаб намуна тўласича бир текис қутбланганда ва унинг ⃗P қутибланганлиги ⃗E нинг кейинги ортиши билан ўзгармай қолганда тўйиниш ҳолати юз беради. Диэлектрикларга диэлектрик гистерезис (кечикиш) ҳодисаси таҳлуқли, яъни унинг дастлабки қутбланганлиги қийматига боғлиқ ҳолда, бир хил электр майдон кучланганлигида сегнетоэлектрик намуна қутбланганлигининг қиймати турлича бўлади (15.13-расм). ОХ ўқи бўйлаб йўналган майдон кучланганлиги ( ⃗E = ⃗E х ) ортиши билан олдиндан қутбланмаган намунанинг қутбланганлиги Е х =0 да Р х =0 дан тўйиниш ҳолатига мос келувчи “а” нуқтадаги Р s тўйиниш қутбланганлигигача ортади. Е х нинг кейинги 15.13- расм.

нолгача камайишида, қолдиқ қутбланганлик деб аталувчи Р R қийматгача қутбланганлик камаяди. Фақат қарама-қарши йўналишда Е х =-Е е электр майдон кучланганлиги таъсир этгандагина намунанинг қутбланганлиги йўқолади. Е е катталик коэрцитив куч деб аталади. Даврий равишда сегнетоэлектрик қутбланишининг ўзагариши, модда қизишига олиб келадиган энергия сарфи билан боғлиқ. 15.13-расмда қўрсатилган гистерезис сиртмоғининг юзаси сегнетоэлектрик қутбланганлигининг бир цикл ўзгарганида унинг бирлик ҳажмида ажралиб чиқадиган иссиқлик миқдорига пропорционал бўлади. Сегнетоэлектрикнинг  нисбий диэлектрик сингдирувчанлиги ва  диэлектрик қабул қилувчанликлари нафақат модданинг кимёвий табиатига, балки температура, электр майдон кучланганлиги ва дастлабки қутбланганлигига ҳам боғлиқ. Одатда дастлаб қутблантирилмаган, яъни Е=0 да уларнинг қутбланганлиги Р=0 бўлган намуналарда  ва  = 1+  ларнинг майдон кучланганлигига боғлиқлиги қараб чиқилади. Сегнетоэлектрикларда бу боғланишга мос келган  ва  ларнинг максимал қийматлари жуда катта қийматларга эришади (10 3 ва юқори). Ъар бир сегнетоэлектрикда Кюри нуқтаси (Кюри температураси) деб аталган шундай Т с температура мавжудки, ундан юқори бўлганда бу модда ўзининг алохида электр хусусиятларини йўқотади ва ўзини оддий қутбли диэлектрик каби тутади. Масалан, барий титанатида Т с = 406 К (133 0 С), литий ниобатда LiN 6 О 3 Т с = 1483 К (1210 0 С). Сегнет тузи фақат қуйи Кюри нуқтаси Т с қуйи = 255 К (-18 0 С) ва юқори Кюри нуқтаси Т с юқори = 297 К (24 0 С) оралиғидаги температуралардагина сегнетоэлектрик хоссаларига эга. Кюри нуқтасида модданинг фазавий алмашиниши юз беради. У спонтан қутбланган фазадан қутбланмаганлигига ёки, аксинча, қутбланмаганлигидан спонтан қутбланганлигига ўтади.

Адабиётлар: 1. И.В.Савельев « Умумий физика курси», т. I , II , II , Т.Укитувчи, 1970-80 йиллар. 2. Р.И.Грабовский «Физика курси», Т.Укитувчи, 1973. 3. О.Ахмаджонов «Физика курси. Механика ва молекуляр физика», Т.Укитувчи, 1981. 4. О.Ахмаджонов «Физика курси. Электр ва магнетизм», Т.Укитувчи, 1981. 5. О.Ахмаджонов «Физика курси. Оптика, атом ва ядро физикаси», Т.Укитувчи, 1983. 6. С.П.Королев «Физика курси.», Т.Укитувчи, 1985.

O'xshashlar

Вакуумдаги электростатик майдон учун остроградиский гаусс теоремаси

Электростатистика. Кулон конуни Остроградский-Гаусс теоремаси ва унинг кулланишлари

Остроградкий-Гаусс теоремаси ва унинг ёрдамида электр майдон кучланганлигини хисоблашнинг хусусий холлари

Электр индукция вектори ва окими

Электростатик майдондаги диэлектриклар Узгармас электр ток конунлари