Maydonli tranzistorlar - Физика - Рефераты

Maydonli tranzistorlar

Загружено в:

20.09.2019

Скачано:

0

Размер:

767 KB

Maydonli tranzistorlar Reja: 1. Boshkariladigan r-n utishli maydonli tranzistorlar 2. Zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlar 3. Zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlar 4. Tranzistorning parametlari

Maydonli tranzistor-chikish toki kirish kuchlanishi bilan boshkariladigan yarim o‘tkazgichli asbob. Maydonli tranzistorlarda chikish tokiga ta’sir kiluvchi kirish kuchlanishi elektr maydon hosil kiladi. Yukorida keltirilgan bipoyalar tranzistorda ikki xil-asosiy va asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar muxim rol uynaydi. Maydonli tranzistorlarda tok asosiy tok tashuvchilar yordamida hosil kilinib, asosiy bo‘lmagan tok tashuvi zarayad muxim rol uynamaydi. Shu sababli maydonli tranzistor unipoyalar tranzistor deb ham ataladi. Bipoyalar tranzistorda chikish toki baza yoki emitterning kirish toki bilan boshkariladi. Unda kirish qarshiligi kichik bo‘ladi. Kirish qarshiligi kichik bulishi zarur bulgan hollarda bipolyar tranzistorni ishlatish mumkin. Lekin ayrim sxemalar kirish qarshiligi katta bulishini takozo kiladi. Maydonli tranzistorlarda tokni boshkarish elektr maydon vositasida boshkarilganidan o‘zgarmas tok va past chastotali o‘zgaruvchan toklar uchun tranzistorning kirish qarshiligi juda katta bo‘ladi: 108-1015 Om. Maydonli tranzistorlarni tayyorlash texnologiyasi bipoyalar tranzistorlarga nisbatan soddarok. Bundan tashkari, maydonli tranzistorlar mikrosxemalarda kichik yuzani egallaydi va kam tok iste’mol kiladi. Shu sababli kichik ulchamda bir necha mingdan, un minggacha tranzistor va rezistorlarni hosil qilishimkonini beradi. Maydonli tranzistorlar tayyorlanish texnologiyasi va konstruktiv ijrosiga kura, ikki gruppaga bulinadi: boshkariladigan r-n utishli va zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlar Boshkariladigan р -n utishli maydonli tranzistorlar.

Tranzistor n + yoki р - utkazuvchanlikka ega bulgan kristalldan tayyorlanadi. Kristallning karama-qarshi tomonlaridan ulanish uchlari chikarilib, ulardan biri istok ( bulok), ikkinchisi stok ( upkon ) deb ataladi. Istok va stok oraligiga diffuziya usuli bilan р -soxa (n - utkazuvchanlikka ega bulgan kristallda ) yoki n -soxa ( р - utkazuvchanlikka ega bulgan kristallda) joylashtiriladi. Natijada kristallning shu kismida р -n utish vujudga keladi. Tranzistorning istoki va stoki oraligiga Е 2 batareya shunday ulanadiki, natijada asosiy tok tashuvchilar istokdan stokka tomon xarakatlanadi. Tok tashuvchi zarayadlar bunda р -n utish orqali emas, balki uning yonidan kanal buylab okadi. Shu jihatidan ham maydonli tranzistordan fark kiladi. Ikkinchi E 1 tok manbaini istok va zatvor oraligiga teskari р -n utish hosil bo‘ladigan qilib ulaylik. Natijada р va n - orasida mavjud bo‘ladigan qilib ulaylik. Bunda zatvor soxasida zaryadlar kontsentratsiyasi kanalga nisbatan katta bulganligidan kambagal soxaning kengayishi asosan kanal tomonda bo‘ladi. Natijada tok utkazuvchi kanalning kundalang kesimi kamayadi va shunga muvofiq uning qarshiligi ortadi. Bu esa uz navbatida kanal orqali utuvchi tokning kamayishiga olib keladi. Shunday qilib, zatvor tranzistorda boshkaruvchi elektrod bulib xizmat kiladi. Tranzistor orqali utuvchi tok nolga teng yoki ma’lum belgilangan qiymatgacha kamayadigan zatvor-istok kuchlanishi ajratish kuchlanishi deb ataladi. R-kanalli tranzistorlarda bu kuchlanish musbat bulib, odatda 0,2-7 В oraligida bo‘ladi. Keyingi yillarda maydonli tranzistorlar ikki zatvorli qilib chikarilmokda. Ikkinchi zatvor ko‘pincha birinchi zatvorga ulab quyiladi va u

kanalni pastki tomonidan cheklaydi. Maydon tranzistorning chikish VAX i quyidagicha bo‘ladi. Bu xarakteristikani bipolyar tranzistorniki bilan solishtirilsa, ularning uxshash ekanligini kurish mumkin. Yukorida aytib utilgan tranzistorda berkituvchi katlamning maksimal kengayishi fakat U зи =U зи аж kuchlanishda ruy bermasdan, balki undan kichikrok kuchlanishlarda ham bulishi mumkin.Bu stok va istok oraligiga berilgan kuchlanishga ham boglik bulib quyidagi U си =[U зи -U зи аж ] ga teng. Harakteristikadagi chiziqli soxaga tugri kelgan tok va kuchlanish orasidagi boglanishni quyidagi formula orqali ifodalash mumkin: I c =2ЗИАЖ сб u I [2(U зи - U зи аж ) U си - U 2 си ] Bu yerda…I сб - boshlangich stok toki. Harakteristikaning tuyinish soxasi uchun bu boglanishni taxminan I c = I c б 2 1        зиаж зи u u yordamida yozish mumkin. Harakteristikadan foydalanib tranzistorning quyidagi n arametrlarini topish mumkin: C h ikish utkazuvchanligi

const U си c и зи U I Y     22yoki maydon tranzistorining chikish qarshiligi и c Y r 22 1  Kam quvvatli maydon tranzistorlarda bu kattalik odatda 10 - 100 kOm atrofida bo‘ladi. Harakteristikaning tikligi const U зи c си U I S     bilan aniklanadi. Zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlar. Bu maydonli tranzistorda zatvor asosiy kanaldan dielektrik bilan ajratilgan. Tranzistorda zatvor metalldan qilingan bulib, yarim o‘tkazgichdan dielektrik bilan ajratilgan. Shu sababli metall, dielektrik va yarim o‘tkazgichdan iborat struktura hosil bo‘ladi. Kupgina hollarda dielektrik sifatida oksidlardan foydalaniladi. Shunga kura ba’zan tranzistorni MOP tranzistor ham deb ataladi. Zatvori izolyatsiyalangan maydon tranzistorlari ikki xilda ishlab chikariladi: ichiga kanal urnatilgan tranzistor va induktsiyalangan kanalli tranzistor. Kanal urnatilgan tranzistorning tuzilishi quyidagi (a- rasm)da keltirilgan. Bu tranzistorda istok va stok oraligida diffuziya usuli bilan n-tipli kanal hosil kilinadi. Zatvorga manfiy potentsial berilganda kanalda musbat zaryadlar induktsiyalanadi va zaryadlarga « kambagal » zona hosil bulib kanalning solishtirma qarshiligi oshadi. Manfiy potentsial U зи . а м ga yetganda istok va stok oraligidagi tok tuxtaydi, Tranzistorda urnatiladigan kanal r-tipli bulishi mumkin.Bunda istok va

stok oraligidagi tokni kamaytirish uchun zatvor va istok oraligiga musbat kuchlanish beriladi. Kanal urnatilgan-MDP tranzistorlar ko‘pincha kanal zaryadlarga kambagallashgan rejimlarda ishlatiladi. Bu rejimda ishlagan MDP tranzistorining xarakteristikasi р -n utishli tranzistornikiga uxshash bo‘ladi . Induktsiyalangan kanalli tranzistorning tuzilishi quyidagi rasmda keltirilgan. Tranzistorning asosi katta solishtirma qarshilikka ega bulgan р - utkazuvchanlikli materialdan tayyorlanadi. Yarim utgazgichning yukori sirtida n-utkazuvchanlikka ega bulgan istok va stok soxalari hosil kilinadi. Asos va bu soxalar orasida r-n utishlar hosil bo‘ladi. Istok va stok oraligiga tok manbai qanday ishorada ulanmasin, ulardan biri doimo berk bo‘ladi. Shu sababli dastlabki holatda utkazuvchi kanal bulmaydi. Zatvorga kichik miqdordagi musbat potentsial quyilsa , asosning zatvorga yakin joylashgan soxasida manfiy zaryadlarni induktsiyalaydi . Kuchlanish orttirila borib, ma’lum bir chegaraviy U зич qiymatga yetganda, sirtida n-tipli utkazuvchanlikka ega bulgan inversion katlam hosil bo‘ladi. Bu katlam orqali istokdan stokka tomon tok oka boshlaydi. Zatvordagi kuchlanish ortishi bilan kanalning utkazuvchanligi ortadi. Odatda U зич kuchlanish 1-6 В atrofida bo‘ladi.

Tranzistorda asos sifatida r-tip yarim o‘tkazgich urniga, n-tipli yarim o‘tkazgich olinib, istok va stok katlamlarini р -tipli qilib yasalsa, р -kanalli tranzistor hosil bo‘ladi. Kovaklarning xarakatchanligi elektronlarning xarakatchanligiga nisbatan kichik bulganligidan р -kanalli tranzistorlarning ishlash tezligi n-kanalli tranzistorlarnikiga nisbatan sekinrok bo‘ladi. Shu sababli р - kanalli tranzistorlarga nisbatan, n-kanalli tranzistorlar ko‘prok bo‘ladi. Shu sababli р -kanalli tranzistorlarga nisbatan, n-kanalli tranzistorlar ko‘prok ishlatiladi. Integral sxemalarda ishlatiladigan MDP tranzistorlar bundan mustasno. Ularda bir-birini tuldiruvchi n va р -kanalli tranzistorlar ishlatiladi. Bunday MDP tranzistorlar komplementar tranzistorlar deb ataladi. Induktsiyalangan r-kanalli maydonli tranzistorning VAX ida AV oralik chiziqli soxa, VD coxa tuyinish soxasi deb yuritiladi. I c ning kuchlanishga boglikligi chiziqli soxada I c = k[2(U зи - U зич )U си - U 2 c и ]   Uc и  <  U зи _ _ U зич  tuyinish soxasida I c =h[2(U зи - U зич ) 2 ]   U зи _ _ U зич  <  U си  formulalar orqali ifodalanishi mumkin. Proportsionallik koeffitsiyenti tranzistor-ning konstruktsiyasi, ulchamlari va utkazuvchi kanal konstruktsiyasiga boglik bo‘ladi.

Maydonli tranzistorlar ham , bipolyar tranzistorlarga uxshab umumiy istokli ( UI ), umumiy stokli ( US ) va umumiy zatvorli ( UZ ) sxemalarda ulanishi mumkin . Maydonli tranzistorlarining chastota xususiyatlari zaryad tashuvchilarning xarakat tezligi va kanal uzunligi bilan belgilanadi. Zarrachalar tezligini esa kanaldagi maydon kuchlanganligini oshirib ko‘paytirish mumkin. Xozirgi kunda ishlab chikarilayotgan maydonli tranzistorlarning chastota diapazoni 1500 MGts gacha borib, uzib- ulanish vaqti 30 ns atrofida bo‘ladi. Maydonli tranzistorlar, bipolyar tranzistorlar kabi markalanadi. Farki fakat ikkinchi elementida bulib P harfi quyilgan.

Похожие

Tranzistorlar

Bipolyar tranzistorlar

Qo‘sh qutbli tranzistorlar ulanishining asosiy sxemalari

Maydon tranzistorlari

Yarim o‘tkazgichli diod va uning turlari