Яримўтказгичли хотира қурилмалари - Алгебра - Рефераты

Яримўтказгичли хотира қурилмалари

Загружено в:

14.03.2020

Скачано:

0

Размер:

299 KB

Яримўтказгичли хотира қурилмалари Режа: 1.Синфланиш ва асосий параметрлари 2.Статик оператив хотира 3.Динамик оператив хотира

Яримўтказгичли хотира қурилмалари (ХҚ). Электрон ҳисоблаш машиналарида (ЭҲМ) рақамли информацияларни хотирада сақловчи қурилмалар ишлатилади. Буларга магнит ленталари, магнит дисклари ва барабанларига ёзилган-ахборотлар билан ишловчи қурилмаларни кўрсатиш мумкин. Ушбу бўлимда кенг қўлланиладиган ярим ўтказгичли хотира қурилмалари билан танишилади. Уларда хотира ячейкалари сифатида диодлар, биполяр ва униполяр транзисторлар ишлатилади. Информацияни сақлаш муддатига кўра, хотира қурилмалари доимий хотира қурилмалари ( ДХ ) ва оператив хотира қурилмалари ( ОХ ) га бўлинади. ДХ ларда информация узоқ вақт сақланиб, қурилма ток манбаидан узилганда ҳам ахборот сақланиб қолади. ОХ ларда эса информация ЭҲМ ишлаб турган даврдагина ёзилиши ва сақланиши мумкин. 13.1-расм. Адреси уч разрядли бўлиб матрицанинг горизантал ўтказгичларга бериладиган ДЕС схемаси. Доимий хотира қурилмалари. 13.1-расм саккиз қатор ва тўрт устунга эга бўлган диод матрицали хотира қурилмаси келтирилган. Дешифратор адреси киришлари АБС ларга берилган адресли сўз унинг чиқишларидан бирида бирлик кучланиш ҳосил қилади. Масалан, 000 адрес сўзи берилганда Х 0 чиқишда кучланиш ҳосил қилади.

Диодли матрицанинг ҳамма ячейкаларида диодлар мавжуд бўлиб, баҳзилари узилган бўлади. Кетма-кет уланган эрувчан ўтказгич ёзиш пайтида куйиб узилиши мумкин. Агар 001 адресли буйруқ берилса, горизонтал Х 1 ўтказгичда ҳамда VD13, VD11 ва VD10 диодлар Y 3, Y 1, Y 0 чиқишларда кучланиш ҳосил қилади. Бу эса вертикал чиқиш ўтказгичларида 1011 деган тўрт хонали сўзнинг ёзилишига мос келади. Одатда, диодли хотира ячейкалари ўрнида, р ва n каналли МДП ва КМДП ли майдон транзисторлари ишла-тилади. МДП транзисторлар ишлатилганда Х 0 – Х 7 горизонтал ўтказгичларга транзисторларнинг истоки ерга, стоки эса матрицанинг  0 -  3 вертикал симларига уланади. Резисторларнинг учлари эса ток манбаига уланади. 13.2-расм. Адреси беш разрядли бўлиб, матрицанинг горизонтал ва вертикал ўтказгичларга бериладиган ДЕС схемаси. 13.2-расмдаги DX матрицасида адреслар икки қисмга бўлинган бўлиб, улар матрицанинг ҳам горизонтал, ҳам вертикал симларига берилиши мумкин. Хотирани бундай ташкил қилиш адреслар сони кўп бўлганда қулайдир.

Хотира ячейкалари сифатида ҲАМ – ЭМАС схемасини иккита киришини Х ва Y симларига схемаларнинг чиқишлари параллел уланади. Хотира ячейкасига информацияни ёзиш турли усулда: масалан, ҲАМ – ЭМАС схемаси киришидаги эмиттер учларини куйдириш орқали амалга оширилиши мумкин. Қурилма қуйидагича ишлайди. Адрес дешифровка қилингандан сўнг матрицанинг битта горизонтал ва битта вертикал ўтказгичларида кучланиш ҳосил бўлади. Бу эса ҲАМ – ЭМАС схемасининг умумий чиқишида 0 ёки 1 пайдо бўлишига олиб келади. 0 ёки 1 ҳосил бўлиши эмиттер кириши кесишиш нуқтасига уланган ёки уланма-ганлигига боғлиқ. Умуман олганда, битта матрица ҳар бир адрес учун бир хонадаги ахборотни сақлай олади. Шу боис хотирага n – хонали сўзни ёзиш учун n – матрица керак бўлади. келтирилган ДХ да сақланаётган n – хонали сўзларнинг умумий сони 2 k . 2 l = 2 ( k+1 ) га тенг. Бунда k ва l – дешифратор горизонтал ва вертикал ўтказгичлар сони 25.2-расмда келтирилган ҳолда k =3; l =2. Демак, 2 k . 2 l = 2 3 . 2 2 = 32. Ҳозирги кунда қўлланилаётган микро ЭҲМ ларнинг ДХ лари бунга нисбатан анча катта хотирага эга. Программали ДХ. Юқорида келтирилган ДХ , одатда ишлаб чиқарувчи томонидан программалаштирилади. Уларда хотиранинг ҳамма ячейкалари тайёрланиб, ўзаро металл ўтказгичлар воситасида уланади. ДХ ларнинг баҳзи турларини бир неча марта программалаштириш мумкин. Масалан, затвори изоляцияланган МДП транзисторининг хотира ячейкасида программа бўйича тўпланган заряд йил давомида сақланиши мумкин. Бундай ячейкаларни янгидан программалаштириш учун улардаги заряд улғтрабинафша ёки рентген нурлари ёрдамида йўқотилади. Бундай типли ДХ лар репрограммалаштирилувчи ДХ лар деб аталади. Оператив хотирада сақловчи қурилмалар . ОХ қурилмаларда адрес матрицали 26.2-расмда келтирилган матирица каби бўлади. Фарқи шундаки, хотира ячейкаси сифатида оддий тириггерлар яҳни 1 бит информацияни сақловчи бистабил ячейкалар ишлатилади.

ОХ ларда адресни шифрсизлаш пайтида Х 1 ва Y 1 матрицалар ўтказгичларда мантиқий 1 га мос келган кучланишлар пайдо бўлади. Бу кучланиш ёзиш хисоблаш деб узиб-уловчи мантиқий схема билан биргаликда, беқарор ячейкаи унга 1 бит информацияни ёзиш ёки унда сақланаётган хотирадан 1 бит информацияни хисоблаш учун улайди. Хотира курилмаси ички ва ташки булиши мункун.Ташки хотира деб магнит ёки оптик дискларида ва ленталаридаги хотирага айтилади. Ички хотира асосан микросхемаларда бажарилади.Ички ва асосий хотиралар икки типга булинади. Аператив хотира курилмаси. (ОХ+). Ёки ихтиёрий танланган Х+ (ИТХ+) ва доимий Х+(ДХ+).ОХ+ бундан ташкари RAM (Random Access Memory), ДХ+ эса ROM (Rеаd Only Memory ) деб хам белгиланади. Узида хам ОХ+ Хам ДХ+ хусусиятларини олган хотира. Флеш (Flash ) ва манбага боглик булмаган хотира NV (Nonvolative)лар хам кенг таркалган.Охирги ном шартли чунки ДХ+ ва Флеш хотира хам манбага боглик булмаган хотиралардир. ОХ+да кодлар бажарилаётган вазифаларга караб доим узгариб туради ва манба учирилиши билан бутунлай йуколади. ДХ+ да ЭХМ ишини бошкарадиган стандарт дастурлар, константалар, белгилар жадвали ва бошка ахборотлар сакланади ва улар камғютер учирилганда хам сакланиб колади.ОХ+ статик (SRAM), динамик (DRAM) регистрли (RG) хотирага булинади. ДХ+: никобли- ишлаб чикарувчи завод томонидан дастурланган (ROM), истеҳмолчи томонидан бир бора дастурланадиган (PROM ёки ОТР), истеҳмолчи томонидан кун бора дастурланадиган ва улғтра бинафша нур билан учириладиган (EPROM)` ёки электр билан учириладиган (ЕЕPROM, Flash) булиши мумкун. Бундан ташкари истеғмолчига бир кристалда мантикий элементлар ва курилмаларнинг барчасини уз ичига олган дастурланадиган матрицалар ва курилмалар (РLM,PML, PLA,PAL,PLD,FPGA ва х.к.) чикарилган. Х+ типига боглик равишда хотира элементи (ХЭ) триггер, конденсатор,”Сузувчи затворли” транзисторлар, мурт уланиш (ёки унинг йуклиги) булиши мумкин. ХЭларнинг тартибли тизими хотира ячейкасини (ха) пайдо килади.

ХЯда ХЭлар сони (суз узунлиги) 2n (1,2,4,8,6,32,64...)га тенг булиб, бу курсатгич 8дан ошгач ХЭларини гурухлаш амалга оширилади. ХЯ даги ХЭ ларининг сони суз узунлиги дейилади. Хотира микросхемаларнинг асосий тавсифлари информацион сигим, тезлик, кувват истемолчидир. Х+ сигими кушимча 210=1024=1k га тенглаштирилади. Бу бирлик битга тенг булган суз узунлиги учун килабит (Кв), байтга (8битга) тенг булган суз узунлиги учун килобайт (КВ) дейилади.[6] Хар бир иккининг “п” даражали хотира ячейкасига ХЯ нинг адреси деб айналиши «п» да режал иккилик сон тугри келади. Масалан, 511- хотира ячейкасининг адреси 11111 1111 (ВIN)-511(DEK)-1 F F (AEХ) булади. Дастурларда адреслар 16-лик форматда берилади. Х+ сигими купинча 2 n*m куринишида берилади, бундан 2 n-хотира ячейкалари сони, m-эса ячейка суз узурлиги. Масалан,8к*8 (м с 537 РУ17), яхни 8192 –бит ячейка улчамини билдиради.Ленин баҳзи манбаларда бу микросхема 64 к бит деб берилади.Ушбу сигимни 16к*4, 64*1,32*2 куринишида ташкиллаштирилган микросхемаларда хам учратиш мумкун. Хотира ички ва ташқи бўлиши мумкин. Ташқи хотирага магнитли, оптик дискли, лентали ва ҳ.к. киради. Ички хотира одатда микросхемаларда тайёрланади. Ҳозирги пайтда оператив хотира ва доимий хотира хусусиятларини мужассамлаштирган Флэш ( Flash ) хотира кенг қўлланилади. У ҳам доимий хотира каби энергияга боғлиқ эмас.

Статик типдаги оператив хотира Статик типдаги оператив хотирада элемент сифатида оддий D-триггер заўелка қўлланилади. 537РУ10 микросхемада ҳар бир хотира ячейкаси (ЯП) 8- та триггердан ташкил топган ва ячейкалар кристалда тўғри бурчакли матрица кўринишида жойлашган. Расмда қуйидаги белгилар ишлатилган: n-адресликириш йўллари (A0 .. An- 1), DIO- саккиз разрядли икки йўналишли маҳлумотлар шинаси, OE-чиқишга рухсат берувчи кириш сигнали, CS- микросхемани танлайдиган кириш йўли, WE-ёзишга рухсат берадиган кириш йўли. Охирги сигналлар WR/RD кўринишида белгиланиши мумкин ва у сигналнинг паст қийматида байтни ёзиш ва юқори қийматида ўқиш бажарилади. EO, DI, WR –ички сигналлар бўлиб, улар ўқиш/ёзиш/сақлаш бошқариш блоки томонидан ишлаб чиқарилади. Пастки расмда микросхеманинг ички структураси келтирилган. Ундан асосий режимларни ва микросхеманинг шартли график белгилинишини кўриш мумкин.

Динамик типдаги оператив хотира Хотира элементи сифатида интеграл микросхемадан иборат микроконденсатор ишлатилади. Хотира элементлари кристалда 512 * 512 = 2 9 * 2 9 матрици кўринишида жойлашган. Улар ҳар бири 9-та адресли кириш йўлига эга бўлган чизиқли қатор ва сатр дешифраторлари орқали бошқарилади. Агар сатр/устун сигнали R/C қуйидаги S Мультиплексор нолга тенг бўлса, унда A(0..8) = Y(0..8) бўлади ва микросхемага қатор адреси берилади. R/C = 1 бўлганда Мультиплексорнинг чиқишида A(9..17) устунлар адреси берилади.[7]

Динамик типдаги оператив хотиранинг вақт диаграммаси Доимий хотира Доимий хотира (BIOS) она платада жойлашган алоҳида микросхема бўлиб, фақат ўқиш ва сақлаш режимларида ишлайди ва унга ахборотларни ёзиш мумкин эмас.У энергияга боғлиқ эмас,чунки алоҳида аккумулятор батарейкасидан озиқланади. BIOS қажми кичик бўлиб унда фирмада компғютер ишлаб чиқарилганда кичик дастурни ёзиб қўяди ва ўчмаслиги учун аккумулятор батарейкасини ўрнатади. Дастурнинг асосий вазифаси: компғютер ёқилгандан сўнг автоматик равишда бу дастур ишга тушади ва у 2 та вазифани бажаради: Компьютернинг асосий қурилмаларини тестдан ўтказади. Асосий қурилмалар соз бўлганда операцион системада бўлган юклагич модулини оператив хотирага юклайди. 1) Операцион системанинг бошқа модулларини винчестердан оператив хотирага юклагич ўзи юклайди. BIOS — IBM РС туридаги компғютерларда мавжуд бўлиб, улардаги маълумотлар микросхема тайёрланаётганда киритиб кўйилади. Бу маълумотлардан кейинчалик компьютер ишлаётганда фақат ўқиш учун фойдаланилади. BIOS -бу термин киритиш-чиқаришнинг базали системасидир. BIOS 2- та программа ва аппарат симлари ўртасидаги боғловчи ҳисобланади.

Киритиш-чиқариш cистемаларда базавий асоси бу комбинациялаш BIOS лар ва қийматлар учун юкланадиган драйверлардир. BIOS-нинг бир қисми она платадаги микросхемага жойлашади ва у Firm wаре деб номланади. (Айнан мана шу микросхемалар фойдаланувчи BIOS-ни компьютердан аппарат қисмига киритади. қуйдаги келтирилган расмда PS-нинг бўлимлар боғламаси келтирилган. Кўплаб йиллар давомида бу дастур ҳамкор эталони ҳисобланиб кўплаб фирмалар маҳсулоти билан тенглашарди. Тоза хотира уйи ва қорамшиқ методи бўйича IBM BIOS ни PH фирмаси биринчи бўлиб ишлаб чиқарган. Бизга 2-та ҳар хил компьютер берилганган уларга BIOS ишлатилади. Улар икки хил вариантда ўрнатилган. Улар икки компютерга икки хил қурилмалар ўрнатиш мумкин. (Процесор, қаттиқ диск, монитор ва ҳк) . Лекин уларнинг иккаласига ҳам, бир хил системани ишлатиш мумкин. (ARG) ёрдамида Arleuski on Proor. Interfeys операцион система қўшимча дарслар ўртасидаги боғланиш қабул қилинади. Операцион система ўз ўрнидаBIOS орқали аппарат таъминотига мурожат қилади. Бу боғланиш драйвер қурилмалар кўринишида амалга ошади.

Фойдаланилган адабиётлар: 1. Мейер М. Теория реляционных баз данных. – М.: Мир, 1987. – 608 с. 2. Абдуманонов А.А., Карабаев М.К., Хошимов В.Г.. Информационнокоммуникационная технология организации лечебно- диагностических процессов в стационарах экстренной медицины. Межд. ж. Информационные технологии моделирования и управления. 2012,- №5(77). –с. 378-385. 3. Карабаев М.К., Абдуманонов А.А. Алгоритмы и технологии обеспечения безопасности информации в медицинской информационной системе ExterNET. Программные продукты и системы, Научно-практич. издание № 1(101), 2013 г., С. 150-155. 4. Ю.А. Григорьев, В.Г. Матюхин. Оценка времени выполнения сложного sql- запроса в субд ms sql server. Организация баз данных 2004. №2 (8)- С.3-11. 5. Гаврилова Т.А., Хорошевский В.Ф. Базы знаний интеллектуальных систем. Учебник. — СПб.: Питер, 2000.-384с.

Похожие

ИМСларни яратилиш тарихи

Микропроцессорлар

Интеграл микросхемалар

Микроконтроллерлар

Электрон калит схемалари